霍尔电压传感器_厂家_价格_品牌_库存

利用IMC-Hall技术的单片霍尔效应传感器，提供与平行于IC表面的外加磁通量密度成正比的模拟输出电压。其传输特性在工厂进行了温度校准，在客户终线校准期间可进行编程（偏移、灵敏度、钳位、滤波）。输出钳位电平和片上滤波也可根据应用需求进行编程。凭借250kHz带宽和快速响应时间，特别适用于需要快速开关响应的高速应用，如逆变器和转换器。在典型的电流传感应用中，传感器与U形屏蔽配合使用，便于电流传感器在传统铁磁芯上的机械组装。该屏蔽建议用于高带宽应用。传感器可安装在母线排上，并通过PCB与之分离。由于屏蔽的主要目的不是集中磁场，因此与铁磁芯相比，它可以做得更小、更轻，同时不会损失信号。

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型号：ACS37002LMABTR-050U3 编号：C3684528

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是一款采用SOICW-16封装的全集成霍尔效应电流传感器，工厂校准，可在整个工作范围内提供高精度，无需客户编程。电流由两个霍尔板进行差分感应，可消除外部共模磁场干扰。封装结构通过磁耦合将导体中电流产生的磁场与单片霍尔传感器IC相连，与集成电流导体无物理连接，提供高隔离。MA封装针对更高隔离进行优化，介电耐受电压3125VRMS，导体电阻0.85mΩ；LA封装针对更低噪声进行优化，介电耐受电压2250VRMS，导体电阻1mΩ

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型号：MLX91221KDC-ABF-025-RE 编号：C3684260

封装：SOIC-8

集成电流传感器可感应流经 SOIC 封装低阻抗引线框架的电流。通过固定电流导体相对于单片 CMOS 传感器的位置，可获得工厂校准的全集成霍尔效应电流传感器。封装内部，电流产生的磁通量由两组霍尔板差分感应。因此，快速模拟前端可最大程度减少外部干扰场的影响。残余信号被放大，以提供高速线性模拟输出电压。霍尔板与电流导体的近距离确保了高信噪比和随温度变化的精确信号。通过这种小型化设计，封装的初级和次级侧引脚之间仍保持高电压隔离额定值。

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型号：LPSR 6-NP 编号：C6080079

封装：-

品牌：LEM(莱姆)

用于电流的电子测量：直流、交流、脉冲等，初级和次级电路之间具有电流隔离。

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型号：SL44E-9 编号：C5122563

封装：TO-92S

品牌：Slkor(萨科微)

SL44E单极霍尔效应开关，采用双极半导体(Bipolar)工艺设计，包括霍尔电压发生器，可在3.8至40V的电源电压下工作的稳压器，温度补偿电路，小信号放大器，施密特触发器和集电极开路输出。该传感器设计用于南极响应。当磁通密度（B）大于工作点Bop时，输出以低电平，输出保持不变，直到磁通量(B)小于释放点Brp时，输出以高电平。44E提供了多种封装，包括TO92S，SOT23-3L，且包装均符合RoHS。

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型号：AH3031 编号：C2832524

封装：SIP-4

品牌：南京艾驰

AH3031是一款高灵敏数字式双极锁定霍尔电路，具有良好的温度稳定性和锁存功能。内置有反向电压保护器、电压调整器、温度补偿电路、霍尔电压发生器、信号放大器、史密特触发器和集电极开路输出驱动器等电路单元。性能优良的电压调整器和温度补偿电路，确保传感器在较宽的电压范围和温度范围内稳定地工作，反向电压保护电路避免了传感器受到反向电压的损伤。采用Bipolar工艺制成，在一些特殊应用场合具有更好的可靠性和稳定性。提供3款封装形式：SOT-23-3L（M型）、SOT-89（S型）和TO-92UA（UA型），均采用100%无铅雾锡电镀框架。

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型号：GH43F 编号：C2683243

封装：TO-92S

GH143F系列高温单极性霍尔效应集成传感器是由内部电压稳压单元、霍尔电压发生器、差分放大器、温度补偿单元、施密特触发器和集电极开路输出级组成的磁敏传感电路，其输入为磁感应强度，输出是一个数字电压信号。它是一种单极工作的磁敏电路，适合于矩形或者柱形磁体下工作。GH143F可以在-40°C ~ 150°C 工作，电源电压工作范围从3.8V到30V，负载电流能力最高可达50mA。封装形式为SIP3L(T092S)。

