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高灵敏度、锁存型霍尔开关传感器,TO-92S封装，2.7~32 V宽工作电压、±30Gauss、开漏输出30mA 灌电流，平均工作电流2.7 mA，ESD：HBM 4KV。

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型号：KTH2582NB-ST3 编号：C19631612

封装：SOT-23-3L

高压霍尔开关高灵敏度、锁存型霍尔开关传感器,、2.7~32 V宽工作电压、±30Gauss、开漏输出30mA 灌电流，平均工作电流2.7 mA,SOT-23封装

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型号：GH1511A 编号：C2683242

封装：SOT-89

品牌：鑫雁

GH1511A高温双极型霍尔效应位置传感器是由内部电压稳压单元、霍尔电压发生器、差分放大器、温度补偿单元、施密特触发器和集电极开路输出级组成的磁敏传感电路，其输入为磁感应强度，输出是一个数字电压信号。它是一种双磁极工作的磁敏电路，适合于矩形或者柱形磁体下工作。工作温度范围可以在 -40℃ 到 150℃，电源电压工作范围从 3.8V 到 30V，负载电流能力最高可达 40mA。

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型号：SS443F 编号：C3716000

封装：SIP-3

品牌：Honeywell(霍尼韦尔)

SS400F 和 SS400G 系列传感器是小型、多功能的数字霍尔效应器件，由永磁体或电磁体产生的磁场驱动，可设计用于响应交替的北极和南极，或仅响应南极。提供双极、锁存和单极磁性类型。带隙调节功能使其在 3.8 Vdc 至 30 Vdc 的电源电压范围内能稳定工作

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型号：KTH2502QB-SS3 编号：C22459035

封装：SOT-23

车规数字锁存霍尔效应传感器，SOT23封装，2.7~32 V宽工作电压，±30Gauss，35µs 快速上电时间，开漏输出30mA 灌电流。

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型号：KTH2502QB-TO3 编号：C22459036

封装：TO-92S

车规数字锁存霍尔效应传感器，TO-92S封装，2.7~32 V宽工作电压，±30Gauss，35µs 快速上电时间，开漏输出30mA 灌电流。

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型号：AH3772-SA-7 编号：C842135

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

AH3772是一款高压、高灵敏度霍尔效应锁存IC，专为工业和消费类家用电器及个人护理应用中的无刷直流电机换向、流量计、线性编码器和位置传感器而设计。为满足各种严苛应用需求，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。AH3772采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器，为内部电路提供温度补偿电源，能在整个工作范围内提供可靠的解决方案

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型号：AH8500-FDC-7 编号：C842150

封装：DFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

该产品是一款低功耗/微功耗线性霍尔效应传感器，具有8位输出分辨率。输出电压与电源电压成比例，与垂直于部件标记表面的磁通量密度成正比，输出零电压为电源电压的一半。典型灵敏度在1.8V和3V时分别为2.1mV/G和3.55mV/G，典型零电压偏移小于VDD的1%。该设备在1.8V和3.0V时的典型输入均方根噪声分别为0.36G和0.24G

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型号：US1881ESE-AAA-000-RE 编号：C1857736

封装：TSOT-23-3

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

基于混合信号CMOS技术设计的霍尔效应锁存器，集成了稳压器、带动态失调消除系统的霍尔传感器、施密特触发器和开漏输出驱动器，宽工作电压范围和多种温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用，提供TSOT表面贴装和TO-92扁平通孔安装两种3引脚封装，且均符合RoHS标准，基于混合信号CMOS技术的霍尔效应器件，具有高磁灵敏度，适用于大多数应用需求，斩波稳定放大器采用开关电容技术抑制霍尔传感器和放大器的失调，CMOS技术使芯片尺寸更小、电流消耗更低，有助于减少物理应力影响，具有更稳定的磁特性，可实现更快、更精确的设计，宽工作电压3.5V至24V、低电流消耗和多种工作温度范围选择，适用于汽车、工业和消费应用 -输出信号为开漏类型，可通过上拉电阻与TTL或CMOS逻辑简单连接

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型号：DRV5053RAELPGMQ1 编号：C1526546

封装：TO-92

DRV5053-Q1 汽车类、高电压（高达 38V）、线性霍尔效应传感器

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型号：DRV5053EAQDBZRQ1 编号：C2866938

封装：SOT-23

DRV5053-Q1 汽车类、高电压（高达 38V）、线性霍尔效应传感器

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型号：DRV5053RAEDBZRQ1 编号：C2871200

封装：SOT-23

DRV5053-Q1 汽车类、高电压（高达 38V）、线性霍尔效应传感器

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型号：TMAG3001A2YBGR 编号：C31115089

