双向tvs二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

是双向 TVS 二极管阵列，利用领先的单片硅技术，提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。符合 IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。采用无铅 SOT-23 封装，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受电压浪涌影响。

数据手册

5+
￥0.2593
50+
￥0.2527
150+
￥0.2483
500+
￥0.2438

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型号：SM32C 编号：C712160

封装：SOT-23

品牌：Applied Power(应能微)

是双向 TVS 二极管阵列，利用领先的单片硅技术，提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。符合 IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。采用无铅 SOT-23 封装，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受电压浪涌影响。

数据手册

5+
￥0.3508
50+
￥0.3048
150+
￥0.2818
500+
￥0.2645
3000+
￥0.2507
6000+
￥0.2438

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型号：SM15C 编号：C712158

封装：SOT-23

品牌：Applied Power(应能微)

是双向 TVS 二极管阵列，利用领先的单片硅技术，提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。符合 IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。采用无铅 SOT-23 封装，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受电压浪涌影响。

数据手册

5+
￥0.387
50+
￥0.341
150+
￥0.318
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￥0.3008
3000+
￥0.2507
6000+
￥0.2438

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型号：DESD12VL1BAQ-7 编号：C5248805

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸与高 ESD 浪涌能力的结合使其非常适合用于便携式应用。

18000+
￥0.40884
36000+
￥0.402026
72000+
￥0.391805
144000+
￥0.37477

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型号：ESD203B102ELE6327XTMA1 编号：C672345

封装：0402

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：ESD/瞬态/浪涌保护，超过标准: IEC61000-4-2（ESD）：±30 kV（空气/接触放电）。 IEC61000-4-4（EFT）：±50 A（5/50 ns）。 IEC61000-4-5（浪涌）：±5 A（8/20 μs）。双向对称工作电压：VRWM = ±13.2 V。低电容：CL = 6 pF（典型值）。非常低的ESD钳位电压，非常低的动态电阻：RDYN = 0.29 Ω（典型值）。应用：键盘、触摸板、按钮、音频线等的ESD保护

单价：
￥0.825164 / 个

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型号：PESD12L 编号：C712147

封装：DFN1006-2

品牌：Applied Power(应能微)

是一款12V双向TVS二极管，采用领先的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。采用超小型无铅DFN1006-2封装。小尺寸和高ESD浪涌保护使其成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

数据手册

10+
￥0.1258
100+
￥0.1078
300+
￥0.0978
1000+
￥0.0918
5000+
￥0.0866
10000+
￥0.0848

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型号：SMF6.5CA 编号：C7466385

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为6.5V系统提供卓越的正负向过电压保护。具备高达17.9A的峰值脉冲电流IPP能力，能迅速响应并钳位电路中的瞬态电压波动，有效抵御浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的损害，适用于电源线及信号接口的高效防护需求。

20+
￥0.1124
200+
￥0.091
600+
￥0.0792
3000+
￥0.0632
9000+
￥0.0571
21000+
￥0.0537

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型号：SMAJ6.8CA 编号：C7495256

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SMA封装的高性能双向TVS瞬态抑制二极管，专为高效防护设计。具有5.8V的额定反向工作电压VRWM，可承受高达39A的峰值脉冲电流IPP，快速响应保护您的电路免受瞬态浪涌、静电放电和过压冲击损害，是敏感电子设备的理想防护选择。

20+
￥0.1722
200+
￥0.1386
600+
￥0.12
5000+
￥0.0915
10000+
￥0.0819
20000+
￥0.0766

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型号：SMF30CA 编号：C7466393

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管，专为30V系统设计，具备高效双向过电压保护功能。器件能在正负方向上承载4.1A峰值脉冲电流IPP，快速响应并钳位电路中的瞬态高压波动，有效防止浪涌、静电放电对电子设备造成损害，是中高电压应用场景下接口及电源线的理想防护元件。

20+
￥0.10928 ￥0.1366
200+
￥0.08824 ￥0.1103
600+
￥0.07664 ￥0.0958
3000+
￥0.06792 ￥0.0849
9000+
￥0.06184 ￥0.0773
21000+
￥0.05856 ￥0.0732

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型号：PESD5V0L2BT,215 编号：C12324