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型号：LN4913SRB 编号：C236385

封装：TO-92S

品牌：natlinear(南麟)

LN4913是一款专门为满足低功耗设备需求而设计的集成霍尔效应传感器，例如可作为翻盖手机的开关，其电池工作电压为1.65V - 5.5V。通过独特的内部电路设计，可实现精确的磁开关点和较高的温度稳定性。该集成电路采用片上时钟方案来降低平均工作电流

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型号：GH1120KSE 编号：C266229

封装：SOT-23-3L

GH1120是一款采用CMOS技术设计的霍尔效应锁存器。该集成电路内部包括一个电压调节器、带有动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个开漏输出驱动器。

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型号：DRV5053OAQDBZRQ1 编号：C2654961

封装：SOT-23

DRV5053-Q1 汽车类、高电压（高达 38V）、线性霍尔效应传感器

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型号：KT140-SH-124LM1 编号：C52146221

封装：-

品牌：KCOTY(科泰)

单价：
￥4.16 / 个

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型号：US1881LSE-AAA-000-RE 编号：C17526271

封装：TSOT-23-3

基于混合信号CMOS技术设计的霍尔效应锁存器，集成了稳压器、带动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器，宽工作电压范围和多种温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用，提供TSOT表面贴装和TO-92扁平通孔安装两种3引脚封装，且均符合RoHS标准，基于混合信号CMOS技术的霍尔效应器件，具有高磁灵敏度，适用于大多数应用需求，斩波稳定放大器采用开关电容技术抑制霍尔传感器和放大器的失调，CMOS技术使芯片尺寸更小、电流消耗更低，有助于减少物理应力影响，具有更稳定的磁特性，可实现更快、更精确的设计，宽工作电压3.5V至24V、低电流消耗和多种工作温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用 -输出信号为开漏类型，可通过上拉电阻与TTL或CMOS逻辑简单连接

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型号：US2882LSE-AAA-000-RE 编号：C2655016

封装：TSOT-23-3

采用混合信号CMOS技术设计的双极霍尔效应开关。该器件在单个封装中集成了稳压器、带动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器。由于其较宽的工作电压范围和较宽的温度范围选择，适用于汽车和消费类应用。该器件采用用于表面贴装工艺的薄小外形晶体管（TSOT）封装和用于通孔安装的塑料单列直插式（TO-92扁平）封装。两种3引脚封装均符合RoHS标准。

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型号：US3881LSE-AAA-000-RE 编号：C2655026

封装：TSOT-23-3

是一款采用混合信号CMOS技术设计的霍尔效应锁存器。该器件集成了一个稳压器、带有动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个开漏输出驱动器，所有这些都封装在一个单一的封装中。低工作电压和广泛的温度范围选择使其适用于汽车、工业和消费类低压应用。器件提供用于表面贴装工艺的薄小外形晶体管（TSOT）封装和用于通孔安装的塑料单列直插（TO-92扁平）封装。两种3引脚封装均符合RoHS标准。

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型号：US1881KUA-AAA-000-BU 编号：C17199063

封装：TO-92-3

是一款采用混合信号CMOS技术设计的霍尔效应锁存器。该器件在单个封装中集成了电压调节器、带动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器。由于其较宽的工作电压范围和较广的温度范围选择，非常适合用于汽车、工业和消费应用。该器件有适用于表面贴装工艺的薄型小外形晶体管（TSOT）封装和适用于通孔安装的塑料单列直插（TO-92扁平）封装。两种3引脚封装均符合RoHS标准。

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型号：HLSR20-P 编号：C5891314

封装：插件

品牌：LEM(莱姆)

用于电流的电子测量，包括直流、交流、脉冲等，在初级和次级电路之间具有电流隔离。

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型号：AD22100KTZ 编号：C577959

封装：TO-92

品牌：ADI(亚德诺)

是一款带有片上信号调理功能的单片温度传感器，可在 -50℃ 至 +150℃ 的温度范围内工作，适用于众多 HVAC、仪器仪表和汽车应用。信号调理功能无需任何微调、缓冲或线性化电路，大大简化了系统设计并降低了总体系统成本。输出电压与温度乘以电源电压成正比（比率式）。使用单 +5.0V 电源时，输出电压在 -50℃ 时为 0.25V，在 +150℃ 时为 +4.75V。由于其比率特性，在与模数转换器接口时提供了一种经济高效的解决方案。

