伯恩ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：ESD5Z5.0T1G 编号：C343989

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

静电TVS 普通信号

数据手册

20+
￥0.1462
200+
￥0.1165
600+
￥0.1
5000+
￥0.0823
10000+
￥0.0737
20000+
￥0.069

有货

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型号：BPESD0402-05ST 编号：C316059

封装：0402

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：适用于高速、低电压应用的最佳ESD保护。符合RoHS标准且无卤。超低电容，0.05 pF（典型值）。低泄漏电流(<10nA)。快速响应时间(<1ns)。双向、单线保护。应用：智能手机/移动互联网设备。笔记本电脑/台式电脑

数据手册

20+
￥0.1462
200+
￥0.1165
600+
￥0.1
2000+
￥0.0901
10000+
￥0.0689
20000+
￥0.0642

有货

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型号：RCLAMP0521P-N 编号：C316043

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

静电TVS RF信号

数据手册

50+
￥0.2332
500+
￥0.1895
1500+
￥0.1652
10000+
￥0.1257
20000+
￥0.1131
50000+
￥0.1062

有货

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型号：BSD5C031V 编号：C151984

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：100瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2：±25kV接触，±25kV空气。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

数据手册

20+
￥0.1947
200+
￥0.1575
600+
￥0.1368
5000+
￥0.1108
10000+
￥0.1
20000+
￥0.0943

有货

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型号：BSD5C051V 编号：C151981

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

SOT-523 5V Cj=8pF 双向静电TVS 普通信号

数据手册

20+
￥0.216
200+
￥0.1814
600+
￥0.1622
5000+
￥0.1154
10000+
￥0.1054
20000+
￥0.1

有货

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型号：AO3401A 编号：C306862

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

MOSFET,P-channel 30V/12V 4.2A VGS(th)=1V 45mΩ@4.2A&10V,SOT-23

数据手册

20+
￥0.3754
200+
￥0.3101
600+
￥0.2774
3000+
￥0.1852
9000+
￥0.1656
21000+
￥0.1558

有货

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型号：SMAJ6.8CA 编号：C406209

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：峰值功率耗散：400W @10 x 1000 μs脉冲。低外形封装。出色的钳位能力。玻璃钝化结。快速响应时间：通常从0V到最小击穿电压小于1ps。 IEC 61000-4-2 ESD 30KV（空气），30KV（接触）。符合IEC 61000-4-2的数据线路ESD保护。符合IEC 61000-4-4的数据线路EFT保护。无卤且符合RoHS标准。无铅涂层

数据手册

10+
￥0.4125
100+
￥0.3405
300+
￥0.3045
2000+
￥0.2073
4000+
￥0.1857
10000+
￥0.1748

有货

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型号：PESD5V0S1BLN 编号：C314269

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

静电TVS 普通信号

数据手册

20+
￥0.138
200+
￥0.1094
600+
￥0.0935
2000+
￥0.0839
10000+
￥0.0632
20000+
￥0.0587

有货

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型号：PESD3V3L1BA-N 编号：C316020

封装：SOD-323

品牌：BORN(伯恩半导体)

SOD-323/0805 功率350W VBWM=3.3V 双向空气30KA 接触30KA

数据手册

10+
￥0.3842
100+
￥0.317
300+
￥0.2834
3000+
￥0.1906
6000+
￥0.1704
9000+
￥0.1603

有货

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型号：SMBJ15CA 编号：C151924

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

DO-214AA 600W VRWM=15V 双向功率TVS 电源口

数据手册

10+
￥0.4104
100+
￥0.3384
300+
￥0.3024
3000+
￥0.22
6000+
￥0.1984
9000+
￥0.1875

有货

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型号：ESD9L5.0ST5G-N 编号：C316041

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

静电TVS

数据手册

20+
￥0.1669
200+
￥0.1345
600+
￥0.1165
2000+
￥0.1057
10000+
￥0.0831
20000+
￥0.078

有货

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型号：AO3400A 编号：C344010

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

MOSFET,N-channel 30V/12V 5.8A VGS(th)=1.1V 29mΩ@5.8A&10V,SOT-23

数据手册

10+
￥0.3678
100+
￥0.303
300+
￥0.2706
3000+
￥0.1839
6000+
￥0.1645
9000+
￥0.1547

有货

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型号：SI2309 编号：C431496

封装：SOT-23-3L

品牌：BORN(伯恩半导体)

先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计，实现超低导通电阻，采用SOT-23-3L表面贴装封装。

数据手册

10+
￥0.4471
100+
￥0.3679
300+
￥0.3283
3000+
￥0.2205
6000+
￥0.1967
9000+
￥0.1848

有货

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型号：MMBT3904 编号：C266588

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

作为互补类型，推荐使用 PNP 晶体管 MMBT3906，它采用外延平面管芯结构，SOT - 23 塑料封装。

数据手册

50+
￥0.0685
500+
￥0.055
3000+
￥0.0443
6000+
￥0.0398
24000+
￥0.0359
51000+
￥0.0338

有货

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型号：0402ESDA-24N 编号：C316051

封装：0402

品牌：BORN(伯恩半导体)

芯片静电放电抑制器专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 威胁而设计。该产品能对瞬态电压做出几乎即时的反应，并在 ESD 瞬态期间将其有效钳位到低电压。该产品使用压敏聚合物，具有低电容和极低的泄漏电流。因此，在正常工作模式下，该器件对电路几乎无影响。由于其高关态阻抗和低电容，它对高速数字电路尤其透明。大量测试表明，信号不会失真或中断。使用静电放电抑制器进行 ESD 保护，设备在保护电路免受 ESD 影响的同时，能保持高速数据信号的完整性。这种材料的特性造就了双向器件，这意味着每条浪涌路径仅需一个器件，即可提供全面的 ESD 保护，而无需考虑浪涌极性。

数据手册

50+
￥0.1256
500+
￥0.0986
1500+
￥0.0836
10000+
￥0.0746
20000+
￥0.0668
50000+
￥0.0625

有货

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型号：0402ESDA-18N 编号：C316050

封装：0402

品牌：BORN(伯恩半导体)

芯片静电放电抑制器专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 威胁而设计。该产品能对瞬态电压做出几乎即时的反应，并在 ESD 瞬态期间将其有效钳位到低电压。该产品使用压敏聚合物，具有低电容和极低的泄漏电流。因此，在正常工作模式下，该器件对电路几乎无影响。由于其高关态阻抗和低电容，它对高速数字电路尤其透明。大量测试表明，信号不会失真或中断。使用静电放电抑制器进行 ESD 保护，设备在保护电路免受 ESD 影响的同时，能保持高速数据信号的完整性。这种材料的特性造就了双向器件，这意味着每条浪涌路径仅需一个器件，即可提供全面的 ESD 保护，而无需考虑浪涌极性。

数据手册

20+
￥0.1359
200+
￥0.1089
600+
￥0.0939
2000+
￥0.0849
10000+
￥0.0699
20000+
￥0.0657

有货

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型号：0603ESDA-18N 编号：C316055

封装：0603

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：0603inch/1608mm 引脚尺寸。是高频、低电压应用的理想 ESD 保护器件。超过 IEC 61000-4-2 测试要求。超低电容（典型值 1.5pF）。极低泄漏电流。快速响应时间。应用：高速数据端口（USB 2.0、IEEE 1394）。计算机及外设（手机、PDA、HDTV、DVD 播放器）

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