60V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-123FL

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为1A，最大反向电压达60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为200μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

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型号：MBRF2060CT 编号：C173464

封装：ITO-220AB-3

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。采用无空隙模塑塑料技术。低反向泄漏。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接：250℃，距离外壳0.25英寸（6.35mm）处持续10秒

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￥0.96774 ￥1.6129
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型号：SS1060SP 编号：C20606597

封装：TO-277

品牌：YFW(佑风微)

特性：塑料封装符合UL易燃性分类94V-0。适用于表面贴装应用。内置应力消除，适合自动贴装。低反向泄漏。高正向浪涌电流能力。保证端子在250℃/10秒的高温焊接。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令，无铅

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型号：B260AE-13 编号：C5121618

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

肖特基整流器提供低正向电压（VF），并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性，该器件非常适合用于一般整流应用。

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型号：SR560TL 编号：C7428165

封装：DO-27

品牌：NH(纽航)

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型号：V3F6HM3/H 编号：C7376837

封装：DO-219AB(SMF)

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。薄型封装。适合自动贴装。正向压降低，功率损耗低。符合J-STD-020的MSL 1级，最高峰值温度为260℃。可进行波峰焊和回流焊。应用：用于高频逆变器。续流

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型号：SB56AFC-AU_R1_000A1 编号：C5746766

封装：SMAF-C

品牌：PANJIT(强茂)

特性：低功耗，高效率。高浪涌电流能力。通过AEC-Q101认证。符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准。采用符合IEC 61249标准的绿色模塑料

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型号：B360A-M3/61T 编号：C5950064

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。低正向压降，低功率损耗。高效率。高浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：低压、高频逆变器。续流

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型号：V3P6HM3_A/H 编号：C3759369

封装：DO-220AA(SMP)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。沟槽MOS肖特基技术。低功率损耗，高效率。低正向压降。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：低压、高频逆变器。续流

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型号：RB168MM-60TFTR-HXY 编号：C52754475

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压为60V。在正常导通条件下，其正向压降为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流为200μA，表明具备良好的反向截止特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、电源转换、信号检波及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。

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型号：20CJQ060 编号：C260229

封装：SOT-223-3

品牌：SMC(桑德斯)

特性：150℃ Tj 工作。低正向压降。高纯度、高温环氧树脂封装，增强机械强度和防潮性。高频操作。保护环，增强耐用性和长期可靠性。 “- A” 是 AEC-Q101 合格器件。应用：开关电源。冗余电源子系统

数据手册

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型号：S-SM560C 编号：C2941715

封装：SMC

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：产品材料符合RoHS要求且无卤素。塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。低功耗，高效率。适用于低压高频逆变器、续流和极性保护应用。可承受260℃高温焊接10秒。重量为0.26g。应用：低压高频逆变器。续流

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型号：SS8U60 编号：C698778

封装：TO-277

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：适合自动贴装。低功率损耗。高正向浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260°C。应用：照明。电源的快速开关整流

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型号：VS-MBRS360-M3/9AT 编号：C3760057

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：VISHAY(威世)

专为需要低正向压降和小 PCB 板占用空间的应用而设计。

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型号：RB068MM-60TFTR-HXY 编号：C52754491

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具备2A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通时能量损耗较低；反向漏电流（IR）为100μA，表现出良好的阻断性能。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、适配器及各类电子系统中的高频应用场合。

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型号：SPL1060 编号：C19631228

封装：TO-277

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：平面MOS肖特基势垒二极管。低正向压降。薄型：典型本体高度1.1 mm。湿度敏感度：根据J-STD-020标准为1级。保证高温焊接：260℃/10秒。符合RoHS标准。应用：用于开关电源、照明、适配器、充电器、家用电器、办公设备和电信的交流到直流桥式全波整流的通用用途

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型号：SB3060CT 编号：C3018938

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于低电压、高频逆变器、自由转轮和极性保护应用。

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￥1.25901 ￥1.3989
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￥0.95751 ￥1.0639
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￥0.90171 ￥1.0019

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型号：MBR3060DC-R 编号：C7436457

封装：TO-263

品牌：YFW(佑风微)

特性：低正向电压。高电流能力。高正向浪涌能力。低功耗，高效率。过压保护。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

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￥1.008 ￥1.26

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型号：PMEG6030ELP-QX-HXY 编号：C52988668

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压为60V，正向压降为0.7V，反向漏电流为100μA，具备较低的导通损耗与良好的反向阻断能力。其非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达80A，能够应对短时高电流冲击。此类参数组合使其适用于开关电源整流、极性保护、高频续流以及对效率和瞬态响应有要求的电子电路中。