双向tvs二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

二极管 TVS 1uA 5V 钳位电压最大: 28V 二极管封装形式: SOT-23 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) SMD标号: V4 TVS 极性: 双向二极管配置: 双向击穿电压: 7.6V 击穿电压最小: 7V 击穿电压范围: 7V 至 8.2V 峰值脉冲电流: 13A 工作温度最小值: -65°C 工作温度最高值: 150°C 工作温度范围: -65°C 至 +150°C 截止电压: 5V 最低击穿电压: 7V 最高击穿电压: 8.2V 电压, Vrwm: 5V 电容值, Cd @ Vr 典型值: 75pF 脉冲峰值功率: 350W 表面安装器件: SMD 钳位电压, 8/20us 最大: 28V

数据手册

5+
￥0.9904
50+
￥0.8077
150+
￥0.7164
500+
￥0.6479
3000+
￥0.5828
6000+
￥0.5554

有货

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型号：SLESD11LL5.0CT5G 编号：C2904402

封装：DFN0603-2L

品牌：Slkor(萨科微)

SLESD11LL5.0CT5是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。SLESD11LL5.0CT5符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±20 kV，接触放电±15 kV。该器件采用超小型0.6x0.3x0.3 mm无铅0201封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想之选。

数据手册

20+
￥0.1425
200+
￥0.1144
600+
￥0.0988
2000+
￥0.0895
15000+
￥0.0725
30000+
￥0.0681

有货

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型号：SMBJ33CA 编号：C7466430

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMB封装的TVS瞬态抑制二极管为Bi双向设计，适用于中高压电路的全面保护。具备33V的稳定双向反向工作电压VRWM，在正负过压事件下表现出色，可承受高达11.3A的峰值脉冲电流IPP，有效吸收并快速钳位瞬态电压，为电源线、信号线及敏感电子设备提供卓越的双向浪涌防护能力，确保系统免受雷击、静电等瞬态冲击的影响。

10+
￥0.201848 ￥0.2194
100+
￥0.163116 ￥0.1773
300+
￥0.141588 ￥0.1539
3000+
￥0.115092 ￥0.1251
6000+
￥0.10396 ￥0.113
9000+
￥0.097888 ￥0.1064

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型号：ESD56151W04-2/TR 编号：C6163195

封装：SOD-323

品牌：DOWO(东沃)

ESD56151W04-2/TR是一款双向高功率TVS二极管，采用领先的单片硅技术，可实现快速响应时间和低ESD钳位电压，使其成为保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD56151W04-2/TR符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型无铅SOD-323封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使ESD56151W04-2/TR成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

10+
￥0.2537
100+
￥0.1985
300+
￥0.1709
3000+
￥0.1594
6000+
￥0.1429
9000+
￥0.1346

有货

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型号：SMF18CA 编号：C7466400

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管，专为18V系统提供全面的正负向过电压防护。具备高达6.8A的峰值脉冲电流承载能力，能快速响应并钳位电路中的瞬态电压变化，有效抵御浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的冲击损害，是中高电压应用场合下电源线及信号接口的理想保护选择。

20+
￥0.09639 ￥0.1134
200+
￥0.077775 ￥0.0915
600+
￥0.06749 ￥0.0794
3000+
￥0.059925 ￥0.0705
9000+
￥0.05457 ￥0.0642
21000+
￥0.05168 ￥0.0608

有货

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型号：SMAJ36CA YP 编号：C46956336

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

该SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为36V工作电压下的双向过压保护而设计。器件具备出色的瞬态响应能力，能承受峰值脉冲电流IPP高达6.9A，在正负方向均可高效吸收与钳位异常电压，有效防止浪涌、静电放电等对电路造成的损害，确保电子设备在高压瞬变环境下稳定可靠运行。

20+
￥0.1342
200+
￥0.1068
600+
￥0.0916

有货

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型号：PESD1CAN 编号：C284094

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

PESD1CAN是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，响应时间快，ESD钳位电压低，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。PESD1CAN符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15kV，接触放电±8kV。它采用无铅SOT - 23封装，旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌的影响。

数据手册

10+
￥0.2782
100+
￥0.2137
300+
￥0.1815
3000+
￥0.1762
6000+
￥0.1568
9000+
￥0.1472

有货

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型号：NUP2105LT1G 编号：C2976509

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

NUP2105LT1G是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15kV，接触放电±8kV，采用无铅SOT - 23封装，旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌影响。

数据手册

10+
￥0.2962
100+
￥0.2386
300+
￥0.2098
3000+
￥0.1798
6000+
￥0.1625
9000+
￥0.1539

有货

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型号：SMF30CA 编号：C7466393

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管，专为30V系统设计，具备高效双向过电压保护功能。器件能在正负方向上承载4.1A峰值脉冲电流IPP，快速响应并钳位电路中的瞬态高压波动，有效防止浪涌、静电放电对电子设备造成损害，是中高电压应用场景下接口及电源线的理想防护元件。

