伯恩ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SMCJ110A 编号：C5125682

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：出色的钳位能力。低漏电流。低电容。高浪涌能力。玻璃钝化芯片。环氧树脂封装。应用：电信。计算机

数据手册

5+
￥0.8243
50+
￥0.7235
150+
￥0.6803
500+
￥0.6264
3000+
￥0.5736
6000+
￥0.5592

有货

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型号：BDFN1109A052R 编号：C406205

封装：DFN1109-6L

品牌：BORN(伯恩半导体)

VRWM=5V 70W

数据手册

5+
￥1.0406
50+
￥0.8239
150+
￥0.731
500+
￥0.6151
3000+
￥0.5464
6000+
￥0.5155

有货

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型号：SMDJ64A 编号：C20612295

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

适用于电源接口

5+
￥1.0545
50+
￥0.9117
150+
￥0.8505
500+
￥0.7741
3000+
￥0.7401
6000+
￥0.7197

有货

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型号：SMCJ18CA 编号：C151905

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

DO-214AB 1500W VRWM=18V 双向功率TVS 电源口

数据手册

5+
￥1.0897
50+
￥0.8706
150+
￥0.7767
500+
￥0.6596
3000+
￥0.6074
6000+
￥0.5761

有货

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型号：SMDJ90CA 编号：C42432406

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

3000W 90V双向TVS浪涌保护管

5+
￥1.0964
50+
￥0.9536
150+
￥0.8924
500+
￥0.816
3000+
￥0.782
6000+
￥0.7616

有货

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型号：SMCJ40A 编号：C20612293

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

适用于电源接口

5+
￥1.1139
50+
￥0.8821
150+
￥0.7827
500+
￥0.6588
3000+
￥0.5852
6000+
￥0.552

有货

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型号：3.0SMBJ58CAH 编号：C52993709

封装：SMB

品牌：BORN(伯恩半导体)

3000W 58V 钳卫电压低

5+
￥1.228
50+
￥0.966
150+
￥0.8536
500+
￥0.7135
3000+
￥0.6511

有货

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型号：SMCJ58CA 编号：C151898

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

DO-214AB 1500W VRWM=58V 双向功率TVS 电源口

数据手册

5+
￥1.2478
50+
￥1.0059
150+
￥0.9022
500+
￥0.6922
3000+
￥0.6346
6000+
￥0.6

有货

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型号：UCLAMP2804L-N 编号：C6165140

封装：SOP-8

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：800瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。保护两对线路。低钳位电压。低泄漏电流。低电容 (Cj = 3.0pF)。保护多达两条双向I/O线路。应用：100/1000以太网。集成磁体/RJ-45连接器

5+
￥1.4511
50+
￥1.2621
150+
￥1.1811
500+
￥1.08
2500+
￥1.035
5000+
￥1.008

有货

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型号：SMDJ30CA 编号：C910138

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

DO-214AB 3000W VRWM=30V 双向功率TVS

数据手册

5+
￥1.6307
50+
￥1.2866
150+
￥1.1391
500+
￥0.9551
3000+
￥0.8139
6000+
￥0.7648

有货

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型号：SMDJ26CA 编号：C5125691

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：优秀的钳位能力。低泄漏电流。低电容。高浪涌能力。玻璃钝化芯片。环氧树脂封装。应用：电信。计算机

数据手册

5+
￥1.6971
50+
￥1.3538
150+
￥1.2067
500+
￥1.0232
3000+
￥0.8119
6000+
￥0.7628

有货

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型号：5.0SMDJ90CA 编号：C52993712

封装：SMC

品牌：BORN(伯恩半导体)

5000W 90V 功率TVS

1+
￥2.6
10+
￥2.05
30+
￥1.81
100+
￥1.51
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

有货

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型号：5.0SMDJ64CA 编号：C52993708

封装：SMC

品牌：BORN(伯恩半导体)

5000W 64V 功率TVS

1+
￥2.6
10+
￥2.05
30+
￥1.81
100+
￥1.51
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

有货

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型号：P5T30A 编号：C151948

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

DO-214AB 5000W VRWM=33V 单向车载TVS 电源口

数据手册

1+
￥2.89
10+
￥2.56
30+
￥2.4
100+
￥2.24
500+
￥2.14
1000+
￥2.09

有货

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型号：5KP48AP 编号：C48533927

封装：P600

品牌：BORN(伯恩半导体)

>5000W 48V 浪涌保护管

1+
￥3.49
10+
￥2.8
30+
￥2.45
300+
￥2.11
600+
￥1.9

有货

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型号：SM8S22A 编号：C151946

封装：DO-218AB

品牌：BORN(伯恩半导体)

