威世ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZT55C3V3-GS08 编号：C3739990

封装：SOD-80

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.2709
50+
￥0.2652
150+
￥0.2613

有货

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型号：BZX55C6V2-TAP 编号：C3729061

封装：DO-35(DO-204AH)

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.2779
50+
￥0.2717
150+
￥0.2675

有货

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型号：BZX84B9V1-E3-08 编号：C3730647

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%，订货代码中用“C”表示；若公差为±2%，则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101：人体模型>8kV，机器模型>800V。符合RoHS标准，商业级。符合RoHS标准，AEC-Q101认证

10+
￥0.2814
100+
￥0.2241
300+
￥0.1955

有货

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型号：SS12-E3/5AT 编号：C3757965

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。过压保护保护环。低功率损耗，高效率。低正向压降。高浪涌能力。符合MSL 1级，LF最大峰值260℃。应用：用于低电压、高频逆变器、续流、DC/DC转换器和极性保护应用。

5+
￥0.2846
50+
￥0.2782
150+
￥0.274
500+
￥0.2698

有货

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型号：BZX384B12-E3-18 编号：C5359565

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管，齐纳电压按国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%；用“B”替换“C”可实现±2%的公差。可提供AEC-Q101认证。依据AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。基础型号E3：符合RoHS标准，商业级。基础型号HE3：符合RoHS标准，AEC-Q101认证

数据手册

10+
￥0.2879
100+
￥0.2304
300+
￥0.2016
1000+
￥0.18
5000+
￥0.1628
10000+
￥0.1542

订货

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型号：1N5240B-TR 编号：C5377588

封装：DO-204AH

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。标准齐纳电压公差：订货代码中有“B”后缀为±5%，“C”后缀为±2%。可提供MiniMELF封装（型号为TZM5221至TZM5267）、SOT-23封装（型号为MMBZ5225至MMBZ5267）和SOD-123封装（型号为MMSZ5225至MMSZ5267）。应用：电压稳定

数据手册

5+
￥0.3031
50+
￥0.2966
150+
￥0.2923

有货

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型号：1N4743A-TR 编号：C3736243

封装：DO-204AL(DO-41)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压容差为 ±5%。应用：电压稳定

5+
￥0.3064
50+
￥0.3004
150+
￥0.2963

有货

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型号：BZT55C12-GS08 编号：C3729706

封装：SOD-80

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.3115
50+
￥0.3045
150+
￥0.2999

有货

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型号：BZM55C6V2-TR 编号：C6522543

封装：MicroMELF

品牌：VISHAY(威世)

特性：节省空间。密封部件。电气数据与BZT55系列、TZM系列器件相同。适用于SOD-323封装。非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。应用：电压稳定

5+
￥0.3162
50+
￥0.3094
150+
￥0.3049

有货

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型号：SD103AW-E3-18 编号：C5885864

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：低正向压降和快速开关特性。 AEC-Q101认证可选。符合RoHS标准，商业级。应用：MOS器件保护。快速开关和低逻辑电平应用中的转向、偏置和耦合二极管

5+
￥0.3177
50+
￥0.3109
150+
￥0.3064

有货

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型号：BZT52C2V4-E3-08 编号：C2979813

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际 E24 标准分级。可提供 AEC-Q101 认证。 ESD 能力符合 AEC-Q101：人体模型 > 8kV，机器模型 > 800V。 RoHS 合规，商业级。 RoHS 合规，AEC-Q101 认证

数据手册

10+
￥0.3184
100+
￥0.2504
300+
￥0.2164

有货

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型号：1N5254B-TR 编号：C22420897

封装：DO-35

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。标准齐纳电压公差：订购代码中带 “B” 后缀为 ±5%，后缀 “C” 为 ±2% 公差。有 MiniMELF 外壳（型号 TZM5221 至 TZM5267）、SOT-23 外壳（型号 MMBZ5225 至 MMBZ5267）和 SOD-123 外壳（型号 MMSZ5225 至 MMSZ5267）可选。符合 RoHS 标准，无卤。应用：电压稳定

5+
￥0.3282
50+
￥0.3217
150+
￥0.3174

有货

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型号：MMSZ5231C-HE3-08 编号：C3736030

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：标准齐纳电压公差：带“B”后缀为±5%，后缀“C”为±2%公差。具备AEC-Q101认证选项。 ESD能力（根据AEC-Q101）：人体模型>8kV，机器模型>800V

3+
￥0.3295
30+
￥0.3232
90+
￥0.319

有货

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型号：BZX55C16-TAP 编号：C3732035

封装：DO-35(DO-204AH)

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.3353
50+
￥0.3278
150+
￥0.3228

有货

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型号：BZX55C2V7-TAP 编号：C6522839

封装：DO-35(DO-204AH)

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.345
50+
￥0.3377
150+
￥0.3328

有货

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型号：BZT52C5V6-E3-08 编号：C917476

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际 E24 标准分级。提供 AEC-Q101 认证。 ESD 能力符合 AEC-Q101：人体模型 > 8kV，机器模型 > 800V。 RoHS 合规，商业级。 RoHS 合规，AEC-Q101 认证

