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首页 > 热门关键词 > BORN二极管
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描述
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双向TVS 64V截止 峰值脉冲电流：29.1A
型号：SMDJ64CA 编号：C2842377
封装：SMC(DO-214AB)
品牌：BORN(伯恩半导体)
特性：优秀的钳位能力。 低泄漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：电信。 计算机
数据手册

  • 5+

    ￥1.7111

  • 50+

    ￥1.349

  • 150+

    ￥1.1938

  • 500+

    ￥1.0002

  • 3000+

    ￥0.914

  • 6000+

    ￥0.8622
  • 有货
    • 立即购买
    单向TVS 26V截止 峰值浪涌电流：119A
    型号：5.0SMDJ26A 编号：C910143
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DO-214AB 5000W VRWM=26V 单向 功率TVS
    数据手册

    • 1+

      ￥2.54

    • 10+

      ￥1.98

    • 30+

      ￥1.74

    • 100+

      ￥1.44

    • 500+

      ￥1.31

    • 1000+

      ￥1.23
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 36V截止 峰值脉冲电流：252.5A@10/1000us
    型号：15KP36CA 编号：C152054
    封装：R-6(P-600)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    大功率车载TVS 电源口
    数据手册

    • 1+

      ￥12.89

    • 10+

      ￥11.02

    • 30+

      ￥9.85

    • 300+

      ￥7.72

    • 600+

      ￥7.18

    • 900+

      ￥6.95
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：490.3A
    型号：30KP36CA 编号：C48533916
    封装：P600
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    30KW 36V 大功率浪涌保护管

    • 1+

      ￥21.8

    • 10+

      ￥18.58

    • 30+

      ￥16.67

    • 300+

      ￥14.74

    • 600+

      ￥13.85

    • 900+

      ￥13.44
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC846B 编号：C7461193
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    外延平面芯片结构，SOT - 23塑料封装。

    • 50+

      ￥0.0733

    • 500+

      ￥0.0571

    • 3000+

      ￥0.0481

    • 6000+

      ￥0.0427

    • 24000+

      ￥0.0381

    • 51000+

      ￥0.0355
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMST3906 编号：C6165146
    封装：SOT-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    作为互补类型，推荐使用NPN晶体管MMST3904。外延平面管芯结构。SOT-323塑料封装

    • 50+

      ￥0.0848

    • 500+

      ￥0.0643

    • 3000+

      ￥0.0582

    • 6000+

      ￥0.0514

    • 24000+

      ￥0.0454

    • 51000+

      ￥0.0422
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:0.8A 电压:25V
    型号：M8550 编号：C266600
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：与M8050互补。 集电极电流：I = 0.8A
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0943

    • 500+

      ￥0.0738

    • 3000+

      ￥0.0624

    • 6000+

      ￥0.0555

    • 24000+

      ￥0.0496

    • 51000+

      ￥0.0464
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：2SC2412 编号：C7461210
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    出色的hFE线性度，与2SA1037AK互补配对。外延平面管芯结构。SOT-23塑料封装

    • 50+

      ￥0.0968

    • 500+

      ￥0.0752

    • 3000+

      ￥0.0614

    • 6000+

      ￥0.0542

    • 24000+

      ￥0.048

    • 51000+

      ￥0.0446
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.5A 电压:45V
    型号：BC817-40 编号：C7461191
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    外延平面芯片结构，SOT - 23 塑料封装。

    • 50+

      ￥0.1027

    • 500+

      ￥0.08

    • 3000+

      ￥0.0674

    • 6000+

      ￥0.0598

    • 24000+

      ￥0.0533

    • 51000+

      ￥0.0497
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=100～300 PNP 电流:600mA 电压:150V
    型号：MMBT5401 编号：C511876
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：与MMBT5551互补。 外延平面芯片结构。 功率耗散为300mW
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1148

    • 200+

      ￥0.0905

    • 600+

      ￥0.077

    • 3000+

      ￥0.0657

    • 9000+

      ￥0.0587

    • 21000+

      ￥0.0549
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：15A
    型号：PESD3V3S1UB-N 编号：C920299
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：每条线路100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 可替代MLV (0603)。 保护一个I/O或电源线。 低钳位电压。 工作电压：3V。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 个人数字助理 (PDA)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.1354

    • 50+

      ￥0.1057

    • 150+

      ￥0.0892

    • 500+

      ￥0.0793

    • 2500+

      ￥0.0707

    • 5000+

      ￥0.0661
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 7V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：BDFN1C071V 编号：C19077995
    封装：DFN0603-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备

    • 20+

      ￥0.13815 ￥0.1535

    • 200+

      ￥0.10656 ￥0.1184

    • 600+

      ￥0.08901 ￥0.0989

    • 2000+

      ￥0.07848 ￥0.0872

    • 10000+

      ￥0.0693 ￥0.077

    • 20000+

      ￥0.06444 ￥0.0716
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：BNPESD3V3S1BL 编号：C41371817
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：88 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。IEC 61000-4-2 ±30kV 接触；±30kV 空气。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

