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首页 > 热门关键词 > 60V肖特基二极管
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电压:60V 电流:2A
型号：SS26BG 编号：C719400
封装：SMB
品牌：SHIKUES(时科)
特性：金属硅结，多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗，高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
数据手册

  • 10+

    ￥0.26429 ￥0.2782

  • 100+

    ￥0.21052 ￥0.2216

  • 300+

    ￥0.183635 ￥0.1933

  • 3000+

    ￥0.163495 ￥0.1721

  • 6000+

    ￥0.147345 ￥0.1551

  • 9000+

    ￥0.13927 ￥0.1466
  • 有货
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    60V 5A
    型号：SS56A 编号：C48996639
    封装：SMA
    品牌：DOWO(东沃)
    特性：低外形封装。适合自动贴装。过压保护的保护环。低功耗，高效率。高正向浪涌能力。符合RoHS标准，无卤

    • 10+

      ￥0.2666

    • 100+

      ￥0.2124

    • 300+

      ￥0.1853

    • 1000+

      ￥0.1649
  • 有货
    • 立即购买
    SK56L-HXY
    型号：SK56L-HXY 编号：C52988734
    封装：SMC
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为5A，最大反向电压达60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及高频信号处理等场合，能够有效提升系统整体能效与稳定性。

    • 5+

      ￥0.27018 ￥0.2844

    • 50+

      ￥0.264195 ￥0.2781

    • 150+

      ￥0.260205 ￥0.2739

    • 500+

      ￥0.25631 ￥0.2698
  • 有货
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    电压:60V
    型号：SSL36F 编号：C5270605
    封装：SMAF
    品牌：YFW(佑风微)
    特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令
    数据手册

    • 5+

      ￥0.27151 ￥0.2858

    • 50+

      ￥0.265145 ￥0.2791

    • 150+

      ￥0.260965 ￥0.2747

    • 500+

      ￥0.256785 ￥0.2703
  • 有货
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    STPS2L60ZFY-HXY
    型号：STPS2L60ZFY-HXY 编号：C52754496
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式结构，具有2A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，表现出良好的阻断性能。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、适配器以及各类便携式电子设备中。

    • 5+

      ￥0.27265 ￥0.287

    • 50+

      ￥0.266665 ￥0.2807

    • 150+

      ￥0.262675 ￥0.2765

    • 500+

      ￥0.258685 ￥0.2723
  • 有货
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    RB168L-60TE25-HXY
    型号：RB168L-60TE25-HXY 编号：C52988614
    封装：SMA
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，有助于在导通状态维持较低的功耗；反向漏电流（IR）为500μA，表现出合理的阻断特性。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，可应对短时过流情况。适用于电源整流、极性保护、高频开关及信号解调等电路场景。

    • 5+

      ￥0.27265 ￥0.287

    • 50+

      ￥0.266665 ￥0.2807

    • 150+

      ￥0.262675 ￥0.2765

    • 500+

      ￥0.258685 ￥0.2723
  • 有货
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    RBR2MM60ATFTR-HXY
    型号：RBR2MM60ATFTR-HXY 编号：C52754492
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）为60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路，常见于电源适配器、消费类电子设备及高频开关应用中。

    • 5+

      ￥0.27759 ￥0.2922

    • 50+

      ￥0.27151 ￥0.2858

    • 150+

      ￥0.267425 ￥0.2815

    • 500+

      ￥0.26334 ￥0.2772
  • 有货
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    B260S1F-7-HXY
    型号：B260S1F-7-HXY 编号：C52754487
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

    • 5+

      ￥0.282625 ￥0.2975

    • 50+

      ￥0.276355 ￥0.2909

    • 150+

      ￥0.27227 ￥0.2866

    • 500+

      ￥0.26809 ￥0.2822
  • 有货
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    B160S1F-7-HXY
    型号：B160S1F-7-HXY 编号：C52754472
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向重复峰值电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为200μA。器件具备30A的正向浪涌电流承受能力（IFSM），适用于电源整流、信号箝位、反接保护及高频开关等电路场合，能够满足对低功耗与高响应性能有要求的应用需求。

    • 5+

      ￥0.292505 ￥0.3079

    • 50+

      ￥0.28614 ￥0.3012

    • 150+

      ￥0.281865 ￥0.2967

    • 500+

      ￥0.27759 ￥0.2922
  • 有货
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    电压:60V 电流:5A
    型号：SS56A 编号：C5455841
    封装：SMA
    品牌：XCH(旭昌辉)
    芯片采用外延平面结构，具有较低的导通压降，适用于开关和续流电路。

