双向tvs二极管_厂家_价格_品牌_库存

这款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为10V系统设计，提供高效的过电压保护。具备出色的双向峰值脉冲电流IPP能力（高达11.8A），可快速响应并有效钳位正负向瞬态电压，防止因浪涌、静电放电导致的电路损伤，适用于各类接口和电源线的瞬态防护需求。

50+
￥0.11
500+
￥0.0884
3000+
￥0.0642
6000+
￥0.057
24000+
￥0.0507
51000+
￥0.0474

订货

我要订货

型号：PESDU3361P1 编号：C610237

封装：DFN1006-2L

PESDU3361P1是双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，响应速度快、电容极低且静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容极低，是保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想之选。

数据手册

20+
￥0.1679
200+
￥0.1317
600+
￥0.1116
2000+
￥0.0995

有货

立即购买

型号：AOZ8S503BDS-05 编号：C3024410

封装：DFN-2L(0.6x0.3)

品牌：AOS

AOZ8S503BDS-05是一款单通道双向高浪涌瞬态电压抑制器，旨在保护音频线和电源线等数据线免受静电放电（ESD）或浪涌事件的损害。该器件在单个封装中集成了两个单向TVS二极管。在瞬态条件下，双向二极管将瞬态电流导向电源线的正端或接地。AOZ8S503BDS-05的典型电容为9 pF，钳位电压低，非常适合用于移动和计算设备的数据传输保护。AOZ8S503BDS-05采用符合RoHS标准且无卤素的0.6mm×0.3mm封装，结温范围为-40℃至+125℃。

数据手册

20+
￥0.1887
200+
￥0.1471
600+
￥0.124

有货

立即购买

型号：ESDZX168B-1BF4 编号：C41894049

封装：0201

品牌：ST(意法半导体)

ESDZX168B - 1BF4是一款双向单线瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护数据线或其他I/O端口免受静电放电（ESD）瞬变影响。由于具有极低的电容，ESDZX168B - 1BF4能够保护高速差分线，且不会影响信号完整性。凭借极低的钳位电压，ESDZX168B - 1BF4能够保护最敏感的亚微米技术电路

5+
￥0.6606
50+
￥0.6465
150+
￥0.6371
500+
￥0.6278

订货

我要订货

型号：PTVS2-066C-H 编号：C6630092

封装：DFN-2(6x8)

品牌：BOURNS

PTVS2-xxxC-H 高电流双向 TVS 二极管专为高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件提供双向端口保护，额定耐受电压为 22 至 86 V。器件符合 RoHS 标准且无卤，旨在满足 IEC 61000-4-5 8/20 μs 电流浪涌要求。

1+
￥41.04
10+
￥40.04
30+
￥39.36

有货

立即购买

型号：AU0521P0 编号：C393857

封装：DFN0603-2

AU0521P0是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU0521P0符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。超小尺寸和高ESD浪涌保护能力，使AU0521P0成为替代0201尺寸多层压敏电阻（MLV）的理想选择，可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用设备。

数据手册

1+
￥0.06306 ￥0.1051
10+
￥0.05484 ￥0.0914
30+
￥0.05028 ￥0.0838
100+
￥0.04758 ￥0.0793
500+
￥0.03996 ￥0.0666
1000+
￥0.0387 ￥0.0645

有货

立即购买

型号：AR1511D3 编号：C3002756

封装：SOD-323

AR1511D3是一款15V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR1511D3电容低，典型值为1pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD - 323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

数据手册

1+
￥0.15312 ￥0.2552
10+
￥0.1338 ￥0.223
30+
￥0.12414 ￥0.2069
300+
￥0.11112 ￥0.1852
600+
￥0.1053 ￥0.1755
900+
￥0.10242 ￥0.1707

有货

立即购买

型号：AU2481D1F-T 编号：C3002766

封装：SOD-123FL

AU2481D1F-T是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。它采用SOD-123FL无铅封装。其尺寸小且具备高ESD/浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想之选。

