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首页 > 热门关键词 > 威世ESD二极管
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特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于具有高功率额定值的稳定和限幅电路。 齐纳电压根据国际E 24标准分级;用“B”替换后缀“C”可实现±2%的容差。应用:电压稳定
  • 5+

    ¥0.4503
  • 50+

    ¥0.4392
  • 150+

    ¥0.4318
  • 有货
  • 特性:硅平面稳压二极管。 低漏电流,低噪声。 出色的稳定性。 浪涌额定。 稳压电压容差 ±2%。 无铅超小型 DFN1006-2A 封装(1mm×0.6mm×0.45mm)。 功耗优于 SOT-23。 表面贴装器件(SMD)塑料封装,侧面有可见且镀锡/可焊侧翼。 可通过标准目视检查焊接情况,无需 X 射线检查即可满足汽车自动光学检测(AOI)要求。 符合 AEC-Q101 标准。 材料分类:有关合规性定义请参考相关文档
    • 5+

      ¥0.4535
    • 50+

      ¥0.4419
    • 150+

      ¥0.4342
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%;将“C”替换为“B”可实现±2%公差。AEC-Q101认证可用。符合AEC-Q101的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。RoHS合规,商业级。RoHS合规,AEC-Q101认证
    • 10+

      ¥0.4568
    • 100+

      ¥0.3657
    • 300+

      ¥0.3202
    • 3000+

      ¥0.2699
    • 6000+

      ¥0.2426
    • 9000+

      ¥0.2289
  • 订货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 提供AEC-Q101认证。 ESD能力符合AEC-Q101:人体模型> 8kV,机器模型> 800V。 基础型号-E3,符合RoHS标准,商业级。 基础型号-HE3_A,符合RoHS标准,通过AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.4575
    • 50+

      ¥0.4473
    • 150+

      ¥0.4404
  • 有货
    • 5+

      ¥0.4602
    • 50+

      ¥0.45
    • 150+

      ¥0.4431
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管,超小超薄 MicroSMF (DO-219AC) 封装。 低泄漏电流。 出色的稳定性。 高温焊接:端子处 260℃ / 10 s。 可进行波峰焊和回流焊(回流焊符合 JPC / JEDEC J-STD 020,双波峰焊符合 IEC 61760-1)。 可提供 AEC-Q101 认证。 基础型号 G3-符合 RoHS 标准,环保,工业级。 基础型号 HG3-符合 RoHS 标准,环保,AEC-Q101 认证。 ESD 抗扰度符合 IEC 61000-4-2(根据零件表)。 浪涌性能符合零件表
    • 5+

      ¥0.4749
    • 50+

      ¥0.4628
    • 150+

      ¥0.4547
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压公差为 ±5%。符合 AEC-Q101 标准。ESD 能力(根据 AEC-Q101):人体模型 >8kV;机器模型 >800V。RoHS 合规,商业级。RoHS 合规,符合 AEC-Q101 标准
    • 单价:

      ¥0.480422 / 个
    特性:适用于通用目的应用。 低正向压降和快速开关特性,适用于MOS器件保护、快速开关和低逻辑电平应用中的转向、偏置和耦合二极管。 是一种采用PN结保护环的硅基金属肖特基势垒器件。 通过AEC-Q101认证。 RoHS合规,有商业级和AEC-Q101认证级可选
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4769
    • 100+

      ¥0.3892
    • 300+

      ¥0.3453
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于高功率额定值的稳定和限幅电路。 齐纳电压根据国际 E 24 标准分级;用 “B” 替换后缀 “C” 可实现 ±2% 公差。 RoHS 合规,无卤素。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4772
    • 100+

      ¥0.3857
    • 300+

      ¥0.34
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管,超小超薄 MicroSMF (DO-219AC) 封装。 低泄漏电流。 出色的稳定性。 高温焊接:端子处 260℃ / 10 s。 可进行波峰焊和回流焊(回流焊符合 JPC / JEDEC J-STD 020,双波峰焊符合 IEC 61760-1)。 可提供 AEC-Q101 认证。 基础型号 G3-符合 RoHS 标准,环保,工业级。 基础型号 HG3-符合 RoHS 标准,环保,AEC-Q101 认证。 ESD 抗扰度符合 IEC 61000-4-2(根据零件表)。 浪涌性能符合零件表
    • 5+

      ¥0.4859
    • 50+

      ¥0.4737
    • 150+

      ¥0.4656
  • 有货
    • 5+

      ¥0.4895
    • 50+

      ¥0.4791
    • 150+

      ¥0.4722
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于具有高功率额定值的稳定和限幅电路。 齐纳电压根据国际E 24标准分级;用“B”替换后缀“C”可实现±2%的容差。应用:电压稳定
    • 5+

