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首页 > 热门关键词 > 60V肖特基二极管
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电压:60V 电流:5A
型号：SS56BF 编号：C364272
封装：SMBF
品牌：MDD(辰达半导体)
特性：金属硅结，多数载流子传导，适用于表面贴装应用。 低功耗，高效率。 高正向浪涌电流能力。 用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
数据手册

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    电压:60V 电流:3A
    型号：SK36B-LTP 编号：C106866
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：MCC(美微科)
    特性：无铅涂层，符合RoHS标准。 适用于表面贴装应用。 极低的热阻。 易于拾取和放置。 高电流能力，低正向电压。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿气敏感度等级为1
    数据手册

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    RBR3MM60ATFTR-HXY
    型号：RBR3MM60ATFTR-HXY 编号：C52754509
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V，有助于降低导通损耗；在60V反向偏置下，漏电流不超过100μA。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流、续流以及电源反接保护等电路场景。

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    电压:60V 电流:5A
    型号：SM560AF 编号：C383320
    封装：SMA-FL
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：塑料封装具有UL可燃性等级94V-0。 低功耗，高效率。 用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 有保护环用于过压保护。 高温焊接保证：引脚处260℃/10秒。 MSL：1。 产品材料符合RoHS要求且无卤素
    数据手册

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    电压:60V 电流:3A
    型号：SK36A 编号：C492931
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：SMC(桑德斯)
    特性：小尺寸，可表面贴装。 极低的正向电压降。 高频操作。 保护环，增强耐用性和长期可靠性。 符合ROHS指令的绿色产品。 “A”是符合AEC-Q101标准的器件。应用：开关电源。 转换器
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    电压:60V 电流:5A
    型号：SS56B 编号：C5249673
    封装：SMB
    品牌：ElecSuper(静芯)
    特性：塑料封装具有UL可燃性等级94V-0。 适用于表面贴装应用。 金属硅结，多数载流子传导。 低功耗，高效率。 高电流能力，低正向压降
    数据手册

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    SKL36-HXY
    型号：SKL36-HXY 编号：C52754510
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为3A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在60V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流能力（IFSM），适用于对导通效率和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源极性保护等电路应用。

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      ￥0.497895 ￥0.5241

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    SS16FA-HXY
    型号：SS16FA-HXY 编号：C52754477
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为1A，最大反向电压达60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为200μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

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    电压:60V 电流:3A
    型号：SS36A 编号：C2766066
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：WPMtek(维攀)
    特性：低外形表面贴装封装。内置应力消除。高开关速度。低电压降，高效率。用于过压保护。应用：低压高频逆变器。自由换流
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    SS2FH6HM3/H-HXY
    型号：SS2FH6HM3/H-HXY 编号：C52754495
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为2A，最大反向电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景，常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。

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    电压:60V 电流:5A
    型号：SSL56F 编号：C3027187
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：金属硅结，多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗，高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    数据手册

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    电压:60V 电流:5A
    型号：SR560-B 编号：C908726
    封装：DO-27
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。
    数据手册

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    电压:60V 电流:5A
    型号：SDS56F 编号：C596237
    封装：SMAF
    品牌：ST(先科)
    电压:60V 电流:5A
    数据手册

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    电压:60V 电流:1A
    型号：SB160-E3/73 编号：C3760016
    封装：DO-204AL(DO-41)
    品牌：VISHAY(威世)

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      ￥0.5367

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    电压:60V 电流:3A
    型号：SS36C 编号：C330394
    封装：SMC
    品牌：LGE(鲁光)
    特性：肖特基势垒整流器。 保护环保护。 低正向电压。 反向能量测试。 高电流能力。 极低的热阻
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5454 ￥0.606

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      ￥0.43443 ￥0.4827

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      ￥0.28737 ￥0.3193
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    电压:60V 电流:5A
    型号：YFW5L60 编号：C5185717
    封装：DO-27
    品牌：YFW(佑风微)
    特性：先进的沟槽技术。 低正向压降。 低功率损耗。 高效运行。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
    数据手册

    • 5+

      ￥0.559835 ￥0.5893

    • 50+

      ￥0.54777 ￥0.5766

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      ￥0.53181 ￥0.5598
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    电压:60V 电流:1A
    型号：B160AE-13 编号：C6128331
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    肖特基整流器在高温下提供低VF和出色的反向泄漏稳定性，适用于一般整流应用。

