双向tvs二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

LBT23C24L02 组件旨在保护敏感电子设备，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或出现闩锁效应。该组件专为电路板空间有限的应用而设计，可保护多达两条线路。它是双向器件，可用于信号极性高于地电位的线路。瞬态电压抑制（TVS）二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件，其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流。它具备电路板级保护所需的理想特性，包括快速响应时间、低钳位电压且无器件性能退化问题。该器件可用于满足 IEC61000 - 4 - 2 标准 4 级的抗扰度要求。SOT - 23 封装尺寸使其非常适合用于便携式电子设备，如 RS - 422 输入/输出、RS - 232 输入/输出、笔记本电脑和服务器等。

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10+
￥0.4357
100+
￥0.3516
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￥0.3095

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型号：H1SMA48CAT3 编号：C42402021

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款静电和浪涌保护器件为双向TVS二极管，其IPP（峰值脉冲电流）为5.2安培，VRWM（重复雪崩电压）为48伏特，适用于单线路上的应用。该元件能够在数据传输线遭受瞬态高压时，迅速响应并引导过电压，保护连接设备免受静电放电（ESD）或其他电压突变的损害。其双向特性使其在多种电子设备中都能提供可靠的防护作用。

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￥0.45704 ￥0.5713
50+
￥0.44696 ￥0.5587
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￥0.44032 ￥0.5504
500+
￥0.4336 ￥0.542

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型号：HSMBJ26CAQ13F 编号：C42401991

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该静电和浪涌保护器件是一款双向TVS二极管，具有14.3安培的IPP/A峰值脉冲电流处理能力和26伏特的VRWM/V最大工作电压，适用于单线保护场景。此元件能够在相反的两个方向上对瞬态电压进行箝位，有效抵御由于静电放电或电压突变引起的损害，适合用于保护敏感电子设备中的接口线路不受损害。

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￥0.49368 ￥0.6171
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￥0.48288 ￥0.6036
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￥0.4756 ￥0.5945
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￥0.4684 ￥0.5855

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型号：HSM15T36CAY 编号：C42402056

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该静电和浪涌保护器件为双向TVS二极管，具有31安培的IPP（峰值脉冲电流）和30伏特的VRWM（重复性雪崩电压）。适用于单线路上的瞬态电压抑制，能够有效防止因电压突变而对敏感电子设备造成的损害。其设计用于自动保护电路免受由于静电放电（ESD）或电源线上的瞬时过压导致的潜在破坏，确保系统的可靠性和稳定性。

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￥1.044 ￥1.305
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￥1.02104 ￥1.2763
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￥1.00576 ￥1.2572
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￥0.99048 ￥1.2381

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型号：HSMCJ30CAHE3 编号：C42402051

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该静电和浪涌保护器件为双向TVS二极管，具有31安培的峰值脉冲电流（IPP）处理能力和30伏特的最大工作电压（VRWM）。此元件设计用于单线路（LINE:1）保护，能够在瞬态电压事件中提供稳定防护，确保连接设备的安全。适用于需要防止因电荷累积导致损坏的应用场合，如消费电子产品中的接口保护等。其快速响应特性能够有效吸收和消散瞬变电压，减少对后端电路的影响。

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￥1.128 ￥1.41
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￥1.104 ￥1.38
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￥1.088 ￥1.36
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￥1.072 ￥1.34

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型号：HMSMBJ36A 编号：C42401983

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款静电和浪涌保护器件为双向TVS二极管，具备10.4安培的IPP（峰值脉冲电流）和36伏特的VRWM（重复性雪崩电压）。适用于单线路保护，能够有效防止因静电放电（ESD）或瞬态电压尖峰导致的设备损坏。其紧凑设计适用于消费电子产品中的精密电路保护，确保数据传输接口的安全，提升系统的可靠性。在日常使用场景中，该元件可以作为一道防线，保护后端电路免受外部电压突变的影响。

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￥2.344 ￥2.93
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￥1.856 ￥2.32
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￥1.648 ￥2.06
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￥1.224 ￥1.53
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型号：CLAMP0561P1 编号：C2688133

封装：DFN1006-2

品牌：WPMtek(维攀)

CLAMP0561P1是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间、极低电容和低静电放电钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。CLAMP0561P1符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15KV，接触放电±8KV。它采用超小型1.0×0.6×0.5mm无铅DFN封装。其小尺寸和极低电容特性，使CLAMP0561P1成为保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想选择。

数据手册

20+
￥0.0996
200+
￥0.0785
600+
￥0.0668
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￥0.0598
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￥0.0501
20000+
￥0.0468

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型号：SMAJ36CA 编号：C22356969

封装：SMA

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

瞬态抑制二极管 SMA封装TVS二极管双向36V

10+
￥0.2345
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￥0.1856
300+
￥0.1611
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￥0.1427

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型号：SMAJ5.0CA 编号：C22356962

封装：SMA

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

瞬态抑制二极管 SMA封装TVS二极管双向5V

20+
￥0.2346
200+
￥0.1827
600+
￥0.1539

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型号：SDT23C24L02-AT 编号：C729868

封装：SOT-23

品牌：Brightking(君耀电子)