    • 20+

      ￥0.1417

    • 200+

      ￥0.1104

    • 600+

      ￥0.093

    • 2000+

      ￥0.0826

    • 10000+

      ￥0.0735

    • 20000+

      ￥0.0687
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 2.5V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：BDFN2C2R51V 编号：C6165118
    封装：DFN1006
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：60W 峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型 DFN1006 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备

    • 20+

      ￥0.1429

    • 200+

      ￥0.1105

    • 600+

      ￥0.0925

    • 2000+

      ￥0.0817

    • 10000+

      ￥0.0723

    • 20000+

      ￥0.0672
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.5A
    型号：BSS138 编号：C431507
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：低导通电阻：在2V栅源电压下，10V-3.3V逻辑电平控制。 N沟道SOT23封装。 无铅，符合RDS标准。应用：LED照明应用。 开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1485

    • 100+

      ￥0.1168

    • 300+

      ￥0.0991

    • 3000+

      ￥0.0802

    • 6000+

      ￥0.071

    • 9000+

      ￥0.0661
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
    型号：2N7002KW 编号：C2847214
    封装：SOT-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    超高密度单元设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)），可靠耐用。采用SOT - 323表面贴装封装。静电放电（ESD）等级：人体模型（HBM）>2000V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1496

    • 200+

      ￥0.1172

    • 600+

      ￥0.0992

    • 3000+

      ￥0.0877

    • 9000+

      ￥0.0783

    • 21000+

      ￥0.0732
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：BNAZ5215-01F 编号：C22440693
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DFN1006 5V 低电容

    • 20+

      ￥0.155

    • 200+

      ￥0.121

    • 600+

      ￥0.1021

    • 2000+

      ￥0.0908
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 15V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
    型号：BNCESD15VD5 编号：C22440698
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOD-523 15V单向静电保护管

    • 20+

      ￥0.1567

    • 200+

      ￥0.1216

    • 600+

      ￥0.1021

    • 5000+

      ￥0.0904

    • 10000+

      ￥0.0803

    • 20000+

      ￥0.0748
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：7A@8/20us
    型号：BDFN2A051L 编号：C42432428
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    5V单向低电容TVS浪涌保护管 IPP=7A

    • 20+

      ￥0.1588

    • 200+

      ￥0.1237

    • 600+

      ￥0.1042

    • 2000+

      ￥0.0925
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：10A
    型号：BESD5Z3.3C 编号：C2929234
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：100W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 空气放电：±25kV，接触放电：±25kV。应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDA)
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1687

    • 200+

      ￥0.132

    • 600+

      ￥0.1116

    • 5000+

      ￥0.0993

    • 10000+

      ￥0.0887

    • 20000+

      ￥0.083
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:1.4A
    型号：BMS2301 编号：C22380729
    封装：SOT-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    PMOS -1.4A -20V 82mΩ

    • 20+

      ￥0.1786

    • 200+

      ￥0.1397

    • 600+

      ￥0.1181

    • 3000+

      ￥0.1052

    • 9000+

      ￥0.0939

    • 21000+

      ￥0.0879
  • 有货
    • 立即购买
    TVS 5V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：BSD5A051V 编号：C151987
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOT-523 5V Cj=80pF 单向 静电TVS 普通信号
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1809

    • 200+

      ￥0.1404

    • 600+

      ￥0.1179

    • 5000+

      ￥0.1021

    • 10000+

      ￥0.0904

    • 20000+

      ￥0.084
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 18V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：BNPESD18VF1BL 编号：C20612298
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    回扫低结电容静电保护管

    • 10+

      ￥0.1968

    • 100+

      ￥0.1728

    • 300+

      ￥0.1608

    • 1000+

      ￥0.1518

    • 5000+

      ￥0.1446

    • 10000+

      ￥0.141
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：PESD5V0F1BL-N 编号：C2929237
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：60W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型 DFN1006 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册

    • 5+

      ￥0.2059

    • 50+

      ￥0.1611

    • 150+

      ￥0.1362

    • 500+

      ￥0.1212

    • 2500+

      ￥0.1083

    • 5000+

      ￥0.1013
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：BND5V0F2U3LP 编号：C49009913
    封装：DFN-3L(1x0.6)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DFN-3 5V低容静电保护管

    • 20+

      ￥0.2161

    • 200+

      ￥0.1675

    • 600+

      ￥0.1405

    • 2000+

      ￥0.1243
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：BST23C052LV 编号：C20612297
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：120瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触；±30kV空气。应用：数据线。 自动取款机

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：ESD150-B1-W0201-N 编号：C6165145
    封装：DFN0603
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：60W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型 DFN0603 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：USB3.0。 HDMI2.0

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    双向ESD 3V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：TPD1E01B04DPYR-N 编号：C6165137
    封装：DFN1006
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：60W 峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微小的 DFN1006 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备

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    BNUCLAMP0501T
    型号：BNUCLAMP0501T 编号：C53235416
    封装：DFN0603-2L
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DFN1006封装，5V低电容单向ESD

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    60V 300mA
    型号：SMD1812-030/60N 编号：C6165157
    封装：1812
    品牌：BORN(伯恩半导体)

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