双向tvs二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-323

WPE3V3D3ULA是一款5V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，响应速度快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。WPE3V3D3ULA电容低，典型值为1pF，符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

数据手册

10+
￥0.4991
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￥0.4103
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￥0.3659
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型号：SDT23C24L02 编号：C523186

封装：SOT-23

品牌：Brightking(君耀电子)

SDT23C24L02 组件旨在保护敏感电子设备，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或出现闩锁效应。该组件专为电路板空间有限的应用而设计，可保护多达两条线路。它是双向器件，可用于信号极性高于地电位的线路。瞬态电压抑制（TVS）二极管是专门用于瞬态抑制的固态器件，其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流。它具备电路板级保护所需的理想特性，包括快速响应时间、低钳位电压且不会出现器件性能退化。该器件可用于满足 IEC61000 - 4 - 2 标准 4 级的抗扰度要求。SOT - 23 封装尺寸使其非常适合用于便携式电子设备，如 RS - 422 输入/输出、RS - 232 输入/输出、笔记本电脑和服务器等。

数据手册

5+
￥0.7679
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￥0.6147
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￥0.5382
500+
￥0.4808

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型号：SMAJ22CA 编号：C7466483

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为22V系统设计，实现卓越双向过电压保护。器件拥有11.3A峰值脉冲电流承受能力，在正负瞬态电压冲击下能迅速响应并精确箝位电压，有效防御雷击、静电放电和电源突变引起的浪涌，确保电子设备在面临高压波动时仍能保持稳定运行状态。

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￥0.0963
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￥0.0941
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￥0.0926
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￥0.0911

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型号：SMAJ43CA 编号：C7466468

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款TVS瞬态抑制二极管采用Bi双向设计，封装为节省空间的SMA形式，适用于正负极性浪涌保护。具有43V的优异双向反向工作电压VRWM，能承受峰值脉冲电流IPP高达5.8A，有效防止过压瞬变，确保电子设备免受雷电、静电及其它瞬态电压冲击，是电源线和信号线的理想双向过压防护解决方案。

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￥0.17192 ￥0.2149
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型号：SMAJ40CA 编号：C7466469

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管适用于40V电压等级，提供卓越的正负双向过压保护。器件具备6.2A峰值脉冲电流承受能力，可快速响应并有效钳位电路中出现的瞬态高压，防止雷击、ESD及电源波动对系统造成损害。其小巧封装与高效防护性能，确保电子设备在高电压环境下的稳定可靠运行。

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￥0.186116 ￥0.2023
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￥0.146832 ￥0.1596
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型号：SMAJ13CA 编号：C7466494

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管适用于13V工作电压下的高效双向过压保护。具有强大的瞬态响应性能，能在正负浪涌下承受高达18.6A的峰值脉冲电流，迅速将瞬态电压钳位在安全水平，有效防护电路免受雷击、ESD及电源波动带来的损害，确保电子设备稳定运行，是系统级保护的理想选择。

20+
￥0.1898
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型号：SMBJ5.0CA AE 编号：C49023579

封装：SMB

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管专为5V电压系统设计，提供强大的正负向过压保护。在瞬态事件中能承受高达65.3A的峰值脉冲电流，响应迅速并有效钳位异常电压，尤其适用于低电压环境下的电源线、信号线防雷击、静电放电等高电流冲击，是低压应用的理想高效浪涌防护元件。

20+
￥0.2024
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￥0.1588
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￥0.1345

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型号：SMAJ28CA 编号：C7466477

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为28V电压系统的高效双向过压保护设计。器件能承受峰值脉冲电流IPP达8.8A，在正负瞬态电压下均能快速响应并精确箝位电压，有效抵御雷击、静电放电及电源突变等引起的浪涌，保障电子设备免受损害，确保系统在严苛条件下稳定运行。

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￥0.2121
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￥0.1699
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型号：SMAJ14CA 编号：C7466493

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMA封装的高性能双向TVS瞬态抑制二极管适用于14V系统，提供卓越的双向过电压保护。器件能在正负方向上承载高达17.2A的峰值脉冲电流，响应迅速，有效钳位瞬间高压至安全阈值，为电路板及敏感电子元件抵挡雷击、静电放电和电源突变等瞬态事件带来的冲击，确保系统运行稳定可靠。

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￥0.2199
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型号：SMBJ20CA 编号：C7466440

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管适用于20V电压系统，具备卓越的正负向过压保护功能。在瞬态事件中可承受高达18.6A峰值脉冲电流，快速响应并有效钳位电压波动，为电源线和信号线提供全面的双向浪涌防护，有效抵御雷击、静电等瞬态冲击对电子设备的影响。

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￥0.2266 ￥0.2575
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型号：P6SMB18CA 编号：C7495249