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

二极管 TVS 1uA 5V 钳位电压最大: 28V 二极管封装形式: SOT-23 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) SMD标号: V4 TVS 极性: 双向二极管配置: 双向击穿电压: 7.6V 击穿电压最小: 7V 击穿电压范围: 7V 至 8.2V 峰值脉冲电流: 13A 工作温度最小值: -65°C 工作温度最高值: 150°C 工作温度范围: -65°C 至 +150°C 截止电压: 5V 最低击穿电压: 7V 最高击穿电压: 8.2V 电压, Vrwm: 5V 电容值, Cd @ Vr 典型值: 75pF 脉冲峰值功率: 350W 表面安装器件: SMD 钳位电压, 8/20us 最大: 28V

数据手册

5+
￥1.3989
50+
￥1.1234
150+
￥1.0053
500+
￥0.83226 ￥0.858
3000+
￥0.754175 ￥0.7775
6000+
￥0.715957 ￥0.7381

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型号：PESDR0521P1 编号：C3001952

封装：DFN1006-2

品牌：UMW(友台半导体)

双向 TVS 二极管，采用领先的单晶硅技术，提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压，是保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。

数据手册

50+
￥0.1063
500+
￥0.0803
1500+
￥0.0659
10000+
￥0.0573
20000+
￥0.0498
50000+
￥0.0458

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型号：SMF5.0CA 编号：C46956338

封装：SOD-123FL

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

该款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为5V系统提供高效过电压保护。拥有出色的双向峰值脉冲电流IPP能力高达21.7A，在正负方向均可快速响应瞬态电压变化，并有效钳位至安全水平，防止浪涌、静电放电对电路造成损害，适用于各类低电压高速接口和电源线的瞬态防护需求。

50+
￥0.1202
500+
￥0.0943
3000+
￥0.0799
6000+
￥0.0712
24000+
￥0.0637
51000+
￥0.0597

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型号：SMBJ33CA 编号：C7466430

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMB封装的TVS瞬态抑制二极管为Bi双向设计，适用于中高压电路的全面保护。具备33V的稳定双向反向工作电压VRWM，在正负过压事件下表现出色，可承受高达11.3A的峰值脉冲电流IPP，有效吸收并快速钳位瞬态电压，为电源线、信号线及敏感电子设备提供卓越的双向浪涌防护能力，确保系统免受雷击、静电等瞬态冲击的影响。

10+
￥0.152996 ￥0.1663
100+
￥0.136436 ￥0.1483
300+
￥0.127236 ￥0.1383
3000+
￥0.107824 ￥0.1172
6000+
￥0.10304 ￥0.112
9000+
￥0.100464 ￥0.1092

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型号：PESD2CAN 编号：C284078

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

PESD2CAN是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。PESD2CAN符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15kV，接触放电±8kV。该器件采用无铅SOT - 23封装，旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌的影响。

数据手册

10+
￥0.2708
100+
￥0.2132
300+
￥0.1844
3000+
￥0.1664
6000+
￥0.1491
9000+
￥0.1404

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型号：SLESD11LL5.0CT5G 编号：C2904402

封装：DFN0603-2L

品牌：Slkor(萨科微)

SLESD11LL5.0CT5是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。SLESD11LL5.0CT5符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±20 kV，接触放电±15 kV。该器件采用超小型0.6x0.3x0.3 mm无铅0201封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想之选。

数据手册

20+
￥0.1355
200+
￥0.1074
600+
￥0.0918
2000+
￥0.0824
15000+
￥0.0655
30000+
￥0.0611

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型号：ESD56151W04-2/TR 编号：C6163195

封装：SOD-323

品牌：DOWO(东沃)

ESD56151W04-2/TR是一款双向高功率TVS二极管，采用领先的单片硅技术，可实现快速响应时间和低ESD钳位电压，使其成为保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD56151W04-2/TR符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型无铅SOD-323封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使ESD56151W04-2/TR成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

10+
￥0.2537
100+
￥0.1985
300+
￥0.1709
3000+
￥0.1594
6000+
￥0.1429
9000+
￥0.1346

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型号：SMBJ43CA 编号：C7495261

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该TVS瞬态抑制二极管是一款高性能双向保护器件，采用紧凑型SMB封装，适用于各类电路的过电压防护。其关键参数包括43V的反向工作电压（VRWM）和高达8.7A的峰值脉冲电流（IPP），确保在正负瞬变情况下快速响应并钳位异常电压，有效防止过压对敏感电子元件造成损害。

