双向tvs二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMA(DO-214AC)

这款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管适用于13V工作电压下的高效双向过压保护。具有强大的瞬态响应性能，能在正负浪涌下承受高达18.6A的峰值脉冲电流，迅速将瞬态电压钳位在安全水平，有效防护电路免受雷击、ESD及电源波动带来的损害，确保电子设备稳定运行，是系统级保护的理想选择。

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型号：SMBJ16CA 编号：C7466445

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管专为16V系统设计，具备卓越的双向过压保护功能。能在正负瞬态情况下承受高达23.1A峰值脉冲电流，快速响应并准确钳位电压波动，有效抵御雷击、静电等瞬态事件对电子设备造成的损害，是中低电压环境的理想双向浪涌防护组件。

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型号：GBLC05C 编号：C22368659

封装：SOD-323

品牌：Wild Goose(威谷)

GBLC05C是一款5.0V双向瞬态电压抑制二极管（TVS），采用领先的单片硅技术提供快速响应时间和低ESD箝位电压，使其成为保护敏感高速数据线的理想解决方案。GBLC05C具有超低电容，典型值为0.6pF，并符合IEC61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均为±30kV。它采用无铅SOD-323封装。其小巧尺寸、低电容和高ESD浪涌保护使其成为手机、无线系统和通信设备的理想选择。

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型号：HTPSMB36CAVR 编号：C42401989

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该静电和浪涌保护器件为双向TVS二极管，具有10.4安培的IPP/A额定电流以及36伏特的VRWM/V工作电压，适用于单线路保护。此元件能够在正反两个方向提供稳定保护，有效防止因瞬态电压或静电放电导致的设备损坏，是消费电子产品中保障电路安全的理想选择。

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型号：LY8BC05 编号：C3034459

封装：DFN1006-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY8BAC05是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。它采用超小型无铅DFN1006-2封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使其成为保护手机、数码相机和许多其他便携式应用的理想选择。

数据手册

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型号：SMAJ28CA 编号：C7466477

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为28V电压系统的高效双向过压保护设计。器件能承受峰值脉冲电流IPP达8.8A，在正负瞬态电压下均能快速响应并精确箝位电压，有效抵御雷击、静电放电及电源突变等引起的浪涌，保障电子设备免受损害，确保系统在严苛条件下稳定运行。

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型号：SMBJ51CA 编号：C7495265

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

森美特SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为高效防护设计。该器件具有51V的反向工作电压（VRWM）和7.3A的最大脉冲峰值电流（IPP），能在瞬间吸收过压尖峰，有效钳位电压并保护电路不受瞬态浪涌损害，适用于各类电子设备的过压防护应用。

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型号：HPESD1IVN24LS 编号：C42402090

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款静电和浪涌保护器件为双向TVS二极管，设计有5安培的IPP峰值电流规格和24伏特的VRWM反向重复电压。其电容值（CJ）为10皮法拉，适用于需要保持良好信号完整性的单线保护电路中。较低的电容有助于减少信号路径中的干扰，确保数据传输的清晰度，适用于多种电子设备的过压保护需求。

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型号：HAOZ8212BCI12 编号：C42402077

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款静电和浪涌保护器为双向TVS二极管，具有11安培的峰值脉冲电流（IPP）处理能力和12伏的最大工作电压（VRWM），适用于需要双向保护的应用场景。其电容值仅为8皮法（pF），确保了信号的完整性，尤其适合高频信号线路的保护。该保护器配置为两线式设计，能够在不影响数据传输效率的情况下提供可靠的瞬态电压抑制和静电放电保护，适用于通信接口等敏感电路的防护。

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型号：WPE0521NB 编号：C5143680

封装：DFN0603-2

品牌：WPMtek(维攀)

WPE0521NB是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单晶硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。WPE0521NB电容超低，典型值为0.25pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±20kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容超低且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数字视频接口、HDMI、DVI、USB2.0、USB3.0等高速端口的理想选择。

数据手册

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型号：HPESD12VL1BSLAZ 编号：C42401957

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款静电和浪涌保护器件属于双向TVS二极管类型，具备8A的IPP（峰值脉冲电流）承受能力，以及12V的VRWM（重复峰值反向电压）。其特征电容仅为6.5pF，适合要求严苛的高速数据接口保护。适用于单线保护的设计，能在不影响数据传输速率的前提下，为电子设备中的关键线路提供可靠的瞬态电压抑制与静电放电保护，确保设备在遭遇突发电压波动时仍能稳定运行。

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型号：LY03AC5UL 编号：C3019525

封装：DFN1610-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY03AC5UL是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具备快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受±25kV空气放电和±22kV接触放电。它采用超小型无铅DFN1610 - 2封装。其尺寸小、电容超低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