    • 10+

      ￥0.2979

    • 100+

      ￥0.2355

    • 300+

      ￥0.2043

    • 2000+

      ￥0.1809

    • 4000+

      ￥0.1622

    • 10000+

      ￥0.1528
  • 有货
    • 立即购买
    电压:60V 电流:2A
    型号：SR260 编号：C2898601
    封装：DO-15
    品牌：YFW(佑风微)
    特性：用于过压保护的保护环。 低反向泄漏。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3054

    • 100+

      ￥0.245

    • 500+

      ￥0.198

    • 1000+

      ￥0.1753

    • 5000+

      ￥0.1572

    • 10000+

      ￥0.1481
  • 有货
    • 立即购买
    60V 5A
    型号：SS56B 编号：C48996629
    封装：SMB
    品牌：DOWO(东沃)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 有过压保护的保护环。 低功率损耗，高效率。 高正向浪涌能力。 符合RoHS标准，无卤

    • 10+

      ￥0.3138

    • 100+

      ￥0.25

    • 300+

      ￥0.218
  • 有货
    • 立即购买
    SS1060C
    型号：SS1060C 编号：C42415181
    封装：SMC
    品牌：Slkor(萨科微)

    • 5+

      ￥0.3168

    • 50+

      ￥0.3095

    • 150+

      ￥0.3046

    • 500+

      ￥0.2997
  • 有货
    • 立即购买
    电压:60V 电流:5A
    型号：SS56B 编号：C7450529
    封装：SMB
    品牌：LJ(朗捷)
    特性：塑料封装，符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于表面贴装应用。 金属硅结，多数载流子传导。 低功率损耗，高效率。 内置应力消除，适合自动贴装。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接：端子在260℃下可承受10秒

    • 10+

      ￥0.3236

    • 100+

      ￥0.2535

    • 300+

      ￥0.2185

    • 3000+

      ￥0.1922

    • 6000+

      ￥0.1712

    • 9000+

      ￥0.1606
  • 有货
    • 立即购买
    电压:60V 电流:3A
    型号：DSS36 编号：C5161880
    封装：SOD-123FL
    品牌：ZHIDE(志得)
    表面安装肖特基二极管反向电压 20~200V，正向电流 3.0A
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3277

    • 100+

      ￥0.259

    • 300+

      ￥0.2247

    • 3000+

      ￥0.199

    • 6000+

      ￥0.1784

    • 9000+

      ￥0.1681
  • 有货
    • 立即购买
    电压:60V 电流:3A
    型号：S36F 编号：C698852
    封装：SMAF(DO-214AD)
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 有保护环用于过压保护。 低功率损耗，高效率。 高正向浪涌能力。 符合MSL 1级，根据J-STD-020，LF最大峰值为269℃。应用：低压高频逆变器。 续流
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3362

    • 100+

      ￥0.2753

    • 300+

      ￥0.2448
  • 有货
    • 立即购买
    RB055LAM-60TFTR-HXY
    型号：RB055LAM-60TFTR-HXY 编号：C52988669
    封装：SMAF
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

    • 5+

      ￥0.348555 ￥0.3669

    • 50+

      ￥0.34086 ￥0.3588

    • 150+

      ￥0.335825 ￥0.3535

    • 500+

      ￥0.330695 ￥0.3481
  • 有货
    • 立即购买
    电压:60V 电流:2A
    型号：DSS26 编号：C5161879
    封装：SOD-123FL
    品牌：ZHIDE(志得)
    表面安装肖特基二极管反向电压20~200V，正向电流2.0A
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3531

    • 100+

      ￥0.286

    • 300+

      ￥0.2524

    • 3000+

      ￥0.1947

    • 6000+

      ￥0.1745

    • 9000+

      ￥0.1645
  • 有货
    • 立即购买
    SS26FL-HXY
    型号：SS26FL-HXY 编号：C52754494
    封装：SOD-123FL
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压达60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

    • 5+

      ￥0.361 ￥0.38

    • 50+

      ￥0.353115 ￥0.3717

    • 150+

      ￥0.347795 ￥0.3661

    • 500+

      ￥0.342475 ￥0.3605
  • 有货
    • 立即购买
    电压:60V 电流:3A
    型号：SS36B 编号：C47120502
    封装：SMB
    品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)
    表面贴装肖特基整流二极管，反向电压：20V~200V，正向电流：3.0A，SMB封装。Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers, Reverse Voltage: 20 to 200V, Forward Current: 3.0A, SMB package.

