60V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMAF

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为3A，最大反向电压VR达60V。其正向压降VF典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流IR为100μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、电池保护电路及各类低压高效能电子设备中的续流与箝位功能。

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￥0.834005 ￥0.8779
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￥0.81567 ￥0.8586
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￥0.803415 ￥0.8457
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￥0.79116 ￥0.8328

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型号：SK36SMB-AQ-HXY 编号：C52988702

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为3A，最大反向重复峰值电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向工作状态下，漏电流（IR）不超过500μA，具备良好的阻断能力。器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流（IFSM），适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类高频整流场合。

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￥0.834005 ￥0.8779
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型号：SS36FA-HXY 编号：C52754511

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下为100μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

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￥0.84645 ￥0.891
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￥0.82783 ￥0.8714
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￥0.815385 ￥0.8583
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￥0.803035 ￥0.8453

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型号：SB560 编号：C5295490

封装：DO-27

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：正向平均电流（IF(AV)）：5A。反向重复峰值电压（VRRM）：20V-100V。高浪涌电流能力。极性：色带表示阴极。应用：整流器

数据手册

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￥0.8599
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￥0.6736
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￥0.5805

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型号：MB16S 编号：C437947

封装：MBS

品牌：晶导微电子

特性：反向电压：40至200V。正向电流：1A。高浪涌电流能力。专为表面贴装应用设计

数据手册

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￥0.8874
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￥0.7015
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￥0.6085
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￥0.5388

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型号：ST56B 编号：C414003

封装：SMB

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。金属硅结，多数载流子传导。高效运行。超低正向压降，低功率损耗。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接：260℃/10秒，0.375英寸（9.5mm）引脚长度，5磅（2.3kg）拉力

数据手册

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￥0.9138
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￥0.7223
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￥0.6266
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￥0.4974
6000+
￥0.4687

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型号：SR560 编号：C47089397

封装：DO-27

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低正向压降。高电流能力。高可靠性。高浪涌电流能力。外延结构

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￥0.9537
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￥0.7431
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￥0.6528

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型号：B360-13-F 编号：C110487

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

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￥0.9688
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￥0.7809
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￥0.687
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￥0.6165

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型号：CMSH3-60MTR13-HXY 编号：C52988700

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为500μA，适用于对效率和热管理有一定要求的电路环境。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，具备良好的瞬态耐受能力。该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景，凭借肖特基势垒特性，在中低电压系统中展现出较快的开关响应与较低的能量损耗。

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￥1.02068 ￥1.0744
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型号：SR560TL 编号：C7428165

封装：DO-27

品牌：NH(纽航)

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￥1.0678
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型号：PMEG60T10ELXDX 编号：C7327563

封装：SOD-323HP

品牌：Nexperia(安世)

沟槽肖特基势垒整流器，采用CFP2-HP (SOD323HP)功率扁平引线表面贴装器件(SMD)塑料封装。

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￥1.0839
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型号：SL2060DS 编号：C19193777

封装：TO-252

品牌：JUXING(钜兴)

可替代DO-27，贴片设计降低人工成本，广泛应用于太阳能电池、汽车电子、电脑周边、家电（适用于小空间高效率适配器电源，适配器）通信终端设备。

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￥1.09117 ￥1.1486
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￥1.048705 ￥1.1039
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￥1.0317 ￥1.086

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型号：SS86 编号：C698827

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：保护环用于过压保护。低功耗。极快的开关速度。高正向浪涌能力。高频操作。最高260℃浸焊10秒，符合JESD 22-B106标准。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

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￥1.1111
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￥0.9045
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型号：CMSH2-60TR13-HXY 编号：C52988692

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在60V反向电压下漏电流（IR）不超过500μA。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与续流场景，常见于电源转换、适配器及各类电子设备的低压输出电路中。

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￥1.12024 ￥1.1792
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￥1.095635 ￥1.1533
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￥1.062765 ￥1.1187

