60V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MBRF1060CT 编号：C173454

封装：ITO-220AB-3

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：高浪涌能力，适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。金属硅结，多数载流子传导。高电流能力，低正向压降。用于过压保护的保护环

数据手册

5+
￥1.290144 ￥1.3439
50+
￥0.991872 ￥1.0332
150+
￥0.875616 ￥0.9121
500+
￥0.73056 ￥0.761
2000+
￥0.665952 ￥0.6937
5000+
￥0.627168 ￥0.6533

有货

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型号：MBR2060CT 编号：C2891291

封装：TO-220AB

品牌：GOODWORK(固得沃克)

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

数据手册

5+
￥1.39088 ￥1.7386
50+
￥1.03184 ￥1.2898
150+
￥0.91088 ￥1.1386
500+
￥0.76 ￥0.95
2000+
￥0.6928 ￥0.866
5000+
￥0.6524 ￥0.8155

有货

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型号：RB088LAM-60TR-HXY 编号：C52988676

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为5A，最大反向电压为60V。其正向压降为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向截止特性。器件具备120A的非重复峰值正向浪涌电流能力，适用于高频整流、开关电源次级侧以及对效率和热管理要求较高的电子设备中，可在瞬态过载条件下维持可靠运行。

5+
￥1.451125 ￥1.5275
50+
￥1.1495 ￥1.21
150+
￥1.020205 ￥1.0739
500+
￥0.858895 ￥0.9041
3000+
￥0.787075 ￥0.8285
6000+
￥0.743945 ￥0.7831

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型号：SB1060L 编号：C53085153

封装：TO-277

品牌：Slkor(萨科微)

5+
￥1.4547
50+
￥1.1523
150+
￥1.0227

有货

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型号：SK36AFL-HXY 编号：C52988671

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为3A，最大反向电压VR达60V。其正向压降VF典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流IR为100μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、电池保护电路及各类低压高效能电子设备中的续流与箝位功能。

5+
￥1.543275 ￥1.6245
50+
￥1.22246 ￥1.2868
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￥1.084995 ￥1.1421
500+
￥0.913425 ￥0.9615
3000+
￥0.837045 ￥0.8811
6000+
￥0.79116 ￥0.8328

有货

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型号：SK36SMB-AQ-HXY 编号：C52988702

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为3A，最大反向重复峰值电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向工作状态下，漏电流（IR）不超过500μA，具备良好的阻断能力。器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流（IFSM），适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类高频整流场合。

5+
￥1.543275 ￥1.6245
50+
￥1.22246 ￥1.2868
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￥1.084995 ￥1.1421
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￥0.913425 ￥0.9615
3000+
￥0.837045 ￥0.8811
6000+
￥0.79116 ￥0.8328

有货

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型号：SS36FA-HXY 编号：C52754511

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下为100μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

5+
￥1.566265 ￥1.6487
50+
￥1.2407 ￥1.306
150+
￥1.101145 ￥1.1591
500+
￥0.92701 ￥0.9758
3000+
￥0.84949 ￥0.8942
6000+
￥0.803035 ￥0.8453

有货

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型号：RB162L-60TE25-HXY 编号：C52988613

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为500μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对瞬态电流有一定要求的电路。典型应用包括开关电源中的整流、信号箝位以及直流极性保护等场合。

5+
￥1.61234 ￥1.6972
50+
￥1.27718 ￥1.3444
150+
￥1.13354 ￥1.1932
500+
￥0.954275 ￥1.0045
2000+
￥0.874475 ￥0.9205
4000+
￥0.826595 ￥0.8701

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型号：VSMBRS360-M3/9AT-HXY 编号：C52988725

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通时可有效控制功耗；反向漏电流（IR）为100μA，表明在反向偏置下具备良好的阻断能力。器件能承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换输出级以及需要低损耗与快速响应的电子电路中。

5+
￥1.63533 ￥1.7214
50+
￥1.29542 ￥1.3636
150+
￥1.14969 ￥1.2102
500+
￥0.967955 ￥1.0189
3000+
￥0.887015 ￥0.9337
6000+
￥0.83847 ￥0.8826

有货

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型号：B360B-E3/52T 编号：C145306

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。带保护环用于过压保护。低功率损耗，高效率。低正向压降。高浪涌能力。应用：低压、高频逆变器。续流

数据手册

5+
￥1.7142
50+
￥1.4142
150+
￥1.2857
750+
￥1.0415
2250+
￥0.9701

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型号：MBR2060DCT 编号：C7428048

封装：TO-220AB

品牌：NH(纽航)