20+
￥0.10928 ￥0.1366
200+
￥0.08824 ￥0.1103
600+
￥0.07664 ￥0.0958
3000+
￥0.06792 ￥0.0849
9000+
￥0.06184 ￥0.0773
21000+
￥0.05856 ￥0.0732

有货

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型号：SMAJ6.5CA WK 编号：C46956335

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

这款SMA封装的高性能双向TVS瞬态抑制二极管，专为6.5V系统提供强劲过压防护。其卓越性能体现在高达35.7A的峰值脉冲电流承受能力上，能在正负电压尖峰下迅速响应并有效钳位，确保电子设备免受雷击、静电放电和电源瞬变等带来的冲击损害，保障电路稳定可靠运行。

20+
￥0.1945
200+
￥0.153
600+
￥0.1299
5000+
￥0.116
10000+
￥0.104
20000+
￥0.0975

有货

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型号：P6SMB6.8CA 编号：C46550837

封装：SMB

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

此款SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管适用于5.8V系统，为正负向过电压提供全面防护。具备卓越的58.1A峰值脉冲电流承受能力，在遭遇双向瞬态电压时能快速响应并高效钳位，有效保护电路免受瞬间高压冲击，尤其适合高浪涌电流处理要求的小型化电子设备设计。

20+
￥0.2109
200+
￥0.1655
600+
￥0.1403
3000+
￥0.1252
9000+
￥0.1121

有货

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型号：SMBJ28CA 编号：C46956334

封装：SMB

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

这款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，特别适用于中等电压应用。具备28V稳定的双向反向工作电压VRWM，在正负瞬态过压情况下可承受高达13.3A的峰值脉冲电流IPP，提供快速响应及高效钳位功能，有效保护电路不受雷击、静电放电等瞬态事件影响，是电源线和信号线的理想双向浪涌防护选择。

20+
￥0.1553
200+
￥0.124
600+
￥0.1066
3000+
￥0.0962
9000+
￥0.0871
21000+
￥0.0823

有货

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型号：SMBJ43CA 编号：C7495261

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该TVS瞬态抑制二极管是一款高性能双向保护器件，采用紧凑型SMB封装，适用于各类电路的过电压防护。其关键参数包括43V的反向工作电压（VRWM）和高达8.7A的峰值脉冲电流（IPP），确保在正负瞬变情况下快速响应并钳位异常电压，有效防止过压对敏感电子元件造成损害。

20+
￥0.162925 ￥0.1715
200+
￥0.142405 ￥0.1499
600+
￥0.131005 ￥0.1379
3000+
￥0.114095 ￥0.1201
9000+
￥0.108205 ￥0.1139
21000+
￥0.104975 ￥0.1105

有货

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型号：SMAJ15CA 编号：C7466491

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SMA封装的优质双向TVS瞬态抑制二极管，专为高效双向过电压保护打造。其VRWM额定反向工作电压为15V，在遭遇瞬态事件时能安全承受峰值脉冲电流IPP高达16.4A，确保在快速响应下将电压尖峰箝位至安全水平，有效防止电路因雷击、静电放电或电源波动等引起的损坏，保障系统稳定性和可靠性。

10+
￥0.17112 ￥0.186
100+
￥0.135332 ￥0.1471
300+
￥0.11546 ￥0.1255
1000+
￥0.1035 ￥0.1125
5000+
￥0.093196 ￥0.1013
10000+
￥0.087584 ￥0.0952

有货

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型号：LCDA05.TBT 编号：C132254

封装：SOIC-8

品牌：SEMTECH

LCDA系列瞬态电压抑制（TVS）阵列旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闩锁。每个器件可保护两条高速线路。它们有5V、12V、15V和24V的工作电压可选。这些器件为双向器件，可用于信号极性高于和低于地的线路。TVS二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件。它们具有适用于电路板级保护的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。LCDA系列器件的特点是将低电容补偿二极管与标准TVS二极管串联，为高速接口提供集成的低电容解决方案。

数据手册

1+
￥9.21
10+
￥7.73
30+
￥6.91
100+
￥5.99
500+
￥5.58
1000+
￥5.4

有货

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型号：SMF12CA 编号：C7466406

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SOD-123FL封装的高效双向TVS瞬态抑制二极管，专为精密电子设备提供卓越过电压保护。具有12V的反向工作电压VRWM和高达10.1A的双向峰值脉冲电流IPP能力，能在瞬间吸收并抑制电源线、信号线上的浪涌及瞬态干扰，有效防止静电放电和过压事件对电路造成的损害，是现代低电压应用的理想防护组件。

50+
￥0.113252 ￥0.1231
500+
￥0.090896 ￥0.0988
3000+
￥0.076176 ￥0.0828
6000+
￥0.068724 ￥0.0747
24000+
￥0.062284 ￥0.0677
51000+
￥0.058788 ￥0.0639

有货

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型号：SMAJ15CA 编号：C46956337

封装：SMA

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

SMA封装的优质双向TVS瞬态抑制二极管，专为高效双向过电压保护打造。其VRWM额定反向工作电压为15V，在遭遇瞬态事件时能安全承受峰值脉冲电流IPP高达16.4A，确保在快速响应下将电压尖峰箝位至安全水平，有效防止电路因雷击、静电放电或电源波动等引起的损坏，保障系统稳定性和可靠性。

