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首页 > 热门关键词 > AOS二极管
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结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,可提供极低的导通电阻。 该器件适用于开关电源和通用应用中的高端开关。 符合RoHS和无卤标准。
数据手册
  • 5+

    ¥1.1592
  • 50+

    ¥0.9275
  • 150+

    ¥0.8282
  • 500+

    ¥0.7043
  • 2500+

    ¥0.6491
  • 5000+

    ¥0.616
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  • AOD407采用先进的沟槽技术,可实现出色的 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{ON})}$、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK封装出色的热阻特性,该器件非常适合大电流负载应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2858
    • 50+

      ¥1.1276
    • 150+

      ¥1.0598
    • 500+

      ¥0.9752
    • 2500+

      ¥0.8214
    • 5000+

      ¥0.7988
  • 有货
    • 1+

      ¥2.63
    • 10+

      ¥2.1
    • 30+

      ¥1.88
    • 100+

      ¥1.6
    • 500+

      ¥1.47
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • 沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 符合RoHS标准且无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5612
    • 50+

      ¥0.458
    • 150+

      ¥0.4064
    • 500+

      ¥0.3677
    • 3000+

      ¥0.2993
    • 6000+

      ¥0.2838
  • 有货
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      ¥1.2204
    • 50+

      ¥0.948
    • 150+

      ¥0.8312
    • 500+

      ¥0.6855
    • 2500+

      ¥0.6206
    • 5000+

      ¥0.5817
  • 有货
    • 5+

      ¥1.3164
    • 50+

      ¥1.0392
    • 150+

      ¥0.9204
    • 500+

      ¥0.7722
    • 2500+

      ¥0.6337
    • 5000+

      ¥0.594
  • 有货
  • P沟道,-30V,-12A,13mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3496
    • 50+

      ¥1.0976
    • 150+

      ¥0.9896
    • 500+

      ¥0.8549
    • 3000+

      ¥0.7061
    • 6000+

      ¥0.67
  • 有货
  • N沟道 60V 13.5A
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3922
    • 50+

      ¥1.1402
    • 150+

      ¥1.0322
    • 500+

      ¥0.8974
    • 3000+

      ¥0.7462
    • 6000+

      ¥0.7102
  • 有货
  • P沟道,-30V,-9A,18mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.35
    • 10+

      ¥2.08
    • 30+

      ¥1.97
    • 100+

      ¥1.82
    • 500+

      ¥1.76
    • 1000+

      ¥1.72
  • 有货
  • P沟道,-30V,-70A,8mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.6686
    • 50+

      ¥2.1091
    • 150+

      ¥1.8694
    • 500+

      ¥1.4009
    • 2500+

      ¥1.2677
  • 有货
  • P沟道
    数据手册
    • 1+

      ¥4.06
    • 10+

      ¥3.26
    • 30+

      ¥2.86
    • 100+

      ¥2.46
    • 500+

      ¥2.22
    • 1000+

      ¥2.1
  • 有货
  • AOZ1284是一款高效率、高电压的4A降压调节器,适用于多种应用。其输入电压范围为3.0V至36V,输出电压可调范围为0.8V至30V,最大连续输出电流为4A。该器件集成了一个内部N通道高侧MOSFET,支持可调软启动时间和开关频率,具有短路保护、过压保护和过温保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.56
    • 10+

      ¥3.79
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      ¥3.4
    • 100+

      ¥3.01
    • 500+

      ¥2.5
    • 1000+

      ¥2.38
  • 有货
  • P沟 -30V -2.6A
    数据手册
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      ¥0.5238
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      ¥0.4229
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      ¥0.3725
    • 500+

      ¥0.3347
    • 3000+

      ¥0.2684
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  • N沟道,30V,5A,32mΩ@10V
    数据手册
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      ¥0.8922
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      ¥0.6954
    • 150+

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    • 3000+

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    • 6000+

      ¥0.4346
  • 有货
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      ¥1.1223
    • 3000+