数据手册

3000+
￥0.217656
9000+
￥0.211978

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型号：BZM55C3V3-TR 编号：C5342964

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：节省空间。密封部件。电气数据与BZT55系列、TZM系列器件相同。适用于SOD-323。非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。应用：电压稳定

数据手册

单价：
￥0.634843 / 个

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型号：PLZ5V6A-HG3_A/H 编号：C5828742

封装：DO-219AC(MicroSMF)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管，超小超薄MicroSMF (DO-219AC)封装。低漏电流。出色的稳定性。高温焊接：端子处260℃ / 10 s。可进行波峰焊和回流焊（回流焊符合JPC / JEDEC J-STD 020，双波峰焊符合IEC 61760-1）。可提供AEC-Q101认证。基础型号G3-符合RoHS标准，环保，工业级。基础型号HG3-符合RoHS标准，环保，通过AEC-Q101认证。静电放电抗扰度符合IEC 61000-4-2（根据部件表）。浪涌性能符合部件表

5+
￥0.3669
50+
￥0.3575
150+
￥0.3513

有货

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型号：SB150-E3/73 编号：C3758949

封装：DO-204AL(DO-41)

品牌：VISHAY(威世)

特性：带保护环，用于过压保护。极低的传导损耗。极快的开关速度。低正向压降。高正向浪涌能力。高频工作。应用：低压高频逆变器。续流

5+
￥0.3857
50+
￥0.3759
150+
￥0.3694

有货

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型号：BZX84B5V1-HE3-08 编号：C3740473

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%，订货代码中用“C”表示；若公差为±2%，则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101：人体模型>8kV，机器模型>800V。符合RoHS标准，商业级。符合RoHS标准，AEC-Q101认证

10+
￥0.3886
100+
￥0.3089
300+
￥0.2691

有货

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型号：BZX584C3V0-G3-08 编号：C6136599

封装：SOD-523

品牌：VISHAY(威世)

特性：采用微小的SOD-523塑料封装。齐纳电压容差为 ±5%。有符合AEC-Q101标准的产品。符合RoHS标准，无卤环保。有商用级和符合AEC-Q101标准的不同版本

5+
￥0.3899
50+
￥0.3801
150+
￥0.3735

有货

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型号：BZM55C3V6-TR 编号：C3009316

封装：SOD-80

品牌：VISHAY(威世)

特性：节省空间。密封部件。电气数据与BZT55系列、TZM系列器件相同。适用于SOD-323。非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。应用：电压稳定

数据手册

单价：
￥0.634843 / 个

我要订货

型号：BZX85C3V3-TR 编号：C3739227

封装：DO-41

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于具有高功率额定值的稳定和限幅电路。齐纳电压根据国际E 24标准分级；用“B”替换后缀“C”可实现±2%的容差。应用：电压稳定

5+
￥0.3973
50+
￥0.3892
150+
￥0.3838

有货

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型号：BZT52C9V1-E3-08 编号：C2928660

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际 E24 标准分级。可提供 AEC-Q101 认证。根据 AEC-Q101 的 ESD 能力：人体模型 > 8kV，机器模型 > 800V。 RoHS 合规，商业级。 RoHS 合规，AEC-Q101 认证

数据手册

10+
￥0.4037
100+
￥0.323
300+
￥0.2827
3000+
￥0.2525
6000+
￥0.2283
9000+
￥0.2162

订货

我要订货

型号：MMSZ5254B-E3-08 编号：C2981054

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压公差：后缀 “B” 为 ±5%，后缀 “C” 为 ±2%。符合 AEC-Q101 标准。ESD 能力：人体模型 >8kV，机器模型 >800V。符合 RoHS 标准，商业级。符合 RoHS 标准，符合 AEC-Q101 标准

数据手册

10+
￥0.4048
100+
￥0.332
300+
￥0.2956

有货

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型号：MCL4448-TR 编号：C7470696

封装：MicroMELF

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅外延平面二极管。节省空间。密封部件。适合SOD-323/SOT-23封装。电气数据分别与器件1N4148和1N4448相同。 MicroMELF封装。应用：极快开关

12500+
￥0.156
25000+
￥0.1534
50000+
￥0.1495
100000+
￥0.143

我要订货

型号：BA157-E3/54 编号：C17489786

封装：DO-204AL(DO-41)

品牌：VISHAY(威世)

特性：快速开关，实现高效率。低正向压降。低漏电流。高正向浪涌能力。应用：用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流。用于消费和电信领域的续流二极管

5+
￥0.4151
50+
￥0.4046
150+
￥0.3976

有货

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型号：PLZ5V1B-G3/H 编号：C3738056

封装：MicroSMF(DO-219AC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管，超小超薄 MicroSMF (DO-219AC) 封装。低泄漏电流。出色的稳定性。高温焊接：端子处 260℃ / 10 s。可进行波峰焊和回流焊（回流焊符合 JPC / JEDEC J-STD 020，双波峰焊符合 IEC 61760-1）。可提供 AEC-Q101 认证。基础型号 G3-符合 RoHS 标准，环保，工业级。基础型号 HG3-符合 RoHS 标准，环保，AEC-Q101 认证。 ESD 抗扰度符合 IEC 61000-4-2（根据零件表）。浪涌性能符合零件表