      ¥0.4914
    • 50+

      ¥0.4809
    • 150+

      ¥0.4739
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于高额定功率的稳压和限幅电路。 标准齐纳电压容差为 ±5%。应用:电压稳定
    • 5+

      ¥0.4992
    • 50+

      ¥0.4886
    • 250+

      ¥0.4815
  • 有货
    • 5+

      ¥0.4999
    • 50+

      ¥0.4893
    • 150+

      ¥0.4822
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5079
    • 50+

      ¥0.4971
    • 150+

      ¥0.4899
  • 有货
  • 特性:非常薄的外形。 典型高度为 0.65mm。 适合自动贴装。 沟槽 MOS 肖特基技术。 低正向压降。 低功耗,高效率。应用:用于低压高频逆变器、续流、DC/DC 转换器和极性保护应用。 适用于商业、工业和汽车领域
    • 5+

      ¥0.5161
    • 50+

      ¥0.5031
    • 150+

      ¥0.4943
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于具有高功率额定值的稳定和限幅电路。 齐纳电压根据国际E 24标准分级;用“B”替换后缀“C”可实现±2%的容差。应用:电压稳定
    • 5+

      ¥0.5169
    • 50+

      ¥0.5042
    • 150+

      ¥0.4957
  • 有货
  • 13V,1.3W
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5366
    • 50+

      ¥0.4337
    • 150+

      ¥0.3823
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。 快速开关二极管。 符合AEC-Q101标准。 符合RoHS标准,商业级。 3D模型可用
    • 5+

      ¥0.5492
    • 50+

      ¥0.4395
    • 150+

      ¥0.3846
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。 TZMC:Vz 公差 ±5%。 TZMB:Vz 公差 ±2%。应用:电压稳定
    • 5+

      ¥0.5577
    • 50+

      ¥0.544
    • 150+

      ¥0.5349
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5656
    • 50+

      ¥0.5534
    • 150+

      ¥0.5452
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。保护环用于过压保护。低功率损耗,高效率。低正向压降。高浪涌能力。符合MSL 1级,LF最大峰值260℃。应用:低压、高频逆变器。续流
    • 5+

      ¥0.5657
    • 50+

      ¥0.4524
    • 150+

      ¥0.3957
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 过压保护保护环。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。 高浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃。应用:低压、高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.19435 / 个
    特性:非常尖锐的反向特性。 非常高的稳定性。 电气数据与器件1N5221B至1N5267B相同。 低反向电流水平。 标准齐纳电压容差 ±5%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6222
    • 50+

      ¥0.5141
    • 150+

      ¥0.4601
  • 有货
  • 特性:适用于通用应用。 低开启电压和高击穿电压。 该器件采用 PN 结保护环,可防止过电压,如静电放电。 该二极管也有 DO-35(DO-204AH)封装,型号为 BAT41
    • 5+

      ¥0.6419
    • 50+

      ¥0.5109
    • 150+

      ¥0.4454
    • 500+

      ¥0.3962
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于具有高功率额定值的稳压和限幅电路。 标准齐纳电压容差为 ±5%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6427
    • 50+

      ¥0.5116
    • 150+

      ¥0.4461
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 低正向压降,低功耗。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃。 波峰焊和回流焊可用。 可提供AEC-Q101认证。应用:高频逆变器。 续流
    • 5+

      ¥0.6585
    • 50+

      ¥0.6443
    • 150+

      ¥0.6349
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 过压保护保护环。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。 高浪涌能力。 符合MSL 1级,LF最大峰值260℃。应用:低压、高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 35+

      ¥0.22425
    • 1800+

      ¥0.175168
    特性:金属硅肖特基势垒器件,由PN结保护环保护。 低正向压降和快速开关特性。 适用于MOS器件保护、转向、偏置和耦合二极管,用于快速开关和低逻辑电平应用。 适用于通用应用。 可提供符合AEC-Q101标准的产品。 符合RoHS标准,商业级
    • 5+

      ¥0.6811
    • 50+

      ¥0.6649
    • 150+

      ¥0.654
  • 有货
  • 特性:非常低的外形。典型高度为 0.65mm。适合自动贴装。沟槽 MOS 肖特基技术。低正向压降。符合 RoHS 标准。应用:用于低压高频逆变器、续流、DC/DC 转换器和极性保护应用。应用于商业、工业和汽车领域
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7298
    • 50+

      ¥0.7137
    • 150+

      ¥0.7029
  • 有货
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