特性：低正向压降，实现高效率。低功耗，确保高可靠性。高正向浪涌能力，保障高可靠性。高频操作。最高焊锡浴温度260℃，持续10秒，符合JESD22-B106标准。符合RoHS 2011/65/EU标准。应用：高频逆变器。 AC/DC转换器

5+
￥1.7513
50+
￥1.3635
150+
￥1.2037
500+
￥1.0042

有货

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型号：MBR2060DC 编号：C5444185

封装：TO-263

品牌：YFW(佑风微)

特性：极低的正向电压。高电流能力。高正向浪涌能力。低功耗，高效率。过压保护防护。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

数据手册

5+
￥1.78562 ￥1.8796
50+
￥1.402105 ￥1.4759
150+
￥1.237755 ￥1.3029
500+
￥1.03265 ￥1.087
2400+
￥0.941355 ￥0.9909
4800+
￥0.88654 ￥0.9332

有货

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型号：SBDB3060CT 编号：C5295520

封装：TO-263-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低功耗，高效率。具有保护环芯片结构，用于瞬态保护。高电流能力和低正向压降

数据手册

5+
￥1.8724
50+
￥1.4944
150+
￥1.3324

有货

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型号：CMSH3-60MTR13-HXY 编号：C52988700

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为500μA，适用于对效率和热管理有一定要求的电路环境。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，具备良好的瞬态耐受能力。该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景，凭借肖特基势垒特性，在中低电压系统中展现出较快的开关响应与较低的能量损耗。

5+
￥1.888695 ￥1.9881
50+
￥1.496155 ￥1.5749
150+
￥1.327815 ￥1.3977
500+
￥1.117865 ￥1.1767
3000+
￥1.024385 ￥1.0783
6000+
￥0.968335 ￥1.0193

有货

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型号：MBR2060FCT 编号：C5246168

封装：ITO-220AB

品牌：LGE(鲁光)

特性：高浪涌能力。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。金属硅结，多数载流子传导。高电流容量，低正向压降。用于过压保护的保护环

数据手册

5+
￥1.8912
50+
￥1.498
150+
￥1.3296
500+
￥1.1193
2500+
￥1.0257
5000+
￥0.9696

有货

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型号：CMSH3-60TR13-HXY 编号：C52988722

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压达60V。其正向压降为0.7V，在导通时维持较低的功耗；反向漏电流为100μA，具备良好的反向阻断能力。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源次级侧输出、便携式电子设备电源管理以及对效率和热性能有要求的低压直流转换场合。

5+
￥1.957855 ￥2.0609
50+
￥1.550875 ￥1.6325
150+
￥1.376455 ￥1.4489
500+
￥1.15881 ￥1.2198
3000+
￥1.06191 ￥1.1178
6000+
￥1.00377 ￥1.0566

有货

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型号：SBR20L60CT 编号：C7428110

封装：TO-220-3L

品牌：NH(纽航)

特性：低正向压降肖特基势垒芯片技术。超低正向压降，实现高效率。低功耗，确保高可靠性。高频开关速度。应用：开关模式电源（SMPS）。快速充电器

5+
￥2.0078
50+
￥1.6215
150+
￥1.4314
500+
￥1.1942
2500+
￥1.0886
5000+
￥1.0252

有货

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型号：CMSH2-60TR13-HXY 编号：C52988692

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在60V反向电压下漏电流（IR）不超过500μA。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与续流场景，常见于电源转换、适配器及各类电子设备的低压输出电路中。

5+
￥2.072995 ￥2.1821
50+
￥1.642075 ￥1.7285
150+
￥1.457395 ￥1.5341
500+
￥1.226925 ￥1.2915
3000+
￥1.124325 ￥1.1835
6000+
￥1.062765 ￥1.1187

有货

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型号：RB068L-60DDTE25-HXY 编号：C52988631

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达60V。在导通状态下，其正向压降（VF）为0.7V，反向漏电流（IR）不超过500μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。凭借较低的导通损耗与良好的瞬态响应能力，适用于开关电源、低压整流、高频续流及电源管理等电路场景。

5+
￥2.072995 ￥2.1821
50+
￥1.642075 ￥1.7285
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￥1.457395 ￥1.5341
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￥1.226925 ￥1.2915
2000+
￥1.124325 ￥1.1835
4000+
￥1.062765 ￥1.1187