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该SMB封装双向TVS瞬态抑制二极管适用于15.3V系统，提供全面的正负向过压保护。拥有24.2A峰值脉冲电流处理能力，在遭遇双向瞬态电压时快速响应并高效钳位，有效抵御瞬间高压冲击，确保电子设备在高浪涌环境下稳定运行，是中高功率应用的理想防护组件。

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￥0.2385
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型号：SMBJ22CA 编号：C7466439

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为22V系统设计，具备出色的双向过压防护能力。可在正负瞬态事件中承受高达16.9A峰值脉冲电流，快速响应并有效钳位电压尖峰，适用于电源线和信号线的双向浪涌保护，有效防止雷击、静电等瞬态现象对电子设备造成损害。

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￥0.2425
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￥0.1166
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型号：PESD5V0V1BB 编号：C2985488

封装：SOD-523

品牌：DOWO(东沃)

PESD5V0V1BB是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型SOD - 523无铅封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使PESD5V0V1BB成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

数据手册

10+
￥0.2476
100+
￥0.192
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￥0.1643
3000+
￥0.1559
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￥0.1392
9000+
￥0.1309

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型号：SM24CANB-02HTG 编号：C7500474

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

SM24CANB-02HTG是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，采用领先的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±15kV，接触放电±8kV。它采用无铅SOT-23封装，旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌影响。

10+
￥0.2565
100+
￥0.2014
300+
￥0.1738
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￥0.1591
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￥0.1426
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型号：GBLC05CS 编号：C22368662

封装：SOD-323

品牌：Wild Goose(威谷)

GBLC05CS是一款5.0V双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，响应时间快，ESD钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。GBLC05CS电容低，典型值为0.6pF，符合IEC61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30kV。该器件采用无铅SOD - 323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

10+
￥0.257125 ￥0.3025
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￥0.203235 ￥0.2391
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￥0.17629 ￥0.2074
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￥0.156145 ￥0.1837
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￥0.139995 ￥0.1647
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￥0.131835 ￥0.1551

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型号：GBLC05C 编号：C22368659

封装：SOD-323

品牌：Wild Goose(威谷)

GBLC05C是一款5.0V双向瞬态电压抑制二极管（TVS），采用领先的单片硅技术提供快速响应时间和低ESD箝位电压，使其成为保护敏感高速数据线的理想解决方案。GBLC05C具有超低电容，典型值为0.6pF，并符合IEC61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均为±30kV。它采用无铅SOD-323封装。其小巧尺寸、低电容和高ESD浪涌保护使其成为手机、无线系统和通信设备的理想选择。

10+
￥0.288745 ￥0.3397
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￥0.23001 ￥0.2706
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￥0.200685 ￥0.2361
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￥0.178585 ￥0.2101
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￥0.16099 ￥0.1894
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￥0.15215 ￥0.179

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型号：GBLC15C 编号：C22368668

封装：SOD-323

品牌：Wild Goose(威谷)

GBLC15C是一款15V双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，响应时间快，ESD钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。GBLC15C电容低，典型值为1.0pF，符合IEC61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均为±30KV。它采用无铅SOD - 323封装。小尺寸、低电容和高ESD浪涌保护能力使GBLC15C成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

10+
￥0.32283 ￥0.3798
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￥0.25721 ￥0.3026
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￥0.224315 ￥0.2639
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￥0.199665 ￥0.2349
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￥0.18003 ￥0.2118
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￥0.17017 ￥0.2002

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型号：SMCJ40CA 编号：C7466410

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMC封装的双向TVS瞬态抑制二极管适用于40V工作电压环境，提供卓越的正负向过压保护。器件具有强大的23.3A峰值脉冲电流承受能力，在遭遇双向瞬态电压时迅速响应并精准钳位，有效防止电子设备因瞬间高压冲击受损，是高稳定性和大电流应用场合的理想防护选择。

5+
￥0.3433
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￥0.3366
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￥0.3322
500+
￥0.3278

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型号：LYT32CC24L 编号：C18347542

封装：SOT-323

品牌：Liown(里阳半导体)

LYT32CC24L 是一款双向 TVS 二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可实现快速响应时间和低 ESD 钳位电压，使其成为保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。它符合 IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受 ±25kV 空气放电和 ±15kV 接触放电。该器件采用无铅 SOT-323 封装。其尺寸小巧且具备高 ESD 浪涌保护能力，是保护手机、数字视频接口和其他便携式应用的理想选择。

5+
￥0.3567 ￥0.5945
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￥0.28416 ￥0.4736
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￥0.24786 ￥0.4131
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￥0.22062 ￥0.3677
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￥0.19884 ￥0.3314
6000+
￥0.18798 ￥0.3133