SDT23C24L02-AT 组件旨在保护敏感电子设备，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或发生闩锁。该组件专为电路板空间有限的应用而设计，可保护多达两条线路。它是双向器件，可用于信号极性高于地电位的线路。瞬态电压抑制（TVS）二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件，其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流。它具备电路板级保护所需的理想特性，包括快速响应时间、低钳位电压且无器件性能退化。该器件可用于满足 IEC61000 - 4 - 2 标准 4 级的抗扰度要求。SOT - 23 封装尺寸使其非常适合用于便携式电子设备，如 RS - 422 输入/输出接口、RS - 232 输入/输出接口、笔记本电脑和服务器等。

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5+
￥0.8692
50+
￥0.6907
150+
￥0.6015

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型号：SP3213-01UTG 编号：C3712066

封装：DFN0603-2

品牌：Littelfuse(美国力特)

双向 TVS 二极管，为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供超低电容和高级别的保护。典型电容为 0.09pF，有助于确保最具挑战性的消费电子接口（如 USB 3.2、3.1、HDMI 2.1、2.0、DisplayPort、Thunderbolt 和 v-by-One）的信号完整性。可安全吸收 ±12kV（接触放电，IEC 61000-4-2）的重复 ESD 冲击，性能不会下降，并能安全耗散 2A 的 8/20μs 浪涌电流（IEC 61000-4-5 第 2 版）。

5+
￥1.4719
50+
￥1.1871
150+
￥1.0651
500+
￥0.9128

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型号：PTVS2-086C-H 编号：C6630094

封装：DFN-2(6x8)

品牌：BOURNS

PTVS2-xxxC-H 高电流双向 TVS 二极管专为高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件提供双向端口保护，额定耐受电压为 22 至 86 V。器件符合 RoHS 标准且无卤，旨在满足 IEC 61000-4-5 8/20 μs 电流浪涌要求。

40+
￥25.769085
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￥24.628576
200+
￥23.513153
400+
￥22.646443

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型号：SMBJ12CA 编号：C22356974

封装：SMB

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

瞬态抑制二极管 SMB封装TVS二极管双向12V

10+
￥0.3208
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￥0.2536
300+
￥0.22

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型号：WPE8V0D3ULA 编号：C5143682

封装：SOD-323

品牌：WPMtek(维攀)

WPE8V0D3ULA是一款8V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，响应速度快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。WPE8V0D3ULA电容低，典型值为1pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用无铅SOD - 323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

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10+
￥0.4749
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￥0.3789
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￥0.3309
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￥0.2829
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￥0.2541
9000+
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型号：AOZ8S503BDS-05 编号：C3024410

封装：DFN-2L(0.6x0.3)

品牌：AOS

AOZ8S503BDS-05是一款单通道双向高浪涌瞬态电压抑制器，旨在保护音频线和电源线等数据线免受静电放电（ESD）或浪涌事件的损害。该器件在单个封装中集成了两个单向TVS二极管。在瞬态条件下，双向二极管将瞬态电流导向电源线的正端或接地。AOZ8S503BDS-05的典型电容为9 pF，钳位电压低，非常适合用于移动和计算设备的数据传输保护。AOZ8S503BDS-05采用符合RoHS标准且无卤素的0.6mm×0.3mm封装，结温范围为-40℃至+125℃。

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20+
￥0.1887
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￥0.1471
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￥0.124
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￥0.1102
10000+
￥0.0981
20000+
￥0.0917

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型号：ESDA5-1BF4 编号：C2970961

封装：0201

品牌：ST(意法半导体)

ESDA5-1BF4是一款双向单线瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护数据线或其他I/O端口免受静电放电（ESD）瞬变影响。该器件非常适合既需要降低线路电容又需要节省电路板空间的应用。

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5+
￥0.7687
50+
￥0.6151
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￥0.5383
500+
￥0.4807

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型号：RCLAMP2451ZATFT 编号：C1975086

封装：0201

品牌：SEMTECH

RailClamp TVS二极管是超低电容器件，旨在保护敏感电子设备免受因ESD、EFT和EOS造成的损坏或闭锁。它们专为手机、笔记本电脑和其他便携式电子设备等应用中的高速端口而设计。这些器件具备板级保护所需的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。RClamp2451ZA专为保护近场通信（NFC）接口而设计。它具有出色的ESD保护特性，包括典型动态电阻低至0.16欧姆（典型值）、峰值ESD钳位电压低，以及高ESD耐受电压（根据IEC 61000 - 4 - 2标准，接触放电为+/-14kV）。典型电容低（VR = 0V时为0.35pF）意味着RClamp2451ZA不会在RF信号中产生谐波失真。该器件为双向器件，工作电压为24V，可用于NFC谐振器电路而不会出现信号削波。RClamp2451ZA采用2引脚SLP0603P2X3F封装，尺寸为0.6x0.3mm，标称高度为0.25mm。引脚采用无铅NiAu镀层。工作电压、低动态电阻和低电容的组合使该器件非常适合用于便携式设备中的NFC天线电路、RF信号线和FM天线。

