60V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SS56B 编号：C48996629

封装：SMB

品牌：DOWO(东沃)

特性：低外形封装。适合自动贴装。有过压保护的保护环。低功率损耗，高效率。高正向浪涌能力。符合RoHS标准，无卤

10+
￥0.3138
100+
￥0.25
300+
￥0.218

有货

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型号：SS56B 编号：C7450529

封装：SMB

品牌：LJ(朗捷)

特性：塑料封装，符合UL 94V-0阻燃等级。适用于表面贴装应用。金属硅结，多数载流子传导。低功率损耗，高效率。内置应力消除，适合自动贴装。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接：端子在260℃下可承受10秒

10+
￥0.3236
100+
￥0.2535
300+
￥0.2185
3000+
￥0.1922
6000+
￥0.1712
9000+
￥0.1606

有货

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型号：SSL26F 编号：C2826585

封装：SMAF

品牌：晶导微电子

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

数据手册

10+
￥0.3455
100+
￥0.277
300+
￥0.2428

有货

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型号：SS36C 编号：C123941

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：晶导微电子

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

数据手册

10+
￥0.3483
100+
￥0.2753
300+
￥0.2388

有货

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型号：DSS26 编号：C5161879

封装：SOD-123FL

品牌：ZHIDE(志得)

表面安装肖特基二极管反向电压20~200V，正向电流2.0A

数据手册

10+
￥0.3531
100+
￥0.286
300+
￥0.2524
3000+
￥0.1947
6000+
￥0.1745
9000+
￥0.1645

有货

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型号：HSS16HE3BH 编号：C42389394

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有1安培的最大正向电流（IF），能够承受最高60伏特的反向电压（VR），其正向电压降（VF）为0.7伏特，在反向电压下，漏电流（IR）不超过500微安。该二极管还拥有30安培的瞬时峰值电流能力（IFSM），适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，如电源整流或保护电路等场合。

5+
￥0.40524 ￥0.4605
50+
￥0.320408 ￥0.3641
150+
￥0.277904 ￥0.3158
500+
￥0.246048 ￥0.2796
2000+
￥0.220616 ￥0.2507
4000+
￥0.207856 ￥0.2362

有货

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型号：SR560 编号：C7428161

封装：DO-27

品牌：NH(纽航)

特性：塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。金属硅结，多数载流子传导。有保护环用于过压保护。低功耗，高效率。高电流能力，超低正向压降。高能量能力。应用：低压、高频逆变器。DC/DC转换器

10+
￥0.4124
100+
￥0.326
300+
￥0.2828

有货

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型号：SS2060FL_R1_00001 编号：C391727

封装：SOD-123FL

品牌：PANJIT(强茂)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。低功耗，高效率。超薄外形封装，适用于空间受限的应用。符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。采用符合IEC 61249标准的绿色模塑料

数据手册

10+
￥0.4135
100+
￥0.3223
300+
￥0.2767
3000+
￥0.2425

有货

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型号：SS56 编号：C2897835

封装：SMB

品牌：YFW(佑风微)

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令

数据手册

10+
￥0.42561 ￥0.4729
100+
￥0.34119 ￥0.3791
300+
￥0.29898 ￥0.3322
3000+
￥0.23508 ￥0.2612
6000+
￥0.2097 ￥0.233
9000+
￥0.19701 ￥0.2189

有货

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型号：VS10MQ060-M3/5AT-HXY 编号：C52988742

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通状态下维持较低功耗；反向漏电流（IR）为500μA，体现出良好的反向阻断性能。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于电源整流、极性保护、开关电源输出以及高频电路中的续流和箝位等应用。

10+
￥0.42807 ￥0.4506
100+
￥0.340955 ￥0.3589
300+
￥0.297445 ￥0.3131
2000+
￥0.264765 ￥0.2787
4000+
￥0.23864 ￥0.2512
10000+
￥0.225625 ￥0.2375

有货

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型号：HSS26E352T 编号：C42389386

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有2安培的最大正向电流（IF），并且能够承受最高60伏特的反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7伏特，在反向偏置条件下，漏电流（IR）最大为500微安。此元件还设计有瞬间峰值电流（IFSM）承受能力，最高可达50安培。适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，如在电源管理、电池充电控制及高速信号传输路径上的保护等方面。

5+
￥0.4392 ￥0.488
50+
￥0.34722 ￥0.3858
150+
￥0.30123 ￥0.3347
500+
￥0.26667 ￥0.2963
3000+
￥0.23913 ￥0.2657
6000+
￥0.22527 ￥0.2503

有货

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型号：B260-13-F-HXY 编号：C52988691

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为500μA，适用于对能效有一定要求的电路环境。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，具备良好的瞬态耐受能力。该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景，凭借肖特基势垒特性，在中低电压系统中展现出较快的开关响应速度与稳定的电气性能。

10+
￥0.44821 ￥0.4718
100+
￥0.35701 ￥0.3758
300+
￥0.31141 ￥0.3278
3000+
￥0.27721 ￥0.2918
6000+
￥0.24985 ￥0.263
9000+
￥0.23617 ￥0.2486

有货

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型号：B160AE-13-HXY 编号：C52988610

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA，具备良好的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场合，常见于电源管理、适配器及各类电子设备中的低压高频应用。

