60V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SS26 编号：C4944955

封装：SMA

品牌：SY(顺烨)

Trr恢复时间/20ns

数据手册

20+
￥0.1345
200+
￥0.1047
600+
￥0.0881
5000+
￥0.0748
10000+
￥0.0662
20000+
￥0.0615

有货

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型号：SMD26PL-HXY 编号：C52754493

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压为60V。在正常导通状态下，其正向压降典型值为0.7V，反向漏电流不超过100μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景。其低导通压降有助于减少功耗，提升系统能效，适合用于电源管理、适配器及各类电子设备中的高频整流电路。

10+
￥0.145635 ￥0.1533
100+
￥0.1425 ￥0.15
300+
￥0.140315 ￥0.1477
1000+
￥0.138225 ￥0.1455

有货

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型号：K26 编号：C7426863

封装：SOD-123FL

品牌：SY(顺烨)

特性：塑料封装，符合UL 94V-0阻燃等级。适用于表面贴装应用。内置应力消除，适合自动化贴装。低反向泄漏。高正向浪涌电流能力。保证在250℃/10秒的高温焊接条件下正常工作

20+
￥0.1481
200+
￥0.1154
600+
￥0.0972
3000+
￥0.080259 ￥0.0863
9000+
￥0.071424 ￥0.0768
21000+
￥0.066681 ￥0.0717

有货

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型号：SS26(SMAF) 编号：C6800691

封装：SMAF

品牌：Huixin(慧芯)

特性：塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。适用于表面贴装应用。内置应力消除功能，适合自动贴装。低反向泄漏。高正向浪涌电流能力。端子可承受260℃/10秒高温焊接

20+
￥0.161304 ￥0.1833
200+
￥0.125664 ￥0.1428
600+
￥0.105864 ￥0.1203
3000+
￥0.093984 ￥0.1068
9000+
￥0.083688 ￥0.0951
21000+
￥0.078144 ￥0.0888

有货

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型号：DSK26 编号：C5457048

封装：SOD-123FL

品牌：SY(顺烨)

20+
￥0.1616
200+
￥0.1269
600+
￥0.1077
3000+
￥0.085281 ￥0.0917
9000+
￥0.075981 ￥0.0817
21000+
￥0.070959 ￥0.0763

有货

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型号：PMEG6010CEH-HXY 编号：C52754473

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压为60V。在导通状态下，其正向压降典型值为0.7V，有助于降低功耗；反向漏电流为200μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压高频电路中，具备较快的开关响应能力与较低的热损耗。

10+
￥0.190475 ￥0.2005
100+
￥0.186295 ￥0.1961
300+
￥0.18354 ￥0.1932
1000+
￥0.18069 ￥0.1902

有货

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型号：SS56B 编号：C7435444

封装：SMB

品牌：XCH(旭昌辉)

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

10+
￥0.1957
100+
￥0.1912
300+
￥0.1883
1000+
￥0.1853

有货

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型号：SS16 编号：C211771

封装：SMA-W

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：I₀ 1.0A。 V₅₈ 20V-100V。高浪涌电流能力。外壳：模压塑料

数据手册

20+
￥0.1982
200+
￥0.1571
600+
￥0.1343

有货

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型号：SS36F 编号：C7435373

封装：SMAF

品牌：XCH(旭昌辉)

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

20+
￥0.2069
200+
￥0.1616
600+
￥0.1364
3000+
￥0.1196
9000+
￥0.1065
21000+
￥0.0994

有货

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型号：AS160-L 编号：C541612

封装：SMA

品牌：AnBon(安邦)

特征：反向电压60V，正向电流1A，正向压降0.7V@1A，SMA-L封装；功能：电路整流与续流；应用：小功率适配器，充电器，LED驱动器等

数据手册

20+
￥0.2118
200+
￥0.1627
600+
￥0.1354
2000+
￥0.1184
10000+
￥0.1042
20000+
￥0.0965

有货

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型号：SK26-LTP-HXY 编号：C52988693