有货

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型号：MBR20L60FCT 编号：C7428062

封装：ITO-220AB

品牌：NH(纽航)

直流反向耐压(Vr)：60V 平均整流电流(Io)：20A 正向压降(Vf)：550mV@10A 反向漏电流（Ir）:90uA,正向浪涌电流（IFSM）:160A

5+
￥2.1536
50+
￥1.6767
150+
￥1.4802

有货

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型号：MBRD6U60CT-RTF/H 编号：C147280

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：KEC

特性：平均输出整流电流：IO = 6A。重复峰值反向电压：VRRM = 60V。应用：SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATION。 CONVERTER & CHOPPER APPLICATION

数据手册

5+
￥2.2535
50+
￥1.7747
150+
￥1.5695
500+
￥1.3135

有货

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型号：MBRF3060CT 编号：C5246169

封装：ITO-220AB

品牌：LGE(鲁光)

特性：低正向压降。高电流能力。高可靠性。低功耗，高效率

数据手册

5+
￥2.26
50+
￥1.75
150+
￥1.54
500+
￥1.26

有货

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型号：MBR3060CT 编号：C5334285

封装：TO-220AB

品牌：LGE(鲁光)

特性：塑料材料符合UL 94V-0等级。金属硅结，多数载流子传导。低功耗，高效率。高电流能力，低正向压降。高浪涌能力。用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。保护环用于过压保护。保证高温焊接：260℃/10秒，距离外壳0.25英寸（6.35mm）

数据手册

5+
￥2.2755
50+
￥1.7422
150+
￥1.538
500+
￥1.2832
2500+
￥1.1697
5000+
￥1.1016

有货

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型号：MBR2060CT 编号：C2898672

封装：TO-220AB

品牌：YFW(佑风微)

特性：极低的正向电压。高电流能力。高正向浪涌能力。低功率损耗，高效率。过电压保护防护。符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品

数据手册

1+
￥2.2901
10+
￥1.8778
50+
￥1.6766
100+
￥1.4561
500+
￥1.358
1000+
￥1.2991

有货

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型号：CMSH1-60MTR13-HXY 编号：C52988612

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）为500μA，适用于对能效有一定要求的电路环境。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），具备良好的瞬态耐受能力。该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景，兼顾效率与可靠性。

5+
￥2.3085 ￥2.43
50+
￥1.8335 ￥1.93
150+
￥1.6245 ￥1.71
500+
￥1.368 ￥1.44
2000+
￥1.254 ￥1.32
4000+
￥1.1875 ￥1.25

有货

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型号：XBS206S19R-G-HXY 编号：C52988634

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达60V。其正向压降（VF）为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过500μA，具备良好的阻断性能。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、便携设备电源管理及各类对效率和热性能有要求的电子电路中。

5+
￥2.3085 ￥2.43
50+
￥1.8335 ￥1.93
150+
￥1.6245 ￥1.71
500+
￥1.368 ￥1.44
2000+
￥1.254 ￥1.32
4000+
￥1.1875 ￥1.25

有货

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型号：NRVBSS36FA-HXY 编号：C52754508

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，在60V反向电压下漏电流不超过100μA。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流。凭借较低的导通压降和较快的开关特性，适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、续流及电源极性保护等电路场合。

5+
￥2.3085 ￥2.43
50+
￥1.8335 ￥1.93
150+
￥1.6245 ￥1.71
500+
￥1.368 ￥1.44
3000+
￥1.254 ￥1.32
6000+
￥1.1875 ￥1.25

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型号：SBD2060TCTB 编号：C2924049

封装：TO-220-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低功耗，高效率。保护环芯片结构，用于瞬态保护。高电流能力和低正向压降

数据手册

1+
￥2.59
10+
￥2.03
50+
￥1.79
100+
￥1.5

有货

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型号：MBR20L60CT 编号：C6067479

封装：TO-220AB

品牌：GOODWORK(固得沃克)

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

1+
￥2.672 ￥3.34
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￥2.152 ￥2.69
50+
￥1.896 ￥2.37
100+
￥1.632 ￥2.04
500+
￥1.48 ￥1.85
1000+
￥1.4 ￥1.75

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型号：SBRA8160NT3G-HXY 编号：C52988615

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA，具备良好的反向阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景。

1+
￥3.002 ￥3.16
10+
￥2.375 ￥2.5
30+
￥2.109 ￥2.22
100+
￥1.7765 ￥1.87
500+
￥1.6245 ￥1.71
1000+
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