霍尔电压传感器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

集成电流传感器可感应流经 SOIC 封装低阻抗引线框架的电流。通过固定电流导体相对于单片 CMOS 传感器的位置，可获得工厂校准的全集成霍尔效应电流传感器。封装内部，电流产生的磁通量由两组霍尔板差分感应。因此，快速模拟前端可最大程度减少外部干扰场的影响。残余信号被放大，以提供高速线性模拟输出电压。霍尔板与电流导体的近距离确保了高信噪比和随温度变化的精确信号。通过这种小型化设计，封装的初级和次级侧引脚之间仍保持高电压隔离额定值。

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型号：GH41F045-B2 编号：C266239

封装：TO-92S

品牌：鑫雁

GH141F高温双极锁存型霍尔效应位置传感器是由内部电压稳压单元、霍尔电压发生器、差分放大器、温度补偿单元、施密特触发器和集电极开路输出级组成的磁敏传感电路，其输入为磁感应强度，输出是一个数字电压信号。它是一种双磁极工作的磁敏电路，适合于矩形或者柱形磁体下工作。工作温度范围可以在-40°C 到 150°C ，电源电压工范围从3.8V到30V，负载电流能力最高可达40mA。封装形式为SIP3L(T092S)。

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型号：GH1210KUA 编号：C2683244

封装：TO-92S

品牌：鑫雁

GH1200系列单极开关型霍尔位置传感器电路是采用CMOS工艺技术设计加工的，它是由电压稳压单元、具有动态偏差补偿系统的霍尔传感器、小信号放大器、施密特触发器和漏极开路输出驱动单元组成的磁敏传感器集成电路。输入控制信号为磁感应强度，输出是一个开关型的数字电压信号，适合于配合矩形或者圆柱形磁体下工作。在没有磁场控制时，该系列传感器电路的输出管将关断，输出为高电平；当磁场强度B大于工作点 (BOP) 时，输出开关管将打开，输出为低电平；输出状态会一直保持直到磁场强度B低于释放点 (BRP) 时，输出开关管才关断，输出又恢复为高电平。

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型号：US1881EUA-AAA-000-BU 编号：C1526856

封装：TO-92S

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

基于混合信号CMOS技术设计的霍尔效应锁存器，集成了稳压器、带动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器，宽工作电压范围和多种温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用，提供TSOT表面贴装和TO-92扁平通孔安装两种3引脚封装，且均符合RoHS标准，基于混合信号CMOS技术的霍尔效应器件，具有高磁灵敏度，适用于大多数应用需求，斩波稳定放大器采用开关电容技术抑制霍尔传感器和放大器的失调，CMOS技术使芯片尺寸更小、电流消耗更低，有助于减少物理应力影响，具有更稳定的磁特性，可实现更快、更精确的设计，宽工作电压3.5V至24V、低电流消耗和多种工作温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用 -输出信号为开漏类型，可通过上拉电阻与TTL或CMOS逻辑简单连接

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型号：A1121ELHLT-T 编号：C17405491

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

霍尔效应单极开关是极其温度稳定且抗应力的传感器IC，特别适合在高达150°C的扩展温度范围内工作。通过动态失调消除实现卓越的高温性能，该技术可减少通常由器件注塑成型、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上包括一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定器、施密特触发器和一个短路保护的开漏输出，可吸收高达25mA的电流。板载调节器允许在3至24V的电源电压下工作

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型号：KT140-SH-124LM1 编号：C52146221

封装：-

品牌：KCOTY(科泰)

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型号：US1881LSE-AAA-000-RE 编号：C17526271

封装：TSOT-23-3

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

基于混合信号CMOS技术设计的霍尔效应锁存器，集成了稳压器、带动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器，宽工作电压范围和多种温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用，提供TSOT表面贴装和TO-92扁平通孔安装两种3引脚封装，且均符合RoHS标准，基于混合信号CMOS技术的霍尔效应器件，具有高磁灵敏度，适用于大多数应用需求，斩波稳定放大器采用开关电容技术抑制霍尔传感器和放大器的失调，CMOS技术使芯片尺寸更小、电流消耗更低，有助于减少物理应力影响，具有更稳定的磁特性，可实现更快、更精确的设计，宽工作电压3.5V至24V、低电流消耗和多种工作温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用 -输出信号为开漏类型，可通过上拉电阻与TTL或CMOS逻辑简单连接

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型号：US2882LSE-AAA-000-RE 编号：C2655016