封装：DSBGA-6

TMAG3001 是一款低功耗线性 3D 霍尔效应传感器，适用于各种工业和个人电子产品应用。此器件在 X、Y 和 Z 轴集成三个独立的霍尔效应传感器。精密模拟信号链和集成的 12 位 ADC 对测量的模拟磁场值进行数字化。支持多个工作 VCC 范围时，I2C 接口可确保使用低电压微控制器实现无缝的数据通信。可以通过 I2C 接口来配置 TMAG3001，以实现磁轴和温度测量的任意组合。此外，该器件可以配置为各种电源选项（包括唤醒和睡眠模式），从而支持设计人员根据其系统级需求优化系统功耗。多个传感器转换方案和 I2C 读取帧有助于优化吞吐量和准确性。专用的 INT 引脚可以在低功耗唤醒和睡眠模式期间充当系统中断，也可以被微控制器用来触发新的传感器转换。该器件还具有用于磁性或角度测量的可配置低功耗开关模式。集成角度计算引擎 (CORDIC) 为同轴和离轴角度测量拓扑提供完整的 360° 角度位置信息。使用用户选择的两个磁轴执行角度计算。该器件具有磁增益和偏轴校正功能，可减轻系统机械误差源的影响。 TMAG3001 具有一个 ADDR 引脚，可用于拥有四个不同的 I2C 地址。每个可订购器件可配置为选择在系统校准期间适合磁体强度和元件放置的两个磁场范围之一。该器件在 – 40℃ 至 125℃ 的宽环境温度范围内能够保持稳定一致的优异性能。

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型号：A3290KLHLX-T 编号：C2152748

封装：SOT-23W

Hall效应锁存器是极其温度稳定且抗应力的传感器IC，特别适合在高达125℃的扩展温度范围内工作。通过动态失调消除实现了卓越的高温性能，该技术可减少通常由器件封装模塑、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。两款器件除了磁开关点不同外，其他方面相同，不适合用于汽车应用。两款器件在单个硅芯片上集成了电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定电路、施密特触发器和短路保护的开漏输出，可吸收高达25mA的电流

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型号：KTH5791AQ3QNS 编号：C22459042

封装：QFN-16L(3x3)

3D 霍尔位置传感器--鼠标滚轮专用芯片，QFN3x3-16L，绝对3D位置检测，支持在轴，离轴安装方式，自带自适应算法，工作电压 2.8V ~ 5.5V，工作温度 -40 ~ +85 ℃。

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型号：HAL835UT-A 编号：C1527027

封装：TO-92UA

品牌：TDK

是通用的基于霍尔效应的线性输出磁场传感器。与旋转或移动的磁铁结合使用时，可用于角度或距离测量。主要特性如磁场范围、灵敏度、输出静态电压（B = 0 mT 时的输出电压）和输出电压范围可在非易失性存储器中编程。传感器具有合理的输出特性，即输出电压与磁通量和电源电压成正比

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型号：TMAG5173B1QDBVRQ1 编号：C36309834

封装：SOT-23-6

一款低功耗线性3D霍尔效应传感器，适用于各种汽车类应用。此器件在X、Y和Z轴集成三个独立的霍尔效应传感器，精密模拟信号链和集成的12位ADC使测量的模拟磁场值数字化。支持多个工作VCC范围时，I2C接口可确保使用低电压微控制器实现无缝的数据通信。该器件具有集成的温度传感器，可用于多种系统功能，例如给定磁场的热预算检查或温度补偿计算。可以通过I2C接口来配置，以实现磁轴和温度测量的任意组合。此外，该器件可以配置为各种电源选项（包括唤醒和睡眠模式），从而让设计人员能够根据其系统级需要优化系统功耗

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型号：A1308LLHLX-1-T 编号：C2152979

封装：SOT-23W

新的线性输出霍尔效应传感器应用，例如位移和角度位置，需要更高的精度和更小的封装尺寸。Allegro A1308 和 A1309 线性霍尔效应传感器 IC 专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件提供表面贴装和通孔封装两种选择。每个器件的精度通过生产线末端优化得以增强。每个器件具有非易失性存储器，用于优化器件灵敏度和静态电压输出（QVO：无磁场时的输出），以适应给定的应用或电路。这种 A1308 和 A1309 优化的性能通过在 Allegro 生产线末端测试中编程灵敏度和 QVO 的温度系数，在整个工作温度范围内得以保持。这些比例霍尔效应传感器 IC 提供与施加的磁场成比例的电压输出。静态电压输出调整至电源电压的 50% 左右。这些线性器件的特性使其非常适合用于汽车和工业应用，这些应用需要高精度，并且它们的工作温度范围为 -40°C 至 150°C（SOT-23W 和 SIP -L 温度范围）或 -40°C 至 125°C（SIP -K 温度范围）。每个 BiCMOS 单片电路集成了霍尔元件、用于减少霍尔元件固有灵敏度漂移的温度补偿电路、小信号高增益放大器、钳位低阻抗输出级以及专有的动态偏移消除技术。A1308 和 A1309 传感器 IC 提供两种封装样式。LH 是一种 SOT-23W 样式，适用于表面贴装应用的微型低轮廓封装。UA 是一种 3 针，超小型，单列封装 (SIP)，用于通孔安装。两种封装均无铅 (Pb)，采用 100% 哑光锡引脚镀层。

