威世ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：VSMY2943RG 编号：C7413691

封装：SMD

品牌：VISHAY(威世)

红外940nm发射二极管，基于GaAlAs表面发射芯片技术，具有极高的辐射强度、高光学功率和高速度，采用透明、无色塑料封装（带透镜），用于表面贴装（SMD）。

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￥4.39
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型号：VLCS5130 编号：C7148823

封装：插件

品牌：VISHAY(威世)

适用于需要极高发光强度和极小发射角的高端应用的5mm透明、无漫射LED。这些带有透明无色塑料外壳的灯采用了高度发达的超亮AllnGaP技术。这些器件的极小视角提供了非常高的发光强度。

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型号：V10P22-M3/H 编号：C6734853

封装：TO-277A

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形高度，典型值为 1.1 mm。适合自动贴装。沟槽 MOS 肖特基技术。低正向压降，低功耗。高效运行。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级，LF 最大峰值为 260℃。应用：低压高频逆变器。续流

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型号：EGF1D-E3/67A 编号：C506564

封装：DO-214BA

品牌：VISHAY(威世)

特性：超整流器结构，适用于高可靠性条件。无空腔玻璃钝化结。适合自动贴装。超快反向恢复时间。低开关损耗，高效率。高正向浪涌能力。应用：用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用

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￥4.68
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型号：BZT03C270-TR 编号：C1974265

封装：SOD-57

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化结。密封封装。皮秒级钳位时间。RoHS合规，无卤。应用：中功率电压调节器。中功率瞬态抑制电路

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￥4.68
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型号：1N4004GP-E3/54 编号：C5357978

封装：DO-41

品牌：VISHAY(威世)

特性：超整流器结构，适用于高可靠性应用。无腔玻璃钝化结。低正向压降。低泄漏电流，典型 IR 小于 0.1 μA。高正向浪涌能力。应用：电源、逆变器、转换器的通用整流。消费类应用的续流二极管

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￥4.7
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￥3.83
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型号：V20PW22-M3/I 编号：C18212238

封装：TO-252

品牌：VISHAY(威世)

特性：极低的外形高度，典型值为1.3mm。沟槽MOS肖特基技术。适合自动贴装。正向压降小，功率损耗低。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值温度为260℃。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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￥4.8
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￥4.69
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￥4.63

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型号：BZD27C200P 编号：C5334363

封装：SMF

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。低剖面表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低泄漏电流。出色的稳定性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。波峰焊和回流焊。可提供AEC-Q101认证。 RoHS合规，商业级。 RoHS合规，且通过AEC-Q101认证。与SOD-123W封装外形或SOD-123F和SOD-123FL兼容

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￥3.97
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型号：W08G-E4/51 编号：C5358571

封装：WOG

品牌：VISHAY(威世)

特性：UL认证，文件编号E54214。适用于印刷电路板。典型IR小于0.1μA。高外壳介电强度。高浪涌电流能力。应用：用于电源、适配器、充电器、照明镇流器、消费类产品和家用电器的通用AC/DC桥式全波整流

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￥4.86
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￥3.93
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￥3.47

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型号：VSMY2853SL 编号：C5346026

封装：SMD

品牌：VISHAY(威世)

基于GaAlAs表面发射芯片技术的850nm红外侧视发光二极管，具有极高的辐射强度、高光功率和高速度。采用透明、无色塑料封装（带透镜），适用于表面贴装（SMD）。

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￥4.87
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￥3.52
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型号：BZT03C12-TR 编号：C1974278

封装：SOD-57

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化结。密封封装。皮秒级钳位时间。RoHS合规，无卤。应用：中功率电压调节器。中功率瞬态抑制电路

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型号：W06G-E4/51 编号：C143681

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

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型号：VSMY2893RGX01 编号：C7149649

封装：SMD

品牌：VISHAY(威世)

是基于GaAlAs表面发射芯片技术的890nm红外发光二极管，具有极高的辐射强度、高光功率和高速，采用透明、无色塑料封装（带透镜），用于表面贴装（SMD）。

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型号：V8PA22-M3/H 编号：C6738483

封装：DO-221BC(SMPA)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形。典型高度为 0.95 mm。沟槽 MOS 肖特基技术。低功率损耗，高效率。低正向压降。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级，LF 最大峰值为 290℃。应用：用于高频逆变器。续流

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型号：VS-10CWH02FN-M3 编号：C2983562

封装：TO-252AA

品牌：VISHAY(威世)

最先进的超快速恢复整流器，在正向电压降、超快速恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压阶段，或作为续流二极管使用。其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并降低开关元件和缓冲器的过耗散。

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型号：VS-HFA04TB60-M3 编号：C506532

封装：TO-220AC-2

品牌：VISHAY(威世)

采用最新外延结构和先进加工技术，具有卓越的特性组合，性能超越以往任何整流器。具有超快恢复时间，极低的峰值恢复电流 (IRRM)，且在恢复的 tb 部分不会出现“骤断”现象。为设计人员提供了一种在二极管和开关晶体管中具有更低噪声和显著更低开关损耗的整流器。这些优势有助于显著减少缓冲、元件数量和散热器尺寸。非常适合用于需要高速、高效的电源和功率转换系统（如逆变器）、电机驱动器等应用。

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