60V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-123FL

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压达60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

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￥0.64999 ￥0.6842
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￥0.51775 ￥0.545
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￥0.45163 ￥0.4754
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￥0.36233 ￥0.3814
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￥0.342475 ￥0.3605

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型号：SD101AW-7-F 编号：C154887

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。可忽略不计的反向恢复时间。极低的反向电容。无铅、无卤和无锑，符合RoHS标准的“绿色”器件

数据手册

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￥0.666
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￥0.5314
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￥0.4642
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￥0.4137

有货

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型号：SS16-E3/5AT 编号：C511401

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。有保护环用于过压保护。低功率损耗，高效率。低正向压降。高浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260°C。应用：低压、高频逆变器。续流

数据手册

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￥0.6822
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￥0.5539
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￥0.4897

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型号：MBR160HW 编号：C3759956

封装：SOD-123

品牌：SMC(桑德斯)

特性：低开启电压。快速开关。 PN结保护环瞬态和ESD保护。专为表面贴装应用设计。塑料材料 — UL认可的阻燃等级94V-O。符合ROHS指令的绿色产品。这是无铅器件。所有SMC部件可追溯到晶圆批次。可根据要求提供额外测试

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￥0.427
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￥0.3521
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￥0.3315

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型号：HSS26T3G 编号：C42389399

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有2A的正向电流（IF）容量和60V的最高反向电压（VR），适用于多种高频电路中的快速开关应用。其正向电压（VF）为0.7V，在确保低导通损耗的同时，提供了高效的电流处理能力。反向漏电流（IR）在室温下最大为500微安，显示出良好的阻断特性。该二极管还支持50A的瞬时正向浪涌电流（IFSM），能够在需要承受短暂高电流的情况下保持可靠运行。

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￥0.68552 ￥0.8569
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￥0.37312 ￥0.4664
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￥0.3516 ￥0.4395

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型号：SL860 编号：C6067487

封装：TO-277

品牌：GOODWORK(固得沃克)

特性：低正向压降。出色的高温稳定性。快速开关能力。后缀“G”表示无卤部件。无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准

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型号：SS36AQ 编号：C698868

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低外形封装。适合自动贴装。有保护环用于过压保护。低功耗，高效率。高正向浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值为260℃。应用：低压高频逆变器。续流

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￥0.7527
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￥0.6197
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型号：B360-13-F-HXY 编号：C52988721

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V，在导通状态下保持较低的能量损耗；反向漏电流为100μA，表现出良好的反向截止性能。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备以及对效率和响应速度有较高要求的低压电力转换电路。

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￥0.761995 ￥0.8021
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￥0.606955 ￥0.6389
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￥0.529435 ￥0.5573
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型号：SS56LB 编号：C5161910

封装：SMB

品牌：ZHIDE(志得)

表面安装肖特基二极管反向电压 40~200V，正向电流5.0A

数据手册

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￥0.7759
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型号：B260BE-13 编号：C3001666

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

肖特基整流器提供低正向电压（VF），并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性，该器件非常适合用于一般整流应用。

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￥0.775971 ￥1.2317
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型号：CDBA260-HF 编号：C5612458

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：Comchip(典琦)

特性：适用于低剖面表面贴装应用，以优化电路板空间。低功耗，高效率。高电流能力，低正向压降。高浪涌能力。带保护环，用于过压保护。超高速开关。采用硅外延平面芯片，金属硅结

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￥0.7782
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￥0.64
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￥0.5708
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￥0.519
2500+
￥0.4326

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型号：SR560L 编号：C49326429

封装：DO-27

品牌：XUMAO(旭茂微)

70MIL-LVF

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￥0.7785
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￥0.6201
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￥0.5409

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型号：SR360 编号：C698904

封装：DO-27

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：保护环用于过压保护。低功耗。极快的开关速度。高正向浪涌能力。高频运行。浸焊温度最高275℃，时间最长7s（符合JESD 22-B106）。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

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￥0.8117
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型号：SRM10L60SFCT 编号：C7436480

封装：TO-220F

品牌：YFW(佑风微)

特性：低正向电压。高电流能力。高正向浪涌能力。低功耗，高效率。过电压保护防护。符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品

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型号：SKL36-HXY 编号：C52754510

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为3A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在60V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流能力（IFSM），适用于对导通效率和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源极性保护等电路应用。

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￥0.92131 ￥0.9698
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￥0.4997 ￥0.526
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￥0.47234 ￥0.4972

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型号：SS2FH6HM3/H-HXY 编号：C52754495

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为2A，最大反向电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景，常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。

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￥0.944395 ￥0.9941
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￥0.748125 ￥0.7875
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￥0.663955 ￥0.6989
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￥0.55898 ￥0.5884
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￥0.51224 ￥0.5392
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型号：SR560 编号：C47089397

封装：DO-27

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低正向压降。高电流能力。高可靠性。高浪涌电流能力。外延结构

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￥0.9537
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￥0.7431
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￥0.6528