封装：TSOT-23-3

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

采用混合信号CMOS技术设计的双极霍尔效应开关。该器件在单个封装中集成了稳压器、带动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器。由于其较宽的工作电压范围和较宽的温度范围选择，适用于汽车和消费类应用。该器件采用用于表面贴装工艺的薄小外形晶体管（TSOT）封装和用于通孔安装的塑料单列直插式（TO-92扁平）封装。两种3引脚封装均符合RoHS标准。

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型号：US3881LSE-AAA-000-RE 编号：C2655026

封装：TSOT-23-3

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

是一款采用混合信号CMOS技术设计的霍尔效应锁存器。该器件集成了一个稳压器、带有动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个开漏输出驱动器，所有这些都封装在一个单一的封装中。低工作电压和广泛的温度范围选择使其适用于汽车、工业和消费类低压应用。器件提供用于表面贴装工艺的薄小外形晶体管（TSOT）封装和用于通孔安装的塑料单列直插（TO-92扁平）封装。两种3引脚封装均符合RoHS标准。

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型号：US2881LUA-AAA-000-BU 编号：C1526833

封装：TO-92S

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

Melexis US2881 是一款采用混合信号 CMOS 技术设计的双极霍尔效应开关。该器件集成了电压调节器、具有动态偏移消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器，全部集成在一个封装中。由于其宽工作电压范围和扩展的温度范围选择，它适用于汽车和消费类应用。该器件采用薄型小轮廓晶体管 (TSOT) 封装用于表面贴装工艺，并采用塑料单列封装 (TO-92 平面) 用于通孔贴装。两种 3 引脚封装均符合 RoHS 标准。

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型号：MLX92251LSE-ABA-000-RE 编号：C17690443

封装：TSOT-5

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

该产品是采用混合信号CMOS技术设计的第二代霍尔效应双锁存器。器件集成了一个电压调节器、两个带有先进失调消除系统的霍尔传感器和两个开漏输出驱动器，全部封装在一个单一的封装中。两个霍尔板集成在同一块硅片上，利用晶圆制造工艺的高精度确保传感元件之间的固定间距为1.45mm。第一个霍尔板信号用于提供速度信号输出

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型号：US5881EUA-AAA-000-BU 编号：C1526823

封装：TO-92S

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

US5881是一款采用混合信号CMOS技术设计的单极霍尔效应开关。该器件将电压调节器、带有动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个漏极开路输出驱动器集成在一个封装内。

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型号：US5881LSE-AAA-000-RE 编号：C2152438

封装：TSOT-23-3

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

US5881是一款采用混合信号CMOS技术设计的单极霍尔效应开关。该器件将电压调节器、带有动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个漏极开路输出驱动器集成在一个封装内。

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型号：MLX92223LUA-AAA-100-SP 编号：C1559868

封装：TO-92S

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

MLX92223 基于迈来芯最新的霍尔效应开关平台，采用混合信号亚微米 CMOS 技术设计。该器件将电压调节器、霍尔传感器、灌电流配置的输出驱动器和集成电容器集成在一个封装中。

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型号：US1881KUA-AAA-000-BU 编号：C17199063

封装：TO-92-3

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

是一款采用混合信号CMOS技术设计的霍尔效应锁存器。该器件在单个封装中集成了电压调节器、带动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器。由于其较宽的工作电压范围和较广的温度范围选择，非常适合用于汽车、工业和消费应用。该器件有适用于表面贴装工艺的薄型小外形晶体管（TSOT）封装和适用于通孔安装的塑料单列直插（TO-92扁平）封装。两种3引脚封装均符合RoHS标准。

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型号：A1223LUA-T 编号：C3716261

封装：SIP-3

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

Hall 效应传感器 IC 是极其温度稳定和抗应力的设备，特别适合在高达 150°C 的扩展温度范围内运行。通过动态失调消除实现了卓越的高温性能，该技术可减少通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上包括一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定器、施密特触发器和一个短路保护的开漏输出，可吸收高达 25 mA 的电流。足够强度的南极会使输出开启，足够强度的北极则需要使输出关闭

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型号：A1308LLHLX-2-T 编号：C2152980