1+
￥3.71
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￥2.99
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￥2.64
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￥2.28
500+
￥2.07
1000+
￥1.96

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型号：AQ36CANA-02HTG 编号：C20349319

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ36CANA-02HTG双向TVS采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高ESD（静电放电）保护等级。AQ36CANA-02HTG TVS可以安全吸收重复的±30kV ESD冲击（符合IEC 61000-4-2标准中的接触放电和空气放电），而不会降低性能。此外，它还可以安全耗散符合IEC 61000-4-5第二版标准的8A 8/220μs浪涌事件。

1+
￥6.48
10+
￥6.36
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￥6.27

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型号：AU1521P1 编号：C3002764

封装：DFN1006-2

品牌：Applied Power(应能微)

AU1521P1是一款15V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU1521P1符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用超小型无铅DFN1006 - 2封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

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1+
￥0.10326 ￥0.1721
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￥0.08988 ￥0.1498
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￥0.0825 ￥0.1375
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￥0.078 ￥0.13
500+
￥0.0651 ￥0.1085
1000+
￥0.063 ￥0.105

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型号：SMBJ26CA 编号：C7466435

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，适用于26V电压系统，提供全面的正负向过压防护。在瞬态事件中可承受高达14.3A峰值脉冲电流，具备快速响应和高效钳位性能，有效防止雷击、静电等瞬变现象对电子设备造成损害，是中高电压环境的理想双向浪涌保护器件。

10+
￥0.2248
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￥0.1751
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￥0.1475
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￥0.131
6000+
￥0.1166
9000+
￥0.1089

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型号：ESDZX168B-1BF4 编号：C41894049

封装：0201

品牌：ST(意法半导体)

ESDZX168B - 1BF4是一款双向单线瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护数据线或其他I/O端口免受静电放电（ESD）瞬变影响。由于具有极低的电容，ESDZX168B - 1BF4能够保护高速差分线，且不会影响信号完整性。凭借极低的钳位电压，ESDZX168B - 1BF4能够保护最敏感的亚微米技术电路

5+
￥0.6606
50+
￥0.6465
150+
￥0.6371
500+
￥0.6278

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型号：PTVS2-066C-H 编号：C6630092

封装：DFN-2(6x8)

品牌：BOURNS

PTVS2-xxxC-H 高电流双向 TVS 二极管专为高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件提供双向端口保护，额定耐受电压为 22 至 86 V。器件符合 RoHS 标准且无卤，旨在满足 IEC 61000-4-5 8/20 μs 电流浪涌要求。

1+
￥41.52
10+
￥40.51
30+
￥39.84

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型号：SMF16CA 编号：C7466402

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为16V系统设计，具备出色的正负向过电压保护功能。器件能在瞬间承载高达7.7A的峰值脉冲电流IPP，快速响应并有效钳位电路中的瞬态电压波动，确保电子设备免受浪涌、静电放电等瞬态事件损害，是电源线和信号接口的理想防护方案。

50+
￥0.1209
500+
￥0.0971
3000+
￥0.0705
6000+
￥0.0626
24000+
￥0.0558
51000+
￥0.0521

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型号：AQ1205-01ETG 编号：C3713749

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ1205-01ETG双向TVS采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高水平的ESD（静电放电）保护。AQ1205-01ETG TVS可以安全地吸收重复的±30 kV ESD冲击（接触放电和空气放电，符合IEC 61000-4-2标准），而不会出现任何性能下降。此外，它还可以安全地耗散7A 8/20us浪涌事件（符合IEC 61000-4-5第二版标准）。

1+
￥4.37
10+
￥4.28
30+
￥4.22

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型号：AU0521P0 编号：C393857

封装：DFN0603-2

品牌：Applied Power(应能微)

AU0521P0是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU0521P0符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。超小尺寸和高ESD浪涌保护能力，使AU0521P0成为替代0201尺寸多层压敏电阻（MLV）的理想选择，可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用设备。

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1+
￥0.06306 ￥0.1051
10+
￥0.05484 ￥0.0914
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￥0.05028 ￥0.0838
100+
￥0.04758 ￥0.0793
500+
￥0.03996 ￥0.0666
1000+
￥0.0387 ￥0.0645

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型号：SMF10CA 编号：C7466408

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为10V系统设计，提供高效的过电压保护。具备出色的双向峰值脉冲电流IPP能力（高达11.8A），可快速响应并有效钳位正负向瞬态电压，防止因浪涌、静电放电导致的电路损伤，适用于各类接口和电源线的瞬态防护需求。

50+
￥0.11
500+
￥0.0884
3000+
￥0.0642
6000+
￥0.057
24000+
￥0.0507
51000+
￥0.0474

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型号：PESDU3361P1 编号：C610237

封装：DFN1006-2L

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDU3361P1是双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，响应速度快、电容极低且静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容极低，是保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想之选。

数据手册

20+
￥0.1679
200+
￥0.1317
600+
￥0.1116
2000+
￥0.0995

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型号：AR1511D3 编号：C3002756

封装：SOD-323

品牌：Applied Power(应能微)

AR1511D3是一款15V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR1511D3电容低，典型值为1pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD - 323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

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