双向tvs二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMB(DO-214AA)

该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管专为5V电压系统设计，提供强大的正负向过压保护。在瞬态事件中能承受高达65.3A的峰值脉冲电流，响应迅速并有效钳位异常电压，尤其适用于低电压环境下的电源线、信号线防雷击、静电放电等高电流冲击，是低压应用的理想高效浪涌防护元件。

20+
￥0.2052
200+
￥0.1599
600+
￥0.1347
3000+
￥0.1196
9000+
￥0.1065
21000+
￥0.0994

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型号：SMBJ58CA 编号：C7495266

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款TVS瞬态抑制二极管采用SMB封装，为双向设计，特别适用于对抗瞬间过电压冲击。具有58V的额定反向工作电压（VRWM）和6.5A的最大脉冲峰值电流（IPP），能在正负极性瞬变事件中快速响应，提供卓越的电路保护能力，有效防止过压损害，确保电子设备稳定运行。

20+
￥0.22527 ￥0.2503
200+
￥0.17811 ￥0.1979
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￥0.15192 ￥0.1688
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￥0.13275 ￥0.1475
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￥0.11916 ￥0.1324
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￥0.11178 ￥0.1242

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型号：PESD5V0V1BB 编号：C2985488

封装：SOD-523

品牌：DOWO(东沃)

PESD5V0V1BB是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型SOD - 523无铅封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使PESD5V0V1BB成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

数据手册

10+
￥0.2522
100+
￥0.1967
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￥0.1689
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￥0.1605
6000+
￥0.1438
9000+
￥0.1355

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型号：LY323DC05 编号：C3019377

封装：SOD-323

品牌：Liown(里阳半导体)

LY323DCXX是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受±30 kV空气放电和±30 kV接触放电。它采用无铅SOD-323封装。该产品旨在替代手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中的多层压敏电阻（MLV）。

数据手册

10+
￥0.26619 ￥0.2802
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￥0.20919 ￥0.2202
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￥0.18069 ￥0.1902
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￥0.165205 ￥0.1739
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￥0.148105 ￥0.1559
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￥0.139555 ￥0.1469

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型号：DF2B20M4SL,L3F 编号：C1973643

封装：0201

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B20M4SL是一款具有高反向工作电压（VRWM为18.5V）的双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护高速线路或差分信号线免受静电放电（ESD）和其他瞬态电压的损害。该TVS二极管凭借低动态电阻可很好地保护后端电路，凭借高静电放电抗扰度（VESD）性能提升系统可靠性。因其低电容特性，非常适合用于近场通信（NFC）等天线应用。此外，其小封装尺寸（0.62mm×0.32mm）适用于高密度贴装。

数据手册

5+
￥0.341
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￥0.297
150+
￥0.275
500+
￥0.2585
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￥0.2453
5000+
￥0.2387

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型号：SM15.TCT 编号：C85195

封装：SOT-23

品牌：SEMTECH

SM系列瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护连接到数据和传输线路的组件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的电压浪涌影响。TVS二极管具有高浪涌能力、低工作电压和钳位电压以及快速响应时间的特点。这使其非常适合用作敏感半导体组件的板级保护。双结共阳极设计允许用户保护一条双向数据线或两条单向线路。薄型SOT23封装为“拥挤”电路板的设计提供了灵活性。SM系列将满足IEC 61000 - 4 - 2（原IEC 801 - 2）4级空气和接触放电“人体模型”的浪涌要求。

数据手册

5+
￥1.4799
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￥1.1693
150+
￥1.0362
500+
￥0.843997 ￥0.8701
3000+
￥0.772314 ￥0.7962
6000+
￥0.729246 ￥0.7518

有货

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型号：SM8S40CAT 编号：C21261127

封装：DO-218AB

品牌：prosemi(普罗森美)

PROSEMI提供的AEC-Q101符合TVS二极管专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压的影响。这些二极管具有6600瓦特峰值脉冲功率（10/1000us），提供双向极性选择，PN结经过钝化并由耐高温绝缘胶粘剂保护。它们还具备低漏电流、低正向压降和高浪涌能力，并符合ISO7637-2浪涌规格（根据测试条件不同）。

1+
￥7.4
10+
￥6.68
30+
￥6.28
100+
￥5.83

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型号：SMF24CA 编号：C7466398

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，适用于24V系统，提供卓越正负向过电压保护。具备5.1A峰值脉冲电流承载能力，可快速响应并有效钳位电路中的瞬态电压波动，防止浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成冲击损害，是中高电压应用场合电源线及信号接口的理想防护解决方案。