车载TVS 电源口

数据手册

1+
￥10.21
10+
￥8.48
30+
￥7.53
100+
￥6.46
750+
￥5.98
1500+
￥5.77

有货

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型号：BESD5V0D5 编号：C2929243

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：250瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。单向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电±30kV，接触放电±30kV。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

数据手册

5+
￥0.134
50+
￥0.1048
150+
￥0.0886
500+
￥0.0789
2500+
￥0.0705
5000+
￥0.0659

有货

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型号：TPD1E10B06DPYR-N 编号：C2929226

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。微型DFN1006封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

数据手册

5+
￥0.1353
50+
￥0.1056
150+
￥0.0891
500+
￥0.0792
2500+
￥0.0706
5000+
￥0.066

有货

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型号：DESD3V3S1BL-N 编号：C6165129

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：80 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。微型 DFN1006 封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

20+
￥0.1466
200+
￥0.1142
600+
￥0.0962
2000+
￥0.0854
10000+
￥0.0711
20000+
￥0.066

有货

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型号：BDFN1C051V 编号：C152031

封装：DFN0603-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：60瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。微型DFN0603封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

数据手册

20+
￥0.1508
200+
￥0.1184
600+
￥0.1004
2000+
￥0.0896
10000+
￥0.0771
20000+
￥0.072

有货

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型号：BDFN2C081V35 编号：C152013

封装：DFN1006-2L

品牌：BORN(伯恩半导体)

静电TVS 普通信号

数据手册

10+
￥0.1521
100+
￥0.1487
300+
￥0.1464
1000+
￥0.144

有货

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型号：PESD5Z5.0-N 编号：C920301

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：250瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。单向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触，±30kV空气。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

数据手册

20+
￥0.1552
200+
￥0.1234
600+
￥0.1057
5000+
￥0.088
10000+
￥0.0788
20000+
￥0.0738

有货

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型号：BSD5A071V35 编号：C406200

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：400瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。单向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±8kV接触，±15kV空气。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

数据手册

10+
￥0.1587
100+
￥0.1236
300+
￥0.1041
1000+
￥0.0924
5000+
￥0.0773
10000+
￥0.0719

有货

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型号：BNBTRD04A2 编号：C20416610

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

低电容

20+
￥0.1711
200+
￥0.1333
600+
￥0.1123
2000+
￥0.0997
10000+
￥0.0887
20000+
￥0.0829

有货

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型号：PESD5V0V1BB-N 编号：C406230

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：90瓦峰值脉冲功率（tp = 6/20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 抗扰度测试：空气放电 ±25kV，接触放电 ±25kV。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

数据手册

20+
￥0.1824
200+
￥0.1473
600+
￥0.1278
5000+
￥0.0969
10000+
￥0.0868
20000+
￥0.0813

有货

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型号：BNLPESD5V0S1BA 编号：C22469050

封装：SOD-323

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：120 瓦峰值脉冲功率（tp = 8 / 20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。保护一条数据/电源线。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

20+
￥0.1833
200+
￥0.1428
600+
￥0.1203
3000+
￥0.1068
9000+
￥0.0951
21000+
￥0.0888

有货

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型号：RCLAMP0501T-N 编号：C41371822

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：75 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。单向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。低电容 (Cj = 0.7pF 典型值)。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

10+
￥0.1938
100+
￥0.1698
300+
￥0.1578
1000+
￥0.1488
5000+
￥0.1416

有货

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型号：BNPESD3V3X1BL 编号：C52993820

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

20+
￥0.1953
200+
￥0.1521
600+
￥0.1281
2000+
￥0.1137
10000+
￥0.1012

有货

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型号：BESDU0603-05 编号：C512307

封装：0603

品牌：BORN(伯恩半导体)

芯片静电放电抑制器专门设计用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 的威胁。该产品对瞬态电压几乎立即做出反应，并在 ESD 瞬态期间有效地将其钳位到低电压。该产品使用压敏聚合物，具有低电容和极低的泄漏电流。因此，该器件在正常工作模式下对电路几乎没有影响。由于其高关态阻抗和低电容，它对高速数字电路尤其透明。大量测试表明，信号不会失真或中断。使用静电放电抑制器进行 ESD 保护，设备在保护电路免受 ESD 影响的同时，可保持高速数据信号的完整性。这种材料的特性使其成为双向器件，这意味着每条浪涌路径只需一个器件，即可提供完整的 ESD 保护，而无需考虑浪涌极性。

数据手册

10+
￥0.2004
100+
￥0.1572
300+
￥0.1332
1000+
￥0.1188
5000+
￥0.1068
10000+
￥0.1

有货

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型号：BNPRSB6.8C 编号：C41371819

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：600瓦峰值脉冲功率（脉冲时间为8/20微秒）。微型DFN1006封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

20+
￥0.2199
200+
￥0.1713
600+
￥0.1443
2000+
￥0.1281

有货

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提示

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提示