ST传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：LM158QT 编号：C2970471

封装：DFN-8(2x2)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STPIC6C595TTR 编号：C222081

封装：TSSOP-16

品牌：ST(意法半导体)

功率逻辑8位移位寄存器

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型号：STD6NF10T4 编号：C88592

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

采用独特的STripFET工艺实现的这款功率MOSFET系列产品，专门设计用于将输入电容和栅极电荷降至最低。因此，它适合作为电信和计算机应用中先进的高效、高频隔离式DC-DC转换器的初级开关。它也适用于任何对栅极驱动要求较低的应用

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型号：TS4990IDT 编号：C2970420

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

1.2 W音频功率放大器，支持低电平有效待机模式

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型号：STF18N60M2 编号：C146209

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

N沟道600 V、0.255 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装

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型号：STM32F030K6T6 编号：C46830

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理。数字和I/O电源：VDD = 2.4V至3.6V

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型号：LD1086DT50TR 编号：C164853

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

是一款低压降电压调节器，能够提供高达1.5A的输出电流。在最大输出电流下，压降保证最大为1.2V，在较低负载时会降低。与旧的三端可调稳压器引脚兼容，但在压降和输出容差方面性能更好。与PNP稳压器不同，其静态电流流入负载，提高了效率

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型号：STM8L151F3U6TR 编号：C91430

封装：UFQFPN-20(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作电源：1.65至3.6V（无BOR），1.8至3.6V（有BOR）。温度范围：-40至85或125℃。 5种低功耗模式：等待、低功耗运行、低功耗等待、带RTC的主动暂停、暂停。超低每I/O泄漏：50nA。从暂停模式快速唤醒：5μs。哈佛架构和3级流水线

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型号：STGD6M65DF2 编号：C472580

封装：TO-252

品牌：ST(意法半导体)

650 V、6 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

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型号：STM32L011F4P6 编号：C87903

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

基于 ARM Cortex-M0+ 的 32 位超低功耗微控制器，最高 16KB Flash，2KB SRAM，512B EEPROM，具备 ADC

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型号：STM32F042K6T6 编号：C69216

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F042X4/X6 微控制器集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32 位 RISC 内核，运行频率高达 48 MHz，高速嵌入式存储器（高达 32 KB 的闪存和 6 KB 的 SRAM），以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备提供标准通信接口（一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART）、一个无晶振 USB 全速设备、一个 CAN、一个 12 位 ADC、四个 16 位定时器、一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F042X4/X6 微控制器的工作温度范围为 -40 至 +85℃ 和 -40 至 +105℃，电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F042X4/X6 微控制器包括七种不同封装形式的产品，从 20 引脚到 48 引脚不等，并可根据要求提供裸片形式。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。这些特性使得 STM32F042X4/X6 微控制器适用于广泛的应用领域，如应用控制和用户界面、手持设备、A/V 接收机和数字电视、PC 外设、游戏和 GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和 HVAC 系统。

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型号：STM32G071C8T6 编号：C529341

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：L272D013TR 编号：C443843

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

L272是一款采用Powerdip、Minidip和SO封装的单片集成电路，可用作功率运算放大器，适用于多种应用场景，包括伺服放大器、电源、光盘、录像机等。无论在何种需要运算放大器/功率提升器组合的场合，其高增益和高输出功率能力都能提供卓越的性能。

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型号：VNS3NV04DPTR-E 编号：C146561

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

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型号：L6206QTR 编号：C726089

封装：HVQFN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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型号：T2535-800G-TR 编号：C672312

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

D2PAK封装的25A Snubberless 三端双向可控硅

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型号：STM32F100C8T6BTR 编号：C2970082

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU。最高24 MHz频率，1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）性能。单周期乘法和硬件除法。 16至128 KB的闪存。 4至8 KB的SRAM。 2.0至3.6 V应用电源和I/O

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型号：VNQ500PEPTR-E 编号：C391236

封装：PowerSSO-12

品牌：ST(意法半导体)

VNQ500是一款采用VIPower M0 - 3技术设计的单片器件，用于驱动一侧接地的任何类型负载。有源电流限制与锁存式热关断功能相结合，可保护器件免受过载影响。

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型号：STM8L152R8T6 编号：C33100

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

8位超低功耗微控制器，高达64KB闪存 + 2KB数据EEPROM，具备RTC、LCD、定时器、USART、I²C、SPI、ADC、DAC、比较器。

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型号：STW20N95K5 编号：C501078

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

N沟道950 V、0.275 Ohm典型值、17.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装

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型号：STM32G071K8U6 编号：C724237

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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￥15.68
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型号：STC3100IQT 编号：C155587

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

具有Coulomb计数器/燃气表的电池监测IC

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￥9.54
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型号：STM32F091RCT6TR 编号：C2053480

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

基于 ARM 的 32 位 MCU，高达 256 KB 闪存，具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口，工作电压 2.0-3.6V。

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￥16.85
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￥12.69
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型号：STF21N90K5 编号：C3290622

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

N沟道900 V、0.25 Ohm典型值、18.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP封装

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型号：STM32F091VCT6 编号：C329282

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

基于 ARM 的 32 位 MCU，高达 256 KB 闪存，具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口，工作电压 2.0-3.6V。

数据手册

1+
￥18.33
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￥15.51
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￥13.74
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￥11.12
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￥10.77

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型号：BTA41-800BRG 编号：C82594

封装：TO-3P

品牌：ST(意法半导体)

40A标准三端双向可控硅

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￥16.08
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￥13.18
100+
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型号：STM32G491VET6 编号：C3209873

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz，带 512 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成

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￥13.22
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￥12.06

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型号：STM32F103RBT6TR 编号：C2970888

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O

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￥20.58
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￥20.12
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￥19.67
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型号：STM32L433CCT6 编号：C110061

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl：电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。8nA关机模式（5个唤醒引脚）。28nA待机模式（5个唤醒引脚）。带RTC的280nA待机模式。1.0μA停止2模式，带RTC时为1.28μA。84μA/MHz运行模式（LDO模式）

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￥22.2
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￥18.82
30+
￥16.82
250+
￥14.79
500+
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型号：STM32L471RET6 编号：C110060

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用 FlexPowerControl：电源电压范围为 1.71V 至 3.6V。温度范围为 -40℃ 至 85/105/125℃。VBAT 模式下为 300nA，为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式为 30nA（5 个唤醒引脚）。待机模式为 120nA（5 个唤醒引脚）。带 RTC 的待机模式为 420nA。停止 2 模式为 1.1μA，带 RTC 的停止 2 模式为 1.4μA。运行模式为 100μA/MHz

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￥22.43
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￥15.99
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