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首页 > 热门关键词 > 伯恩ESD二极管
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描述
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单向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：15A
型号：PESD3V3S1UB-N 编号：C920299
封装：SOD-523
品牌：BORN(伯恩半导体)
特性：每条线路100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 可替代MLV (0603)。 保护一个I/O或电源线。 低钳位电压。 工作电压：3V。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 个人数字助理 (PDA)
数据手册

  • 5+

    ￥0.1354

  • 50+

    ￥0.1057

  • 150+

    ￥0.0892

  • 500+

    ￥0.0793

  • 2500+

    ￥0.0707

  • 5000+

    ￥0.0661
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 7V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：BDFN1C071V 编号：C19077995
    封装：DFN0603-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备

    • 20+

      ￥0.13815 ￥0.1535

    • 200+

      ￥0.10656 ￥0.1184

    • 600+

      ￥0.08901 ￥0.0989

    • 2000+

      ￥0.07848 ￥0.0872

    • 10000+

      ￥0.0693 ￥0.077

    • 20000+

      ￥0.06444 ￥0.0716
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：BNPESD3V3S1BL 编号：C41371817
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：88 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。IEC 61000-4-2 ±30kV 接触；±30kV 空气。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

    • 20+

      ￥0.1417

    • 200+

      ￥0.1104

    • 600+

      ￥0.093

    • 2000+

      ￥0.0826

    • 10000+

      ￥0.0735

    • 20000+

      ￥0.0687
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：BNAZ5215-01F 编号：C22440693
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DFN1006 5V 低电容

    • 20+

      ￥0.155

    • 200+

      ￥0.121

    • 600+

      ￥0.1021

    • 2000+

      ￥0.0908
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 15V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
    型号：BNCESD15VD5 编号：C22440698
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOD-523 15V单向静电保护管

    • 20+

      ￥0.1567

    • 200+

      ￥0.1216

    • 600+

      ￥0.1021

    • 5000+

      ￥0.0904

    • 10000+

      ￥0.0803

    • 20000+

      ￥0.0748
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：7A@8/20us
    型号：BDFN2A051L 编号：C42432428
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    5V单向低电容TVS浪涌保护管 IPP=7A

    • 20+

      ￥0.1588

    • 200+

      ￥0.1237

    • 600+

      ￥0.1042

    • 2000+

      ￥0.0925
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：10A
    型号：BESD5Z3.3C 编号：C2929234
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：100W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 空气放电：±25kV，接触放电：±25kV。应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDA)
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1687

    • 200+

      ￥0.132

    • 600+

      ￥0.1116

    • 5000+

      ￥0.0993

    • 10000+

      ￥0.0887

    • 20000+

      ￥0.083
  • 有货
    • 立即购买
    TVS 5V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：BSD5A051V 编号：C151987
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOT-523 5V Cj=80pF 单向 静电TVS 普通信号
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1809

    • 200+

      ￥0.1404

    • 600+

      ￥0.1179

    • 5000+

      ￥0.1021

    • 10000+

      ￥0.0904

    • 20000+

      ￥0.084
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 18V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：BNPESD18VF1BL 编号：C20612298
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    回扫低结电容静电保护管

    • 10+

      ￥0.1968

    • 100+

      ￥0.1728

    • 300+

      ￥0.1608

    • 1000+

      ￥0.1518

    • 5000+

      ￥0.1446

    • 10000+

      ￥0.141
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：PESD5V0F1BL-N 编号：C2929237
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：60W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型 DFN1006 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册

    • 5+

      ￥0.2059

    • 50+

      ￥0.1611

    • 150+

      ￥0.1362

    • 500+

      ￥0.1212

    • 2500+

      ￥0.1083

    • 5000+

      ￥0.1013
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：BND5V0F2U3LP 编号：C49009913
    封装：DFN-3L(1x0.6)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DFN-3 5V低容静电保护管

    • 20+

      ￥0.2161

    • 200+

      ￥0.1675

    • 600+

      ￥0.1405

    • 2000+

      ￥0.1243
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：BST23C052LV 编号：C20612297
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：120瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触；±30kV空气。应用：数据线。 自动取款机

    • 20+

      ￥0.2292

    • 200+

      ￥0.1812

    • 600+

      ￥0.1572

    • 3000+

      ￥0.1392

    • 9000+

      ￥0.1248

    • 21000+

      ￥0.1175
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：ESD150-B1-W0201-N 编号：C6165145
    封装：DFN0603
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：60W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型 DFN0603 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：USB3.0。 HDMI2.0

    • 20+

      ￥0.231

    • 200+

      ￥0.1878

    • 600+

      ￥0.1662

    • 2000+

      ￥0.15

    • 10000+

      ￥0.1185

    • 20000+

      ￥0.112
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 3V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：TPD1E01B04DPYR-N 编号：C6165137
    封装：DFN1006
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：60W 峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微小的 DFN1006 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备

    • 20+

      ￥0.2312

    • 200+

      ￥0.1832

    • 600+

      ￥0.1592

    • 2000+

      ￥0.1412

    • 10000+

      ￥0.1193

    • 20000+

      ￥0.112
  • 有货
    • 立即购买
    BNUCLAMP0501T
    型号：BNUCLAMP0501T 编号：C53235416
    封装：DFN0603-2L
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DFN1006封装，5V低电容单向ESD