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流为2A，最大反向重复峰值电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，最大漏电流为500μA，体现出良好的阻断能力。器件可承受高达50A的非重复正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备中的极性保护以及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。

10+
￥0.215365 ￥0.2267
100+
￥0.210615 ￥0.2217
300+
￥0.20748 ￥0.2184
1000+
￥0.204345 ￥0.2151

有货

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型号：SS36 SMB 编号：C49420322

封装：SMB

品牌：HT(金誉)

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

20+
￥0.218785 ￥0.2303
200+
￥0.17157 ￥0.1806
600+
￥0.14535 ￥0.153
3000+
￥0.129675 ￥0.1365
9000+
￥0.115995 ￥0.1221
21000+
￥0.10868 ￥0.1144

有货

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型号：PMEG6020ELRX-HXY 编号：C52754490

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景，常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。

10+
￥0.22287 ￥0.2346
100+
￥0.21793 ￥0.2294
300+
￥0.2147 ￥0.226
1000+
￥0.211375 ￥0.2225

有货

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型号：SM160AF 编号：C354994

封装：SMA-FL

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：塑料封装具有UL可燃性分类94V-0。低功耗，高效率。用于低压高频逆变器、续流和极性保护应用。有保护环用于过压保护。保证高温焊接：引脚处260℃/10秒

数据手册

20+
￥0.2237
200+
￥0.188
600+
￥0.1682

有货

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型号：SS36 编号：C6068518

封装：SMB

品牌：DOWO(东沃)

特性：低外形封装。适合自动贴装。有过压保护的保护环。低功耗，高效率。高正向浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：用于低压高频逆变器。续流

20+
￥0.2272
200+
￥0.1765
600+
￥0.1483
3000+
￥0.1338
12000+
￥0.1191
18000+
￥0.1113

有货

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型号：SS36C 编号：C22368733

封装：SMC

品牌：Wild Goose(威谷)

这是一款适用于电源转换、高频开关电路以及需要快速恢复时间的整流应用的肖特基二极管

20+
￥0.2292
200+
￥0.1812
600+
￥0.1572
3000+
￥0.1392
9000+
￥0.1248
21000+
￥0.1175

有货

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型号：RB162MM-60TR-HXY 编号：C52754474

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有1A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V，在导通时可有效控制功耗；反向漏电流为200μA，体现出良好的反向阻断性能。器件能承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于开关电源、高频整流、信号解调及各类低压电子系统中，凭借较低的导通压降和较快的恢复特性，有助于提升整体电路效率与响应速度。

10+
￥0.23028 ￥0.2424
100+
￥0.225245 ￥0.2371
300+
￥0.22192 ￥0.2336
1000+
￥0.2185 ￥0.23

有货

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型号：HSS16HE3BH 编号：C42389394

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有1安培的最大正向电流（IF），能够承受最高60伏特的反向电压（VR），其正向电压降（VF）为0.7伏特，在反向电压下，漏电流（IR）不超过500微安。该二极管还拥有30安培的瞬时峰值电流能力（IFSM），适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，如电源整流或保护电路等场合。

5+
￥0.231792 ￥0.2634
50+
￥0.226688 ￥0.2576
150+
￥0.223256 ￥0.2537
500+
￥0.219912 ￥0.2499

有货

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型号：STPS1L60ZF-HXY 编号：C52754479

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压为60V。其正向压降为0.7V，在导通时可有效控制功耗；反向漏电流为200μA，体现出良好的关断特性。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流能力，适用于电源整流、信号箝位、续流保护及低电压高频电路等场合，满足对效率与可靠性的基本需求。

10+
￥0.235315 ￥0.2477
100+
￥0.23009 ￥0.2422
300+
￥0.22667 ￥0.2386
1000+
￥0.22325 ￥0.235

有货

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型号：B360B-13-F-HXY 编号：C52988699

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压为60V。其正向压降为0.7V，在导通状态下保持较低的功耗；反向漏电流为500μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和可靠性有要求的电源整流、低压输出转换以及高频开关电路等应用场合。