    • 10+

      ￥0.3657

    • 100+

      ￥0.2913

    • 300+

      ￥0.2541
  • 有货
    • 立即购买
    电压:60V 电流:2A
    型号：SS26F-HF 编号：C3757115
    封装：DO-214AD
    品牌：Comchip(典琦)
    特性：金属硅结，多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗，高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

    • 5+

      ￥0.3744

    • 50+

      ￥0.3263

    • 150+

      ￥0.3022

    • 500+

      ￥0.2842

    • 2500+

      ￥0.2553

    • 5000+

      ￥0.2481
  • 有货
    • 立即购买
    电压:60V 电流:2A
    型号：DSL26W 编号：C5155251
    封装：SOD-123FL
    品牌：晶导微电子
    特性：金属硅结，多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗，高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3752

    • 100+

      ￥0.301

    • 300+

      ￥0.2638
  • 有货
    • 立即购买
    电压:60V 电流:1A
    型号：DTSS16L 编号：C5161858
    封装：SOD-123FL
    品牌：ZHIDE(志得)
    表面安装肖特基二极管反向电压60V，正向电流1.0A
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3762

    • 100+

      ￥0.2994

    • 300+

      ￥0.261

    • 3000+

      ￥0.2226

    • 6000+

      ￥0.1996

    • 9000+

      ￥0.188
  • 有货
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    电压:60V 电流:3A
    型号：SR360 编号：C5280516
    封装：DO-27
    品牌：XCH(旭昌辉)
    特性：金属-半导体结防护。 极低正向压降。 高正向浪涌能力。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级，LF 最大峰值为 260℃。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC 并符合 WEEE 2002/96/EC。应用：用于低压、高频逆变器
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3762

    • 100+

      ￥0.2994

    • 300+

      ￥0.261

    • 1250+

      ￥0.2226

    • 5000+

      ￥0.1996

    • 10000+

      ￥0.188
  • 有货
    • 立即购买
    电压:60V 电流:2A
    型号：HSS26HE3AH 编号：C42389388
    封装：SMB
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款肖特基二极管具备2安培的正向电流（IF）处理能力，同时支持最高60伏特的反向电压（VR）。其正向电压（VF）为0.7伏特，有效降低了导通损耗。反向漏电流（IR）则控制在500微安以下，确保了在待机或非导通状态下的能耗较低。该二极管还可以承受50安培的瞬时峰值电流（IFSM），适用于需要快速开关特性和低噪声性能的电子设备中，如适配器、消费电子产品中的电源管理和数据通信设备的保护等。

    • 5+

      ￥0.38128 ￥0.4766

    • 50+

      ￥0.37288 ￥0.4661

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    电压:60V 电流:3A
    型号：SS36B 编号：C340693
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 有保护环用于过压保护。 低功耗，高效率。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为269℃。应用：低压高频逆变器。 续流
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3922

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    SB1060
    型号：SB1060 编号：C53085150
    封装：TO-277
    品牌：Slkor(萨科微)

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      ￥0.3931

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    B560C-13-F-HXY
    型号：B560C-13-F-HXY 编号：C52988732
    封装：SMC
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式结构，具有5A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流为100μA，在关断状态下保持良好的隔离性能。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出端以及对效率和热管理要求较高的电子系统中，能有效支持稳定可靠的电路运行。

    • 5+

      ￥0.398335 ￥0.4193

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    电压:60V 电流:5A
    型号：SR560 编号：C5280521
    封装：DO-27
    品牌：XCH(旭昌辉)
    芯片采用外延平面结构，具有较低的导通压降，适用于开关和续流电路。
    数据手册

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      ￥0.4268

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      ￥0.3404

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    3.0A 表面贴装肖特基整流二极管
    型号：SS36-C 编号：C397625
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：AnBon(安邦)
    特征：反向电压60V，正向电流3A，正向压降0.70V@3A，SMC封装；功能：电路整流与续流；应用：小功率适配器或者充电器、LED驱动电路，辅助电源等
    数据手册

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      ￥0.43282 ￥0.4556

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