双向tvs二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-123FL

这款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管适用于5V系统，提供全面正负向过压保护。具有出色的21.7A峰值脉冲电流处理能力，在遭遇双向瞬态电压冲击时迅速响应并有效钳位，确保电子设备免受瞬间高压损害，尤其适合空间有限且需要高浪涌防护性能的应用场景。

10+
￥0.139523 ￥0.1681
100+
￥0.113627 ￥0.1369
300+
￥0.099268 ￥0.1196
3000+
￥0.083581 ￥0.1007
6000+
￥0.076111 ￥0.0917
9000+
￥0.072127 ￥0.0869

有货

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型号：SMBJ8.5CA 编号：C7466414

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为中低电压系统设计，提供全面的正负向过压保护。具有8.5V稳定的双向反向工作电压VRWM，在瞬态事件中能承受高达41.7A的峰值脉冲电流IPP，快速响应并有效钳位异常电压，适用于电源线、信号线等场合，为电子设备提供卓越的双向浪涌防护，抵御雷击、静电放电等冲击。

20+
￥0.206724 ￥0.2247
200+
￥0.16652 ￥0.181
600+
￥0.144164 ￥0.1567
3000+
￥0.130732 ￥0.1421
9000+
￥0.11914 ￥0.1295
21000+
￥0.112792 ￥0.1226

有货

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型号：SMBJ7.0CA 编号：C7466417

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管专为7V电压系统设计，具备出色的双向过压防护性能。能在正负瞬态事件中承受高达50A的峰值脉冲电流IPP，快速响应并有效钳位电压尖峰，尤其适用于低电压环境下的电源线和信号线保护，防止雷击、静电等高电流冲击对电子设备造成损害。

20+
￥0.208912 ￥0.2374
200+
￥0.168696 ￥0.1917
600+
￥0.146344 ￥0.1663
3000+
￥0.130504 ￥0.1483
9000+
￥0.118888 ￥0.1351
21000+
￥0.112552 ￥0.1279

有货

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型号：P6SMB30CA 编号：C7495252

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管适用于25.6V系统，为正负向过电压提供高效保护。器件能在瞬态电压下快速响应，峰值脉冲电流高达14.7A，并有效钳位电压，抵御瞬间高压冲击，确保电子设备在中等功率应用场合免受浪涌损害，是理想的电路防护组件。

20+
￥0.213156 ￥0.2292
200+
￥0.168516 ￥0.1812
600+
￥0.146196 ￥0.1572
3000+
￥0.129456 ￥0.1392
9000+
￥0.116064 ￥0.1248
21000+
￥0.109275 ￥0.1175

有货

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型号：SMBJ100CA 编号：C7466451

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管，适用于100V电压系统，提供全面的正负向过压保护。在瞬态事件中能承受高达3.7A的峰值脉冲电流IPP，响应迅速并有效钳位异常电压，尤其适合高电压环境下的电源线、信号线防护，有效抵御雷击、静电等瞬态冲击对电子设备的影响。

20+
￥0.22021 ￥0.2318
200+
￥0.175275 ￥0.1845
600+
￥0.150385 ￥0.1583
3000+
￥0.11837 ￥0.1246
9000+
￥0.105355 ￥0.1109
21000+
￥0.09842 ￥0.1036

有货

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型号：SMBJ18CA 编号：C7466443

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，适用于18V电压系统，提供卓越的双向过压保护。在正负瞬态事件中可承受高达20.6A峰值脉冲电流，快速响应并有效钳位异常电压，确保电子设备免受雷击、静电等瞬态冲击的影响，是中低电压应用的理想浪涌防护解决方案。

20+
￥0.22506 ￥0.242
200+
￥0.180327 ￥0.1939
600+
￥0.155496 ￥0.1672
3000+
￥0.117831 ￥0.1267
9000+
￥0.104904 ￥0.1128
21000+
￥0.097929 ￥0.1053

有货

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型号：SMFJ30CA 编号：C7466378

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管专为30V系统设计，提供精准的正负向过压防护。拥有4.1A峰值脉冲电流处理能力，在面对瞬态电压时能迅速响应并有效箝位电压，确保电子设备在遭遇瞬间高压事件时仍能稳定运行，尤其适用于空间紧凑且需高效浪涌保护的应用场合。

10+
￥0.240768 ￥0.2736
100+
￥0.193072 ￥0.2194
300+
￥0.169136 ￥0.1922
3000+
￥0.138336 ￥0.1572
6000+
￥0.123992 ￥0.1409
9000+
￥0.116864 ￥0.1328

有货

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型号：SMFJ14CA 编号：C22380735

封装：SOD-123F

品牌：BORN(伯恩半导体)