50+
￥0.0636 ￥0.1272
500+
￥0.0506 ￥0.1012
3000+
￥0.0385 ￥0.077
6000+
￥0.0342 ￥0.0684
24000+
￥0.03045 ￥0.0609
51000+
￥0.0284 ￥0.0568

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型号：SMF15CA 编号：C7466404

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，适用于广泛电路保护需求。具有15V的稳定反向工作电压VRWM及强大的8.2A双向峰值脉冲电流IPP承受能力，能在瞬间高效抑制电源和信号线上的过电压瞬变、浪涌冲击及静电放电，确保电子设备免受损害，是高可靠性系统接口的理想防护选择。

50+
￥0.0638
500+
￥0.0626
3000+
￥0.0493
6000+
￥0.0486

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型号：SMF36CA 编号：C7466391

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，适用于36V系统，提供卓越的正负向过电压保护。具备3.4A峰值脉冲电流IPP能力，能快速响应并有效钳位电路中的瞬态高压，有效抵御浪涌、静电放电等瞬变事件对电子设备的损害，是高电压应用场合的理想防护组件，确保电源线及信号接口安全稳定。

20+
￥0.074152 ￥0.0806
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￥0.072864 ￥0.0792
600+
￥0.071944 ￥0.0782
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￥0.060444 ￥0.0657

有货

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型号：BNESD5Z5.0C 编号：C19077987

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) SOD-523封装双向5V静电保护管

50+
￥0.10449 ￥0.1161
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￥0.08019 ￥0.0891
1500+
￥0.06669 ￥0.0741
5000+
￥0.05859 ￥0.0651
25000+
￥0.05157 ￥0.0573
50000+
￥0.0477 ￥0.053

有货

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型号：SMF26CA 编号：C7466396

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为26V系统提供全面的正负向过电压防护。具备4.8A峰值脉冲电流承载能力，能在电路中快速响应并有效钳位瞬态高压波动，有效抵御浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的冲击损害，是高电压应用场合理想的电源线及信号接口保护组件。

20+
￥0.108035 ￥0.1271
200+
￥0.08415 ￥0.099
600+
￥0.07089 ￥0.0834
3000+
￥0.0629 ￥0.074
9000+
￥0.056015 ￥0.0659
21000+
￥0.05236 ￥0.0616

有货

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型号：PESD7V0L1BSLAZ-HXY 编号：C42416217

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款静电和浪涌保护器件，作为TVS/ESD保护二极管，拥有8安培的峰值脉冲电流承载能力IPP，能有效应对瞬时高电流冲击。其反向工作电压VRWM为7伏特，在该电压下确保稳定性能，不会发生击穿。器件的电容CJ仅为20皮法，几乎不对信号造成影响，非常适合高速数据传输线路的保护需求。采用单通道1 LINE设计，并且是双向TYPE:Bi类型，意味着它可以用于双向电路保护，确保在两个方向上的过压事件都能得到妥善处理。适用于各种电子设备中的接口保护，如个人电子产品、通信设备等，提供可靠的静电放电和瞬态过压保护。

20+
￥0.108545 ￥0.1277
200+
￥0.08517 ￥0.1002
600+
￥0.072165 ￥0.0849
2000+
￥0.064345 ￥0.0757
10000+
￥0.057545 ￥0.0677
20000+
￥0.05389 ￥0.0634

有货

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型号：SMF20CA 编号：C7466399

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管，适用于20V系统，提供全面的正负向过电压保护。具有6.2A峰值脉冲电流IPP能力，能够快速响应并有效钳位电路中的瞬态电压变化，确保电子设备免受浪涌、静电放电等瞬态事件损害，是中高压环境下接口及电源线的理想瞬态防护方案。

20+
￥0.1434
200+
￥0.1158
600+
￥0.1005
3000+
￥0.0786
9000+
￥0.0706
21000+
￥0.0663

有货

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型号：LY8AC05UL 编号：C3019384

封装：DFN1006-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY8AC05UL是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受±25kV空气放电和±22kV接触放电。该器件采用超小型无铅DFN1006-2封装。其尺寸小、电容超低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