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

新的线性输出霍尔效应传感器应用，例如位移和角度位置，需要更高的精度和更小的封装尺寸。Allegro A1308 和 A1309 线性霍尔效应传感器 IC 专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件提供表面贴装和通孔封装两种选择。每个器件的精度通过生产线末端优化得以增强。每个器件具有非易失性存储器，用于优化器件灵敏度和静态电压输出（QVO：无磁场时的输出），以适应给定的应用或电路。这种 A1308 和 A1309 优化的性能通过在 Allegro 生产线末端测试中编程灵敏度和 QVO 的温度系数，在整个工作温度范围内得以保持。这些比例霍尔效应传感器 IC 提供与施加的磁场成比例的电压输出。静态电压输出调整至电源电压的 50% 左右。这些线性器件的特性使其非常适合用于汽车和工业应用，这些应用需要高精度，并且它们的工作温度范围为 -40°C 至 150°C（SOT-23W 和 SIP -L 温度范围）或 -40°C 至 125°C（SIP -K 温度范围）。每个 BiCMOS 单片电路集成了霍尔元件、用于减少霍尔元件固有灵敏度漂移的温度补偿电路、小信号高增益放大器、钳位低阻抗输出级以及专有的动态偏移消除技术。A1308 和 A1309 传感器 IC 提供两种封装样式。LH 是一种 SOT-23W 样式，适用于表面贴装应用的微型低轮廓封装。UA 是一种 3 针，超小型，单列封装 (SIP)，用于通孔安装。两种封装均无铅 (Pb)，采用 100% 哑光锡引脚镀层。

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型号：A1318LLHLT-2-T 编号：C146416

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

新的线性输出霍尔效应传感器应用，如位移和角位置，需要更高的精度和更小的封装尺寸。该传感器专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的设备有表面贴装和通孔封装两种类型。每个设备的精度通过生产线末端优化得到提高。每个设备都具有非易失性存储器，可针对给定应用或电路优化设备灵敏度和静态电压输出（QVO：无磁场时的输出）。通过在生产线末端测试时对灵敏度和 QVO 的温度系数进行编程，可在整个工作温度范围内保持优化性能

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型号：A1363LKTTN-2-T 编号：C2654979

封装：SIP-4

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

可编程线性霍尔效应电流传感器IC旨在实现高精度和高分辨率，同时不影响带宽。通过新的专有线性插值温度补偿技术，在整个工作温度范围内提供几乎恒定的灵敏度和失调。温度补偿在数字域中使用集成EEPROM技术完成，不牺牲120kHz带宽的模拟信号路径，适用于HEV逆变器、DC-DC转换器和电动助力转向（EPS）应用。该比例式霍尔效应传感器IC提供与施加磁场成比例的电压输出。用户可以通过在VCC和输出引脚上进行编程来配置灵敏度和静态（零场）输出电压，以优化最终应用中的性能。静态输出电压可在电源电压VCC的50%左右进行调节，输出灵敏度可在0.6至14mV/G的范围内调节

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型号：MLX91209LVA-CAA-000-CR 编号：C2155526

封装：SIP-4

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

是一款采用平面霍尔技术的单片可编程霍尔传感器IC，对垂直于IC表面施加的磁通密度敏感。该传感器提供与施加的磁通量密度成正比的输出信号，非常适合用于电流测量。其传输特性（偏移、增益）是可编程的。线性模拟输出设计用于需要非常快速响应的应用，如逆变器应用。在典型应用中，传感器与环形软铁磁芯结合使用。霍尔IC放置在一个小气隙中，电流导体穿过铁磁环的内部。该环将磁通量集中并放大到霍尔传感器IC上，从而产生与导体中流动的电流成正比的输出电压。

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型号：MLX91221KDC-ABF-025-SP 编号：C3684369

封装：SOIC-8

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

集成电流传感器可感应流经 SOIC 封装低阻抗引线框架的电流。通过固定电流导体相对于单片 CMOS 传感器的位置，可获得工厂校准的全集成霍尔效应电流传感器。封装内部，电流产生的磁通量由两组霍尔板差分感应。因此，快速模拟前端可最大程度减少外部干扰场的影响。残余信号被放大，以提供高速线性模拟输出电压。霍尔板与电流导体的近距离确保了高信噪比和随温度变化的精确信号。通过这种小型化设计，封装的初级和次级侧引脚之间仍保持高电压隔离额定值。

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型号：MLX91220KDF-ABF-075-RE 编号：C3684249

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

是一款隔离式集成电流传感器，可感应流经SOIC封装低阻抗引线框架的电流。通过固定电流导体相对于单片CMOS传感器的位置，可获得工厂校准的全集成霍尔效应电流传感器。在封装内部，由电流流动产生的磁通量密度由两组霍尔板进行差分感应。因此，在快速模拟前端中，外部干扰场的影响被最小化。剩余信号被放大，以提供高速线性模拟输出电压。霍尔板与电流导体的近距离确保了高信噪比和精确的温度信号。即使进行了小型化设计，初级侧和相对的次级侧之间仍保持高电压隔离额定值。

