霍尔电压传感器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-16-300mil

是一款采用SOICW-16封装的全集成霍尔效应电流传感器，工厂预校准，可在整个工作范围内提供高精度，无需客户编程。电流由两个霍尔板差分感应，可消除外部共模磁场干扰。该封装结构通过磁耦合将导体中电流产生的磁场与单片霍尔传感器IC相连，无物理连接，提供高隔离。MC封装针对高隔离进行了优化，额定隔离电压5kV_RMS，导体电阻0.27mΩ，适用于低功耗要求

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型号：ACS37002LMCATR-090B5 编号：C7455086

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是一款采用SOICW-16封装的全集成霍尔效应电流传感器，工厂预校准，可在整个工作范围内提供高精度，无需客户编程。电流由两个霍尔板差分感应，可消除外部共模磁场干扰。该封装结构通过磁耦合将导体中电流产生的磁场与单片霍尔传感器IC相连，无物理连接，提供高隔离。MC封装针对高隔离进行了优化，额定隔离电压5kV_RMS，导体电阻0.27mΩ，适用于低功耗要求

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型号：ACS772LCB-100U-PFF-T 编号：C1574461

封装：CB-5

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

提供经济且精确的交流或直流电流传感解决方案，适用于电机控制、负载检测和管理、电源和直流到直流转换器控制以及逆变器控制。2.5μs的响应时间可实现安全关键应用中的过流故障检测。由精密、低失调线性霍尔电路和位于芯片附近的铜传导路径组成。通过铜传导路径的电流会产生磁场，霍尔集成电路将其转换为成比例的电压。通过磁场信号与霍尔传感器的紧密接近优化了设备精度。由低失调、斩波稳定的BiCMOS霍尔集成电路提供精确的成比例输出电压，并在工厂进行了精度编程

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型号：OH9251-S 编号：C174066

封装：TSOT-23-3

品牌：南京欧卓

OH9251霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力、灵敏度容差低的微功耗开关。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除功能，实现了卓越的高温性能。该方法可降低通常由器件过模塑、温度依赖性和热应力引起的失调电压

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型号：GH41F045-B2 编号：C266239

封装：TO-92S

品牌：鑫雁

GH141F高温双极锁存型霍尔效应位置传感器是由内部电压稳压单元、霍尔电压发生器、差分放大器、温度补偿单元、施密特触发器和集电极开路输出级组成的磁敏传感电路，其输入为磁感应强度，输出是一个数字电压信号。它是一种双磁极工作的磁敏电路，适合于矩形或者柱形磁体下工作。工作温度范围可以在-40°C 到 150°C ，电源电压工范围从3.8V到30V，负载电流能力最高可达40mA。封装形式为SIP3L(T092S)。

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型号：GH1543A 编号：C2683248

封装：SOT-89

品牌：鑫雁

GH1543A是一款单极开关型霍尔效应传感器IC，适用于非接触式开关应用。其采用小型SOT 89表面贴装封装，运用了行业标准的“鸥翼式”设计，这使其不易出现“焊桥”问题，并能提高电路板的布线密度。该器件包含一个用于磁传感的片上霍尔电压发生器、一个放大霍尔电压的放大器、一个用于抗噪的施密特触发器以提供开关迟滞，以及一个集电极开路输出

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型号：US1881EUA-AAA-000-BU 编号：C1526856

封装：TO-92S

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

基于混合信号CMOS技术设计的霍尔效应锁存器，集成了稳压器、带动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器，宽工作电压范围和多种温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用，提供TSOT表面贴装和TO-92扁平通孔安装两种3引脚封装，且均符合RoHS标准，基于混合信号CMOS技术的霍尔效应器件，具有高磁灵敏度，适用于大多数应用需求，斩波稳定放大器采用开关电容技术抑制霍尔传感器和放大器的失调，CMOS技术使芯片尺寸更小、电流消耗更低，有助于减少物理应力影响，具有更稳定的磁特性，可实现更快、更精确的设计，宽工作电压3.5V至24V、低电流消耗和多种工作温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用 -输出信号为开漏类型，可通过上拉电阻与TTL或CMOS逻辑简单连接

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型号：US5881ESE-AAA-000-RE 编号：C2655017

封装：TSOT-23-3

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

US5881是一款采用混合信号CMOS技术设计的单极霍尔效应开关。该器件将电压调节器、带有动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个漏极开路输出驱动器集成在一个封装内。

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型号：A1121ELHLT-T 编号：C17405491

