双向tvs二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BDFN2C4R51V50 编号：C19077990

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) 0402封装双向4.5V ESD静电保护管

20+
￥0.20277 ￥0.2253
200+
￥0.15903 ￥0.1767
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￥0.13473 ￥0.1497
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￥0.12015 ￥0.1335
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￥0.10755 ￥0.1195
20000+
￥0.10071 ￥0.1119

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型号：LY323DC05UL 编号：C2925448

封装：SOD-323

品牌：Liown(里阳半导体)

LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

数据手册

10+
￥0.335944 ￥0.3428
100+
￥0.25872 ￥0.264
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￥0.220108 ￥0.2246
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￥0.198646 ￥0.2027
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￥0.17542 ￥0.179
9000+
￥0.163856 ￥0.1672

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型号：TSD05CDYFR 编号：C20611048

封装：SOD-323

品牌：TI(德州仪器)

是双向TVS保护二极管，专为钳制ESD和浪涌等有害瞬变而设计。器件的额定ESD冲击消散值高达 ±30kV（接触放电和空气间隙放电），这超过了IEC61000-4-2国际标准中规定的最高级别（4级）。结合了强大钳位性能和低电容，可在许多不同应用中保护数据线路和电源线路。采用业界通用的引线式SOD-323封装，可轻松焊接。

数据手册

5+
￥1.1634
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￥0.9042
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￥0.793
500+
￥0.6544

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型号：PESD24VL2BT,215 编号：C12323

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

钳位电压最大:70V SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011) SMD标号: V7 二极管类型: 双向TVS 击穿电压: 27.8V 击穿电压最小: 25.4V 封装类型: SOT-23 工作温度范围: -65°C 到 +150°C 截止电压: 24V 最高击穿电压: 30.3V 电容, Cd典型值 @ Vr: 11pF 脉冲峰值功率: 200W 表面安装器件: 表面安装钳位电压, 8/20us 最大: 70V

数据手册

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￥1.3811
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￥0.9588
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￥0.8007
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￥0.6641
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型号：RCLAMP0521P(UMW) 编号：C7394011

封装：DFN1006-2

品牌：UMW(友台半导体)

特性：双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，响应时间快，ESD钳位电压低。超小封装：1.0×0.6×0.5mm。超低电容：典型值0.3pF。超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。应用：手机及配件。显示端口

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￥0.0546
10000+
￥0.0484
20000+
￥0.043
50000+
￥0.04

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型号：BTRD04A15 编号：C19188343

封装：DFN1006-2

品牌：Slkor(萨科微)

BTRD04A15是一款15V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。BTRD04A15符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用超小型1.0x0.6 mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使BTRD04A15成为保护手机、数码相机、音频播放器和其他众多便携式应用的理想选择。

20+
￥0.12 ￥0.15
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￥0.0928 ￥0.116
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￥0.07768 ￥0.0971
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￥0.06856 ￥0.0857
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￥0.06072 ￥0.0759
20000+
￥0.05648 ￥0.0706

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型号：SMAJ36CA 编号：C7466471

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为36V工作电压下的双向过压保护而设计。器件具备出色的瞬态响应能力，能承受峰值脉冲电流IPP高达6.9A，在正负方向均可高效吸收与钳位异常电压，有效防止浪涌、静电放电等对电路造成的损害，确保电子设备在高压瞬变环境下稳定可靠运行。

10+
￥0.154845 ￥0.1665
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￥0.123504 ￥0.1328
300+
￥0.106206 ￥0.1142
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￥0.09579 ￥0.103
5000+
￥0.086769 ￥0.0933
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￥0.08184 ￥0.088

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型号：SMBJ6.5CA 编号：C7466421

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为低电压系统设计，具备6.5V稳定的双向反向工作电压VRWM。能在正负瞬态过压下承受高达53.6A的峰值脉冲电流IPP，快速响应并高效钳位异常电压，提供全面的双向浪涌保护，有效防止雷击、静电等冲击对电子设备造成损害，适用于电源及信号线的高效防护需求。

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￥0.19647 ￥0.2183
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￥0.09594 ￥0.1066

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型号：RL0201Q0501UC 编号：C39831950

封装：DFN0603-2

品牌：RUILON(瑞隆源)

RL0201Q0501UC 是一款双向 TVS 二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想选择。RL0201Q0501UC 具有超低电容，典型值为 0.4pF，符合 IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电 ± 25kV，接触放电 ± 20kV。