    • 5+

      ￥0.5641

    • 50+

      ￥0.4583

    • 150+

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      ￥0.334
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    SK56SMC-HXY
    型号：SK56SMC-HXY 编号：C52988735
    封装：SMC
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，具有5A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，表现出良好的截止特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源输出端以及对效率和热性能有较高要求的电子系统中，确保稳定可靠的运行表现。

    • 5+

      ￥0.572565 ￥0.6027

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      ￥0.560025 ￥0.5895

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      ￥0.54321 ￥0.5718
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    RB162M-60TR-HXY
    型号：RB162M-60TR-HXY 编号：C52754448
    封装：SOD-123
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压达60V。其正向压降为0.72V，在导通时维持较低的功耗；反向漏电流为300μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达20A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源管理电路，常见于消费类电子与通信设备中的高频开关应用。

    • 5+

      ￥0.6099 ￥0.642

    • 50+

      ￥0.596505 ￥0.6279

    • 150+

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      ￥0.578645 ￥0.6091
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    电压:60V 电流:5A
    型号：SR560SL 编号：C7428164
    封装：DO-27
    品牌：NH(纽航)
    特性：塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。 金属硅结，多数载流子导电。 有过压保护的保护环。 低功耗，高效率。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 保证高温焊接：端子202℃/10秒。应用：开关电源。 高频逆变器

    • 5+

      ￥0.6306

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      ￥0.4952

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    电压:60V 电流:5A
    型号：SR560L 编号：C7428163
    封装：DO-27
    品牌：NH(纽航)
    特性：塑料封装，符合UL 94V-0阻燃等级。 软恢复、快速开关能力。 低正向压降。 保证高温焊接：端子260℃/10秒。 无铅表面处理，符合RoHS标准。应用：电源应用，通过低正向压降优化以实现效率最大化

    • 5+

      ￥0.6306

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      ￥0.4952

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    RBR3LAM60ATFTR-HXY
    型号：RBR3LAM60ATFTR-HXY 编号：C52988670
    封装：SMAF
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式结构，具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V，在导通时能量损耗较低；反向漏电流为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对效率和热性能有要求的各类电子电路中。

    • 5+

      ￥0.63479 ￥0.6682

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      ￥0.6023 ￥0.634
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    电压:60V 电流:3A
    型号：SDS36F 编号：C2859175
    封装：SMAF
    品牌：ST(先科)
    电压:60V 电流:3A
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6389

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    RB168MM-60TFTR-HXY
    型号：RB168MM-60TFTR-HXY 编号：C52754475
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压为60V。在正常导通条件下，其正向压降为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流为200μA，表明具备良好的反向截止特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、电源转换、信号检波及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。

    • 5+

      ￥0.647235 ￥0.6813

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      ￥0.61408 ￥0.6464
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    电压:60V 电流:3A
    型号：ST36 编号：C413997
    封装：SMA
    品牌：MDD(辰达半导体)
    特性：塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于表面贴装应用。 金属硅结，多数载流子传导。 低功耗，高效率。 内置应力消除，适合自动贴装。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接：端子在260℃下可承受10秒
    数据手册

    • 5+

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      ￥0.5199

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    电压:60V 电流:1A
    型号：PMEG6010ETR,115 编号：C552936
    封装：SOD-123W
    品牌：Nexperia(安世)
    平面肖特基势垒整流器,集成保护环用于应力保护,采用SOD123W小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。
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    电压:60V 电流:30A
    型号：MBR3060SCT 编号：C22369002
    封装：TO-220
    品牌：Wild Goose(威谷)
    这是一款适用于电源转换、高频开关电路以及需要快速恢复时间的整流应用的肖特基二极管

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    电压:60V 电流:2A
    型号：B260AE-13 编号：C5121618
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    肖特基整流器提供低正向电压（VF），并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性，该器件非常适合用于一般整流应用。
    数据手册

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    RB088LAM-60TR-HXY
    型号：RB088LAM-60TR-HXY 编号：C52988676
    封装：SMAF
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为5A，最大反向电压为60V。其正向压降为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向截止特性。器件具备120A的非重复峰值正向浪涌电流能力，适用于高频整流、开关电源次级侧以及对效率和热管理要求较高的电子设备中，可在瞬态过载条件下维持可靠运行。

    • 5+

      ￥0.784225 ￥0.8255

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    RB068MM-60TFTR-HXY
    型号：RB068MM-60TFTR-HXY 编号：C52754491
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，具备2A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通时能量损耗较低；反向漏电流（IR）为100μA，表现出良好的阻断性能。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、适配器及各类电子系统中的高频应用场合。

    • 5+

      ￥0.79667 ￥0.8386

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