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

霍尔效应单极开关是极其温度稳定且抗应力的传感器IC，特别适合在高达150°C的扩展温度范围内工作。通过动态失调消除实现卓越的高温性能，该技术可减少通常由器件注塑成型、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上包括一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定器、施密特触发器和一个短路保护的开漏输出，可吸收高达25mA的电流。板载调节器允许在3至24V的电源电压下工作

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型号：US2881LUA-AAA-000-BU 编号：C1526833

封装：TO-92S

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

Melexis US2881 是一款采用混合信号 CMOS 技术设计的双极霍尔效应开关。该器件集成了电压调节器、具有动态偏移消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器，全部集成在一个封装中。由于其宽工作电压范围和扩展的温度范围选择，它适用于汽车和消费类应用。该器件采用薄型小轮廓晶体管 (TSOT) 封装用于表面贴装工艺，并采用塑料单列封装 (TO-92 平面) 用于通孔贴装。两种 3 引脚封装均符合 RoHS 标准。

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型号：MLX92251LSE-ABA-000-RE 编号：C17690443

封装：TSOT-5

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

该产品是采用混合信号CMOS技术设计的第二代霍尔效应双锁存器。器件集成了一个电压调节器、两个带有先进失调消除系统的霍尔传感器和两个开漏输出驱动器，全部封装在一个单一的封装中。两个霍尔板集成在同一块硅片上，利用晶圆制造工艺的高精度确保传感元件之间的固定间距为1.45mm。第一个霍尔板信号用于提供速度信号输出

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型号：US5881EUA-AAA-000-BU 编号：C1526823

封装：TO-92S

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

US5881是一款采用混合信号CMOS技术设计的单极霍尔效应开关。该器件将电压调节器、带有动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个漏极开路输出驱动器集成在一个封装内。

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型号：US5881LSE-AAA-000-RE 编号：C2152438

封装：TSOT-23-3

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

US5881是一款采用混合信号CMOS技术设计的单极霍尔效应开关。该器件将电压调节器、带有动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个漏极开路输出驱动器集成在一个封装内。

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型号：MT9223CT-20UR5 编号：C2930870

封装：SOP-8

品牌：MagnTek(麦歌恩)

MagnTek@ MT9223产品系列是基于霍尔效应的全集成式隔离线性电流传感器器件家族，专为工业、商业和通信系统中的交流或直流电流检测而设计。每个MT9223器件均包含一个精密、低失调的线性霍尔电路，其低电阻电流导体路径位于芯片表面附近。流经该低电阻电流导体路径的电流会产生一个磁场，霍尔IC将其转换为成比例的电压

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型号：MLX92223LUA-AAA-100-SP 编号：C1559868

封装：TO-92S

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

MLX92223 基于迈来芯最新的霍尔效应开关平台，采用混合信号亚微米 CMOS 技术设计。该器件将电压调节器、霍尔传感器、灌电流配置的输出驱动器和集成电容器集成在一个封装中。

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型号：A31010SEHALT-4 编号：C17406976

封装：DFN-6(2x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

线性霍尔效应传感器IC提供与施加的磁场成比例的电压输出。用户控制的睡眠引脚和快速唤醒时间使传感器在唤醒后能消耗最小功率并快速提供磁数据。低电源电压额定值2.5V和非比例输出，使其适用于电池供电应用。许多人机界面（HMI）应用，如游戏控制器操纵杆、扳机和键盘，将受益于传感器的单向输出。这些设备采用小型2mm×3mm、标称高度0.75mm的微引脚封装（MLP/DFN），无铅，引脚框架采用100%雾锡电镀。

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型号：A1250LLHLX-T 编号：C2655018

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

Hall-effect传感器IC是温度稳定、抗应力的双极开关。该器件是双极开关系列中最灵敏的霍尔效应器件，适用于环形磁铁感应。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除专利技术，实现了卓越的高温性能。这种方法可减少通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的失调电压。Hall-effect双极开关在足够强度的南极磁场中开启，在足够强度的北极磁场中关闭。由于如果磁场减弱或移除，输出状态不确定，为确保器件切换，建议在应用中使用两种极性且强度足够的磁铁。工作环境温度范围为-40℃至150℃。两种封装样式为大多数应用提供了磁优化解决方案。每个封装都是无铅版本，具有100%雾锡电镀引线框架。

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型号：A1223LUA-T 编号：C3716261

封装：SIP-3

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

Hall 效应传感器 IC 是极其温度稳定和抗应力的设备，特别适合在高达 150°C 的扩展温度范围内运行。通过动态失调消除实现了卓越的高温性能，该技术可减少通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上包括一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定器、施密特触发器和一个短路保护的开漏输出，可吸收高达 25 mA 的电流。足够强度的南极会使输出开启，足够强度的北极则需要使输出关闭

