60V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-123FL

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压达60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为200μA，适用于对能效和热管理有一定要求的电路环境。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流，具备良好的瞬态耐受能力。此类参数组合使其适合用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景。

5+
￥0.4617 ￥0.486
50+
￥0.367745 ￥0.3871
150+
￥0.320815 ￥0.3377
500+
￥0.28557 ￥0.3006
3000+
￥0.257355 ￥0.2709
6000+
￥0.243295 ￥0.2561

有货

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型号：SS56B 编号：C698841

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低外形封装。适合自动贴装。保护环用于过压保护。低功率损耗，高效率。高正向浪涌能力。符合MSL 1级，根据J-STD-020，LF最大峰值为269℃。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

10+
￥0.4682
100+
￥0.3762
300+
￥0.3301

有货

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型号：SR360 编号：C5365480

封装：DO-27

品牌：JUXING(钜兴)

特性：高电流能力。高浪涌电流能力。低正向压降。超过MIL-S-19500/228的环境标准。适用于低压、高频逆变器续流和极性保护应用

5+
￥0.479465 ￥0.5047
50+
￥0.37905 ￥0.399
150+
￥0.328795 ￥0.3461
1250+
￥0.291175 ￥0.3065
2500+
￥0.26106 ￥0.2748
5000+
￥0.245955 ￥0.2589

有货

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型号：SK56L-HXY 编号：C52988734

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为5A，最大反向电压达60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及高频信号处理等场合，能够有效提升系统整体能效与稳定性。

5+
￥0.4864 ￥0.512
50+
￥0.38741 ￥0.4078
150+
￥0.337915 ￥0.3557
500+
￥0.300865 ￥0.3167
3000+
￥0.27113 ￥0.2854
6000+
￥0.25631 ￥0.2698

有货

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型号：SS56L 编号：C18216326

封装：SMA

品牌：晶导微电子

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

5+
￥0.4922
50+
￥0.3866
150+
￥0.3338
500+
￥0.2942

有货

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型号：SSL36F 编号：C5270605

封装：SMAF

品牌：YFW(佑风微)

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令

数据手册

5+
￥0.50065 ￥0.527
50+
￥0.39577 ￥0.4166
150+
￥0.34333 ￥0.3614
500+
￥0.304 ￥0.32
3000+
￥0.272555 ￥0.2869
6000+
￥0.256785 ￥0.2703

有货

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型号：B160S1F-7-HXY 编号：C52754472

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向重复峰值电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为200μA。器件具备30A的正向浪涌电流承受能力（IFSM），适用于电源整流、信号箝位、反接保护及高频开关等电路场合，能够满足对低功耗与高响应性能有要求的应用需求。

5+
￥0.52668 ￥0.5544
50+
￥0.41952 ￥0.4416
150+
￥0.36594 ￥0.3852
500+
￥0.325755 ￥0.3429
3000+
￥0.293645 ￥0.3091
6000+
￥0.27759 ￥0.2922

有货

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型号：B160AE-13 编号：C6128331

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

肖特基整流器在高温下提供低VF和出色的反向泄漏稳定性，适用于一般整流应用。

5+
￥0.5289
50+
￥0.4231
150+
￥0.3702
500+
￥0.3305
2500+
￥0.2988

有货

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型号：SR560-B 编号：C908726

封装：DO-27

品牌：GOODWORK(固得沃克)

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

数据手册

5+
￥0.5328
50+
￥0.4272
250+
￥0.3457
500+
￥0.3061
2500+
￥0.2744
5000+
￥0.2585

有货

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型号：SSL56F 编号：C5125733

封装：SMAF

品牌：JUXING(钜兴)

代替打扁SMA与框架SMA产品使用，采用框架焊接式工艺，提供了高可靠性和电流容量大等特性

数据手册

5+
￥0.558 ￥0.62
50+
￥0.44649 ￥0.4961
150+
￥0.39069 ￥0.4341
500+
￥0.34884 ￥0.3876
3000+
￥0.2898 ￥0.322
6000+
￥0.27306 ￥0.3034

有货

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型号：SK56B-LTP-HXY 编号：C52988705

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有5A的平均正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗。反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达150A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源及高频逆变器等应用场景。

5+
￥0.578265 ￥0.6087
50+
￥0.46056 ￥0.4848
150+
￥0.401755 ￥0.4229
500+
￥0.357675 ￥0.3765
3000+
￥0.322335 ￥0.3393
6000+
￥0.304665 ￥0.3207

有货

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型号：SS1060C 编号：C42415181

封装：SMC

品牌：Slkor(萨科微)

5+
￥0.5843
50+
￥0.4619
150+
￥0.4007
500+
￥0.3548
3000+
￥0.318
6000+
￥0.2997

有货

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型号：SR360 编号：C402293

封装：DO-27

品牌：LGE(鲁光)

特性：低功耗，高效率。高电流能力，低正向压降。高可靠性。高浪涌电流能力。外延结构。保护环用于瞬态保护。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

数据手册

5+
￥0.5886
50+
￥0.4684
150+
￥0.4084
1250+
￥0.3482
2500+
￥0.3122
5000+
￥0.2942

有货

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型号：SS26Q 编号：C2942654

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低外形封装。适合自动贴装。有保护环用于过压保护。低功率损耗，高效率。高正向浪涌能力。符合MSL 1级标准，LF最大峰值260℃。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

5+
￥0.5958
50+
￥0.4786
150+
￥0.4201
500+
￥0.3761

有货

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型号：SK56L-TP 编号：C669020

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：MCC(美微科)

特性：无铅涂层/符合RoHS标准。高电流能力。适用于表面贴装应用。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。

数据手册

5+
￥0.6314
50+
￥0.4946
150+
￥0.4262
500+
￥0.3748

有货

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型号：SS56 编号：C2898934

封装：SMC

品牌：YFW(佑风微)

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令

数据手册

5+
￥0.6397
50+
￥0.5231
150+
￥0.4648
500+
￥0.421
3000+
￥0.3536
6000+
￥0.3361

有货

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型号：SR360 编号：C2898612

封装：DO-27

品牌：YFW(佑风微)

特性：过压保护保护环。低反向泄漏。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接（250℃ /10 秒在端子处）。符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品

数据手册

5+
￥0.6443
50+
￥0.5138
150+
￥0.4485
1250+
￥0.3784
2500+
￥0.3392
5000+
￥0.3196

有货

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型号：HSS26HE3AH 编号：C42389388

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备2安培的正向电流（IF）处理能力，同时支持最高60伏特的反向电压（VR）。其正向电压（VF）为0.7伏特，有效降低了导通损耗。反向漏电流（IR）则控制在500微安以下，确保了在待机或非导通状态下的能耗较低。该二极管还可以承受50安培的瞬时峰值电流（IFSM），适用于需要快速开关特性和低噪声性能的电子设备中，如适配器、消费电子产品中的电源管理和数据通信设备的保护等。