10+
￥0.23655 ￥0.249
100+
￥0.231325 ￥0.2435
300+
￥0.227905 ￥0.2399
1000+
￥0.22439 ￥0.2362

有货

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型号：JSPX360A 编号：C7436865

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：JJW(捷捷微)

塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。超低正向压降。低功率损耗，高效运行。高电流能力和浪涌能力。低热阻封装

10+
￥0.2396
100+
￥0.1868
300+
￥0.1603
1000+
￥0.1405
7500+
￥0.1247

有货

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型号：RB160M-60 编号：C7496556

封装：SOD-123FL

品牌：Slkor(萨科微)

肖特基二极管 N沟道, VDSS耐压 30V, ID电流 5.8A, RDON导通电阻 30mR@VGS 10V(MAX), VGS(th)开启电压 0.7-1.4V,

20+
￥0.2433
200+
￥0.192
600+
￥0.1635
3000+
￥0.1464
9000+
￥0.1316
21000+
￥0.1236

有货

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型号：SR160 编号：C698896

封装：DO-41

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：保护环，用于过压保护。低功耗。极快的开关速度。高正向浪涌能力。高频操作。最高275°C浸焊7秒，符合JESD 22-B106标准。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

20+
￥0.2487
200+
￥0.2007
600+
￥0.1767

有货

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型号：HSS26E352T 编号：C42389386

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有2安培的最大正向电流（IF），并且能够承受最高60伏特的反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7伏特，在反向偏置条件下，漏电流（IR）最大为500微安。此元件还设计有瞬间峰值电流（IFSM）承受能力，最高可达50安培。适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，如在电源管理、电池充电控制及高速信号传输路径上的保护等方面。

5+
￥0.25119 ￥0.2791
50+
￥0.2457 ￥0.273
150+
￥0.24201 ￥0.2689
500+
￥0.23832 ￥0.2648

有货

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型号：SS16-LTP 编号：C85689

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：MCC(美微科)

特性：无铅涂层/符合RoHS标准。低正向电压。保护环保护。高电流能力。。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1

数据手册

20+
￥0.2516
200+
￥0.1997
600+
￥0.1709

有货

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型号：SS36C 编号：C7435470

封装：SMC

品牌：XCH(旭昌辉)

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功率损耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用

10+
￥0.252
100+
￥0.2471
300+
￥0.2439
1000+
￥0.2406

有货

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型号：B260A-13-F-HXY 编号：C52988629

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达60V。其正向压降（VF）为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，最大反向漏电流（IR）为500μA。器件具备较强的瞬态耐受能力，最大正向浪涌电流（IFSM）可达50A。适用于开关电源、电池供电设备及各类需要高效整流与快速响应的电子电路中。

5+
￥0.2527 ￥0.266
50+
￥0.24719 ￥0.2602
150+
￥0.243485 ￥0.2563
500+
￥0.23978 ￥0.2524

有货

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型号：SS36B 编号：C123942

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：晶导微电子

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

数据手册

10+
￥0.2603
100+
￥0.2042
300+
￥0.1761

有货

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型号：B160AE-13-HXY 编号：C52988610

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA，具备良好的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场合，常见于电源管理、适配器及各类电子设备中的低压高频应用。

5+
￥0.26144 ￥0.2752
50+
￥0.255645 ￥0.2691
150+
￥0.251845 ￥0.2651
500+
￥0.248045 ￥0.2611

有货

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型号：SS1060HEWS_R1_00001 编号：C282391

封装：SOD-323HE

品牌：PANJIT(强茂)

特性：SOD-323HE低轮廓封装。低正向压降，低反向电流。高效率。符合欧盟RoHS 2002/65/EO指令，无卤。应用：低电压高频逆变器。 DC/DC转换器

数据手册

10+
￥0.2635
100+
￥0.2098
300+
￥0.1829
1000+
￥0.1627
5000+
￥0.1466

有货

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