数据手册

1+
￥0.16836 ￥0.2806
10+
￥0.14712 ￥0.2452
30+
￥0.1365 ￥0.2275
300+
￥0.12216 ￥0.2036
600+
￥0.1158 ￥0.193
900+
￥0.11262 ￥0.1877

有货

立即购买

型号：PESDU1261P1 编号：C610227

封装：DFN1006-2

PESDU1261P1是12V双向TVS二极管，提供快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDU1261P1符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均为±30kV。它采用超小型无铅DFN1006-2封装。小尺寸和高ESD保护使PESDU1261P1成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

数据手册

20+
￥0.1837
200+
￥0.1441
600+
￥0.1221
2000+
￥0.1089

有货

立即购买

型号：SMAJ51CA 编号：C7466465

封装：SMA(DO-214AC)

此款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为51V系统提供全面的正负过压防护。具备4.9A峰值脉冲电流承受能力，在正负电压瞬变时快速响应并准确钳位电压，有效保护电路不受雷击、浪涌及静电放电等瞬态事件损害，确保电子设备在高压波动环境中稳定运行。

20+
￥0.1905
200+
￥0.1473
600+
￥0.1233
5000+
￥0.1089
10000+
￥0.0964
20000+
￥0.0896

订货

我要订货

型号：AQ1210-01ETG 编号：C3712221

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ1210-01ETG双向TVS采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高水平的ESD（静电放电）保护。AQ1210-01ETG TVS可以安全吸收重复的±30 kV ESD（接触放电和空气放电，符合IEC 61000-4-2标准），而不会出现性能下降。此外，每个TVS可以安全耗散15A 8/20us浪涌事件（符合IEC 61000-4-5第二版标准）。

5+
￥2.191
50+
￥1.7275
150+
￥1.5289

有货

立即购买

型号：ESD259-B1-W0201 E6327 编号：C535199

封装：0201

品牌：Infineon(英飞凌)

低钳位电压双向ESD/瞬态保护二极管TVS（瞬态电压抑制器）双向，16 V，4.2 pF，0201封装，符合RoHS标准且无卤

数据手册

1+
￥5.57
10+
￥4.52
30+
￥3.99

有货

立即购买

型号：PTVS1-026C-H 编号：C6256570

封装：DFN-2(6x8)

品牌：BOURNS

PTVS1-xxxC-H系列大电流双向TVS二极管旨在保护直流或以太网供电（PoE）系统，如小型基站或监控摄像头，这些系统可能会遭受诸如感应雷击或电感式电源开关等浪涌事件。这些器件提供双向端口保护，其关断电压额定值为22至86 V。

1+
￥23.78
10+
￥23.26
30+
￥22.92

有货

立即购买

型号：AU0721P0 编号：C393862

封装：DFN0603-2

AU0721P0是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU0721P0符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。其小尺寸和高ESD浪涌保护能力，使AU0721P0成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

数据手册

1+
￥0.07704 ￥0.1284
10+
￥0.06612 ￥0.1102
30+
￥0.06006 ￥0.1001
100+
￥0.0564 ￥0.094
500+
￥0.05322 ￥0.0887
1000+
￥0.05154 ￥0.0859

有货

立即购买

型号：AU1521P1 编号：C3002764

封装：DFN1006-2

AU1521P1是一款15V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU1521P1符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用超小型无铅DFN1006 - 2封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

数据手册

1+
￥0.10326 ￥0.1721
10+
￥0.08988 ￥0.1498
30+
￥0.0825 ￥0.1375
100+
￥0.078 ￥0.13
500+
￥0.0651 ￥0.1085
1000+
￥0.063 ￥0.105

有货

立即购买

型号：SMAJ43CA YT-TD 编号：C50675564

封装：SMA

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

SMAJ43CA 是一款采用 SMA 封装的双向瞬态电压抑制二极管（TVS 管），主要用于电路的过电压保护，能有效吸收瞬时浪涌电流，保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、雷电冲击或其他瞬态电压干扰的损害

