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首页 > 热门关键词 > 双向tvs二极管
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双向TVS 20V截止 峰值脉冲电流：6.2A
型号：SMF20CA 编号：C7466399
封装：SOD-123FL
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
此款SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管，适用于20V系统，提供全面的正负向过电压保护。具有6.2A峰值脉冲电流IPP能力，能够快速响应并有效钳位电路中的瞬态电压变化，确保电子设备免受浪涌、静电放电等瞬态事件损害，是中高压环境下接口及电源线的理想瞬态防护方案。

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    ￥0.127512 ￥0.1449

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    1路双向ESD，可防22kV静电 双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：4A@8/20us
    型号：LY8AC05UL 编号：C3019384
    封装：DFN1006-2
    品牌：Liown(里阳半导体)
    LY8AC05UL是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受±25kV空气放电和±22kV接触放电。该器件采用超小型无铅DFN1006-2封装。其尺寸小、电容超低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。
    数据手册

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    双向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：2.5A@8/20us
    型号：LY8AC15UL 编号：C22434953
    封装：DFN1006-2
    品牌：Liown(里阳半导体)
    LY8AC15UL 是一款双向 TVS 二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低 ESD 钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合 IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受 ±20KV 空气放电和 ±15KV 接触放电。该器件采用超小型无铅 DFN1006 - 2 封装。其尺寸小、电容超低且具备高 ESD 浪涌保护能力，是保护手机和大功率 USB 的理想选择。

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    双向TVS 30V截止 峰值脉冲电流：8.3A
    型号：SMAJ30CA 编号：C7466475
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该TVS瞬态抑制二极管是一款Bi双向设计，采用紧凑型SMA封装，专为高效能双向过电压保护打造。其具有30V的稳定双向反向工作电压VRWM，在正负瞬态冲击下均表现出色，可承受高达8.3A的峰值脉冲电流IPP。迅速响应并有效钳位异常电压，为电源线、信号线及敏感电子设备提供卓越的双向浪涌防护，确保系统安全稳定运行。

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    双向TVS 3.3V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：SLESD3301 编号：C19188351
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Slkor(萨科微)
    SLESD3301是一款单通道3.3V双向TVS二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使SLESD3301成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

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    双向TVS 58V截止 峰值脉冲电流：4.3A
    型号：SMAJ58CA 编号：C7466463
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该TVS瞬态抑制二极管是一款Bi双向器件，封装为小型化的SMA形式，适用于高效能的双向过电压保护。具备58V的稳定双向反向工作电压VRWM，在正负极性瞬变中均能发挥出色性能，可耐受高达4.3A的峰值脉冲电流IPP，快速响应并钳位异常电压至安全水平，是电源线、信号线及各类电子设备防止雷击、静电放电等瞬态电压损害的理想防护组件。

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    双向TVS 30.8V截止 峰值脉冲电流：12.2A
    型号：P6SMB36CA 编号：C7466499
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管，适用于30.8V工作电压环境，提供高效的正负向过压保护。具备12.2A峰值脉冲电流处理能力，在遇到瞬态电压时能快速响应并精确钳位，有效防止电子设备遭受瞬间高压冲击损害，尤其适合在中等功率应用场合作为可靠的浪涌防护器件使用。

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    双向TVS 6V截止 峰值脉冲电流：38.8A
    型号：SMAJ6.0CA 编号：C7466461
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为6V系统提供高效双向过压保护。器件具有出色的38.8A峰值脉冲电流承受能力，在正负电压瞬变下快速响应并精确钳位，有效抵御雷击、浪涌和静电等高能量冲击，确保敏感电子设备在严苛条件下稳定安全运行。

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    双向 43V 5.8A@10/1000us
    型号：SMAJ43CA YT-TD 编号：C50675564
    封装：SMA
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    SMAJ43CA 是一款采用 SMA 封装的双向瞬态电压抑制二极管（TVS 管），主要用于电路的过电压保护，能有效吸收瞬时浪涌电流，保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、雷电冲击或其他瞬态电压干扰的损害

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      ￥0.2024

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    双向TVS 26V截止 峰值浪涌电流：14.3A
    型号：SMBJ26CA 编号：C7466435
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，适用于26V电压系统，提供全面的正负向过压防护。在瞬态事件中可承受高达14.3A峰值脉冲电流，具备快速响应和高效钳位性能，有效防止雷击、静电等瞬变现象对电子设备造成损害，是中高电压环境的理想双向浪涌保护器件。

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      ￥0.206816 ￥0.2248

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      ￥0.161092 ￥0.1751

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    双向ESD 18V截止 峰值浪涌电流：5.5A@8/20us
    型号：BDFN2C181V35 编号：C19077993
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    TVS二极管(ESD) 0402封装 双向 18V ESD静电保护管