    • 10+

      ￥0.2526

    • 100+

      ￥0.1998

    • 300+

      ￥0.1734

    • 1000+

      ￥0.1536

    • 5000+

      ￥0.1378

    • 10000+

      ￥0.1298
  • 有货
    • 立即购买
    单向 15V截止 峰值浪涌电流：6A@8/20us
    型号：BSD5A151V35 编号：C600809
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOD-523 VRWM=15V Unipolar ESD接触±8KV 空气±15KV 电源口/IO口等
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2732

    • 100+

      ￥0.2204

    • 300+

      ￥0.194

    • 1000+

      ￥0.1742

    • 5000+

      ￥0.1422

    • 10000+

      ￥0.1342
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 7.5V截止 峰值浪涌电流：15.5A
    型号：SMFJ7.5CA 编号：C910153
    封装：SOD-123FL
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOD-123 200W VRWM=7.5V 双向 功率TVS
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3193

    • 100+

      ￥0.2569

    • 300+

      ￥0.2257

    • 3000+

      ￥0.1737

    • 6000+

      ￥0.155

    • 9000+

      ￥0.1456
  • 有货
    • 立即购买
    瞬态电压抑制器
    型号：SMFJ15A 编号：C5125645
    封装：SOD-123F
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：优秀的钳位能力。 低漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：手机。 便携式设备
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3284

    • 100+

      ￥0.266

    • 300+

      ￥0.2348

    • 3000+

      ￥0.1906

    • 6000+

      ￥0.1719

    • 9000+

      ￥0.1625
  • 有货
    • 立即购买
    单向TVS 33V截止 峰值浪涌电流：3.8A
    型号：SMFJ33A 编号：C910155
    封装：SOD-123FL
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOD-123 200W VRWM=33V 单向 功率TVS
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3308

    • 100+

      ￥0.2684

    • 300+

      ￥0.2372

    • 3000+

      ￥0.1737

    • 6000+

      ￥0.155

    • 9000+

      ￥0.1456
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：BNCS0806S 编号：C20416606
    封装：DFN-10(2.5x1.0)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    可应用于HDMI等接口

    • 10+

      ￥0.3388

    • 100+

      ￥0.2692

    • 300+

      ￥0.2344

    • 3000+

      ￥0.2083

    • 6000+

      ￥0.1874

    • 9000+

      ￥0.1769
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
    型号：BSDFN2C031RB 编号：C41371824
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    Vrwm=3.3V IPP=10A VC=5V 大电流

    • 10+

      ￥0.3475

    • 100+

      ￥0.2755

    • 300+

      ￥0.2395

    • 1000+

      ￥0.2125

    • 5000+

      ￥0.1774

    • 10000+

      ￥0.1665
  • 有货
    • 立即购买
    瞬态电压抑制器
    型号：SMAJ8.0CA 编号：C5439950
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    功率TVS 400W 8.0V双向 电源口常用料 SMB封装
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3926

    • 100+

      ￥0.3206

    • 300+

      ￥0.2846

    • 1000+

      ￥0.2576

    • 5000+

      ￥0.2059

    • 10000+

      ￥0.195
  • 有货
    • 立即购买
    瞬态电压抑制器
    型号：SMBJ45CA 编号：C5439945
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    功率TVS 600W 45V双向 电源口常用料 SMB封装
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3929

    • 100+

      ￥0.3113

    • 300+

      ￥0.2705

    • 3000+

      ￥0.2272

    • 6000+

      ￥0.2027

    • 9000+

      ￥0.1904
  • 有货
    • 立即购买
    单向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：160A
    型号：PTVS12VS1UR-N 编号：C5148488
    封装：SOD-123FL
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：3500W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型 SOD123FL 封装。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3997

    • 100+

      ￥0.3212

    • 300+

      ￥0.282

    • 3000+

      ￥0.225

    • 6000+

      ￥0.2015

    • 9000+

      ￥0.1897
  • 有货
    • 立即购买
    单向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：65.2A@10/1000us
    型号：SMBJ5.0A 编号：C151912
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DO-214AA 600W VRWM=5V 单向 功率TVS 电源口
    数据手册

    • 10+

      ￥0.406

    • 100+

      ￥0.3316

    • 300+

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    双向ESD 4.5V截止 峰值脉冲电流：45A
    型号：PTVS3V3D1BALYL-N 编号：C406226
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：500瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型DFN1006封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
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    双向TVS 15.3V截止 峰值脉冲电流：24.2A
    型号：P6KE18CA 编号：C600792
    封装：DO-15(DO-204AC)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    电源口防浪涌
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    瞬态电压抑制器
    型号：SMBJ70A 编号：C152089
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：出色的钳位能力。 低泄漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：电信。 计算机
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    双向TVS 20V截止 峰值浪涌电流：18.6A@10/1000us
    型号：SMBJ20CA 编号：C151921
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DO-214AA 600W VRWM=20V 双向 功率TVS 电源口
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    单向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：40A@8/20us
    型号：BNPESD3V3U1UA 编号：C20416620
    封装：SOD-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    大电流 低电容

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