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￥0.208905 ￥0.2199
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￥0.162735 ￥0.1713
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￥0.137085 ￥0.1443
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￥0.121695 ￥0.1281
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￥0.108395 ￥0.1141
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￥0.101175 ￥0.1065

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型号：ESD8LB5.0C 编号：C22368694

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

ESD8LB5.0C是一款双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，响应时间快，ESD钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD8LB5.0C符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±20 KV，接触放电±15 KV。它采用超小型1.0×0.6×0.5mm无铅0402封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使ESD8LB5.0C成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

10+
￥0.22689 ￥0.2521
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￥0.17937 ￥0.1993
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￥0.12348 ￥0.1372
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￥0.11637 ￥0.1293

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型号：SMBJ48CA 编号：C7495263

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管适用于48V电压系统，提供全面的正负向过压防护。在瞬态事件中可承受7.8A峰值脉冲电流，响应迅速并高效钳位电压波动，有效保护电子设备免受雷击、静电等瞬态冲击的影响，是中高电压环境的理想双向浪涌保护解决方案。

20+
￥0.23715 ￥0.255
200+
￥0.189441 ￥0.2037
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￥0.162936 ￥0.1752
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￥0.132339 ￥0.1423
9000+
￥0.118482 ￥0.1274
21000+
￥0.111042 ￥0.1194

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型号：SLPESD15VL2BT 编号：C21714301

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

SLPESD15VL2BT是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可实现快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。SLPESD15VL2BT符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用无铅SOT - 23封装。该器件旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌的影响。

10+
￥0.3666
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￥0.2898
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￥0.2514
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￥0.2226
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￥0.1996
9000+
￥0.188

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型号：SM24.TCT 编号：C85194

封装：SOT-23

品牌：SEMTECH

SM系列瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护连接到数据和传输线路的组件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的电压浪涌影响。TVS二极管具有高浪涌能力、低工作电压和钳位电压以及快速响应时间的特点。这使其非常适合用作敏感半导体组件的板级保护。双结共阳极设计允许用户保护一条双向数据线或两条单向线路。低矮的SOT23封装为“拥挤”电路板的设计提供了灵活性。SM系列将满足IEC 61000 - 4 - 2（原IEC 801 - 2）4级空气和接触放电“人体模型”的浪涌要求。

数据手册

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￥2.15
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￥1.7577 ￥1.89
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￥1.4774 ￥1.78
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￥1.3529 ￥1.63
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￥1.3031 ￥1.57
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￥1.2699 ￥1.53

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型号：SD05C.TCT 编号：C85200

封装：SOD-323

品牌：SEMTECH

SDxxC TVS二极管旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中的多层压敏电阻 (MLV)。与MLV相比，它们具有卓越的电气特性，如更低的钳位电压，且不会出现器件性能退化的问题。SDxxC系列TVS二极管用于保护敏感半导体元件，避免其因静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。SDxxC采用SOD - 323封装，可保护一条双向线路。其工作电压为5 - 24伏。这些器件与0805 MLV器件占用相同的PCB焊盘面积。在不适合使用阵列的应用中，它们为设计人员提供了保护单条线路的灵活性。此外，在电路板空间有限的应用中，可将其“分散”布置在电路板各处。它们可用于满足IEC 61000 - 4 - 2（4级 ±15KV空气放电、±8KV接触放电）的ESD抗扰度要求。

数据手册

5+
￥2.43
50+
￥1.93
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￥1.71
500+
￥1.27
3000+
￥1.15
6000+
￥1.07

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型号：ESD5451N 编号：C6321761

封装：DFN1006-2

品牌：DOWO(东沃)

ESD5451N是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD5451N符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅0402封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

100+
￥0.0466
1000+
￥0.0358
3000+
￥0.0298
10000+
￥0.0278
50000+
￥0.0247
140000+
￥0.023

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型号：SMF6.5CA 编号：C46550842

封装：SOD-123FL

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

这款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为6.5V系统提供卓越的正负向过电压保护。具备高达17.9A的峰值脉冲电流IPP能力，能迅速响应并钳位电路中的瞬态电压波动，有效抵御浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的损害，适用于电源线及信号接口的高效防护需求。

50+
￥0.1027
500+
￥0.08
3000+
￥0.0674
6000+
￥0.0599

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型号：BNESD5Z5.0C 编号：C19077987

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) SOD-523封装双向5V静电保护管

50+
￥0.10449 ￥0.1161
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￥0.08019 ￥0.0891
1500+
￥0.06669 ￥0.0741
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25000+
￥0.05157 ￥0.0573
50000+
￥0.0477 ￥0.053

