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首页 > 热门关键词 > ST传感器
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N沟道,900V,3A,4.8Ω@10V
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  • 1+

    ¥4.92
  • 10+

    ¥3.99
  • 30+

    ¥3.53
  • 100+

    ¥3.07
  • 500+

    ¥2.79
  • 1000+

    ¥2.65
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源:VDD = 2.4V至3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.09
    • 10+

      ¥4.28
    • 30+

      ¥3.7
    • 250+

      ¥3.17
    • 500+

      ¥3.02
    • 1000+

      ¥2.93
  • 有货
  • 采用独特的STripFET工艺实现的这款功率MOSFET系列产品,专门设计用于将输入电容和栅极电荷降至最低。因此,它适合作为电信和计算机应用中先进的高效、高频隔离式DC-DC转换器的初级开关。它也适用于任何对栅极驱动要求较低的应用
    数据手册
    • 1+

      ¥5.225 ¥5.5
    • 10+

      ¥4.25 ¥5
    • 30+

      ¥3.5475 ¥4.73
    • 100+

      ¥3.315 ¥4.42
    • 500+

      ¥3.21 ¥4.28
    • 1000+

      ¥3.165 ¥4.22
  • 有货
  • STP80NF70 是一款采用独特的 STripFET 工艺制造的 N 沟道功率 MOSFET。它经过专门设计,可将输入电容和栅极电荷降至最低。因此,该器件适用于先进的高效开关应用
    数据手册
    • 1+

      ¥5.51
    • 10+

      ¥4.49
    • 30+

      ¥3.98
    • 100+

      ¥3.48
    • 500+

      ¥3.17
    • 1000+

      ¥3.02
  • 有货
  • P沟道-40 V、0.0115 Ohm典型值、-60 A STripFET F6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
    数据手册
    • 1+

      ¥5.52
    • 10+

      ¥4.93
    • 30+

      ¥4.61
    • 100+

      ¥4.25
    • 500+

      ¥4.08
    • 1000+

      ¥4.01
  • 有货
  • 8A DPAK和D2PAK封装Snubberless 三端双向可控硅
    数据手册
    • 1+

      ¥5.53
    • 10+

      ¥4.52
    • 30+

      ¥4.02
    • 100+

      ¥3.52
    • 500+

      ¥2.96
    • 1000+

      ¥2.8
  • 有货
  • LMC6482具备轨到轨输入和输出功能,使该产品能够在全范围输入和输出条件下不受限制地使用。这种轨到轨能力与出色的精度相结合,使该器件非常适合数据采集等需要宽输入信号范围的系统。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.57
    • 10+

      ¥4.44
    • 30+

      ¥3.88
    • 100+

      ¥3.32
    • 500+

      ¥2.99
    • 1000+

      ¥2.82
  • 有货
  • N沟道,1000V,1.85A,8.5Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.02
    • 10+

      ¥4.4068 ¥4.79
    • 30+

      ¥3.4276 ¥4.18
    • 100+

      ¥2.9274 ¥3.57
    • 500+

      ¥2.624 ¥3.2
    • 1000+

      ¥2.4764 ¥3.02
  • 有货
  • LD1085是一款低压差稳压器,能够提供高达3 A的输出电流。在最大输出电流下,压差保证最大为1.2 V,在较低负载时压差会减小。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.28
    • 10+

      ¥5.16
    • 30+

      ¥4.55
    • 100+

      ¥3.85
    • 500+

      ¥3.54
    • 1000+

      ¥3.4
  • 有货
  • TSV99x 和 TSV99xA 系列单通道、双通道和四通道运算放大器支持低电压工作,具备轨到轨输入和输出功能。这些器件的速度/功耗比极佳,增益带宽为 20 MHz,在增益大于 4(容性负载为 100 pF)时保持稳定,而在 5 V 电源下的最大电流消耗仅为 1.1 mA。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.32
    • 10+

      ¥5.07
    • 30+

      ¥4.45
    • 100+

      ¥3.83
    • 500+

      ¥3.45
    • 1000+

      ¥3.26
  • 有货
  • 轨到轨0.9V纳功率推挽单路比较器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.4
    • 10+

      ¥5.12
    • 30+

      ¥4.48
    • 100+

      ¥3.84
    • 500+

      ¥3.46
    • 1000+

      ¥3.27
  • 有货
  • N沟道100 V、5 mOhm典型值、107 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
    数据手册
    • 1+

      ¥6.5
    • 10+

      ¥5.34
    • 30+

      ¥4.7
    • 100+

      ¥3.97
    • 500+

      ¥3.65
  • 有货
  • 3.3V供电电压、15KV ESD保护、传输速度最高12 Mbps的真正RS-485/RS-422收发器,温度范围[-40℃, 85℃]
    数据手册
    • 1+

      ¥6.51
    • 10+

      ¥5.18
    • 30+

      ¥4.52
    • 100+

      ¥3.86
    • 500+

      ¥3.47
    • 1000+

      ¥3.26
  • 有货
  • TDA2822D是一款采用8引脚(SO - 8)封装的单片集成电路。它旨在用作便携式盒式磁带播放器、收音机和CD播放器中的双音频功率放大器。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.69
    • 10+

      ¥5.4
    • 30+

      ¥4.75
    • 100+

      ¥4.11
    • 500+

      ¥3.34
    • 1000+

      ¥3.14
  • 有货
  • P沟道-30 V、12 mOhm典型值、-9 A STripFET H6功率MOSFET,PowerFLAT 3.3 x 3.3封装
    数据手册
    • 1+

