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特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。工作温度:-40℃至85℃。存储器:128 KB带保护的闪存;36 KB SRAM(32 KB带硬件奇偶校验)。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
数据手册
  • 1+

    ¥12.12
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    ¥8.89
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    ¥7.62
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    ¥7.05
  • 1000+

    ¥6.8
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C/125°C。 存储器:高达128 KB的闪存,36 KB的SRAM(32 KB带硬件奇偶校验)。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围1.7 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程欠压复位(BOR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机、关机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项(±1%)的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥12.86
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      ¥11.05
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      ¥7.77
  • 有货
  • 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺,在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。
    数据手册
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      ¥13.1
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      ¥7.7
    • 1000+

      ¥7.44
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。存储器:16至32 Kbytes的闪存,4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:数字和I/O电源:2.0至3.6 V;模拟电源:V(DDA) = 从V(DD)至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;V(BAT)为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器;32 kHz用于RTC的振荡器,带校准;内部8 MHz RC,有x6 PLL选项;内部40 kHz RC振荡器。多达39个快速I/O:所有可映射到外部中断向量;多达26个I/O具有5 V容限能力
    数据手册
    • 1+

      ¥13.6
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    • 500+

      ¥8.61
  • 有货
  • N沟道650 V、0.335 Ohm典型值、10 A MDmesh M5功率MOSFET,PowerFLAT 5x6 HV封装
    数据手册
    • 1+

      ¥14.27
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      ¥12.13
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      ¥10.79
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    • 500+

      ¥8.81
    • 1000+

      ¥8.54
  • 有货
  • 特性:核心:最大CPU频率:高达24 MHz,在CPU频率 ≤ 16 MHz时0等待状态。采用哈佛架构和3级流水线的先进STM8内核。扩展指令集。在24 MHz时最大20 MIPS。 存储器:程序:64 Kbytes Flash,在55℃下100个周期后数据保留20年。数据:128 bytes真数据EEPROM,耐久性100 kcycles
    数据手册
    • 1+

      ¥14.27
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      ¥11.55
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  • 有货
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      ¥11.27
    • 250+

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      ¥9.09
    • 1000+

      ¥8.79
  • 有货
  • VN750 - E 是一款采用 VIPower M0 - 3 技术设计的单片器件,用于驱动一侧接地的各类负载。VCC 引脚有源电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰影响。有源电流限制与热关断及自动重启功能相结合,有助于保护器件免受过载影响
    数据手册
    • 1+

      ¥15.31
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      ¥13.19
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      ¥9.9
    • 1000+

      ¥9.63
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU 配备 FPU,频率高达 250 MHz,具备 MPU、375 DMIPS(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令。 8 Kbyte 指令缓存,允许从闪存进行零等待状态执行(频率高达 250 MHz)。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark®(4.092 CoreMark®/MHz)。 128 Kbyte 嵌入式闪存,带 ECC,两个可读写存储体。 2 Kbyte OTP(一次性可编程)。 32 Kbyte SRAM,带 ECC
    • 1+

      ¥16.22
    • 10+

      ¥13.62
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      ¥12
    • 260+

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      ¥9.59
    • 1040+

      ¥9.26
  • 有货
  • 是超低功耗微控制器,基于高性能 Arm Cortex M0+ 32 位 RISC 内核,工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器(高达 256 Kbyte 闪存和 40 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM),以及广泛的增强型 I/O 和连接到 APB 和 AHB 总线的外设,还有 32 位多 AHB 总线矩阵。还嵌入了用于嵌入式闪存和 SRAM 的保护机制,如读取保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、两个嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和三个 16 位低功耗定时器。还嵌入多达 21 个电容感应通道,以及一个集成 LCD 控制器,可通过内部升压转换器驱动 8×48 或 4×52 段。具有标准和高级通信接口,即四个 I2C、三个 SPI、四个 USART 和三个低功耗 UART,以及一个无晶振 USB 全速设备
    • 1+

