霍尔电压传感器_厂家_价格_品牌_库存

AH3041是一款数字式双极锁定霍尔电路，具有良好的温度稳定性和锁存功能。AH3041霍尔效应传感器内置有反向电压保护器、电压调整器、温度补偿电路、霍尔电压发生器、信号放大器、史密特触发器和集电极开路输出驱动器等电路单元。性能优良的电压调整器和温度补偿电路，确保传感器在较宽的电压范围和温度范围内稳定地工作，反向电压保护电路避免了传感器受到反向电压的损伤。

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型号：AH1751-PG-B-A 编号：C842103

封装：SIP-3

品牌：DIODES(美台)

AH1751是一款适用于高温工作的单数字输出霍尔效应传感器。该器件包含一个用于磁传感的片上霍尔电压发生器、一个用于放大霍尔电压的放大器、一个用于提供开关迟滞以抑制噪声的比较器，以及一个集电极开路输出预驱动器。内部带隙稳压器用于为内部电路提供经过温度补偿的电源电压，并允许较宽的工作电源范围

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型号：A1325LUA-T 编号：C598670

封装：SIP-3

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

线性输出霍尔效应器件的新应用，如位移、角位置和电流测量，需要高精度和小封装尺寸。该温度稳定的器件有微型表面贴装封装（SOT23w）和超小型通孔单列直插式封装。这些比例式霍尔效应传感器IC提供与施加磁场成正比的电压输出，静态电压输出为电源电压的50%，分别具有5.0mV/G、3.125mV/G和2.5mV/G的工厂编程灵敏度。这些线性器件的特性使其非常适合在要求高精度的汽车和工业应用中使用，并能在-40°C至150°C的宽温度范围内工作

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型号：AH543UA 编号：C5378262

封装：T0-92S

品牌：Alfa(中科阿尔法)

AH543是一款基于BCDMOS技术设计的霍尔开关传感器。传感器包括具有温度补偿的hall器件、动态失调消除放大器、比较器和输出级。该芯片为电流输出。比较器将实际磁通量与固定参考值（开关点）进行比较，控制输出MOSFET的电流大小。有源失调补偿可在各种电源电压下产生特定温度系数的磁特性。此外，机械应力对磁性参数影响很小。该系列芯片传感器适用于工业环境和汽车应用，环境温度范围为 -40°C~150°C ，电源电压范围为 3.0V~30V 。有三种封装形式：T092S、S0T23(ThinOutline）、S0T23-3L，且封装符合RoHS标准，产品已通过AEC-Q100认证。

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型号：AH541UA 编号：C5378260

封装：T0-92S

品牌：Alfa(中科阿尔法)

AH541是一款基于BCDMOS技术设计的霍尔开关传感器。传感器包括具有温度补偿的hall器件、动态失调消除放大器、比较器和输出级。该芯片为电流输出。比较器将实际磁通量与固定参考值（开关点）进行比较，控制输出MOSFET的电流大小。有源失调补偿可在各种电源电压下产生特定温度系数的磁特性。此外，机械应力对磁性参数影响很小。该系列芯片传感器适用于工业环境和汽车应用，环境温度范围为 -40°C~150°C，电源电压范围为 3.0V~30V。有三种封装形式：T092S、S0T23(Thin Outline)、S0T23-3L，且封装符合RoHS标准，产品已通过AEC-Q100认证。

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型号：AH542SS 编号：C5378273

封装：SOT-23

品牌：Alfa(中科阿尔法)

AH542是一款基于BCDMOS技术设计的霍尔开关传感器。传感器包括具有温度补偿的hall器件、动态失调消除放大器、比较器和输出级。该芯片为电流输出。比较器将实际磁通量与固定参考值（开关点）进行比较，控制输出MOSFET的电流大小。有源失调补偿可在各种电源电压下产生特定温度系数的磁特性。此外，机械应力对磁性参数影响很小。该系列芯片传感器适用于工业环境和汽车应用，环境温度范围为 -40°C~150°C ，电源电压范围为 3.0V~30V 。有三种封装形式：T092S、S0T23(ThinOutline）、S0T23-3L，且封装符合RoHS标准，产品已通过AEC-Q100认证。

