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首页 > 热门关键词 > 威世ESD二极管
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特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于敏感电子设备,防止由电感负载开关和雷击在消费、计算机、工业和电信领域的 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
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  • 有货
  • 特性:超紧凑LLP1006-2L封装。低封装高度 < 0.4mm。1线ESD保护。低泄漏电流 < 0.1μA。低负载电容 CD = 12pF (VR = 2.5V; f = 1MHz)。ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2 ± 30kV接触放电,± 30kV空气放电。高浪涌电流符合IEC 61000-4-5 IPP > 3A。可通过标准视觉检查进行焊接检查,无需X射线。引脚镀NiPdAu (e4),无晶须生长。e4-贵金属(如Ag、Au、NiPd、NiPdAu)(无Sn)
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  • 特性:低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 600 W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000 μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。应用:用于消费、计算机、工业和电信领域的敏感电子设备,保护其免受感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响
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  • 特性:低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 600 W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000 μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。应用:用于消费、计算机、工业和电信领域的敏感电子设备,保护其免受感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响
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  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 出色的钳位能力。 响应时间极快。 浪涌电阻增量低。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在集成电路、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变,应用于消费、计算机、工业、汽车和电信领域。
    数据手册
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      ¥2.0947
    • 50+

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      ¥1.4218
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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  • 特性:超紧凑LLP75-7L封装。 6线ESD保护。 低泄漏电流 IR < 1μA。 低负载电容 CD = 40 pF。 符合IEC 61000-4-2标准的ESD抗扰度:±30kV接触放电,±30kV空气放电。 工作电压范围 VRWM = 5V。 e4贵金属(如Ag、Au、NiPd、NiPdAu)(无Sn)。 材料分类:有关合规定义,请参阅相关文档
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      ¥2.1583
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  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域的传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2297
    • 50+

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      ¥0.92184 ¥1.1523
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  • 特性:非常低的外形。 典型高度为1.0mm。 适用于自动贴装。 有单向型号。 采用10/1000μs波形时,具有400W的峰值脉冲功率能力。 出色的钳位能力。应用:用于保护敏感电子设备,防止因感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变
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  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域的传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
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  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
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  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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  • 特性:玻璃钝化芯片结。 单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
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  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结。 单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
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    • 1+

      ¥3.84
    • 10+

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      ¥3.09
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      ¥2.79
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  • 特性:玻璃钝化芯片结。 单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
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      ¥3.84
    • 10+

      ¥3.36
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      ¥3.09
    • 100+

      ¥2.79
  • 有货
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      ¥4.02
    • 10+

      ¥3.26
    • 30+

      ¥2.87
    • 100+

      ¥2.5
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结。 单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.1344 ¥6.08
    • 10+

      ¥3.3728 ¥4.96
    • 30+

      ¥2.9852 ¥4.39
    • 100+

      ¥2.6112 ¥3.84
    • 500+

      ¥2.38 ¥3.5
    • 1400+

      ¥2.2644 ¥3.33
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结。 单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.26
    • 10+

      ¥3.39
    • 30+

      ¥2.96
    • 100+

      ¥2.4794 ¥2.53
    • 500+

      ¥2.2246 ¥2.27
    • 1400+

      ¥2.0972 ¥2.14
  • 有货
  • 特性:结钝化优化设计,采用钝化各向异性整流技术。Tj = 175℃,适用于高可靠性和汽车应用要求。仅提供单向极性。低泄漏电流。低正向压降。高浪涌能力。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷电引起的电压瞬变,特别是用于汽车负载突降保护应用
    数据手册
    • 1+

      ¥10.4258 ¥13.54
    • 10+

      ¥8.855 ¥11.5
    • 30+

      ¥7.8694 ¥10.22
    • 100+

      ¥6.8607 ¥8.91
  • 有货
    • 1+

      ¥10.61
    • 10+

      ¥9.02
    • 30+

      ¥8.03
  • 有货
  • 特性:结钝化优化设计,采用钝化各向异性整流技术。Tj = 175℃,适用于高可靠性和汽车应用要求。仅提供单向极性。低泄漏电流。低正向压降。高浪涌能力。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷电引起的电压瞬变,特别是用于汽车负载突降保护应用
    数据手册
    • 1+

      ¥27.49
    • 10+

      ¥23.27
    • 30+

      ¥20.76
  • 有货
  • 特性:单线ESD保护器件。ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2,接触放电±30kV,空气放电±30kV。根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型,H3B级:>8kV。节省空间的SOT-23封装。e3-Sn。可提供AEC-Q101认证
    数据手册
    • 5+

      ¥0.20816 ¥0.6505
    • 50+

      ¥0.16656 ¥0.5205
    • 150+

      ¥0.14576 ¥0.4555
    • 500+

      ¥0.130176 ¥0.4068
    • 3000+

      ¥0.117696 ¥0.3678
    • 6000+

      ¥0.111456 ¥0.3483
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 ±3.5%:非常严格的VBR公差。 低泄漏电流。 有单向和双向可选。 600W峰值脉冲功率能力,波形为10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。应用:用于敏感电子设备的保护,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业和电信传感器单元的信号线上引起的电压瞬变
    数据手册
    • 5+

      ¥0.2721
    • 50+

      ¥0.2661
    • 150+

      ¥0.262
  • 有货
  • 特性:低剖面封装。 适合自动贴片。 ±3.5%:非常严格的VBR公差。 低泄漏电流。 有单向和双向可选。 600W峰值脉冲功率能力,波形为10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。应用:用于敏感电子设备,防止由电感负载开关和照明在IC、MOSFET、消费、计算机、工业和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
    • 5+

      ¥0.42028 ¥1.501
    • 50+

      ¥0.334432 ¥1.1944
    • 150+

      ¥0.297668 ¥1.0631
    • 750+

      ¥0.251748 ¥0.8991
    • 2250+

      ¥0.231308 ¥0.8261
    • 5250+

      ¥0.219044 ¥0.7823
  • 有货
  • 特性:适用于LIN总线应用。 小型SOD-323封装。 单线路ESD保护。 工作范围:±33V。 低泄漏电流IR < 0.05μA。 低负载电容CD < 13pF。 符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护,接触放电±30kV,空气放电±30kV。 根据AEC-Q101标准的ESD能力:人体模型,H3B类 > 8kV。 引脚镀锡(Sn)。 可提供AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.4874
    • 50+

      ¥0.4748
    • 150+

      ¥0.4663
  • 有货
  • 特性:低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 600 W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000 μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。应用:用于消费、计算机、工业和电信领域的敏感电子设备,保护其免受感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5221
    • 50+

      ¥0.5138
    • 150+

      ¥0.5082
    • 750+

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