BORN二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMBT5551 编号：C511877

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：与MMBT5401互补。外延平面管芯结构。功率耗散为300mW

数据手册

50+
￥0.1103
500+
￥0.0871
3000+
￥0.0719
6000+
￥0.0641
24000+
￥0.0574
51000+
￥0.0538

有货

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型号：BMI403NP1136 编号：C42387580

封装：TO-252-4L

品牌：BORN(伯恩半导体)

N沟道+P沟道 Vds=30V ID=45A

5+
￥1.0091
50+
￥0.7923
150+
￥0.6995
500+
￥0.5836
2500+
￥0.532
5000+
￥0.501

有货

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型号：SMDJ90CA 编号：C42432406

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

3000W 90V双向TVS浪涌保护管

5+
￥1.0964
50+
￥0.9536
150+
￥0.8924
500+
￥0.816
3000+
￥0.782
6000+
￥0.7616

有货

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型号：SMCJ40A 编号：C20612293

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

适用于电源接口

5+
￥1.0978
50+
￥0.866
150+
￥0.7666
500+
￥0.6427
3000+
￥0.5691
6000+
￥0.5359

有货

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型号：1.5KE27CA 编号：C600797

封装：DO-201(DO-201AE)

品牌：BORN(伯恩半导体)

电源口防浪涌

数据手册

5+
￥1.1151
50+
￥0.8933
150+
￥0.7983
1000+
￥0.5775
2000+
￥0.5247
5000+
￥0.493

有货

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型号：SMCJ33A 编号：C152083

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：出色的钳位能力。低泄漏电流。低电容。高浪涌能力。玻璃钝化芯片。环氧树脂封装。应用：电信。计算机

数据手册

5+
￥1.1264
50+
￥0.8845
150+
￥0.7808
500+
￥0.6514
3000+
￥0.5938
6000+
￥0.5592

有货

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型号：SMCJ18A 编号：C151906

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

DO-214AB 1500W VRWM=18V 单向功率TVS 电源口

数据手册

5+
￥1.1912
50+
￥0.9493
150+
￥0.8456
500+
￥0.7162
3000+
￥0.6586
6000+
￥0.624

有货

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型号：SMCJ51CA 编号：C151901

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

DO-214AB 1500W VRWM=51V 双向功率TVS 电源口

数据手册

5+
￥1.2123
50+
￥0.9603
150+
￥0.8523
500+
￥0.7175
3000+
￥0.6575
6000+
￥0.6215

有货

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型号：SMDJ26CA 编号：C5125691

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：优秀的钳位能力。低泄漏电流。低电容。高浪涌能力。玻璃钝化芯片。环氧树脂封装。应用：电信。计算机

数据手册

5+
￥1.2583
50+
￥1.1153
150+
￥1.054
500+
￥0.9775
3000+
￥0.8139
6000+
￥0.7935

有货

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型号：UCLAMP2804L-N 编号：C6165140

封装：SOP-8

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：800瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。保护两对线路。低钳位电压。低泄漏电流。低电容 (Cj = 3.0pF)。保护多达两条双向I/O线路。应用：100/1000以太网。集成磁体/RJ-45连接器

5+
￥1.30599 ￥1.4511
50+
￥1.13589 ￥1.2621
150+
￥1.06299 ￥1.1811
500+
￥0.972 ￥1.08
2500+
￥0.9315 ￥1.035
5000+
￥0.9072 ￥1.008

有货

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型号：1.5KE440CA 编号：C600799

封装：DO-201(DO-201AE)

品牌：BORN(伯恩半导体)

电源口防浪涌

数据手册

5+
￥1.5763
50+
￥1.2235
150+
￥1.0723
1000+
￥0.8765
2000+
￥0.7925
5000+
￥0.742

有货

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型号：SMDJ64CA 编号：C2842377

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：优秀的钳位能力。低泄漏电流。低电容。高浪涌能力。玻璃钝化芯片。环氧树脂封装。应用：电信。计算机

数据手册

5+
￥1.783
50+
￥1.4209
150+
￥1.2657
500+
￥1.072
3000+
￥0.9858
6000+
￥0.9341

有货

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型号：5.0SMDJ64CA 编号：C52993708

封装：SMC

品牌：BORN(伯恩半导体)

5000W 64V 功率TVS

1+
￥2.6
10+
￥2.05
30+
￥1.81
100+
￥1.51
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

有货

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型号：5.0SMDJ90CA 编号：C52993712

封装：SMC

品牌：BORN(伯恩半导体)

5000W 90V 功率TVS

1+
￥2.6
10+
￥2.05
30+
￥1.81
100+
￥1.51
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

有货

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型号：P5T30A 编号：C151948

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

DO-214AB 5000W VRWM=33V 单向车载TVS 电源口

数据手册

1+
￥2.89
10+
￥2.56
30+
￥2.4
100+
￥2.24
500+
￥2.14
1000+
￥2.09

有货

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型号：5.0SMDJ33A 编号：C5125699

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：出色的钳位能力。低泄漏电流。低电容。高浪涌能力。玻璃钝化芯片。环氧树脂封装。应用：电信。计算机