14V双向 TVS二极管电源口常用料

10+
￥0.3018
100+
￥0.2394
300+
￥0.2082
3000+
￥0.1809
6000+
￥0.1622
9000+
￥0.1528

有货

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型号：LY323DC15UL 编号：C3019378

封装：SOD-323

品牌：Liown(里阳半导体)

LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

数据手册

5+
￥0.328415 ￥0.3457
50+
￥0.28861 ￥0.3038
150+
￥0.268755 ￥0.2829
500+
￥0.25384 ￥0.2672
3000+
￥0.239875 ￥0.2525
6000+
￥0.23389 ￥0.2462

有货

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型号：LY323DC12UL 编号：C2925537

封装：SOD-323

品牌：Liown(里阳半导体)

LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

数据手册

5+
￥0.48659 ￥0.5122
50+
￥0.39083 ￥0.4114
150+
￥0.34295 ￥0.361
500+
￥0.30704 ￥0.3232
3000+
￥0.27835 ￥0.293
6000+
￥0.264005 ￥0.2779

有货

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型号：BN5C071V160 编号：C19078055

封装：DFN1610-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) DFN1610 7V双向大电流静电保护管 IPP=140A

5+
￥0.75897 ￥0.8433
50+
￥0.59481 ￥0.6609
150+
￥0.51273 ￥0.5697
500+
￥0.45117 ￥0.5013
3000+
￥0.38718 ￥0.4302
6000+
￥0.36252 ￥0.4028

有货

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型号：SDT23C05L02 编号：C523185

封装：SOT-23

品牌：Brightking(君耀电子)

SDT23CXXL02系列旨在保护敏感电子设备免受因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闩锁效应。它们专为电路板空间有限的应用而设计。这些器件可保护多达两条线路。它们是双向器件，可用于信号极性高于地电位的线路。瞬态电压抑制（TVS）二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。它们具备电路板级保护所需的理想特性，包括快速响应时间、低钳位电压，且不会出现器件性能退化。这些器件可用于满足IEC61000 - 4 - 2标准4级的抗扰度要求。SOT - 23封装尺寸使其非常适合用于便携式电子设备，如RS - 422输入/输出、RS - 232输入/输出、笔记本电脑和服务器。接触放电：±30kV 空气放电：±30kV

数据手册

5+
￥1.016
50+
￥0.8505
150+
￥0.7677
500+
￥0.7056

有货

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型号：PESD7V0L1BSLAZ-HXY 编号：C42416217

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款静电和浪涌保护器件，作为TVS/ESD保护二极管，拥有8安培的峰值脉冲电流承载能力IPP，能有效应对瞬时高电流冲击。其反向工作电压VRWM为7伏特，在该电压下确保稳定性能，不会发生击穿。器件的电容CJ仅为20皮法，几乎不对信号造成影响，非常适合高速数据传输线路的保护需求。采用单通道1 LINE设计，并且是双向TYPE:Bi类型，意味着它可以用于双向电路保护，确保在两个方向上的过压事件都能得到妥善处理。适用于各种电子设备中的接口保护，如个人电子产品、通信设备等，提供可靠的静电放电和瞬态过压保护。

20+
￥0.10591 ￥0.1246
200+
￥0.082535 ￥0.0971
600+
￥0.06953 ￥0.0818
2000+
￥0.06171 ￥0.0726
10000+
￥0.054995 ￥0.0647
20000+
￥0.05134 ￥0.0604

有货

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型号：SMF33CA 编号：C7495271

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，适用于33V系统，提供卓越的正负向过电压保护。具备3.8A峰值脉冲电流承载能力，能在电路中快速响应并钳位瞬态高压波动，有效抵御浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的损害，是高电压环境下的电源线及信号接口的理想防护组件。

20+
￥0.10668 ￥0.1524
200+
￥0.08365 ￥0.1195
600+
￥0.07084 ￥0.1012
3000+
￥0.06083 ￥0.0869
9000+
￥0.05411 ￥0.0773
21000+
￥0.05054 ￥0.0722

有货

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型号：ESD11D5.0C 编号：C22368689

封装：DFN0603-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

ESD11D5.0C是一款双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD11D5.0C符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 KV，接触放电±30 KV。它采用超小型0.6×0.3×0.3mm无铅0201封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使ESD11D5.0C成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

20+
￥0.11424 ￥0.1344
200+
￥0.088995 ￥0.1047
600+
￥0.07497 ￥0.0882
2000+
￥0.066555 ￥0.0783
15000+
￥0.059245 ￥0.0697
30000+
￥0.055335 ￥0.0651

有货

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型号：SMF7.0CA 编号：C7466384

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，适用于双向过电压保护。具备7V的反向工作电压VRWM，可耐受高达16.7A的双向峰值脉冲电流IPP，能快速响应并钳位电源线和信号线上的正负向瞬态电压尖峰，有效防止浪涌、静电放电等对电子设备造成损害，是接口电路的理想防护元件。