20+
￥0.2024
200+
￥0.1588
600+
￥0.1345
5000+
￥0.1199
10000+
￥0.1073
20000+
￥0.1005

订货

我要订货

型号：SMAJ8.0CA 编号：C7466453

封装：SMA(DO-214AC)

SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为高效防护设计。该器件额定击穿电压8V，峰值脉冲电流高达29.4A，能在瞬间吸收浪涌能量，提供亚纳秒级响应保护，有效防止过电压对电路造成损害，是您电路安全的理想选择。

20+
￥0.2363
200+
￥0.1888
600+
￥0.1624
5000+
￥0.1197
10000+
￥0.106
20000+
￥0.0986

订货

我要订货

型号：SMBJ60CA 编号：C7466419

封装：SMB(DO-214AA)

该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管，适用于60V电压系统，提供全面正负向过压保护。能在瞬态事件中承受6.2A峰值脉冲电流，响应迅速并有效钳位异常电压，确保电子设备不受雷击、静电等瞬态现象影响，是高电压环境下的理想双向浪涌防护组件。

20+
￥0.2444
200+
￥0.1931
600+
￥0.1646
3000+
￥0.1293
9000+
￥0.1144
21000+
￥0.1064

订货

我要订货

型号：BNESDONCAN1LT1G 编号：C19077975

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) SOT-23封装 24V双向2路静电保护管 CAN接口常用料

10+
￥0.3768
100+
￥0.2952
300+
￥0.2544
3000+
￥0.2238
6000+
￥0.1993
9000+
￥0.187

订货

我要订货

型号：PESDU2881D3 编号：C610250

封装：SOD-323

PESDU2881D3是一款2.8V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用无铅SOD - 323封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU2881D3成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

数据手册

10+
￥0.4047
100+
￥0.3224
300+
￥0.2812

有货

立即购买

型号：HPESD12VL1BSLAZ 编号：C42401957

封装：DFN1006-2L

这款静电和浪涌保护器件属于双向TVS二极管类型，具备8A的IPP（峰值脉冲电流）承受能力，以及12V的VRWM（重复峰值反向电压）。其特征电容仅为6.5pF，适合要求严苛的高速数据接口保护。适用于单线保护的设计，能在不影响数据传输速率的前提下，为电子设备中的关键线路提供可靠的瞬态电压抑制与静电放电保护，确保设备在遭遇突发电压波动时仍能稳定运行。

10+
￥0.4152
100+
￥0.3308
300+
￥0.2885
1000+
￥0.2568
5000+
￥0.2315
10000+
￥0.2188

订货

我要订货

型号：PESDU4581P6 编号：C610241

封装：DFN1610-2

PESDU4581P6是一款双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDU4581P6符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型1.6x1.0x0.5 mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU4581P6成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

数据手册

5+
￥0.567
50+
￥0.4517
150+
￥0.394
500+
￥0.3507

有货

立即购买

型号：AQ1205-01ETG 编号：C3713749

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ1205-01ETG双向TVS采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高水平的ESD（静电放电）保护。AQ1205-01ETG TVS可以安全地吸收重复的±30 kV ESD冲击（接触放电和空气放电，符合IEC 61000-4-2标准），而不会出现任何性能下降。此外，它还可以安全地耗散7A 8/20us浪涌事件（符合IEC 61000-4-5第二版标准）。

1+
￥4.37
10+
￥4.28
30+
￥4.22

有货

立即购买

型号：PESDU0521P0N 编号：C610222

封装：DFN0603-2

PESDU0521P0N是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型0.6x0.3x0.3 mm无铅DFN封装。超小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU0521P0N成为替代0201尺寸多层压敏电阻（MLV）的理想选择，可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用设备。

数据手册

20+
￥0.1425
200+
￥0.1118
600+
￥0.0947
2000+
￥0.0845

有货

立即购买

型号：AR0521P0 编号：C393848

封装：DFN0603-2