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型号：RB068L-60DDTE25-HXY 编号：C52988631

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达60V。在导通状态下，其正向压降（VF）为0.7V，反向漏电流（IR）不超过500μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。凭借较低的导通损耗与良好的瞬态响应能力，适用于开关电源、低压整流、高频续流及电源管理等电路场景。

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型号：SPL1060 编号：C19631228

封装：TO-277

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：平面MOS肖特基势垒二极管。低正向压降。薄型：典型本体高度1.1 mm。湿度敏感度：根据J-STD-020标准为1级。保证高温焊接：260℃/10秒。符合RoHS标准。应用：用于开关电源、照明、适配器、充电器、家用电器、办公设备和电信的交流到直流桥式全波整流的通用用途

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￥1.2076
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￥1.1794
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￥1.1606
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￥1.1417

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型号：XBS206S19R-G-HXY 编号：C52988634

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达60V。其正向压降（VF）为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过500μA，具备良好的阻断性能。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、便携设备电源管理及各类对效率和热性能有要求的电子电路中。

5+
￥1.254 ￥1.32
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￥1.2255 ￥1.29
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￥1.2065 ￥1.27
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￥1.1875 ￥1.25

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型号：CMSH1-60MTR13-HXY 编号：C52988612

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）为500μA，适用于对能效有一定要求的电路环境。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），具备良好的瞬态耐受能力。该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景，兼顾效率与可靠性。

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￥1.2255 ￥1.29
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￥1.2065 ￥1.27
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￥1.1875 ￥1.25

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型号：NRVBSS36FA-HXY 编号：C52754508

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，在60V反向电压下漏电流不超过100μA。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流。凭借较低的导通压降和较快的开关特性，适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、续流及电源极性保护等电路场合。

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￥1.254 ￥1.32
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￥1.2065 ￥1.27
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型号：SL56C 编号：C840776

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。适用于表面贴装应用。金属硅结，多数载流子传导。低功耗，高效率。内置应力消除，适合自动贴装。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接：引脚在260℃下可承受10秒

数据手册

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￥1.2654
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￥1.0084
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￥0.8982
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￥0.7608
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￥0.5978
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￥0.561

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型号：MBRF1060CT 编号：C173454

封装：ITO-220AB-3

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：高浪涌能力，适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。金属硅结，多数载流子传导。高电流能力，低正向压降。用于过压保护的保护环

数据手册

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￥0.761
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￥0.6937
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￥0.6533

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型号：CDBB360-HF 编号：C5120167

封装：DO-214AA

品牌：Comchip(典琦)

特性：适用于低剖面表面贴装应用，以优化电路板空间。低功耗，高效率。高电流能力，低正向压降。高浪涌能力。带有保护环，用于过压保护。超高速开关。采用硅外延平面芯片，金属硅结

数据手册

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￥1.5229
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￥1.2419
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￥1.1215
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￥0.9712
3000+
￥0.8062

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型号：B360B-E3/5BT 编号：C5358727

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。有过压保护环。低功率损耗，高效率。低正向压降。高浪涌能力。应用：低压、高频逆变器。续流

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￥1.5795 ￥1.755
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￥1.24974 ￥1.3886
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￥1.10844 ￥1.2316
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￥0.93213 ￥1.0357
3200+
￥0.85356 ￥0.9484
6400+
￥0.80649 ￥0.8961

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型号：MBRF3060CT 编号：C2943737

封装：ITO-220AB

品牌：GOODWORK(固得沃克)

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

数据手册

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￥1.60037 ￥1.6846
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￥1.22531 ￥1.2898
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￥1.08167 ￥1.1386
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￥0.9025 ￥0.95
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￥0.8227 ￥0.866
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￥0.77482 ￥0.8156

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型号：SBRA8160NT3G-HXY 编号：C52988615

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA，具备良好的反向阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景。