    • 20+

      ￥0.21006 ￥0.2334

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      ￥0.12744 ￥0.1416

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      ￥0.09864 ￥0.1096

    • 20000+

      ￥0.0918 ￥0.102
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    双向ESD 24V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：ESD8LB24C 编号：C22368701
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Wild Goose(威谷)
    ESD8LB24C是一款双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD8LB24C符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 KV，接触放电±15 KV。它采用超小型1.6x0.6x0.5 mm无铅0402封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使ESD8LB24C成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

    • 10+

      ￥0.214285 ￥0.2521

    • 100+

      ￥0.169405 ￥0.1993

    • 300+

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      ￥0.130135 ￥0.1531

    • 5000+

      ￥0.11662 ￥0.1372

    • 10000+

      ￥0.109905 ￥0.1293
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    双向TVS 58V截止 峰值脉冲电流：6.5A
    型号：SMBJ58CA 编号：C7495266
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款TVS瞬态抑制二极管采用SMB封装，为双向设计，特别适用于对抗瞬间过电压冲击。具有58V的额定反向工作电压（VRWM）和6.5A的最大脉冲峰值电流（IPP），能在正负极性瞬变事件中快速响应，提供卓越的电路保护能力，有效防止过压损害，确保电子设备稳定运行。

    • 20+

      ￥0.2385 ￥0.265

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      ￥0.19134 ￥0.2126

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      ￥0.1323 ￥0.147

    • 21000+

      ￥0.12492 ￥0.1388
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    1路双向ESD，可防30kV静电 双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：15A@8/20us
    型号：LY323DC05 编号：C3019377
    封装：SOD-323
    品牌：Liown(里阳半导体)
    LY323DCXX是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受±30 kV空气放电和±30 kV接触放电。它采用无铅SOD-323封装。该产品旨在替代手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中的多层压敏电阻（MLV）。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.26619 ￥0.2802

    • 100+

      ￥0.20919 ￥0.2202

    • 300+

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    • 3000+

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    • 6000+

      ￥0.148105 ￥0.1559

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      ￥0.139555 ￥0.1469
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    双向TVS 190V截止 峰值浪涌电流：0.6A
    型号：SMFJ190CA 编号：C22380737
    封装：SOD-123F
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    190V双向 TVS二极管 电源口常用料

    • 10+

      ￥0.2979

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    • 300+

      ￥0.2043

    • 3000+

      ￥0.1809
  • 有货
    • 立即购买
    1路双向ESD，可防30kV静电 双向ESD 8V截止 峰值脉冲电流：18A
    型号：LY323DC08UL 编号：C3019527
    封装：SOD-323
    品牌：Liown(里阳半导体)
    LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.41401 ￥0.4358

    • 100+

      ￥0.328795 ￥0.3461

    • 300+

      ￥0.286235 ￥0.3013

    • 3000+

      ￥0.24795 ￥0.261

    • 6000+

      ￥0.222395 ￥0.2341

    • 9000+

      ￥0.20957 ￥0.2206
  • 有货
    • 立即购买
    1路双向ESD，可防30kV静电 双向ESD 18V截止 峰值脉冲电流：38A@8/20us
    型号：LY323DC18 编号：C3019379
    封装：SOD-323
    品牌：Liown(里阳半导体)
    LY323DCXX是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受±30 kV空气放电和±30 kV接触放电。它采用无铅SOD-323封装。该产品旨在替代手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中的多层压敏电阻（MLV）。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4541 ￥0.478

    • 50+

      ￥0.35834 ￥0.3772

    • 150+

      ￥0.31046 ￥0.3268

    • 500+

      ￥0.27455 ￥0.289

    • 3000+

      ￥0.23389 ￥0.2462

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      ￥0.21945 ￥0.231
  • 有货
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    1路双向ESD，可防30kV静电 双向ESD 24V截止 峰值脉冲电流：5A
    型号：LY323DC24 编号：C3019380
    封装：SOD-323
    品牌：Liown(里阳半导体)
    LY323DCXX是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受±30 kV空气放电和±30 kV接触放电。它采用无铅SOD-323封装。该产品旨在替代手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中的多层压敏电阻（MLV）。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.580165 ￥0.6107

    • 50+

      ￥0.461795 ￥0.4861

    • 150+

      ￥0.402515 ￥0.4237

    • 500+

      ￥0.35815 ￥0.377

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：1A@8/20us
    型号：ULC0511CDN 编号：C2972751
    封装：DFN1006-2
    品牌：JKSEMI(金开盛)
    ULC0511CDN是一款双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间、极低电容和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ULC0511 CDN符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15KV，接触放电±8KV。它采用超小型1.0×0.6×0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和极低电容使ULC0511CDN成为保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口和许多其他便携式应用的理想选择。
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    双向TVS 7.5V截止 峰值浪涌电流：15.5A
    型号：SMF7.5CA 编号：C7466383
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管，专为7.5V系统提供卓越的过电压防护。器件具有强大的双向峰值脉冲电流IPP承载能力达15.5A，能够迅速响应并有效钳位正负向瞬态电压尖峰，保护电路不受浪涌、静电放电等瞬态事件损害，适用于各类接口及电源线的高级瞬态保护应用。