数据手册

20+
￥0.161025 ￥0.1695
200+
￥0.12255 ￥0.129
600+
￥0.101175 ￥0.1065
2000+
￥0.08835 ￥0.093
10000+
￥0.080845 ￥0.0851
20000+
￥0.07486 ￥0.0788

有货

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型号：SMAJ24CA 编号：C7466481

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMA封装的TVS瞬态抑制二极管为Bi双向类型，专为高效能双向过电压保护设计。具有24V的稳定双向反向工作电压VRWM，在正负极性瞬变中均表现出色，可承受峰值脉冲电流IPP高达10.3A。它能够快速响应并精确钳位瞬间高压，有效防止雷击、静电放电等引起的电路损坏，是电源线、信号线以及各类电子设备理想的瞬态保护解决方案。

20+
￥0.18876 ￥0.2145
200+
￥0.150656 ￥0.1712
600+
￥0.129536 ￥0.1472
5000+
￥0.116864 ￥0.1328
10000+
￥0.105864 ￥0.1203
20000+
￥0.099968 ￥0.1136

有货

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型号：RLSD32A0451CH 编号：C39831940

封装：SOD-323

品牌：RUILON(瑞隆源)

RLSD32A0451CH是一款双向高功率TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。RLSD32A0451CH符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用超小型无铅SOD-323封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使AU4581D3H成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

10+
￥0.196555 ￥0.2069
100+
￥0.1919 ￥0.202
300+
￥0.18886 ￥0.1988
1000+
￥0.185725 ￥0.1955

有货

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型号：SMBJ12CA 编号：C7466450

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的TVS瞬态抑制二极管为Bi双向类型，特别适用于中低电压系统的高效双向过压保护。具有12V的稳定双向反向工作电压VRWM，能在正负极性瞬变下安全运作，并能承受高达30.2A的峰值脉冲电流IPP。快速响应并准确钳位瞬间过电压，为电源线、信号线及各类电子设备提供卓越的浪涌防护性能，有效抵御雷击、静电等瞬态事件冲击。

20+
￥0.21843 ￥0.2427
200+
￥0.17568 ￥0.1952
600+
￥0.15192 ￥0.1688
3000+
￥0.11592 ￥0.1288
9000+
￥0.1035 ￥0.115
21000+
￥0.09684 ￥0.1076

有货

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型号：SMBJ18CA 编号：C7466443

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，适用于18V电压系统，提供卓越的双向过压保护。在正负瞬态事件中可承受高达20.6A峰值脉冲电流，快速响应并有效钳位异常电压，确保电子设备免受雷击、静电等瞬态冲击的影响，是中低电压应用的理想浪涌防护解决方案。

20+
￥0.223665 ￥0.2405
200+
￥0.179211 ￥0.1927
600+
￥0.154566 ￥0.1662
3000+
￥0.117087 ￥0.1259
9000+
￥0.104253 ￥0.1121
21000+
￥0.097371 ￥0.1047

有货

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型号：SMBJ28CA 编号：C7466433

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，特别适用于中等电压应用。具备28V稳定的双向反向工作电压VRWM，在正负瞬态过压情况下可承受高达13.3A的峰值脉冲电流IPP，提供快速响应及高效钳位功能，有效保护电路不受雷击、静电放电等瞬态事件影响，是电源线和信号线的理想双向浪涌防护选择。

20+
￥0.2395
200+
￥0.1882
600+
￥0.1597
3000+
￥0.1244
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￥0.1095
21000+
￥0.1016

有货

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型号：JCA0510D1 编号：C2972755

封装：DFN0603-2

品牌：JKSEMI(金开盛)

JCA0510D1是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。JCA0510D1的电容超低，典型值为0.4 pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±20 kV，接触放电±15 kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容超低且具有高ESD浪涌保护能力，使JCA0510D1成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

数据手册

10+
￥0.2822
100+
￥0.2246
300+
￥0.1958
1000+
￥0.1742
5000+
￥0.1569

有货

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型号：LY323DC12UL 编号：C2925537

封装：SOD-323

品牌：Liown(里阳半导体)

LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

数据手册

5+
￥0.30732 ￥0.5122
50+
￥0.24684 ￥0.4114
150+
￥0.2166 ￥0.361
500+
￥0.19392 ￥0.3232
3000+
￥0.1758 ￥0.293
6000+
￥0.16674 ￥0.2779

有货

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型号：LY323DC03UL 编号：C2925464

封装：SOD-323

品牌：Liown(里阳半导体)

LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

数据手册

10+
￥0.383705 ￥0.4039
100+
￥0.303715 ￥0.3197
300+
￥0.263625 ￥0.2775
3000+
￥0.23199 ￥0.2442
6000+
￥0.207955 ￥0.2189
9000+
￥0.195985 ￥0.2063

有货

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型号：SMDA15C.TBT 编号：C558862

封装：SO-8

品牌：SEMTECH

SMDAxxC系列TVS阵列旨在为敏感电子设备提供双向保护，防止其因ESD、雷击和其他电压引起的瞬态事件而损坏或发生闩锁。每个器件可保护四条数据或I/O线路。它们有5V、12V、15V和24V的工作电压可供选择。TVS二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件。它们具有适用于电路板级保护的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且器件不会老化。薄型SO - 8封装允许用户用一个封装保护多达四条独立线路。SMDAxxC系列适用于保护敏感半导体组件，如微处理器、ASIC、收发器、传感器和CMOS存储器。SMDAxxC系列器件可用于满足IEC 61000 - 4 - 2标准中空气和接触放电4级的ESD抗扰度要求。

数据手册

1+
￥19.88
10+
￥16.93
30+
￥15.08
100+
￥12.7943 ￥13.19
500+
￥11.9601 ￥12.33
1000+
￥11.6012 ￥11.96

有货

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型号：SMF7.5CA 编号：C7466383

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管，专为7.5V系统提供卓越的过电压防护。器件具有强大的双向峰值脉冲电流IPP承载能力达15.5A，能够迅速响应并有效钳位正负向瞬态电压尖峰，保护电路不受浪涌、静电放电等瞬态事件损害，适用于各类接口及电源线的高级瞬态保护应用。

50+
￥0.105165 ￥0.1107
500+
￥0.084645 ￥0.0891
3000+
￥0.061655 ￥0.0649
6000+
￥0.054815 ￥0.0577
24000+
￥0.04883 ￥0.0514
51000+
￥0.0456 ￥0.048

有货

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型号：SMF33CA 编号：C7495271

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，适用于33V系统，提供卓越的正负向过电压保护。具备3.8A峰值脉冲电流承载能力，能在电路中快速响应并钳位瞬态高压波动，有效抵御浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的损害，是高电压环境下的电源线及信号接口的理想防护组件。

20+
￥0.10668 ￥0.1524
200+
￥0.08365 ￥0.1195
600+
￥0.07084 ￥0.1012
3000+
￥0.06083 ￥0.0869
9000+
￥0.05411 ￥0.0773
21000+
￥0.05054 ￥0.0722

有货

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型号：LY523DC05 编号：C3019383

封装：SOD-523

品牌：Liown(里阳半导体)

LY523DC05是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。它符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受±30 kV空气放电和±30 kV接触放电。该器件采用无铅SOD - 523封装。其体积小且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数码相机和其他众多便携式应用设备的理想选择。

数据手册

20+
￥0.11016 ￥0.1836
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￥0.08556 ￥0.1426
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￥0.07194 ￥0.1199
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￥0.06102 ￥0.1017
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型号：SMF28CA 编号：C7495270

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管，适用于28V系统，提供高效正负向过电压保护。具备4.4A峰值脉冲电流承载能力，能快速响应并钳位电路中出现的瞬态高压，有效防止浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的损害，是高电压应用场合的理想防护器件，保障电源线及信号接口安全稳定运行。

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型号：SMF9.0CA 编号：C7466380

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

双向TVS瞬态抑制二极管，采用紧凑型SOD-123FL封装，特别适用于9V系统的全面过电压防护。该器件在正负向均可承载高达13A的峰值脉冲电流IPP，快速响应并高效钳位瞬态电压，有效抵御浪涌、静电放电等对电子设备的损害，是保障电源线、信号线接口稳定性的理想选择。

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型号：SMAJ30CA 编号：C7466475

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该TVS瞬态抑制二极管是一款Bi双向设计，采用紧凑型SMA封装，专为高效能双向过电压保护打造。其具有30V的稳定双向反向工作电压VRWM，在正负瞬态冲击下均表现出色，可承受高达8.3A的峰值脉冲电流IPP。迅速响应并有效钳位异常电压，为电源线、信号线及敏感电子设备提供卓越的双向浪涌防护，确保系统安全稳定运行。

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