双向tvs二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：TPIP4233CZ6 编号：C5182076

封装：SOT-363

特性：超低电容：典型值0.6pF。超低泄漏：纳安级别。低工作电压：5.5V。双向TVS二极管阵列。低钳位电压。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试空气放电：±20kV 接触放电：±15kV。应用：血糖仪。平板电脑

数据手册

5+
￥0.8284
50+
￥0.731
150+
￥0.6893
500+
￥0.6373
3000+
￥0.5386
6000+
￥0.5247

有货

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型号：TPD4E1B06DCKR-TP 编号：C2923390

封装：SOT-363

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：超低电容：典型值0.6pF（I/O到GND）。超低泄漏：nA级别。低工作电压：5.5V。双向TVS二极管阵列。低钳位电压。 4条I/O线瞬态保护。应用：血糖仪。平板电脑

数据手册

5+
￥1.4768
50+
￥1.1744
150+
￥1.0448
500+
￥0.8831
3000+
￥0.7153
6000+
￥0.672

有货

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型号：SMBJ45CA 编号：C7466424

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款TVS瞬态抑制二极管采用SMB封装，具备双向保护功能，适用于45V工作电压环境下的电路防护。其设计能够承受高达8.3A的峰值脉冲电流，在正负瞬态过电压情况下迅速响应并有效箝位电压，确保电子设备免受瞬态浪涌冲击损害，是精密电路的理想过压保护元件。

20+
￥0.19971 ￥0.2219
200+
￥0.15912 ￥0.1768
600+
￥0.13644 ￥0.1516
3000+
￥0.10683 ￥0.1187
9000+
￥0.09513 ￥0.1057
21000+
￥0.08874 ￥0.0986

有货

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型号：BNSPHV36-C 编号：C19077976

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) 0402封装 36V双向静电保护管

10+
￥0.3243
100+
￥0.2571
300+
￥0.2235
1000+
￥0.1983
5000+
￥0.1781
10000+
￥0.168

有货

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型号：SMF5.0CA 编号：C7466389

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为5V系统提供高效过电压保护。拥有出色的双向峰值脉冲电流IPP能力高达21.7A，在正负方向均可快速响应瞬态电压变化，并有效钳位至安全水平，防止浪涌、静电放电对电路造成损害，适用于各类低电压高速接口和电源线的瞬态防护需求。

20+
￥0.1166 ￥0.1325
200+
￥0.092664 ￥0.1053
600+
￥0.079376 ￥0.0902
3000+
￥0.071368 ￥0.0811
9000+
￥0.064504 ￥0.0733
21000+
￥0.06072 ￥0.069

有货

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型号：SMBJ6.5CA 编号：C7466421

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为低电压系统设计，具备6.5V稳定的双向反向工作电压VRWM。能在正负瞬态过压下承受高达53.6A的峰值脉冲电流IPP，快速响应并高效钳位异常电压，提供全面的双向浪涌保护，有效防止雷击、静电等冲击对电子设备造成损害，适用于电源及信号线的高效防护需求。

10+
￥0.19647 ￥0.2183
100+
￥0.1584 ￥0.176
300+
￥0.13725 ￥0.1525
3000+
￥0.11277 ￥0.1253
6000+
￥0.10179 ￥0.1131
9000+
￥0.09594 ￥0.1066

有货

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型号：P6SMB33CA 编号：C7495253

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为28.2V系统提供全面的正负向过压防护。具备13.3A峰值脉冲电流承受能力，在面对双向瞬态电压冲击时能快速响应并有效钳位，确保电子设备不受瞬间高压损害，是中等功率应用的理想选择，实现高效、可靠的浪涌保护。

10+
￥0.30756 ￥0.3495
100+
￥0.256256 ￥0.2912
300+
￥0.23056 ￥0.262
3000+
￥0.18392 ￥0.209
6000+
￥0.16852 ￥0.1915
9000+
￥0.160864 ￥0.1828

有货

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型号：LY323DC05UL 编号：C2925448

封装：SOD-323

品牌：Liown(里阳半导体)

LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

数据手册

10+
￥0.347606 ￥0.3547
100+
￥0.267736 ￥0.2732
300+
￥0.227752 ￥0.2324
3000+
￥0.205506 ￥0.2097
6000+
￥0.181594 ￥0.1853
9000+
￥0.16954 ￥0.173

有货

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型号：BSD3C301V 编号：C19077996

封装：SOD-323

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) SOD-323封装双向 30V ESD静电保护管

10+
￥0.3685
100+
￥0.2951
300+
￥0.2583
3000+
￥0.2235
6000+
￥0.2015
9000+
￥0.1904

有货

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型号：PESD24VL2BT,215 编号：C12323

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

钳位电压最大:70V SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011) SMD标号: V7 二极管类型: 双向TVS 击穿电压: 27.8V 击穿电压最小: 25.4V 封装类型: SOT-23 工作温度范围: -65°C 到 +150°C 截止电压: 24V 最高击穿电压: 30.3V 电容, Cd典型值 @ Vr: 11pF 脉冲峰值功率: 200W 表面安装器件: 表面安装钳位电压, 8/20us 最大: 70V

数据手册

5+
￥1.0705
50+
￥0.8423
150+
￥0.7445
500+
￥0.6225
3000+
￥0.5171
6000+
￥0.4845

有货

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型号：SMF6.0CA 编号：C46550841

封装：SOD-123FL

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为高效双向过电压保护设计。具备6V的反向工作电压VRWM及高达19.4A的峰值脉冲电流IPP能力，能快速响应并吸收正负方向的电压瞬变和浪涌冲击，有效防止静电放电和过压对电路造成损害，尤其适用于高速数据线、I/O接口等低电压系统的瞬态防护需求。

50+
￥0.1048
500+
￥0.0825
3000+
￥0.0702
6000+
￥0.0627

有货

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型号：P6SMB6.8CA 编号：C46550837

封装：SMB

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

此款SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管适用于5.8V系统，为正负向过电压提供全面防护。具备卓越的58.1A峰值脉冲电流承受能力，在遭遇双向瞬态电压时能快速响应并高效钳位，有效保护电路免受瞬间高压冲击，尤其适合高浪涌电流处理要求的小型化电子设备设计。

20+
￥0.2193
200+
￥0.1739
600+
￥0.1487
3000+
￥0.1336
9000+
￥0.1205

有货

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型号：BN5C4R51V160 编号：C19078057

封装：DFN1610

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) DFN1610 4.5V双向静电保护管大电流

5+
￥0.6755
50+
￥0.5315
150+
￥0.4595
500+
￥0.4055
3000+
￥0.3494
6000+
￥0.3278

有货

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型号：SM24.TCT 编号：C85194

封装：SOT-23

品牌：SEMTECH

SM系列瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护连接到数据和传输线路的组件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的电压浪涌影响。TVS二极管具有高浪涌能力、低工作电压和钳位电压以及快速响应时间的特点。这使其非常适合用作敏感半导体组件的板级保护。双结共阳极设计允许用户保护一条双向数据线或两条单向线路。低矮的SOT23封装为“拥挤”电路板的设计提供了灵活性。SM系列将满足IEC 61000 - 4 - 2（原IEC 801 - 2）4级空气和接触放电“人体模型”的浪涌要求。

数据手册

1+
￥3.02
10+
￥2.38
30+
￥2.11
100+
￥1.7266 ￥1.78
500+
￥1.5714 ￥1.62
1000+
￥1.4841 ￥1.53

有货

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型号：ESD5451N 编号：C6321761

封装：DFN1006-2

品牌：DOWO(东沃)

ESD5451N是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD5451N符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅0402封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

100+
￥0.0471
1000+
￥0.0363
3000+
￥0.0303
10000+
￥0.0283
50000+
￥0.0251
140000+
￥0.0234

有货

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型号：SMAJ36CA 编号：C7466471

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为36V工作电压下的双向过压保护而设计。器件具备出色的瞬态响应能力，能承受峰值脉冲电流IPP高达6.9A，在正负方向均可高效吸收与钳位异常电压，有效防止浪涌、静电放电等对电路造成的损害，确保电子设备在高压瞬变环境下稳定可靠运行。