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型号：MLX91220KDC-ABR-025-RE 编号：C3684508

封装：SOIC-8

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

是一款隔离式集成电流传感器，可感应流经SOIC封装低阻抗引线框架的电流。通过固定电流导体相对于单片CMOS传感器的位置，可获得工厂校准的全集成霍尔效应电流传感器。在封装内部，由电流流动产生的磁通量密度由两组霍尔板进行差分感应。因此，在快速模拟前端中，外部干扰场的影响被最小化。剩余信号被放大，以提供高速线性模拟输出电压。霍尔板与电流导体的近距离确保了高信噪比和精确的温度信号。即使进行了小型化设计，初级侧和相对的次级侧之间仍保持高电压隔离额定值。

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型号：MLX91216LDC-ACV-000-RE 编号：C7453276

封装：SOIC-8

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

利用IMC-Hall技术的单片霍尔效应传感器，提供与平行于IC表面的外加磁通量密度成正比的模拟输出电压。其传输特性在工厂进行了温度校准，在客户终线校准期间可进行编程（偏移、灵敏度、钳位、滤波）。输出钳位电平和片上滤波也可根据应用需求进行编程。凭借250kHz带宽和快速响应时间，特别适用于需要快速开关响应的高速应用，如逆变器和转换器。在典型的电流传感应用中，传感器与U形屏蔽配合使用，便于电流传感器在传统铁磁芯上的机械组装。该屏蔽建议用于高带宽应用。传感器可安装在母线排上，并通过PCB与之分离。由于屏蔽的主要目的不是集中磁场，因此与铁磁芯相比，它可以做得更小、更轻，同时不会损失信号。

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型号：SL44E-9 编号：C5122563

封装：TO-92S

品牌：Slkor(萨科微)

SL44E单极霍尔效应开关，采用双极半导体(Bipolar)工艺设计，包括霍尔电压发生器，可在3.8至40V的电源电压下工作的稳压器，温度补偿电路，小信号放大器，施密特触发器和集电极开路输出。该传感器设计用于南极响应。当磁通密度（B）大于工作点Bop时，输出以低电平，输出保持不变，直到磁通量(B)小于释放点Brp时，输出以高电平。44E提供了多种封装，包括TO92S，SOT23-3L，且包装均符合RoHS。

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型号：LN4913SRB 编号：C236385

封装：TO-92S

品牌：natlinear(南麟)

LN4913是一款专门为满足低功耗设备需求而设计的集成霍尔效应传感器，例如可作为翻盖手机的开关，其电池工作电压为1.65V - 5.5V。通过独特的内部电路设计，可实现精确的磁开关点和较高的温度稳定性。该集成电路采用片上时钟方案来降低平均工作电流

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型号：GH1120KSE 编号：C266229

封装：SOT-23-3L

品牌：鑫雁

GH1120是一款采用CMOS技术设计的霍尔效应锁存器。该集成电路内部包括一个电压调节器、带有动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个开漏输出驱动器。

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型号：OH549E 编号：C127590

封装：SOT-89

品牌：南京欧卓

OH549E是一种小型，多功能的线性霍尔，其输入是磁感应强度，输出是和输入量成正比的电压。静态输出电压（B = 0GS）是电源电压的一半。S磁极出现在霍尔传感器标记面时，将驱动输出高于零电平；N磁极将驱动输出低于零电平。集成的电路具有低噪声输出，这使得它不必使用外部滤波。它还包括精密电阻，提供更多的温度稳定性和准确性。

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型号：PT3661H1OAG7P1 编号：C2835488

封装：TO-92

品牌：PROLIFIC(旺玖)

设计用于电池供电的手持设备，如手机、无绳电话、PDA 和寻呼机应用。前置放大器级内置动态失调消除功能，可实现最佳对称磁传感。电源电压范围为 2.4V 至 6.0V，最大输出电流为 5mA。这款霍尔效应传感器 IC 将传感器、带动态失调消除功能的前置放大器和差分迟滞比较器集成在单芯片中。通过唤醒/睡眠定时控制实现微功耗运行。芯片将自动进入唤醒模式 45μS，并在剩余时间（90mS）进入睡眠模式（关机）。在唤醒模式下，芯片的传感器将启用并正常运行。在睡眠模式下，传感器将禁用以节省电量，输出将锁存在上一状态。

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型号：MH251EST 编号：C114367

封装：TSOT-23-3L

品牌：MST(美伽)

MH251霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力、灵敏度容差低的微功耗开关。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除功能，可实现卓越的高温性能。该方法可降低通常由器件过模塑、温度依赖性和热应力引起的失调电压

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