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型号：TLE493DP2B6A0HTSA1 编号：C3715859

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE493D-P2B6 是一款专为各种磁场传感应用而设计的高精度、低功耗3D霍尔传感器。它提供高达 ±160 mT 的 3D (x, Y, Z) 磁通密度传感，并具有可编程的磁通分辨率，低至 65 μT (典型值)。该传感器支持 x-Y 角测量模式，并包括诊断测量，以检查数字和模拟部分以及霍尔探头。它具有唤醒功能和低功耗模式，典型功耗为 7 nA。该传感器为每个测量方向提供 12 位数据分辨率，并具有 10 位温度传感器。它具有可变的更新频率和功耗模式，可以在运行期间进行配置。工作温度范围为 -40°C 至 125°C，供电电压范围为 2.8 V 至 3.5 V。该传感器可以通过 I2C 协议由外部微控制器触发，并提供中断信号以指示对微控制器进行有效测量。

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型号：MLX91220KDF-ABF-050-RE 编号：C3684167

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

是一款隔离式集成电流传感器，可感应流经SOIC封装低阻抗引线框架的电流。通过固定电流导体相对于单片CMOS传感器的位置，可获得工厂校准的全集成霍尔效应电流传感器。在封装内部，由电流流动产生的磁通量密度由两组霍尔板进行差分感应。因此，在快速模拟前端中，外部干扰场的影响被最小化。剩余信号被放大，以提供高速线性模拟输出电压。霍尔板与电流导体的近距离确保了高信噪比和精确的温度信号。即使进行了小型化设计，初级侧和相对的次级侧之间仍保持高电压隔离额定值。

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型号：TLE493DP2B6A3HTSA1 编号：C3716245

封装：TSOT-23-5

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE493D-P2B6 是一款专为各种磁场传感应用而设计的高精度、低功耗3D霍尔传感器。它提供高达 ±160 mT 的 3D (x, Y, Z) 磁通密度传感，并具有可编程的磁通分辨率，低至 65 μT (典型值)。该传感器支持 x-Y 角测量模式，并包括诊断测量，以检查数字和模拟部分以及霍尔探头。它具有唤醒功能和低功耗模式，典型功耗为 7 nA。该传感器为每个测量方向提供 12 位数据分辨率，并具有 10 位温度传感器。它具有可变的更新频率和功耗模式，可以在运行期间进行配置。工作温度范围为 -40°C 至 125°C，供电电压范围为 2.8 V 至 3.5 V。该传感器可以通过 I2C 协议由外部微控制器触发，并提供中断信号以指示对微控制器进行有效测量。

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型号：MS5837-02BA21 编号：C3257869

封装：SMD

品牌：TE Connectivity(泰科电子)

特性：工作温度范围：-20 – 85 °C。分辨率：0.016。输出接口：I²C。输出/量程：24位ADC。精度：±0.5 mbar。封装形式：表面贴装。传感器选项：屏蔽。符合欧盟RoHS指令2011/65/EU。符合欧盟ELV指令2000/53/EC。符合中国RoHS 2指令工信部令第32号，2016。符合欧盟REACH法规(EC) No. 1907/2006。卤素含量：低卤素-Br、Cl、F、I < 900 ppm/均质材料，无BFR/CFR/PVC

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型号：AH602 编号：C2691443

封装：SOT-23

品牌：Alfa(中科阿尔法)

AH602线性霍尔效应传感器是一款小巧、多功能的器件，由永磁体产生的磁场驱动。线性源输出电压由电源电压设定，并与磁场强度成正比变化。集成电路具有低噪声输出的特点，因此无需使用外部滤波

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型号：AS5050A-BQFM 编号：C22457162

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：ams(艾迈斯半导体)

是单芯片轴上磁旋转位置传感器，具有低电压和低功耗的特点。它集成了霍尔元件阵列、高分辨率ADC和智能电源管理控制器。角度位置、报警位和磁场信息通过3线或4线SPI接口传输到微控制器。采用紧凑的QFN 16引脚4×4×0.85mm封装，工作温度范围为 -40℃至85℃。

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