      ¥6.72
    • 10+

      ¥5.47
    • 30+

      ¥4.84
    • 100+

      ¥4.22
    • 500+

      ¥3.85
    • 1000+

      ¥3.66
  • 有货
  • 单通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥6.97
    • 10+

      ¥5.55
    • 30+

      ¥4.84
    • 100+

      ¥4.14
    • 500+

      ¥3.72
    • 1000+

      ¥3.5
  • 有货
  • 支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥7.02
    • 10+

      ¥5.76
    • 30+

      ¥5.06
    • 100+

      ¥4.28
    • 500+

      ¥3.93
    • 1000+

      ¥3.77
  • 有货
  • OMNIFET II - 全自动保护功率MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥7.4
    • 10+

      ¥6.14
    • 30+

      ¥5.52
    • 100+

      ¥4.9
    • 500+

      ¥4.53
  • 有货
  • 该功率MOSFET系列采用独特的STripFET™工艺开发,此工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的初级开关,以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.96
    • 10+

      ¥6.67
    • 30+

      ¥5.96
    • 100+

      ¥5.16
    • 500+

      ¥4.8
    • 1000+

      ¥4.64
  • 有货
  • 特性:16MHz 先进 STM8 内核,采用哈佛架构和三级流水线,扩展指令集。 程序存储器:8KB Flash,在 55℃ 下经过 10k 周期后数据保留 20 年。 数据存储器:640 字节真正的数据 EEPROM,耐久性 300k 周期。 RAM:1KB。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制,4 个主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调整的 16MHz RC、内部低功耗 128kHz RC
    数据手册
    • 1+

      ¥8
    • 10+

      ¥6.46
    • 30+

      ¥5.62
    • 100+

      ¥4.67
    • 500+

      ¥4.25
    • 1000+

      ¥4.05
  • 有货
  • L6387E是一款简单紧凑的高压栅极驱动器,能够驱动由功率MOSFET或IGBT器件构成的半桥电路。高端(浮动)部分可在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出端分别可独立吸入650 mA电流和提供400 mA电流,由于集成了互锁功能,两个输出端无法同时置为高电平
    数据手册
    • 1+

      ¥8.14
    • 10+

      ¥6.73
    • 30+

      ¥5.95
    • 100+

      ¥5.08
    • 500+

      ¥4.69
    • 1000+

      ¥4.51
  • 有货
  • N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET,DPAK封装
    数据手册
    • 1+

      ¥8.1686 ¥8.69
    • 10+

      ¥6.7284 ¥8.01
    • 30+

      ¥5.6166 ¥7.59
    • 100+

      ¥5.291 ¥7.15
    • 500+

      ¥5.143 ¥6.95
    • 1000+

      ¥5.0838 ¥6.87
  • 有货
  • 650 V、6 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥8.22
    • 10+

      ¥6.79
    • 30+

      ¥6.01
    • 100+

      ¥5.12
    • 500+

      ¥4.73
    • 1000+

      ¥4.55
  • 有货
  • 具有MultiSense模拟反馈的四通道高边驱动器,可用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥8.81
    • 10+

      ¥7.29
    • 30+

      ¥6.46
    • 100+

      ¥5.52
    • 500+

      ¥5.1
    • 1000+

      ¥4.91
  • 有货
  • M24M02E-F是一款2 Mbit的I²C兼容EEPROM(电可擦除可编程存储器),组织形式为256 K×8位。该器件可在1.6 V至5.5 V的电源电压下工作,时钟频率为1 MHz(或更低),环境温度范围为 -40℃至 +85℃。M24M02E-F提供三个8位寄存器
    • 1+

      ¥9.09
    • 10+

      ¥8.28
    • 30+

      ¥7.76
    • 100+

      ¥7.24
    • 500+

      ¥7
    • 1000+

      ¥6.9
  • 有货
  • N沟道80 V、3.7 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
    数据手册
    • 1+

      ¥9.24
    • 10+

      ¥7.98
    • 30+

      ¥7.28
    • 100+

      ¥6.5
    • 500+

      ¥6.15
    • 1000+

      ¥5.99
  • 有货
  • L6566B是一款极其通用的电流模式初级控制器IC,专为高性能离线反激式转换器而设计。它也适用于需符合EN61000 - 3 - 2或JEITA - MITI法规的单级单开关输入电流整形转换器(单级PFC)
    数据手册
    • 1+

      ¥10.3356 ¥15.66
    • 10+

      ¥7.4368 ¥13.28
    • 30+

      ¥5.4234 ¥11.79
    • 100+

      ¥4.7196 ¥10.26
    • 500+

      ¥4.4022 ¥9.57
    • 1000+

      ¥4.2642 ¥9.27
  • 有货
  • 最高1.5 A步降开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥10.71
    • 10+

      ¥8.65
    • 30+

      ¥7.52
    • 100+

      ¥6.25
    • 500+

      ¥5.68
    • 1000+

      ¥5.42
  • 有货
  • 25A Snubberless 三端双向可控硅
    数据手册
    • 1+

      ¥11.08
    • 10+

      ¥9.26
    • 50+

      ¥8.27
    • 100+

      ¥7.14
    • 500+

      ¥6.64
  • 有货
  • 采用成熟的高压MESH OVERLAY™工艺,设计了一系列性能卓越的超高压功率MOSFET。强化的版图设计与专有的边缘终端结构相结合,使单位面积的 $\mathsf{R}_{\mathsf{D S}(\mathsf{o n})}$ 达到最低,同时具备无可匹敌的栅极电荷和开关特性。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.1
    • 10+

      ¥9.67
    • 30+

      ¥9.04
    • 90+

      ¥8.38
    • 510+

      ¥8.09
    • 990+

      ¥7.96
  • 有货
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