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型号：OH9253-S 编号：C174067

封装：SOT-23

品牌：南京欧卓

OH9253霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力的开关，在单个硅芯片上集成了以下部件：稳压器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器和开漏输出。该传感器采用先进的CMOS晶圆制造工艺，以满足低电压要求，实现元件匹配，具备极低的输入失调误差和较小的元件尺寸。

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型号：MH253KUA 编号：C114371

封装：TO-92S

品牌：MST(美伽)

MH253霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力的开关。通过采用斩波稳定技术进行动态失调消除，实现了卓越的高温性能。这种方法可降低通常由器件注塑成型、温度依赖性和热应力引起的失调电压

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型号：OH549E 编号：C127590

封装：SOT-89

品牌：南京欧卓

OH549E是一种小型，多功能的线性霍尔，其输入是磁感应强度，输出是和输入量成正比的电压。静态输出电压（B = 0GS）是电源电压的一半。S磁极出现在霍尔传感器标记面时，将驱动输出高于零电平；N磁极将驱动输出低于零电平。集成的电路具有低噪声输出，这使得它不必使用外部滤波。它还包括精密电阻，提供更多的温度稳定性和准确性。

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型号：5525DSO-DB001DS 编号：C3263541

封装：SMD-14P

品牌：TE Connectivity(泰科电子)

数字压力和高度计传感器模块，差分型，1 psi，24 位 ADC，量程压力精度 ±0.25%，MEAS MS5525DSO

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￥142.24 / 个

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型号：GH1230KUA 编号：C2683245

封装：TO-92S

GH1200系列单极开关型霍尔位置传感器电路是采用CMOS工艺技术设计加工的，它是由电压稳压单元、具有动态偏差补偿系统的霍尔传感器、小信号放大器、施密特触发器和漏极开路输出驱动单元组成的磁敏传感器集成电路。输入控制信号为磁感应强度，输出是一个开关型的数字电压信号，适合于配合矩形或者圆柱形磁体下工作。在没有磁场控制时，该系列传感器电路的输出管将关断，输出为高电平；当磁场强度B大于工作点 (BOP) 时，输出开关管将打开，输出为低电平；输出状态会一直保持直到磁场强度B低于释放点 (BRP) 时，输出开关管才关断，输出又恢复为高电平。

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￥0.856
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型号：GH1496BUA 编号：C2683236

封装：TO-92S

传感器的输出与电源电压成比率变化关系，并与磁场强度成正比。新的霍尔电路提供增强的温度稳定性和灵敏度。电阻修正技术提供高精度和温度补偿以减小零点和增益的温漂，正方形的霍尔传感器把影响输出的机械和热应力效应减少到最小程度，正的灵敏度温度系数（0.02%/°C 典型值）有助于补偿低成本磁钢负的温度系数。全电压范围（Rail-to-Rail）输出性能可提供更有效的信号以达到高的精度。工作温度范围可以在 -40°C 到 +150°C，电源电压工作范围从 4.5V 到 10.5V。封装形式为 SIP3L(TO92S) 和 SOT-89-3L。

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￥3.01
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￥2.38
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￥2.11

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型号：TMP302BDRLR 编号：C129187

封装：SOT-563

TMP302 引脚可选跳变点、工作电压为 1.4V 的温度开关系列

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￥1.15
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型号：TMP36FSZ 编号：C581321

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

是低电压、精密摄氏温度传感器，提供与摄氏温度成线性比例的电压输出。无需外部校准，在 +25°C 时典型精度为 ±1°C，在 -40°C 至 +125°C 温度范围内为 ±2°C。低输出阻抗、线性输出和精确校准，便于与温度控制电路和 ADC 接口。单电源供电，电压范围为 2.7V 至 5.5V，电源电流远低于 50μA，自发热小于 0.1°C，还提供关断功能，可将电源电流降至小于 0.5μA

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单价：
￥12.204 / 个

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型号：ADT7516ARQZ 编号：C660052

封装：QSOP-16

品牌：ADI(亚德诺)

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￥130.21
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￥119.02
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型号：DRV5053VAQLPGM 编号：C1526521

封装：TO-92

DRV5053 高电压（高达 38V）、线性霍尔效应传感器

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单价：
￥1.99584 / 个

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型号：MAX6656MEE+ 编号：C3663648

封装：QSOP-16

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

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￥20.55
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￥19.41
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￥18.9

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型号：TMCS1133A4AQDVGR 编号：C37379203

封装：SOIC-10