5+
￥0.47063 ￥0.4954
50+
￥0.37487 ￥0.3946
150+
￥0.32699 ￥0.3442
500+
￥0.29108 ￥0.3064
2000+
￥0.26239 ￥0.2762
4000+
￥0.248045 ￥0.2611

有货

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型号：SK56A-LTP-HXY 编号：C52988654

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为5A，最大反向电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为500μA，适用于对效率和热管理要求较高的电路环境。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流，具备良好的瞬态耐受能力。该产品适合用于电源整流、高频逆变器及各类低压高效能电子系统中，能够在维持稳定电气性能的同时提升整体能效。

5+
￥0.479655 ￥0.5049
50+
￥0.38209 ￥0.4022
150+
￥0.33326 ￥0.3508
500+
￥0.296685 ￥0.3123
2000+
￥0.267425 ￥0.2815
4000+
￥0.2527 ￥0.266

有货

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型号：STPS2L60ZFY-HXY 编号：C52754496

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，具有2A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，表现出良好的阻断性能。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、适配器以及各类便携式电子设备中。

5+
￥0.490865 ￥0.5167
50+
￥0.390925 ￥0.4115
150+
￥0.34105 ￥0.359
500+
￥0.30362 ￥0.3196
3000+
￥0.2736 ￥0.288
6000+
￥0.258685 ￥0.2723

有货

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型号：RB168L-60TE25-HXY 编号：C52988614

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，有助于在导通状态维持较低的功耗；反向漏电流（IR）为500μA，表现出合理的阻断特性。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，可应对短时过流情况。适用于电源整流、极性保护、高频开关及信号解调等电路场景。

5+
￥0.490865 ￥0.5167
50+
￥0.390925 ￥0.4115
150+
￥0.34105 ￥0.359
500+
￥0.30362 ￥0.3196
2000+
￥0.2736 ￥0.288
4000+
￥0.258685 ￥0.2723

有货

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型号：RBR2MM60ATFTR-HXY 编号：C52754492

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）为60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路，常见于电源适配器、消费类电子设备及高频开关应用中。

5+
￥0.499795 ￥0.5261
50+
￥0.398145 ￥0.4191
150+
￥0.347225 ￥0.3655
500+
￥0.30913 ￥0.3254
3000+
￥0.278635 ￥0.2933
6000+
￥0.26334 ￥0.2772

有货

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型号：SS36A 编号：C2766066

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：WPMtek(维攀)

特性：低外形表面贴装封装。内置应力消除。高开关速度。低电压降，高效率。用于过压保护。应用：低压高频逆变器。自由换流

数据手册

5+
￥0.5036
50+
￥0.3981
150+
￥0.3454
500+
￥0.3058
2500+
￥0.2741
5000+
￥0.2583

有货

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型号：B260S1F-7-HXY 编号：C52754487

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

5+
￥0.508725 ￥0.5355
50+
￥0.40527 ￥0.4266
150+
￥0.353495 ￥0.3721
500+
￥0.31464 ￥0.3312
3000+
￥0.28367 ￥0.2986
6000+
￥0.26809 ￥0.2822

有货

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型号：SS86C 编号：C48996651

封装：SMC

品牌：DOWO(东沃)

5+
￥0.5143
50+
￥0.4039
150+
￥0.3487
500+
￥0.3073

有货

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型号：SS86 编号：C19189904

封装：SMC

品牌：DOWO(东沃)

特性：保护环用于过压保护。低功耗。极快的开关速度。高正向浪涌能力。高频操作。焊锡浸渍：最高260℃，持续10s，符合JESD 22-B106。应用：低压高频逆变器。续流

5+
￥0.5179
50+
￥0.41
150+
￥0.356
500+
￥0.3155

有货

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型号：STPS160A-HXY 编号：C52988616

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通时能量损耗较低；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过500μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对开关速度和效率有要求的电源整流、极性保护及高频续流等电路场合。

5+
￥0.533425 ￥0.5615
50+
￥0.424935 ￥0.4473
150+
￥0.370595 ￥0.3901
500+
￥0.329935 ￥0.3473
2000+
￥0.29735 ￥0.313
4000+
￥0.281105 ￥0.2959

有货

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型号：SS36C 编号：C330394

封装：SMC

品牌：LGE(鲁光)

特性：肖特基势垒整流器。保护环保护。低正向电压。反向能量测试。高电流能力。极低的热阻

数据手册

5+
￥0.5454 ￥0.606
50+
￥0.43443 ￥0.4827
150+
￥0.37899 ￥0.4211
500+
￥0.33732 ￥0.3748
3000+
￥0.30402 ￥0.3378
6000+
￥0.28737 ￥0.3193

有货

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型号：SS56B-W 编号：C2683718

封装：SMB-W

品牌：ZHIDE(志得)

表面安装肖特基二极管反向电压20~200V，正向电流5.0A

数据手册

5+
￥0.5554
50+
￥0.4412
150+
￥0.3841
500+
￥0.3412
3000+
￥0.2695
6000+
￥0.2523

有货

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型号：RBR1LAM60ATR 编号：C308736

封装：SOD-128

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小功率模具类型。低VF。应用：一般整流

数据手册

5+
￥0.5947
50+
￥0.4642
150+
￥0.3989
500+
￥0.3499

有货

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型号：RB055LAM-60TFTR-HXY 编号：C52988669

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。