20+
￥0.124251 ￥0.1497
200+
￥0.099185 ￥0.1195
600+
￥0.085241 ￥0.1027
3000+
￥0.076858 ￥0.0926
9000+
￥0.069637 ￥0.0839
21000+
￥0.065653 ￥0.0791

有货

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型号：SMAJ16CA 编号：C7466489

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMA封装的TVS瞬态抑制二极管采用Bi双向设计，适用于多电压极性保护。具有16V额定反向工作电压VRWM，能承受峰值脉冲电流IPP达15.4A，快速响应并精确箝位瞬间过电压至安全水平，为电路提供卓越的防雷击和瞬态浪涌保护，确保敏感电子设备稳定运作。

20+
￥0.17955 ￥0.1995
200+
￥0.14211 ￥0.1579
600+
￥0.12132 ￥0.1348
5000+
￥0.10881 ￥0.1209
10000+
￥0.09801 ￥0.1089
20000+
￥0.09225 ￥0.1025

有货

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型号：GBLC12CB 编号：C48971107

封装：SOD-323

品牌：Slkor(萨科微)

双向 TVS 二极管，采用领先的单晶硅技术，响应速度快，ESD 钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。具有低电容，典型值为 0.6pF，符合 IEC61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均为 ±30kV。采用无铅 SOD-323 封装。小尺寸、低电容和高 ESD 浪涌保护使其成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

20+
￥0.2103
200+
￥0.1649
600+
￥0.1397
3000+
￥0.1246
9000+
￥0.1115
21000+
￥0.1045

有货

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型号：SMBJ24CA 编号：C7466437

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为高效保护低电压电路设计。其拥有24V的反向工作电压（VRWM），可承受高达15.5A的峰值脉冲电流（IPP），在正负极性过电压事件中迅速响应，提供强大的瞬态浪涌防护能力，确保电子设备免受瞬变电压冲击损伤，是高可靠性系统理想的过压保护解决方案。

20+
￥0.222464 ￥0.2528
200+
￥0.178464 ￥0.2028
600+
￥0.154088 ￥0.1751
3000+
￥0.123816 ￥0.1407
9000+
￥0.111056 ￥0.1262
21000+
￥0.104192 ￥0.1184

有货

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型号：RLSD32A0451CH 编号：C39831940

封装：SOD-323

品牌：RUILON(瑞隆源)

RLSD32A0451CH是一款双向高功率TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。RLSD32A0451CH符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用超小型无铅SOD-323封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使AU4581D3H成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

10+
￥0.26964 ￥0.3852
100+
￥0.21252 ￥0.3036
300+
￥0.18396 ￥0.2628
1000+
￥0.16254 ￥0.2322
5000+
￥0.14546 ￥0.2078
10000+
￥0.13685 ￥0.1955

有货

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型号：P6SMB33CA 编号：C7495253

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为28.2V系统提供全面的正负向过压防护。具备13.3A峰值脉冲电流承受能力，在面对双向瞬态电压冲击时能快速响应并有效钳位，确保电子设备不受瞬间高压损害，是中等功率应用的理想选择，实现高效、可靠的浪涌保护。

10+
￥0.310728 ￥0.3531
100+
￥0.249128 ￥0.2831
300+
￥0.218328 ￥0.2481
3000+
￥0.195272 ￥0.2219
6000+
￥0.176792 ￥0.2009
9000+
￥0.167552 ￥0.1904

有货

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型号：P6KE20CA 编号：C22380744

封装：DO-15(DO-204AC)

品牌：BORN(伯恩半导体)

600W 20V双向插件TVS二极管电源口浪涌保护器件

10+
￥0.3588
100+
￥0.282
300+
￥0.2436
2000+
￥0.21
4000+
￥0.187
10000+
￥0.1755

有货

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型号：WPE3V3D3ULA 编号：C5143681

封装：SOD-323

品牌：WPMtek(维攀)

WPE3V3D3ULA是一款5V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，响应速度快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。WPE3V3D3ULA电容低，典型值为1pF，符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

数据手册

10+
￥0.4991
100+
￥0.4103
300+
￥0.3659
3000+
￥0.2858
6000+
￥0.2592
9000+
￥0.2459

有货

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型号：SM8S40CAT 编号：C21261127

封装：DO-218AB

品牌：prosemi(普罗森美)

PROSEMI提供的AEC-Q101符合TVS二极管专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压的影响。这些二极管具有6600瓦特峰值脉冲功率（10/1000us），提供双向极性选择，PN结经过钝化并由耐高温绝缘胶粘剂保护。它们还具备低漏电流、低正向压降和高浪涌能力，并符合ISO7637-2浪涌规格（根据测试条件不同）。