数据手册

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型号：LY523AC05L 编号：C3019533

封装：SOD-523

品牌：Liown(里阳半导体)

LY523AC05L是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。它符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD - 523封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数码相机和其他众多便携式应用设备的理想选择。

数据手册

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￥0.210805 ￥0.2219
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型号：WPE1261KP1 编号：C7436954

封装：DFN1006-2

品牌：WPMtek(维攀)

WPE1261KP1是一款12V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受±15 kV空气放电和±8 kV接触放电。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使WPE1261KP1成为保护手机、数码相机、音频播放器和其他众多便携式应用的理想选择。

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型号：DESD3V3Z1BCSFQ-7-HXY 编号：C42416645

封装：DFN0603-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款静电和浪涌保护器件，设计为TVS/ESD保护二极管，具备4安培的峰值脉冲电流承载能力IPP，确保在遭遇瞬时高电流冲击时仍能稳定工作。其反向工作电压VRWM设定为3.3伏特，适用于低电压环境下的信号线保护。电容CJ仅为0.55皮法，有助于保持信号完整性，特别适合高速数据线路。采用单通道1 LINE设计，简化了电路布局。Bi双向类型允许其在正反两个方向上提供一致的保护效能，适用于对称性信号路径。此元件是保护敏感电子设备免受静电放电和瞬态过压事件影响的理想选择。

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￥0.24216 ￥0.3027
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型号：SM24CANB-02HTG 编号：C7500474

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

SM24CANB-02HTG是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，采用领先的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±15kV，接触放电±8kV。它采用无铅SOT-23封装，旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌影响。

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型号：GBLC03C 编号：C22368674

封装：SOD-323

品牌：Wild Goose(威谷)

GBLC03C 是一款3.3V双向瞬态电压抑制二极管（TVS），采用先进的单片硅技术提供快速响应时间和低ESD箝位电压，使其成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。GBLC03C具有超低电容，典型值为1.0pF，并符合IEC61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均为±30KV。它采用无铅SOD-323封装。其小巧的尺寸、低电容和高ESD浪涌保护使其成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

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型号：LY23DC24 编号：C3034452

封装：SOT-23

品牌：Liown(里阳半导体)

LY23DCXX是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。它符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOT - 23封装，旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌的影响。

数据手册

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型号：HTPSMB100CAVR 编号：C42401970

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款静电和浪涌保护器件为双向TVS二极管，具有3.7安培的IPP（峰值脉冲电流）和100伏特的VRWM（重复性雪崩电压）。适用于单线路保护，能够在正反两个方向提供稳定的保护效果，有效防止因瞬态电压或静电放电造成的设备损坏。其紧凑的设计使其成为消费电子产品中电源及数据线保护的理想选择。

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￥0.39096 ￥0.4887
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￥0.3824 ￥0.478
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型号：HTPSMB8.5CAVR 编号：C42401936

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该静电和浪涌保护器件为双向TVS二极管，具备41.7安培的IPP/A峰值脉冲电流承受能力及8.5伏特的最大工作电压（VRWM/V），适用于单线路（LINE:1）保护设计。当遇到突发高能电压事件时，该元件能够快速反应，限制电压水平并引导多余能量远离敏感电路，有效维护电子设备在遭受静电放电（ESD）或突波影响时的安全性与稳定性。适用于需要增强防护性能的各类电子设备接口处。

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￥0.42032 ￥0.5254
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型号：HMSMBJ7.0CA 编号：C42401995

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）具备50安培的IPP峰值脉冲电流容量及7伏特的VRWM（重复性雪崩电压）额定值，适用于单线（LINE:1）配置，并采用双向（Bi）设计。它能在瞬态电压波动时，为电子设备提供可靠的保护，通过迅速导引超额电压来防止敏感组件受损。双向特性支持正反向电流流动，使得该器件成为需要双向保护解决方案应用的理想选择。在数据通信接口或其他易受电压尖峰影响的场合中，这种TVS二极管可以发挥关键作用。

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￥0.45056 ￥0.512
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型号：SDT23C24L02 编号：C523186

封装：SOT-23

品牌：Brightking(君耀电子)

SDT23C24L02 组件旨在保护敏感电子设备，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或出现闩锁效应。该组件专为电路板空间有限的应用而设计，可保护多达两条线路。它是双向器件，可用于信号极性高于地电位的线路。瞬态电压抑制（TVS）二极管是专门用于瞬态抑制的固态器件，其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流。它具备电路板级保护所需的理想特性，包括快速响应时间、低钳位电压且不会出现器件性能退化。该器件可用于满足 IEC61000 - 4 - 2 标准 4 级的抗扰度要求。SOT - 23 封装尺寸使其非常适合用于便携式电子设备，如 RS - 422 输入/输出、RS - 232 输入/输出、笔记本电脑和服务器等。