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型号：A1250LUA-T 编号：C17641029

封装：SIP-3

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

Hall-effect传感器IC是温度稳定、抗应力的双极开关。该器件是双极开关系列中最灵敏的霍尔效应器件，适用于环形磁铁感应。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除专利技术，实现了卓越的高温性能。这种方法可减少通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的失调电压。Hall-effect双极开关在足够强度的南极磁场中开启，在足够强度的北极磁场中关闭。由于如果磁场减弱或移除，输出状态不确定，为确保器件切换，建议在应用中使用两种极性且强度足够的磁铁。工作环境温度范围为-40℃至150℃。两种封装样式为大多数应用提供了磁优化解决方案。每个封装都是无铅版本，具有100%雾锡电镀引线框架。

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型号：A1308LLHLX-2-T 编号：C2152980

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

新的线性输出霍尔效应传感器应用，例如位移和角度位置，需要更高的精度和更小的封装尺寸。Allegro A1308 和 A1309 线性霍尔效应传感器 IC 专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件提供表面贴装和通孔封装两种选择。每个器件的精度通过生产线末端优化得以增强。每个器件具有非易失性存储器，用于优化器件灵敏度和静态电压输出（QVO：无磁场时的输出），以适应给定的应用或电路。这种 A1308 和 A1309 优化的性能通过在 Allegro 生产线末端测试中编程灵敏度和 QVO 的温度系数，在整个工作温度范围内得以保持。这些比例霍尔效应传感器 IC 提供与施加的磁场成比例的电压输出。静态电压输出调整至电源电压的 50% 左右。这些线性器件的特性使其非常适合用于汽车和工业应用，这些应用需要高精度，并且它们的工作温度范围为 -40°C 至 150°C（SOT-23W 和 SIP -L 温度范围）或 -40°C 至 125°C（SIP -K 温度范围）。每个 BiCMOS 单片电路集成了霍尔元件、用于减少霍尔元件固有灵敏度漂移的温度补偿电路、小信号高增益放大器、钳位低阻抗输出级以及专有的动态偏移消除技术。A1308 和 A1309 传感器 IC 提供两种封装样式。LH 是一种 SOT-23W 样式，适用于表面贴装应用的微型低轮廓封装。UA 是一种 3 针，超小型，单列封装 (SIP)，用于通孔安装。两种封装均无铅 (Pb)，采用 100% 哑光锡引脚镀层。

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型号：A1318LLHLT-2-T 编号：C146416

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

新的线性输出霍尔效应传感器应用，如位移和角位置，需要更高的精度和更小的封装尺寸。该传感器专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的设备有表面贴装和通孔封装两种类型。每个设备的精度通过生产线末端优化得到提高。每个设备都具有非易失性存储器，可针对给定应用或电路优化设备灵敏度和静态电压输出（QVO：无磁场时的输出）。通过在生产线末端测试时对灵敏度和 QVO 的温度系数进行编程，可在整个工作温度范围内保持优化性能

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型号：A1363LKTTN-2-T 编号：C2654979

封装：SIP-4

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

可编程线性霍尔效应电流传感器IC旨在实现高精度和高分辨率，同时不影响带宽。通过新的专有线性插值温度补偿技术，在整个工作温度范围内提供几乎恒定的灵敏度和失调。温度补偿在数字域中使用集成EEPROM技术完成，不牺牲120kHz带宽的模拟信号路径，适用于HEV逆变器、DC-DC转换器和电动助力转向（EPS）应用。该比例式霍尔效应传感器IC提供与施加磁场成比例的电压输出。用户可以通过在VCC和输出引脚上进行编程来配置灵敏度和静态（零场）输出电压，以优化最终应用中的性能。静态输出电压可在电源电压VCC的50%左右进行调节，输出灵敏度可在0.6至14mV/G的范围内调节

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型号：A1121ELHLX-T 编号：C2923718

封装：SOT-23

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A1120、A1121、A1122、A1123 和 A1125 霍尔效应单极开关是具有极高温度稳定性和抗应力能力的传感器 IC，特别适合在高达 150°C 的宽温度范围内工作。动态失调消除技术使卓越的高温性能成为可能，该技术可降低通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上集成了一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器，以及一个具有短路保护功能的开漏输出，可吸收高达 25 mA 的电流

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型号：ACS723KMATR-40AB-T 编号：C459321