10+
￥0.154845 ￥0.1665
100+
￥0.123504 ￥0.1328
300+
￥0.106206 ￥0.1142
1000+
￥0.09579 ￥0.103
5000+
￥0.086769 ￥0.0933
10000+
￥0.08184 ￥0.088

有货

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型号：BDFN2C4R51V50 编号：C19077990

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) 0402封装双向4.5V ESD静电保护管

20+
￥0.18801 ￥0.2089
200+
￥0.14427 ￥0.1603
600+
￥0.11997 ￥0.1333
2000+
￥0.10539 ￥0.1171
10000+
￥0.0927 ￥0.103
20000+
￥0.08586 ￥0.0954

有货

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型号：SMBJ8.5CA 编号：C7466414

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为中低电压系统设计，提供全面的正负向过压保护。具有8.5V稳定的双向反向工作电压VRWM，在瞬态事件中能承受高达41.7A的峰值脉冲电流IPP，快速响应并有效钳位异常电压，适用于电源线、信号线等场合，为电子设备提供卓越的双向浪涌防护，抵御雷击、静电放电等冲击。

20+
￥0.2108
200+
￥0.1671
600+
￥0.1428
3000+
￥0.1282
9000+
￥0.1156
21000+
￥0.1088

有货

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型号：SD05C.TCT 编号：C85200

封装：SOD-323

品牌：SEMTECH

SDxxC TVS二极管旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中的多层压敏电阻 (MLV)。与MLV相比，它们具有卓越的电气特性，如更低的钳位电压，且不会出现器件性能退化的问题。SDxxC系列TVS二极管用于保护敏感半导体元件，避免其因静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。SDxxC采用SOD - 323封装，可保护一条双向线路。其工作电压为5 - 24伏。这些器件与0805 MLV器件占用相同的PCB焊盘面积。在不适合使用阵列的应用中，它们为设计人员提供了保护单条线路的灵活性。此外，在电路板空间有限的应用中，可将其“分散”布置在电路板各处。它们可用于满足IEC 61000 - 4 - 2（4级 ±15KV空气放电、±8KV接触放电）的ESD抗扰度要求。

数据手册

5+
￥2.93
50+
￥2.3
150+
￥2.03
500+
￥1.4259 ￥1.47
3000+
￥1.2804 ￥1.32
6000+
￥1.1931 ￥1.23

有货

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型号：SMBJ5.0CA 编号：C46956404

封装：SMB

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管专为5V电压系统设计，提供强大的正负向过压保护。在瞬态事件中能承受高达65.3A的峰值脉冲电流，响应迅速并有效钳位异常电压，尤其适用于低电压环境下的电源线、信号线防雷击、静电放电等高电流冲击，是低压应用的理想高效浪涌防护元件。

20+
￥0.1457
200+
￥0.1155
600+
￥0.0988
3000+
￥0.0888

有货

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型号：RL0201Q0501UC 编号：C39831950

封装：DFN0603-2

品牌：RUILON(瑞隆源)

RL0201Q0501UC 是一款双向 TVS 二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想选择。RL0201Q0501UC 具有超低电容，典型值为 0.4pF，符合 IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电 ± 25kV，接触放电 ± 20kV。

20+
￥0.16872 ￥0.2109
200+
￥0.12984 ￥0.1623
600+
￥0.10824 ￥0.1353
2000+
￥0.09528 ￥0.1191
10000+
￥0.08408 ￥0.1051
20000+
￥0.078 ￥0.0975

有货

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型号：SMAJ6.5CA 编号：C7466459

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMA封装的高性能双向TVS瞬态抑制二极管，专为6.5V系统提供强劲过压防护。其卓越性能体现在高达35.7A的峰值脉冲电流承受能力上，能在正负电压尖峰下迅速响应并有效钳位，确保电子设备免受雷击、静电放电和电源瞬变等带来的冲击损害，保障电路稳定可靠运行。