20+
￥0.1551
200+
￥0.1217
600+
￥0.1031
5000+
￥0.0919
10000+
￥0.0823

有货

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型号：SMBJ6.0CA 编号：C46956405

封装：SMB

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为低电压系统提供高效双向过压保护。具备6V稳定的反向工作电压VRWM，在正负瞬变下能承受高达58.3A峰值脉冲电流IPP，快速响应并精确钳位瞬态电压，有效防护电源线、信号线免受雷击、静电等高电流冲击，是低压环境的理想浪涌防护器件。

20+
￥0.1731
200+
￥0.1358
600+
￥0.115
3000+
￥0.1026
9000+
￥0.0918

有货

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型号：BNSPHV36-C 编号：C19077976

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) 0402封装 36V双向静电保护管

10+
￥0.2331
100+
￥0.2051
300+
￥0.1911
1000+
￥0.1806
5000+
￥0.1722
10000+
￥0.168

有货

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型号：TPIP4233CZ6 编号：C5182076

封装：SOT-363

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：超低电容：典型值0.6pF。超低泄漏：纳安级别。低工作电压：5.5V。双向TVS二极管阵列。低钳位电压。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试空气放电：±20kV 接触放电：±15kV。应用：血糖仪。平板电脑

数据手册

5+
￥0.8284
50+
￥0.731
150+
￥0.6893
500+
￥0.6373
3000+
￥0.5386
6000+
￥0.5247

有货

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型号：SMBJ36CA 编号：C7466428

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为36V系统设计，提供全面正负向过压保护。能在瞬态事件中承受10.4A峰值脉冲电流，快速响应并有效钳位电压波动，适用于电源线、信号线的双向浪涌防护，有效抵御雷击、静电等引起的瞬态冲击，确保电子设备稳定运行。

20+
￥0.194204 ￥0.2066
200+
￥0.154442 ￥0.1643
600+
￥0.132446 ￥0.1409
3000+
￥0.115056 ￥0.1224
9000+
￥0.103588 ￥0.1102
21000+
￥0.097384 ￥0.1036

有货

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型号：SMBJ16CA-E3/52 编号：C232207

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：VISHAY(威世)

16VWM,600W,双向,TVS二极管

数据手册

5+
￥0.9529
50+
￥0.7628
150+
￥0.6678
750+
￥0.5965
2250+
￥0.5395
5250+
￥0.511

有货

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型号：SMBJ24CA BZ-TD 编号：C49211287

封装：SMB

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

SMBJ24CA 是一款双向瞬态抑制二极管（TVS）

20+
￥0.184
200+
￥0.1443
600+
￥0.1223
3000+
￥0.1091
9000+
￥0.0976

有货

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型号：SMBJ40CA 编号：C7466426

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，适用于中等电压系统的全面防护。具有40V稳定的双向反向工作电压VRWM，能在正负瞬态过压下承受高达9.3A峰值脉冲电流IPP，快速响应并高效钳位电压尖峰，有效防止雷击、静电放电等引起的电路损坏，为电源线与信号线提供卓越的双向浪涌保护。

10+
￥0.21375 ￥0.2375
100+
￥0.17352 ￥0.1928
300+
￥0.1512 ￥0.168
3000+
￥0.11853 ￥0.1317
6000+
￥0.10692 ￥0.1188
9000+
￥0.10071 ￥0.1119

有货

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型号：SMF6.0CA 编号：C46550841

封装：SOD-123FL

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为高效双向过电压保护设计。具备6V的反向工作电压VRWM及高达19.4A的峰值脉冲电流IPP能力，能快速响应并吸收正负方向的电压瞬变和浪涌冲击，有效防止静电放电和过压对电路造成损害，尤其适用于高速数据线、I/O接口等低电压系统的瞬态防护需求。

50+
￥0.1031
500+
￥0.0809
3000+
￥0.0685
6000+
￥0.0611

有货

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型号：BSD3C301V 编号：C19077996

封装：SOD-323

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) SOD-323封装双向 30V ESD静电保护管

10+
￥0.3685
100+
￥0.2951
300+
￥0.2583
3000+
￥0.2235
6000+
￥0.2015
9000+
￥0.1904

有货

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型号：ESDS452DBZRQ1 编号：C36965687

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

ESDS452-Q1 是一款双向 ESD 和 TVS 二极管。ESDS452-Q1 的额定 ESD 冲击消散值超出了 IEC61000-4-2 国际标准所规定的最高水平（±30kV 接触放电，±30kV 空气间隙放电）。根据 IEC 61000-4-5 标准，该器件可以钳制峰值脉冲电流高达 18A 的 8/20 μs 浪涌。此外，二极管的正负低钳位电压有助于防止下游电路在 ESD 或浪涌事件期间暴露于高电压和大电流中。这种保护很关键，因为汽车系统在控制安全设备时需要高度的稳健性和可靠性。ESDS452-Q1 采用小型引线式 SOT-23 (DBZ) 封装。

数据手册