封装：SOIC-16W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是工业、商业和通信系统中交流或直流电流检测的经济且精确的解决方案。小封装适用于空间受限的应用，同时由于减少了电路板面积而节省成本。典型应用包括电机控制、负载检测和管理、开关电源和过流故障保护。该器件由一个精确、低失调的线性霍尔传感器电路和位于芯片表面附近的铜传导路径组成。通过该铜传导路径的电流会产生一个磁场，该磁场由集成霍尔IC感应并转换为成比例的电压。通过磁场与霍尔传感器的紧密接近，优化了器件的精度

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型号：ACS70311LKTATN-005B5-C 编号：C3716343

封装：SIP-4

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

Allegro ACS70310/1 集成电路（IC）将霍尔元件与 BiCMOS 集成电路相结合，提供了一款完全单片式线性电流传感器 IC。该 IC 对垂直于 IC 封装表面的磁通量密度敏感，其输出是与施加的磁通量密度成正比的模拟电压。ACS70310/1 设计用于与铁磁芯配合使用，以实现高精度的电流检测

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型号：ACS70311LKTATN-2P5B5-C 编号：C3715879

封装：SIP-4

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

集成霍尔元件与 BiCMOS 集成电路，提供全单片线性电流传感器 IC。对垂直于 IC 封装表面的磁通量密度敏感，输出为与施加的磁通量密度成比例的模拟电压。与铁磁芯配合使用，提供高精度电流传感。增益和失调随温度的漂移在工厂进行编程，在 25°C 至 150°C 范围内，灵敏度误差为 ±1%，失调误差为 ±5mV。客户可编程，制造后可对增益和失调的绝对值进行编程，提供行业领先的电流传感精度。具有高工作带宽，从直流到 240 kHz，响应时间为 2μs

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型号：MLX91209LVA-CAA-000-CR 编号：C2155526

封装：SIP-4

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

是一款采用平面霍尔技术的单片可编程霍尔传感器IC，对垂直于IC表面施加的磁通密度敏感。该传感器提供与施加的磁通量密度成正比的输出信号，非常适合用于电流测量。其传输特性（偏移、增益）是可编程的。线性模拟输出设计用于需要非常快速响应的应用，如逆变器应用。在典型应用中，传感器与环形软铁磁芯结合使用。霍尔IC放置在一个小气隙中，电流导体穿过铁磁环的内部。该环将磁通量集中并放大到霍尔传感器IC上，从而产生与导体中流动的电流成正比的输出电压。

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型号：MLX91221KDC-ABF-025-SP 编号：C3684369

封装：SOIC-8

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

集成电流传感器可感应流经 SOIC 封装低阻抗引线框架的电流。通过固定电流导体相对于单片 CMOS 传感器的位置，可获得工厂校准的全集成霍尔效应电流传感器。封装内部，电流产生的磁通量由两组霍尔板差分感应。因此，快速模拟前端可最大程度减少外部干扰场的影响。残余信号被放大，以提供高速线性模拟输出电压。霍尔板与电流导体的近距离确保了高信噪比和随温度变化的精确信号。通过这种小型化设计，封装的初级和次级侧引脚之间仍保持高电压隔离额定值。

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型号：MLX91220KDC-ABR-025-RE 编号：C3684508

封装：SOIC-8

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

是一款隔离式集成电流传感器，可感应流经SOIC封装低阻抗引线框架的电流。通过固定电流导体相对于单片CMOS传感器的位置，可获得工厂校准的全集成霍尔效应电流传感器。在封装内部，由电流流动产生的磁通量密度由两组霍尔板进行差分感应。因此，在快速模拟前端中，外部干扰场的影响被最小化。剩余信号被放大，以提供高速线性模拟输出电压。霍尔板与电流导体的近距离确保了高信噪比和精确的温度信号。即使进行了小型化设计，初级侧和相对的次级侧之间仍保持高电压隔离额定值。

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型号：MLX91220KDF-ABF-075-RE 编号：C3684249

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

是一款隔离式集成电流传感器，可感应流经SOIC封装低阻抗引线框架的电流。通过固定电流导体相对于单片CMOS传感器的位置，可获得工厂校准的全集成霍尔效应电流传感器。在封装内部，由电流流动产生的磁通量密度由两组霍尔板进行差分感应。因此，在快速模拟前端中，外部干扰场的影响被最小化。剩余信号被放大，以提供高速线性模拟输出电压。霍尔板与电流导体的近距离确保了高信噪比和精确的温度信号。即使进行了小型化设计，初级侧和相对的次级侧之间仍保持高电压隔离额定值。

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