20+
￥0.19
200+
￥0.152
600+
￥0.1308
5000+
￥0.1085
10000+
￥0.0975
20000+
￥0.0916

有货

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型号：SMBJ10CA 编号：C7495258

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，特别适用于中低电压系统的全面防护。具备10V的稳定双向反向工作电压VRWM，在正负瞬态过压下表现出色，能承受高达35.3A的峰值脉冲电流IPP。快速响应并高效钳位异常电压，为电源线、信号线以及各类电子设备提供卓越的双向浪涌保护，确保系统免受雷击、静电放电等瞬态事件影响。

20+
￥0.204693 ￥0.2201
200+
￥0.164703 ￥0.1771
600+
￥0.142476 ￥0.1532
3000+
￥0.119784 ￥0.1288
9000+
￥0.108252 ￥0.1164
21000+
￥0.102021 ￥0.1097

有货

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型号：SMBJ48CA 编号：C7495263

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管适用于48V电压系统，提供全面的正负向过压防护。在瞬态事件中可承受7.8A峰值脉冲电流，响应迅速并高效钳位电压波动，有效保护电子设备免受雷击、静电等瞬态冲击的影响，是中高电压环境的理想双向浪涌保护解决方案。

20+
￥0.22692 ￥0.244
200+
￥0.179211 ￥0.1927
600+
￥0.152706 ￥0.1642
3000+
￥0.122109 ￥0.1313
9000+
￥0.108252 ￥0.1164
21000+
￥0.100905 ￥0.1085

有货

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型号：P6KE20CA 编号：C22380744

封装：DO-15(DO-204AC)

品牌：BORN(伯恩半导体)

600W 20V双向插件TVS二极管电源口浪涌保护器件

10+
￥0.3786
100+
￥0.3018
300+
￥0.2634
2000+
￥0.2298
4000+
￥0.2068
10000+
￥0.1952

有货

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型号：SMAJ26CA 编号：C7466479

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管专为26V系统设计，提供全面的正负过压保护。具备9.5A峰值脉冲电流处理能力，能在瞬间电压波动时快速响应并精确钳位至安全水平，有效防止雷击、浪涌及静电放电对电子设备造成的冲击，确保电路稳定和持久运行。

20+
￥0.143968 ￥0.1636
200+
￥0.114752 ￥0.1304
600+
￥0.098472 ￥0.1119
5000+
￥0.088792 ￥0.1009
10000+
￥0.080344 ￥0.0913
20000+
￥0.075768 ￥0.0861

有货

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型号：SMBJ30CA 编号：C7495260

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为30V电压系统设计，提供高效双向过压保护。在正负瞬态过电压情况下可承受高达12.4A峰值脉冲电流，响应迅速并精确钳位电压尖峰，适用于电源线、信号线防雷击、静电放电等瞬态冲击，是中等电压环境下的理想双向浪涌防护器件。

20+
￥0.205
200+
￥0.1647
600+
￥0.1423
3000+
￥0.1259
9000+
￥0.1142
21000+
￥0.1079

有货

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型号：SLPESD15VL2BT 编号：C21714301

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

SLPESD15VL2BT是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可实现快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。SLPESD15VL2BT符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用无铅SOT - 23封装。该器件旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌的影响。

10+
￥0.3666
100+
￥0.2898
300+
￥0.2514
3000+
￥0.2226
6000+
￥0.1996
9000+
￥0.188

有货

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型号：LY323DC15UL 编号：C3019378

封装：SOD-323

品牌：Liown(里阳半导体)

LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。

数据手册

5+
￥0.457995 ￥0.4821
50+
￥0.36252 ￥0.3816
150+
￥0.314735 ￥0.3313
500+
￥0.27892 ￥0.2936
3000+
￥0.248235 ￥0.2613
6000+
￥0.23389 ￥0.2462

有货

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型号：RCLAMP0521P(UMW) 编号：C7394011

封装：DFN1006-2

品牌：UMW(友台半导体)

特性：双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，响应时间快，ESD钳位电压低。超小封装：1.0×0.6×0.5mm。超低电容：典型值0.3pF。超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。应用：手机及配件。显示端口

50+
￥0.0836
500+
￥0.0649
1500+
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