      ¥1.0338
    • 6000+

      ¥0.9807
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。这是一种通用器件,适用于广泛的功率转换应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1727
    • 50+

      ¥1.7483
    • 150+

      ¥1.5665
    • 500+

      ¥1.3396
    • 3000+

      ¥1.1889
  • 有货
    • 1+

      ¥2.91
    • 10+

      ¥2.35
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  • 有货
    • 1+

      ¥7.5
    • 10+

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      ¥4.78
    • 500+

      ¥4.44
    • 1000+

      ¥4.28
  • 有货
  • AON7407将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。符合RoHS标准 无卤素
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7746
    • 50+

      ¥1.4286
    • 150+

      ¥1.2803
    • 500+

      ¥1.0952
    • 2500+

      ¥1.0129
    • 5000+

      ¥0.9634
  • 有货
  • 沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7923
    • 50+

      ¥1.4298
    • 150+

      ¥1.2744
    • 500+

      ¥1.0805
    • 3000+

      ¥0.9654
    • 6000+

      ¥0.9136
  • 有货
  • N沟道,30V,23A,5.3mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3039
    • 50+

      ¥1.883
    • 150+

      ¥1.7026
    • 500+

      ¥1.2154
    • 3000+

      ¥1.1152
    • 6000+

      ¥1.0551
  • 有货
  • 将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的导通电阻。该器件适用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.56
    • 10+

      ¥2.85
    • 30+

      ¥2.55
    • 100+

      ¥2.17
    • 500+

      ¥2
    • 1000+

      ¥1.9
  • 有货
  • Trench Power AlphaSGTTM技术。低RDS(ON)。逻辑电平驱动。出色的QG x RDS(ON)乘积(FOM)。尖峰优化工艺。符合RoHS和无卤标准
    数据手册
    • 1+

      ¥4.19
    • 10+

      ¥3.45
    • 30+

      ¥3.09
    • 100+

      ¥2.72
    • 500+

      ¥2.4
    • 1000+

      ¥2.28
  • 有货
  • N沟道,30V,24A,26mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6044
    • 50+

      ¥0.5084
    • 150+

      ¥0.4604
    • 500+

      ¥0.4244
    • 2500+

      ¥0.3606
    • 5000+

      ¥0.3461
  • 有货
  • MOS管AO3414_4.2A_20V_N_SOT23_AOS
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6403
    • 50+

      ¥0.5222
    • 150+

      ¥0.4632
    • 500+

      ¥0.4189
    • 3000+

      ¥0.3473
    • 6000+

      ¥0.3296
  • 有货
  • AO3400C 是电源开关器件,不支持高速信号。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7336
    • 50+

      ¥0.5944
    • 150+

      ¥0.5248
    • 500+

      ¥0.4726
    • 3000+

      ¥0.4308
    • 6000+

      ¥0.4099
  • 有货
  • Trench Power MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准
    • 5+

      ¥0.7433
    • 50+

      ¥0.5957
    • 150+

      ¥0.5218
    • 500+

      ¥0.4665
    • 3000+

      ¥0.4222
    • 6000+

      ¥0.4
  • 有货
    • 5+

      ¥1.2638
    • 50+

      ¥0.9967
    • 150+

      ¥0.8822
    • 500+

      ¥0.7394
    • 2500+

      ¥0.6242
  • 有货
  • 使用先进沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作,同时保持12V的VGS(MAX)额定值。该器件适合用作单向或双向负载开关。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3025
    • 50+

      ¥1.0505
    • 150+

      ¥0.9425
    • 500+

      ¥0.8078
    • 3000+

      ¥0.6909
    • 6000+

      ¥0.6549
  • 有货
  • P沟道,-30V,-8A,32mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5093
    • 50+

      ¥1.2202
    • 150+

      ¥1.0964
    • 500+

      ¥0.9418
    • 3000+

      ¥0.8099
    • 6000+

      ¥0.7686
  • 有货
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