      ¥16.83
    • 10+

      ¥14.31
    • 30+

      ¥12.73
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    • 520+

      ¥10.39
    • 1040+

      ¥10.07
  • 有货
  • 高性能NFC通用设备和EMVCo读卡器
    数据手册
    • 1+

      ¥17.08
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      ¥10.19
    • 1000+

      ¥9.85
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备批量采集模式(BAM)。 供电电压范围为1.7V至3.6V。 工作温度范围为 -40°C至85/105/125°C。 核心:带有浮点单元(FPU)的32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存无等待状态执行,频率高达100MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 高达512KB的闪存。 128KB的SRAM。 时钟、复位和电源管理:1.7V至3.6V的应用电源和I/O。具备上电复位(POR)、掉电复位(PDR)、可编程电压检测器(PVD)和欠压复位(BOR)
    数据手册
    • 1+

      ¥18.55
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      ¥15.66
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      ¥13.86
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      ¥11.17
    • 1000+

      ¥10.8
  • 有货
  • L298 是一款采用 15 引脚 Multiwatt 和 PowerSO20 封装的单片集成电路。它是一款高压、大电流双路全桥驱动器,设计用于接收标准 TTL 逻辑电平,并驱动继电器、螺线管、直流和步进电机等感性负载。提供两个使能输入,可独立于输入信号启用或禁用该器件。每个桥路的下晶体管发射极连接在一起,相应的外部端子可用于连接外部检测电阻。还提供了一个额外的电源输入,使逻辑电路能在较低电压下工作。
    数据手册
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      ¥18.93
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      ¥16.11
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      ¥14.43
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      ¥12.73
    • 500+

      ¥11.95
    • 1000+

      ¥11.6
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存,支持ECC,具备专有代码读出保护(PCROP)和可安全存储区域,1 KB OTP。 22 KB SRAM,前16 KB实现硬件奇偶校验。 常规加速:指令和数据总线上有10 KB SRAM,带硬件奇偶校验(CCM SRAM)。 复位和电源管理:具备上电/掉电复位(POR/PDR/BOR)、可编程电压检测器(PVD)、低功耗模式(睡眠、停止、待机和关机)、VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器,32 kHz振荡器带校准,内部16 MHz RC可选PLL(±1%),内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥23.5
    • 10+

      ¥20.28
    • 30+

      ¥18.36
    • 250+

      ¥16.42
    • 500+

      ¥15.53
    • 1000+

      ¥15.13
  • 有货
  • 支持模拟电流感应的四通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥23.84
    • 10+

      ¥20.2
    • 30+

      ¥18.03
    • 100+

      ¥15.85
    • 500+

      ¥14.84
    • 1000+

      ¥14.38
  • 有货
  • 支持模拟电流感应的四通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥24.18
    • 10+

      ¥21.32
    • 30+

      ¥19.61
    • 100+

      ¥17.88
    • 500+

      ¥17.09
  • 有货
  • 特性:内核:带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器(ART加速器)、主频高达180MHz,MPU,能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone2.1)的性能,具有DSP指令集。 高达2MB Flash,组织为两个区,可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM,包括64-KB的CCM(内核耦合存储器)数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口,兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率,具有专用的Chrom-ART Accelerator,用于增强的图形内容创建(DMA2D)。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR
    数据手册
    • 1+

      ¥24.95
    • 10+

      ¥21.24
    • 40+

      ¥19.03
    • 80+

      ¥16.8
    • 480+

      ¥15.77
    • 1000+

      ¥15.31
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带有TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,具备MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存,两个存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte,数据闪存具有高循环能力(100 K周期)
    • 1+

      ¥26.18
    • 10+

      ¥22.29
    • 30+

      ¥19.97
    • 90+

      ¥17.63
    • 540+

      ¥16.55
    • 990+

      ¥16.06
  • 有货
  • 特性:动态效率线与批量采集模式(BAM)。 内核:32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存无等待状态执行,频率高达100MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1MB的闪存;256KB的SRAM;灵活的外部静态存储器控制器,数据总线高达16位,支持SRAM、PSRAM、NOR闪存;双模式Quad-SPI接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.61
    • 10+