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型号：LY323DC03UL 编号：C2925464

封装：SOD-323

品牌：Liown(里阳半导体)

LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

数据手册

10+
￥0.383705 ￥0.4039
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￥0.303715 ￥0.3197
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￥0.263625 ￥0.2775
3000+
￥0.23199 ￥0.2442
6000+
￥0.207955 ￥0.2189
9000+
￥0.195985 ￥0.2063

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型号：HTPSMB36CAVR 编号：C42401989

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该静电和浪涌保护器件为双向TVS二极管，具有10.4安培的IPP/A额定电流以及36伏特的VRWM/V工作电压，适用于单线路保护。此元件能够在正反两个方向提供稳定保护，有效防止因瞬态电压或静电放电导致的设备损坏，是消费电子产品中保障电路安全的理想选择。

5+
￥1.0888 ￥1.361
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￥0.85496 ￥1.0687
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￥0.75472 ￥0.9434
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￥0.62968 ￥0.7871
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￥0.574 ￥0.7175
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￥0.54056 ￥0.6757

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型号：PTVS1-086C-H 编号：C6738658

封装：DFN-2(6x8)

品牌：BOURNS

PTVS1-xxxC-H系列大电流双向TVS二极管旨在保护直流或以太网供电（PoE）系统，如小型基站或监控摄像头，这些系统可能会遭受诸如感应雷击或电感式电源开关等浪涌事件。这些器件提供双向端口保护，其关断电压额定值为22至86 V。

1+
￥33.6
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￥28.82
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￥25.9
100+
￥23.46

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型号：LY8BC05 编号：C3034459

封装：DFN1006-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY8BAC05是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。它采用超小型无铅DFN1006-2封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使其成为保护手机、数码相机和许多其他便携式应用的理想选择。

数据手册

20+
￥0.11268 ￥0.1878
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￥0.08838 ￥0.1473
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￥0.07488 ￥0.1248
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￥0.06678 ￥0.1113
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20000+
￥0.05598 ￥0.0933

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型号：LY523AC05L 编号：C3019533

封装：SOD-523

品牌：Liown(里阳半导体)

LY523AC05L是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。它符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD - 523封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数码相机和其他众多便携式应用设备的理想选择。

数据手册

20+
￥0.210805 ￥0.2219
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￥0.16435 ￥0.173
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￥0.138605 ￥0.1459
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￥0.122265 ￥0.1287
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￥0.10887 ￥0.1146
21000+
￥0.10165 ￥0.107

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型号：LY03AC5UL 编号：C3019525

封装：DFN1610-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY03AC5UL是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具备快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受±25kV空气放电和±22kV接触放电。它采用超小型无铅DFN1610 - 2封装。其尺寸小、电容超低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

数据手册

10+
￥0.21534 ￥0.3589
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￥0.17148 ￥0.2858
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￥0.14958 ￥0.2493
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￥0.1332 ￥0.222
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￥0.12006 ￥0.2001
9000+
￥0.11346 ￥0.1891

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型号：SMBJ16CA 编号：C7466445

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管专为16V系统设计，具备卓越的双向过压保护功能。能在正负瞬态情况下承受高达23.1A峰值脉冲电流，快速响应并准确钳位电压波动，有效抵御雷击、静电等瞬态事件对电子设备造成的损害，是中低电压环境的理想双向浪涌防护组件。

20+
￥0.2248
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￥0.1751
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￥0.1475
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￥0.131
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￥0.1166
21000+
￥0.1089

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型号：CLAMP1211P 编号：C2688135

封装：DFN1006-2

品牌：WPMtek(维攀)

CLAMP1211P是一款12V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。CLAMP1211P符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用超小型1.0×0.6×0.5 mm无铅DFN封装。其尺寸小巧且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

数据手册

20+
￥0.2249
200+
￥0.173
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￥0.1442
2000+
￥0.1269
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20000+
￥0.1008

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型号：SMAJ5.0CA 编号：C22356962

封装：SMA

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

瞬态抑制二极管 SMA封装TVS二极管双向5V

20+
￥0.2346
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￥0.1827
600+
￥0.1539

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型号：WPE1261KP1 编号：C7436954

封装：DFN1006-2

品牌：WPMtek(维攀)

WPE1261KP1是一款12V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受±15 kV空气放电和±8 kV接触放电。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使WPE1261KP1成为保护手机、数码相机、音频播放器和其他众多便携式应用的理想选择。

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型号：SMBJ51CA 编号：C7495265

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

森美特SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为高效防护设计。该器件具有51V的反向工作电压（VRWM）和7.3A的最大脉冲峰值电流（IPP），能在瞬间吸收过压尖峰，有效钳位电压并保护电路不受瞬态浪涌损害，适用于各类电子设备的过压防护应用。

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