20+
￥0.162925 ￥0.1715
200+
￥0.142405 ￥0.1499
600+
￥0.131005 ￥0.1379
3000+
￥0.114095 ￥0.1201
9000+
￥0.108205 ￥0.1139
21000+
￥0.104975 ￥0.1105

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型号：SMAJ15CA 编号：C7466491

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SMA封装的优质双向TVS瞬态抑制二极管，专为高效双向过电压保护打造。其VRWM额定反向工作电压为15V，在遭遇瞬态事件时能安全承受峰值脉冲电流IPP高达16.4A，确保在快速响应下将电压尖峰箝位至安全水平，有效防止电路因雷击、静电放电或电源波动等引起的损坏，保障系统稳定性和可靠性。

10+
￥0.17112 ￥0.186
100+
￥0.135332 ￥0.1471
300+
￥0.11546 ￥0.1255
1000+
￥0.1035 ￥0.1125
5000+
￥0.093196 ￥0.1013
10000+
￥0.087584 ￥0.0952

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型号：SMBJ6.0CA 编号：C7473310

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为低电压系统提供高效双向过压保护。具备6V稳定的反向工作电压VRWM，在正负瞬变下能承受高达58.3A峰值脉冲电流IPP，快速响应并精确钳位瞬态电压，有效防护电源线、信号线免受雷击、静电等高电流冲击，是低压环境的理想浪涌防护器件。

20+
￥0.176985 ￥0.1863
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￥0.14003 ￥0.1474
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￥0.11951 ￥0.1258
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￥0.10716 ￥0.1128
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￥0.09652 ￥0.1016
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￥0.090725 ￥0.0955

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型号：SMF18CA 编号：C7466400

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管，专为18V系统提供全面的正负向过电压防护。具备高达6.8A的峰值脉冲电流承载能力，能快速响应并钳位电路中的瞬态电压变化，有效抵御浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的冲击损害，是中高电压应用场合下电源线及信号接口的理想保护选择。

20+
￥0.09639 ￥0.1134
200+
￥0.077775 ￥0.0915
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￥0.06749 ￥0.0794
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￥0.05457 ￥0.0642
21000+
￥0.05168 ￥0.0608

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型号：SMBJ36CA 编号：C7466428

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为36V系统设计，提供全面正负向过压保护。能在瞬态事件中承受10.4A峰值脉冲电流，快速响应并有效钳位电压波动，适用于电源线、信号线的双向浪涌防护，有效抵御雷击、静电等引起的瞬态冲击，确保电子设备稳定运行。

20+
￥0.140154 ￥0.1491
200+
￥0.12361 ￥0.1315
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￥0.114398 ￥0.1217
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￥0.104716 ￥0.1114
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￥0.100016 ￥0.1064
21000+
￥0.097384 ￥0.1036

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型号：SMAJ15CA 编号：C46956337

封装：SMA

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

SMA封装的优质双向TVS瞬态抑制二极管，专为高效双向过电压保护打造。其VRWM额定反向工作电压为15V，在遭遇瞬态事件时能安全承受峰值脉冲电流IPP高达16.4A，确保在快速响应下将电压尖峰箝位至安全水平，有效防止电路因雷击、静电放电或电源波动等引起的损坏，保障系统稳定性和可靠性。

20+
￥0.1551
200+
￥0.1217
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￥0.1031
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￥0.0771

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型号：PESD24VS1UB 编号：C2985484

封装：SOD-523

品牌：DOWO(东沃)

PESD24VS1UB是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESD24VS1UB符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受±15 kV空气放电和±8 kV接触放电。该器件采用超小型SOD - 523无铅封装。其尺寸小巧且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

数据手册

20+
￥0.2243
200+
￥0.1763
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￥0.1523
3000+
￥0.1387
9000+
￥0.1243
21000+
￥0.117

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型号：PESD1CAN 编号：C284094

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

PESD1CAN是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，响应时间快，ESD钳位电压低，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。PESD1CAN符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15kV，接触放电±8kV。它采用无铅SOT - 23封装，旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌的影响。

数据手册

10+
￥0.2415
100+
￥0.1863
300+
￥0.1587
3000+
￥0.1541
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￥0.1375
9000+
￥0.1293

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型号：NUP2105LT1G 编号：C2976509

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

NUP2105LT1G是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15kV，接触放电±8kV，采用无铅SOT - 23封装，旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌影响。

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