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型号：AR0521D5 编号：C19626369

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

是双向TVS二极管，提供快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。具有超低电容，典型值为0.3pF，可承受±25kV空气放电和±22kV接触放电。

20+
￥0.1572
200+
￥0.122
600+
￥0.1024
3000+
￥0.0907
9000+
￥0.0805
21000+
￥0.075

有货

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型号：SMAJ6.5CA 编号：C7466459

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMA封装的高性能双向TVS瞬态抑制二极管，专为6.5V系统提供强劲过压防护。其卓越性能体现在高达35.7A的峰值脉冲电流承受能力上，能在正负电压尖峰下迅速响应并有效钳位，确保电子设备免受雷击、静电放电和电源瞬变等带来的冲击损害，保障电路稳定可靠运行。

20+
￥0.1748 ￥0.19
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￥0.13984 ￥0.152
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￥0.120336 ￥0.1308
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￥0.084272 ￥0.0916

有货

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型号：SMAJ48CA 编号：C7466466

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管，适用于48V电压系统，提供卓越的正负过压防护。具备5.2A峰值脉冲电流处理能力，能在高压瞬变下快速响应并精准钳位，有效保护电路免受雷击、浪涌和静电放电等瞬态事件冲击，确保电子设备在严苛条件下稳定可靠运行。

20+
￥0.176438 ￥0.1877
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￥0.140342 ￥0.1493
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￥0.12032 ￥0.128
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￥0.098888 ￥0.1052
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￥0.088454 ￥0.0941
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￥0.082814 ￥0.0881

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型号：SMBJ30CA 编号：C7495260

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为30V电压系统设计，提供高效双向过压保护。在正负瞬态过电压情况下可承受高达12.4A峰值脉冲电流，响应迅速并精确钳位电压尖峰，适用于电源线、信号线防雷击、静电放电等瞬态冲击，是中等电压环境下的理想双向浪涌防护器件。

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￥0.2019
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型号：BDFN2C071V45 编号：C19077991

封装：DFN1006-2L

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) 0402封装双向7V ESD静电保护管 IPP=40A

20+
￥0.20277 ￥0.2253
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￥0.15903 ￥0.1767
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￥0.13473 ￥0.1497
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￥0.10071 ￥0.1119

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型号：SMBJ10CA 编号：C7495258

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，特别适用于中低电压系统的全面防护。具备10V的稳定双向反向工作电压VRWM，在正负瞬态过压下表现出色，能承受高达35.3A的峰值脉冲电流IPP。快速响应并高效钳位异常电压，为电源线、信号线以及各类电子设备提供卓越的双向浪涌保护，确保系统免受雷击、静电放电等瞬态事件影响。

20+
￥0.211482 ￥0.2274
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￥0.171492 ￥0.1844
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型号：SMBJ12CA 编号：C7466450

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的TVS瞬态抑制二极管为Bi双向类型，特别适用于中低电压系统的高效双向过压保护。具有12V的稳定双向反向工作电压VRWM，能在正负极性瞬变下安全运作，并能承受高达30.2A的峰值脉冲电流IPP。快速响应并准确钳位瞬间过电压，为电源线、信号线及各类电子设备提供卓越的浪涌防护性能，有效抵御雷击、静电等瞬态事件冲击。

20+
￥0.21528 ￥0.2392
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￥0.17253 ￥0.1917
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￥0.14877 ￥0.1653
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￥0.11277 ￥0.1253
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￥0.10035 ￥0.1115
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￥0.09378 ￥0.1042

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型号：PESD24VS1UB 编号：C2985484

封装：SOD-523

品牌：DOWO(东沃)

PESD24VS1UB是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESD24VS1UB符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受±15 kV空气放电和±8 kV接触放电。该器件采用超小型SOD - 523无铅封装。其尺寸小巧且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

数据手册

20+
￥0.2243
200+
￥0.1763
600+
￥0.1523
3000+
￥0.1387
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￥0.1243
21000+
￥0.117

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型号：SMBJ28CA 编号：C7466433

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，特别适用于中等电压应用。具备28V稳定的双向反向工作电压VRWM，在正负瞬态过压情况下可承受高达13.3A的峰值脉冲电流IPP，提供快速响应及高效钳位功能，有效保护电路不受雷击、静电放电等瞬态事件影响，是电源线和信号线的理想双向浪涌防护选择。

20+
￥0.2395
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￥0.1095
21000+
￥0.1016

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型号：LY323DC24UL 编号：C3019381

封装：SOD-323

品牌：Liown(里阳半导体)

LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

数据手册