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型号：GP2Y0AF15XR 编号：C691378

封装：-

品牌：SHARP(夏普)

应用：计算机。OA设备。通信设备（终端）。测量设备。加工机械。视听设备。家用电器

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型号：ACHS-7122-500E 编号：C691912

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

ACHS - 7121/7122/7123 产品系列是基于霍尔效应的完全集成式隔离线性电流传感器器件家族，专为工业、商业和通信系统中的交流或直流电流检测而设计。ACHS - 7121/7122/7123 中的每一款器件均包含一个精密、低失调的线性霍尔电路，其芯片表面附近设有铜传导路径。流经该铜传导路径的施加电流会产生磁场，霍尔集成电路将其转换为成比例的电压

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型号：ACHS-7121-000E 编号：C1526337

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACHS - 7121/7122/7123 产品系列是基于霍尔效应的全集成式隔离线性电流传感器器件家族，专为工业、商业和通信系统中的交流或直流电流检测而设计。ACHS - 7121/7122/7123 中的每一款器件都包含一个精密、低失调的线性霍尔电路，其芯片表面附近设有铜导电通路。流经该铜导电通路的被测电流会产生磁场，霍尔集成电路将该磁场转换为成比例的电压

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型号：DS7505S+ 编号：C17664899

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

低电压（1.7V 至 3.7V）数字温度计和恒温器，可在 -55℃ 至 +125℃ 范围内提供 9 位、10 位、11 位或 12 位数字温度读数，在 -0℃ 至 +70℃ 范围内精度为 ±0.5℃。9 位分辨率模式与 LM75 软件兼容。恒温器有专用的开漏输出（O.S.）和可编程容错功能，允许用户定义在激活 O.S. 之前必须发生的连续错误条件的数量。有两种恒温操作模式，可根据存储在 EEPROM 寄存器中的用户定义跳闸点（Tos 和 THyST）控制恒温器操作。

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型号：HLSR40-P 编号：C454671

封装：-

品牌：LEM(莱姆)

用于电流的电子测量，包括直流、交流、脉冲等，在初级和次级电路之间具有电流隔离。

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型号：ACS70310LKTATN-2P5B5-C 编号：C17413531

封装：SIP-4

该IC集成霍尔元件和BiCMOS集成电路，提供完全单片式线性电流传感器IC。该IC对与IC封装表面正交的磁通量密度敏感，输出是与施加的磁通量密度成比例的模拟电压。它设计用于与铁磁芯配合使用，以提供高精度的电流传感。增益和失调随温度的漂移在工厂进行编程，在25°C至150°C的温度范围内，灵敏度误差为±1%，失调误差为±5mV

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型号：TMCS1126B9AQDVGRQ1 编号：C31790489

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：ACS724LMATR-50AU-T 编号：C2155530

封装：SOIC-16-300mil

是一种经济且精确的解决方案，适用于汽车、工业、商业和通信系统中的交流或直流电流检测。小尺寸封装适用于空间受限的应用，同时由于减少了电路板面积而节省成本。典型应用包括电动汽车车载充电器、电机控制、负载检测和管理、开关电源和过流故障保护。该器件由一个精确、低失调的线性霍尔传感器电路和位于芯片表面附近的铜传导路径组成。通过该铜传导路径的电流会产生一个磁场，该磁场由集成霍尔IC感应并转换为成比例的电压。采用差分方式感应电流以抑制共模场，提高在磁场嘈杂环境中的精度

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型号：ACS716KLATR-25CB-NL-T 编号：C3684205

封装：SOIC-16-300mil

为工业、商业和通信系统中的电流感应应用提供了经济且精确的解决方案。采用小尺寸表面贴装封装，便于在客户应用中实现。由精密线性霍尔传感器集成电路和位于硅芯片表面附近的铜传导路径组成。施加的电流流过铜传导路径，霍尔传感器的模拟输出电压线性跟踪由施加电流产生的磁场

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￥42.73
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型号：ACS772LCB-100B-PFF-T 编号：C19626915

封装：CB-5