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型号：B360A-M3/61T-HXY 编号：C53262788

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；反向漏电流（IR）为500μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适合用于对整流效率和瞬态耐受能力有要求的电源转换、适配器及高频电路等应用场景。

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￥0.967385 ￥1.0183
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￥0.766365 ￥0.8067
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￥0.680105 ￥0.7159
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￥0.572565 ￥0.6027
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￥0.524685 ￥0.5523
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￥0.495995 ￥0.5221

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型号：VS20MQ060HM3/5AT-HXY 编号：C52988633

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）最大为500μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

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￥0.99047 ￥1.0426
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￥0.784605 ￥0.8259
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￥0.69635 ￥0.733
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￥0.537225 ￥0.5655
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￥0.507775 ￥0.5345

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型号：SK86L-HXY 编号：C52988736

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有8A的正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）典型值为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

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￥1.01346 ￥1.0668
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￥0.802845 ￥0.8451
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￥0.7125 ￥0.75
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￥0.54967 ￥0.5786
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￥0.51965 ￥0.547

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型号：ACDBA360-HF 编号：C3019735

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：Comchip(典琦)

特性：高电流能力。高浪涌能力。低反向电流。符合AEC-Q101

数据手册

5+
￥1.0206
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￥0.8087
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￥0.7179
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￥0.6046
2500+
￥0.4718

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型号：YFW5L60 编号：C5185717

封装：DO-27

品牌：YFW(佑风微)

特性：先进的沟槽技术。低正向压降。低功率损耗。高效运行。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

数据手册

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￥1.024575 ￥1.0785
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￥0.81434 ￥0.8572
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￥0.72428 ￥0.7624
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￥0.56601 ￥0.5958
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￥0.515945 ￥0.5431
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￥0.485925 ￥0.5115

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型号：MB56_R2_00001 编号：C5118927

封装：SMC

品牌：PANJIT(强茂)

特性：塑料封装，具有美国保险商实验室（UL）94V-0 阻燃等级。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。低功耗，高效率。高浪涌容量。符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品。采用符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料

数据手册

5+
￥1.0824
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￥0.8612
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￥0.7663
500+
￥0.648

有货

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型号：STPS3L60S-HXY 编号：C52988724

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为3A，最大反向电压VR达60V。在正常导通状态下，其正向压降VF为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向截止性能。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于高频整流、开关电源输出端以及需要快速恢复特性的电路中，能有效提升系统效率与响应速度。

5+
￥1.08262 ￥1.1396
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￥0.857565 ￥0.9027
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￥0.76114 ￥0.8012
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￥0.640775 ￥0.6745
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￥0.587195 ￥0.6181
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￥0.555085 ￥0.5843

有货

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型号：SR1060L 编号：C7450398

封装：DO-27

品牌：LJ(朗捷)

特性：快速开关速度。低正向电压。低功耗、高效率。高浪涌能力。保证250℃/10秒高温焊接，引脚长度0.373英寸（9.5mm）

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￥1.1043
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￥0.8604
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￥0.7558
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￥0.6254
2500+
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￥0.5324

有货

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型号：RB162M-60TR-HXY 编号：C52754448

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压达60V。其正向压降为0.72V，在导通时维持较低的功耗；反向漏电流为300μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达20A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源管理电路，常见于消费类电子与通信设备中的高频开关应用。

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￥1.128695 ￥1.1881
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￥0.894045 ￥0.9411
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￥0.793535 ￥0.8353
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￥0.66804 ￥0.7032
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￥0.61218 ￥0.6444
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￥0.578645 ￥0.6091

有货

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型号：NRVTS2H60ESFT3G-HXY 编号：C52754488

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对开关速度和效率有要求的整流、续流及箝位电路，常见于消费类电子、电源适配器及便携设备中的能量转换环节。

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￥1.151685 ￥1.2123
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￥0.912285 ￥0.9603
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￥0.809685 ￥0.8523
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￥0.624625 ￥0.6575
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￥0.590425 ￥0.6215

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型号：SK36 编号：C492932

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：SMC(桑德斯)

特性：肖特基势垒芯片。用于瞬态保护的保护环管芯结构。高电流能力。低功耗、高效率。高浪涌电流能力。用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。这是无铅器件。所有SMC部件均可追溯到晶圆批次。可应要求提供额外测试

数据手册

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￥1.1573
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有货

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型号：RB160L-60TE25 编号：C209644

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小功率模具类型。低正向压降（VF）。应用：一般整流

数据手册

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￥1.1725
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￥0.9154
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￥0.8053

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型号：RBR3LAM60ATFTR-HXY 编号：C52988670

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V，在导通时能量损耗较低；反向漏电流为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对效率和热性能有要求的各类电子电路中。

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￥1.174675 ￥1.2365
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￥0.930525 ￥0.9795
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￥0.825835 ￥0.8693
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￥0.695305 ￥0.7319
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￥0.637165 ￥0.6707
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