      ¥23.63
    • 30+

      ¥21.26
    • 100+

      ¥18.87
    • 500+

      ¥17.77
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核:带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行,频率高达 100 MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器,具有高达 16 位数据总线:SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口
    数据手册
    • 1+

      ¥39.01
    • 10+

      ¥33.92
    • 30+

      ¥29.1
    • 100+

      ¥26.04
  • 有货
  • 连接线路,基于 ARM 的 32 位 MCU,具有 64/256 KB 闪存、USB OTG、以太网、10 个定时器、2 个 CAN、2 个 ADC、14 个通信接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥39.82
    • 10+

      ¥34.75
    • 30+

      ¥31.74
    • 100+

      ¥28.23
    • 500+

      ¥26.83
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,90 DMIPS(来自 CCM),DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上,带硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥41.78
    • 10+

      ¥36.24
    • 30+

      ¥32.73
    • 100+

      ¥29.4
    • 500+

      ¥27.86
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。1.65 V 至 3.6 V 电源。40℃ 至 105℃ 温度范围。0.29 μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。1.15 μA 待机模式 + RTC。0.44 μA 停止模式(16 个唤醒线路)。1.4 μA 停止模式 + RTC。8.6 μA 低功耗运行模式
    数据手册
    • 1+

      ¥43.05
    • 10+

      ¥38.39
    • 30+

      ¥35.55
    • 100+

      ¥33.18
  • 有货
  • 特性:32位Arm Cortex-M7内核,带双精度FPU和L1缓存:16 Kbytes数据缓存和16 Kbytes指令缓存;频率高达480 MHz,具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 128 Kbytes闪存。 1 Mbyte RAM:192 Kbytes TCM RAM(含64 Kbytes ITCM RAM + 128 Kbytes DTCM RAM用于时间关键程序),864 Kbytes用户SRAM,4 Kbytes备份域SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口,运行频率高达133 MHz。 灵活的外部内存控制器,高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、NOR闪存同步模式时钟高达133 MHz,SDRAM/LPSDR SDRAM 8/16位,NAND闪存。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动防篡改、安全固件升级支持、安全访问模式。 多达168个I/O端口,具备中断能力
    数据手册
    • 1+

      ¥44.3
    • 10+

      ¥37.91
    • 60+

      ¥34.02
    • 120+

      ¥30.75
  • 有货
  • 汽车级全集成H桥电机驱动
    • 1+

      ¥52.58
    • 10+

      ¥44.85
    • 30+

      ¥40.14
    • 100+

      ¥36.19
  • 有货
  • 特性:内核:带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器(ART加速器)、主频高达180MHz,MPU,能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone2.1)的性能,具有DSP指令集。 高达2MB Flash,组织为两个区,可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM,包括64-KB的CCM(内核耦合存储器)数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口,兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率,具有专用的Chrom-ART Accelerator,用于增强的图形内容创建(DMA2D)。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR
    数据手册
    • 1+

      ¥55.26
    • 10+

      ¥46.32
    • 30+

      ¥42.24
    • 90+

      ¥38.82
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU(最高120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator允许从闪存中实现零等待状态执行性能),MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 高达1 Mbyte的闪存。 512字节的一次性可编程(OTP)内存。 高达128 + 4 Kbytes的SRAM。 灵活的静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口,8080/6800模式
    数据手册
    • 1+

      ¥84.7
    • 10+

      ¥80.81
    • 30+

      ¥74.08
    • 100+

      ¥68.2
  • 有货
  • 应用:便携式设备。小负载开关晶体管
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0929
    • 500+

      ¥0.0726
    • 3000+

      ¥0.058
    • 6000+

      ¥0.0512
  • 有货
  • 15V 0.5W
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0962
    • 500+

      ¥0.0753
    • 3000+

      ¥0.0595
    • 6000+

      ¥0.0525
    • 24000+

      ¥0.0465
    • 51000+

      ¥0.0433
  • 有货
  • 特性:适用于 -40~+105°C 的常规温度范围。负荷寿命 1000~2000 小时。符合 RoHS 指令
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2004
    • 200+

      ¥0.1582
    • 1000+

      ¥0.1202
    • 2000+

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