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    1路双向ESD，可防30kV静电 双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：15A@8/20us
    型号：LY523DC05 编号：C3019383
    封装：SOD-523
    品牌：Liown(里阳半导体)
    LY523DC05是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。它符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受±30 kV空气放电和±30 kV接触放电。该器件采用无铅SOD - 523封装。其体积小且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数码相机和其他众多便携式应用设备的理想选择。
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    双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：3.4A
    型号：SMF36CA 编号：C7466391
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，适用于36V系统，提供卓越的正负向过电压保护。具备3.4A峰值脉冲电流IPP能力，能快速响应并有效钳位电路中的瞬态高压，有效抵御浪涌、静电放电等瞬变事件对电子设备的损害，是高电压应用场合的理想防护组件，确保电源线及信号接口安全稳定。

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    双向TVS 9V截止 峰值脉冲电流：13A
    型号：SMF9.0CA 编号：C7466380
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    双向TVS瞬态抑制二极管，采用紧凑型SOD-123FL封装，特别适用于9V系统的全面过电压防护。该器件在正负向均可承载高达13A的峰值脉冲电流IPP，快速响应并高效钳位瞬态电压，有效抵御浪涌、静电放电等对电子设备的损害，是保障电源线、信号线接口稳定性的理想选择。

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    双向TVS 6V截止 峰值脉冲电流：19.4A
    型号：SMFJ6.0CA 编号：C7466376
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管专为6V系统设计，提供强大的正负向过压保护功能。具备出色的19.4A峰值脉冲电流承受能力，在面对双向瞬态电压时能快速响应并有效钳位电压，确保电子设备免受瞬时高压冲击损害，尤其适用于空间受限且需要高浪涌防护性能的应用场景。

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    双向TVS 12V截止 峰值脉冲电流：10.1A
    型号：SMFJ12CA 编号：C7466379
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，适用于12V工作电压环境，提供全面正负向过压保护。具备高达10.1A的峰值脉冲电流承受能力，在面对瞬态电压冲击时能快速响应并精确钳位，有效防止电子设备因瞬间高压受损，尤其适合在紧凑型设计中需要高效浪涌防护的应用场合。

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    双向TVS 24V截止 峰值脉冲电流：10.3A
    型号：SMAJ24CA 编号：C7466481
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款SMA封装的TVS瞬态抑制二极管为Bi双向类型，专为高效能双向过电压保护设计。具有24V的稳定双向反向工作电压VRWM，在正负极性瞬变中均表现出色，可承受峰值脉冲电流IPP高达10.3A。它能够快速响应并精确钳位瞬间高压，有效防止雷击、静电放电等引起的电路损坏，是电源线、信号线以及各类电子设备理想的瞬态保护解决方案。

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    双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：65.3A
    型号：SMBJ5.0CA 编号：C7473313
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管专为5V电压系统设计，提供强大的正负向过压保护。在瞬态事件中能承受高达65.3A的峰值脉冲电流，响应迅速并有效钳位异常电压，尤其适用于低电压环境下的电源线、信号线防雷击、静电放电等高电流冲击，是低压应用的理想高效浪涌防护元件。

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    双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：WPE0521NB 编号：C5143680
    封装：DFN0603-2
    品牌：WPMtek(维攀)
    WPE0521NB是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单晶硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。WPE0521NB电容超低，典型值为0.25pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±20kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容超低且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数字视频接口、HDMI、DVI、USB2.0、USB3.0等高速端口的理想选择。
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    双向TVS 7.5V截止 峰值脉冲电流：46.6A
    型号：SMBJ7.5CA 编号：C7466416
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款高性能TVS瞬态抑制二极管采用SMB封装，为Bi双向类型，特别适用于低电压应用场合。具备7.5V的稳定双向反向工作电压VRWM，在面对瞬态过电压冲击时，能承受高达46.6A的峰值脉冲电流IPP，快速响应并高效钳位，为您的敏感电子设备提供卓越的正负极性浪涌防护，确保电路在极端条件下安全运行。

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    双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：JCA0510D1 编号：C2972755
    封装：DFN0603-2
    品牌：JKSEMI(金开盛)
    JCA0510D1是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。JCA0510D1的电容超低，典型值为0.4 pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±20 kV，接触放电±15 kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容超低且具有高ESD浪涌保护能力，使JCA0510D1成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。
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