数据手册

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有货

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型号：SDT23C05L02 编号：C523185

封装：SOT-23

品牌：Brightking(君耀电子)

SDT23CXXL02系列旨在保护敏感电子设备免受因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闩锁效应。它们专为电路板空间有限的应用而设计。这些器件可保护多达两条线路。它们是双向器件，可用于信号极性高于地电位的线路。瞬态电压抑制（TVS）二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。它们具备电路板级保护所需的理想特性，包括快速响应时间、低钳位电压，且不会出现器件性能退化。这些器件可用于满足IEC61000 - 4 - 2标准4级的抗扰度要求。SOT - 23封装尺寸使其非常适合用于便携式电子设备，如RS - 422输入/输出、RS - 232输入/输出、笔记本电脑和服务器。接触放电：±30kV 空气放电：±30kV

数据手册

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有货

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型号：HTPSMB24CAVR 编号：C42402016

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该静电和浪涌保护器件为双向TVS二极管，具有15.5安培的峰值脉冲电流（IPP）处理能力和24伏特的最大工作电压（VRWM）。此元件设计用于单线（LINE:1）应用中，能够有效防止因瞬态电压或静电放电（ESD）事件导致的系统损坏。其紧凑的设计使其适用于需要双向保护的应用场合，确保设备在遭遇非预期电压波动时仍能安全运行。适用于消费电子产品中的接口保护等场景。

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型号：SD15C.TCT 编号：C780130

封装：SOD-323

品牌：SEMTECH

SDxxC TVS二极管专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。与MLV相比，它们具有卓越的电气特性，如更低的钳位电压，且器件不会老化。SDxxC系列TVS二极管旨在保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压瞬变事件的损坏或干扰。SDxxC采用SOD - 323封装，可保护一条双向线路。其工作电压为5 - 24伏。这些器件与0805 MLV器件占用相同的PCB焊盘面积。在不适合使用阵列的应用中，它们为设计人员提供了保护单条线路的灵活性。此外，在电路板空间有限的应用中，可将其“分散”布置在电路板周围。它们可用于满足IEC 61000 - 4 - 2标准的ESD抗扰度要求（4级，±15KV空气放电、±8KV接触放电）。

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有货

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型号：WPE0501P1 编号：C7436956

封装：DFN1006-2

品牌：WPMtek(维攀)

WPE0501P1是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有响应速度快、电容极低和静电放电（ESD）钳位电压低等特点，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。WPE0501P1符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±25 kV，接触放电±22 kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5 mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容极低，是保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想选择。

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有货

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型号：HSMBJ22CAQ13F 编号：C42402017

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款静电和浪涌保护器件属于双向TVS二极管类型，具备16.9安培的IPP（峰值脉冲电流）承受能力，以及22伏特的VRWM（最大重复工作电压）。适用于单线配置，能够在数据线或通信端口上提供有效的瞬态电压抑制和静电放电保护。其双向特性确保了正反向电压波动均可得到有效防护，适合用于需要精密保护电子设备的应用环境，如家用电器或个人电子产品中的信号线保护。

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￥0.27168 ￥0.3396

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型号：SMCJ40CA 编号：C7466410

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMC封装的双向TVS瞬态抑制二极管适用于40V工作电压环境，提供卓越的正负向过压保护。器件具有强大的23.3A峰值脉冲电流承受能力，在遭遇双向瞬态电压时迅速响应并精准钳位，有效防止电子设备因瞬间高压冲击受损，是高稳定性和大电流应用场合的理想防护选择。

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型号：ESDLLC5V0D8BH 编号：C484332

封装：DFN1006-2

品牌：Yint(音特电子)

ESDLLC5V0D8BH是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单晶硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。ESDLLC5V0D8BH具有超低电容，典型值为0.25 pF，符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。该器件采用超小型1.0x0.6x0.5 mm无铅DFN封装。其小尺寸、超低电容和高ESD浪涌保护能力，使ESDLLC5V0D8BH成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

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型号：HMSMBJ40CA 编号：C42402037

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该静电和浪涌保护器件为双向TVS二极管，具备9.3安培的IPP（峰值脉冲电流）承受能力，以及40伏特的VRWM（重复性峰值反向电压）。双向设计使其能够在正向和反向电压瞬变情况下提供保护，适用于需要双向电流处理能力的应用场景。此元件可应用于消费电子产品中，如家用电器的电源入口处，或者USB和其他数据端口，以防止因静电放电或供电异常导致的设备损坏，确保终端用户设备的安全与稳定运行。

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