BORN二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BM3139KT 编号：C22380727

封装：SOT-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

PMOS -0.5A -20V 530mΩ

20+
￥0.1809
200+
￥0.1442
600+
￥0.1238
3000+
￥0.1048
9000+
￥0.0942
21000+
￥0.0884

有货

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型号：PESD5V0V1BB-N 编号：C406230

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：90瓦峰值脉冲功率（tp = 6/20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 抗扰度测试：空气放电 ±25kV，接触放电 ±25kV。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

数据手册

20+
￥0.1909
200+
￥0.1558
600+
￥0.1363
5000+
￥0.1054
10000+
￥0.0952
20000+
￥0.0897

有货

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型号：RCLAMP0501T-N 编号：C41371822

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：75 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。单向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。低电容 (Cj = 0.7pF 典型值)。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

10+
￥0.1938
100+
￥0.1698
300+
￥0.1578
1000+
￥0.1488
5000+
￥0.1416

有货

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型号：BMDFN2302 编号：C5439978

封装：DFN1006-3L

品牌：BORN(伯恩半导体)

沟槽技术超高密度单元设计针对更高直流电流具备出色的导通电阻

数据手册

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283
2000+
￥0.1139
10000+
￥0.1014
20000+
￥0.0947

有货

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型号：BNAZ6225-01F 编号：C20416625

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：130W 峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触；±30kV 空气。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283
2000+
￥0.1139
10000+
￥0.1014
20000+
￥0.0947

有货

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型号：RCLAMP3321P-N 编号：C5148485

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。微型DFN1006封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

数据手册

20+
￥0.2003
200+
￥0.1571
600+
￥0.1331
2000+
￥0.1187
10000+
￥0.1014
20000+
￥0.0947

有货

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型号：SP3030-01ETG 编号：C343991

封装：DFN1006-2L

品牌：BORN(伯恩半导体)

DFN1006/0402 5V Cj=0.6pF 单向静电TVS 高速信号

数据手册

20+
￥0.20853 ￥0.2317
200+
￥0.16533 ￥0.1837
600+
￥0.14373 ￥0.1597
2000+
￥0.12753 ￥0.1417
10000+
￥0.11457 ￥0.1273
20000+
￥0.108 ￥0.12

有货

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型号：PESD5V0U1BB-N 编号：C406224

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：40 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。低电容（Cj = 2.7pF 典型值）。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

数据手册

20+
￥0.2132
200+
￥0.1646
600+
￥0.1376
5000+
￥0.1191
10000+
￥0.1051
20000+
￥0.0975

有货

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型号：BNPRSB6.8C 编号：C41371819

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：600瓦峰值脉冲功率（脉冲时间为8/20微秒）。微型DFN1006封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

20+
￥0.2199
200+
￥0.1713
600+
￥0.1443
2000+
￥0.1281

有货

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型号：TPD1E01B04DPYR-N 编号：C6165137

封装：DFN1006

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：60W 峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。微小的 DFN1006 封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

20+
￥0.2252
200+
￥0.1772
600+
￥0.1532
2000+
￥0.1352
10000+
￥0.1133
20000+
￥0.106

有货

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型号：KTD1304 编号：C5439974

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

VHF/UHF晶体管，SOT-23塑料封装，产品材料符合RoHS要求。

数据手册

10+
￥0.2292
100+
￥0.1812
300+
￥0.1572
3000+
￥0.1392
6000+
￥0.1248
9000+
￥0.1175

有货

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型号：SMD1206-035/30N 编号：C6165187

封装：1206

品牌：BORN(伯恩半导体)

20+
￥0.2334
200+
￥0.1854
600+
￥0.1614
4000+
￥0.1394
8000+
￥0.125
20000+
￥0.1178

有货

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型号：SMD0603-010/24N 编号：C49073052

封装：0603

品牌：BORN(伯恩半导体)

0603 100MA 24V可恢复保险丝

10+
￥0.2424
100+
￥0.192
300+
￥0.1668
1000+
￥0.1479
5000+
￥0.1327
10000+
￥0.1252

有货

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型号：BNUCLAMP0501T 编号：C53235416

封装：DFN0603-2L

品牌：BORN(伯恩半导体)

DFN1006封装，5V低电容单向ESD

10+
￥0.2526
100+
￥0.1998
300+
￥0.1734
1000+
￥0.1536
5000+
￥0.1378
10000+
￥0.1298

有货

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型号：PESD12VV1BL-N 编号：C316042

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

DFN1006/0402 12V 双向静电TVS

数据手册

20+
￥0.2545
200+
￥0.2059
600+
￥0.1789
2000+
￥0.1627
10000+
￥0.1228
20000+
￥0.1152

有货

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型号：SMD1206-100/16N 编号：C49073022

封装：1206

品牌：BORN(伯恩半导体)

1206 1A 16V可恢复保险丝

10+
￥0.257
100+
￥0.2042
300+
￥0.1778
1000+
￥0.158
3500+
￥0.1422

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型号：BDFN2C051U 编号：C406194

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：60 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。微型 DFN1006 封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

数据手册

20+
￥0.258
200+
￥0.2067
600+
￥0.1782
2000+
￥0.1611
10000+
￥0.1268
20000+
￥0.1188

有货

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型号：PESD24VS1UB-N 编号：C316036

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：225 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。单向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触，±30kV 空气。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

数据手册

10+
￥0.2636
100+
￥0.2108
300+
￥0.1844
1000+
￥0.1646
5000+
￥0.1488
10000+
￥0.1408

有货

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型号：SMD0603-020/09N 编号：C2687874

封装：0603

品牌：BORN(伯恩半导体)

数据手册

10+
￥0.2726
100+
￥0.215
300+
￥0.1862
1000+
￥0.1646
4000+
￥0.1473
8000+
￥0.1387

有货

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型号：BSMF05C 编号：C5344562

封装：SOT-363

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：80W峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。微型SOT363封装。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。保护五条数据/电源线。应用：手机及配件。个人数字助理 (PDAs)

数据手册

10+
￥0.27513 ￥0.3057
100+
￥0.21897 ￥0.2433
300+
￥0.19089 ￥0.2121
3000+
￥0.16047 ￥0.1783
6000+
￥0.14364 ￥0.1596
9000+
￥0.13518 ￥0.1502

有货

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型号：BE8002D 编号：C22469034

封装：SOP-8

品牌：BORN(伯恩半导体)

为：3W（4Ω负载，THD < 10%），2W（4Ω负载，THD < 1%）；音频范围内总谐波失真噪音小于 1%（20Hz-20KHz）；BE8002D 应用电路简单，只需要极少数外围器件，就能提供高品质的输出功率。BE8002D 输出不需要外接耦合电容或上举电容、缓冲网络、反馈电阻。BE8002D 采用 SOP-8 封装，特别适用于低功耗、小体积的便携式系统。