数据手册

1+
￥3.09
10+
￥2.51
30+
￥2.26
100+
￥1.94
500+
￥1.74
1000+
￥1.66

有货

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型号：15KP150CA 编号：C48533947

封装：P600

品牌：BORN(伯恩半导体)

15000W 150V 浪涌保护管

1+
￥14.67
10+
￥12.5
30+
￥11.14

有货

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型号：30KP400CA 编号：C48533924

封装：P600

品牌：BORN(伯恩半导体)

30KW 400V 大功率浪涌保护管

1+
￥30.34
10+
￥26.06
30+
￥23.51
300+
￥20.93
600+
￥19.74
900+
￥19.2

有货

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型号：M8550 编号：C266600

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：与M8050互补。集电极电流：I = 0.8A

数据手册

50+
￥0.0967
500+
￥0.0761
3000+
￥0.0647
6000+
￥0.0579
24000+
￥0.052
51000+
￥0.0488

有货

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型号：2SC2412 编号：C7461210

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

出色的hFE线性度，与2SA1037AK互补配对。外延平面管芯结构。SOT-23塑料封装

50+
￥0.0968
500+
￥0.0752
3000+
￥0.0614
6000+
￥0.0542
24000+
￥0.048
51000+
￥0.0446

有货

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型号：BC807-16 编号：C20416657

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：VCE = -45V。 IC = -0.5A。 fT = 100MHz @ VCE = -5V，IC = -10mA，f = 100MHz。高IC，与BC817互补对。适用于一般功率放大器和开关应用

50+
￥0.1063
500+
￥0.082
3000+
￥0.0685
6000+
￥0.0604

有货

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型号：BESD3V3B15G 编号：C2929236

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：80瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。微型DFN1006封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

数据手册

5+
￥0.11914 ￥0.1702
50+
￥0.0938 ￥0.134
150+
￥0.07973 ￥0.1139
500+
￥0.07133 ￥0.1019
2500+
￥0.06398 ￥0.0914
5000+
￥0.06006 ￥0.0858

有货

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型号：TPD1E10B06DPYR-N 编号：C2929226

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。微型DFN1006封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

数据手册

5+
￥0.1343
50+
￥0.1047
150+
￥0.0882
500+
￥0.0783
2500+
￥0.0697
5000+
￥0.0651

有货

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型号：BNPESD3V3S1BL 编号：C41371817

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：88 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。IEC 61000-4-2 ±30kV 接触；±30kV 空气。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

20+
￥0.1417
200+
￥0.1104
600+
￥0.093
2000+
￥0.0826
10000+
￥0.0735
20000+
￥0.0687

有货

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型号：BSS138 编号：C431507

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：低导通电阻：在2V栅源电压下，10V-3.3V逻辑电平控制。 N沟道SOT23封装。无铅，符合RDS标准。应用：LED照明应用。开关

数据手册

10+
￥0.1438
100+
￥0.1141
300+
￥0.0976
3000+
￥0.0798
6000+
￥0.0713
9000+
￥0.0666

有货

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型号：BDFN1C071V 编号：C19077995

封装：DFN0603-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。微型DFN0603封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

20+
￥0.14643 ￥0.1627
200+
￥0.11484 ￥0.1276
600+
￥0.09729 ￥0.1081
2000+
￥0.08676 ￥0.0964
10000+
￥0.07767 ￥0.0863
20000+
￥0.07272 ￥0.0808

有货

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型号：MMBTA06 编号：C22380732

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：适用于开关和放大应用。有互补型PNP晶体管MMBTA56

20+
￥0.1466
200+
￥0.1142
600+
￥0.0962
3000+
￥0.0854
9000+
￥0.0761
21000+
￥0.071

有货

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型号：PESD5V0S1UB-N 编号：C316034

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

SOT-523 5V 单向

数据手册

20+
￥0.1531
200+
￥0.118
600+
￥0.0985
5000+
￥0.0885
10000+
￥0.0783
20000+
￥0.0728

有货

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型号：0402ESDA-LP(24) 编号：C316052

封装：0402

品牌：BORN(伯恩半导体)

芯片ESD抑制器专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）威胁而设计。该产品能对瞬态电压几乎立即做出反应，并在ESD瞬态期间有效地将其钳位到低电压。该产品使用压敏聚合物，其固有地产生低电容和非常低的泄漏电流。因此，该器件在正常工作模式下对电路几乎不可见。由于其高关态阻抗和低电容，它对高速数字电路尤其透明。大量测试表明，信号不会失真或中断。使用ESD抑制器进行ESD保护，设备在保护电路免受ESD影响的同时，能保持高速数据信号的完整性。材料的特性造就了双向器件，这意味着无论浪涌极性如何，每条浪涌路径仅需一个器件即可提供完整的ESD保护。

数据手册

20+
￥0.1588
200+
￥0.1253
600+
￥0.1067
2000+
￥0.0955
10000+
￥0.0859
20000+
￥0.0806

有货

立即购买

型号：BNBTRD04A2 编号：C20416610

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

低电容

20+
￥0.1711
200+
￥0.1333
600+
￥0.1123
2000+
￥0.0997
10000+
￥0.0887
20000+
￥0.0829

有货

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