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单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：15A@8/20us
型号：BESD5V0D5 编号：C2929243
封装：SOD-523
品牌：BORN(伯恩半导体)
特性：250瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电±30kV，接触放电±30kV。应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
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  • 5+

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：TPD1E10B06DPYR-N 编号：C2929226
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN1006封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册

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    双向 5V截止 峰值脉冲电流：5A@8/20us
    型号：BDFN1C051V 编号：C152031
    封装：DFN0603-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：60瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册

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    双向TVS 8V截止 峰值脉冲电流：15A@8/20us
    型号：BDFN2C081V35 编号：C152013
    封装：DFN1006-2L
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    静电TVS 普通信号
    数据手册

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    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：15A
    型号：PESD5Z5.0-N 编号：C920301
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：250瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触，±30kV空气。应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
    数据手册

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    单向ESD 7V截止 峰值脉冲电流：15A
    型号：BSD5A071V35 编号：C406200
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：400瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±8kV接触，±15kV空气。应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
    数据手册

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      ￥0.1236

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    双向ESD 24V截止
    型号：0603ESDA-LP(24) 编号：C316057
    封装：0603
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：适用于高速、低电压应用的最佳ESD保护。 符合RoHS标准且无卤。 超低电容：0.2pF（典型值）。 低泄漏电流：< 200nA。 快速响应时间：< 1ns。 双向单线路保护。应用：智能手机/移动互联网设备。 笔记本电脑/台式电脑
    数据手册

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
    型号：BESD3V3B15G 编号：C2929236
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：80瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN1006封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：BNBTRD04A2 编号：C20416610
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    低电容

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      ￥0.1711

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    1个P沟道 耐压:20V 电流:0.74A
    型号：BMDFN2301 编号：C18199556
    封装：DFN1006-3L
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    先进沟槽工艺技术 用于超低的高密度单元设计

    • 20+

      ￥0.1716

    • 200+

      ￥0.1343

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    • 20000+

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    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：8A
    型号：PESD5V0V1BB-N 编号：C406230
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：90瓦峰值脉冲功率（tp = 6/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 抗扰度测试：空气放电 ±25kV，接触放电 ±25kV。应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1824

    • 200+

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    • 20000+

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：BNLPESD5V0S1BA 编号：C22469050
    封装：SOD-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：120 瓦峰值脉冲功率（tp = 8 / 20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。保护一条数据/电源线。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

    • 20+

      ￥0.1833

    • 200+

      ￥0.1428

    • 600+

      ￥0.1203

    • 3000+

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      ￥0.0888
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    单向ESD 5V截止
    型号：RCLAMP0501T-N 编号：C41371822
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：75 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Cj = 0.7pF 典型值)。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备

    • 10+

      ￥0.1938

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      ￥0.1416
  • 有货
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    BNPESD3V3X1BL
    型号：BNPESD3V3X1BL 编号：C52993820
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)

    • 20+

      ￥0.1953

    • 200+

      ￥0.1521

    • 600+

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    • 2000+

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:3A
    型号：AO3401F 编号：C5439976
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    先进的沟槽工艺技术。用于超低导通电阻的高密度单元设计。表面贴装封装SOT-23
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1953

    • 200+

      ￥0.1521

    • 600+

      ￥0.1281

    • 3000+

      ￥0.1137

    • 9000+

      ￥0.1012

    • 21000+

      ￥0.0944
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止
    型号：BESDU0603-05 编号：C512307
    封装：0603
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    芯片静电放电抑制器专门设计用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 的威胁。该产品对瞬态电压几乎立即做出反应，并在 ESD 瞬态期间有效地将其钳位到低电压。该产品使用压敏聚合物，具有低电容和极低的泄漏电流。因此，该器件在正常工作模式下对电路几乎没有影响。由于其高关态阻抗和低电容，它对高速数字电路尤其透明。大量测试表明，信号不会失真或中断。使用静电放电抑制器进行 ESD 保护，设备在保护电路免受 ESD 影响的同时，可保持高速数据信号的完整性。这种材料的特性使其成为双向器件，这意味着每条浪涌路径只需一个器件，即可提供完整的 ESD 保护，而无需考虑浪涌极性。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2004

    • 100+

      ￥0.1572

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    • 5000+

      ￥0.1068

    • 10000+

      ￥0.1
  • 有货
    • 立即购买
    SMD1206-005/60
    型号：SMD1206-005/60N 编号：C6165182
    封装：1206
    品牌：BORN(伯恩半导体)

    • 20+

      ￥0.2098

    • 200+

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    • 600+

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    • 3500+

      ￥0.1315

    • 10500+

      ￥0.1174

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  • 有货
    • 立即购买
    双向 3.3V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
    型号：BDFN2C3R31V 编号：C600811
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DFN1006 VRWM=3.3V Bipolar ESD接触±8KV 空气±15KV 信号口/IO口等
    数据手册

    • 20+

      ￥0.21771 ￥0.2419

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      ￥0.17451 ￥0.1939

    • 600+

      ￥0.15291 ￥0.1699

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      ￥0.13671 ￥0.1519

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      ￥0.10575 ￥0.1175
  • 有货
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    双向ESD 4.5V截止 峰值浪涌电流：40A@8/20us
    型号：BNPRSB6.8C 编号：C41371819
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：600瓦峰值脉冲功率（脉冲时间为8/20微秒）。微型DFN1006封装。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

    • 20+

      ￥0.2199

    • 200+

      ￥0.1713

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  • 有货
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    SMD1206-150/08
    型号：SMD1206-150/08N 编号：C6165193
    封装：1206
    品牌：BORN(伯恩半导体)

    • 20+

      ￥0.2217

    • 200+

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    • 3500+

      ￥0.1317

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      ￥0.1173

    • 21000+

      ￥0.1101
  • 有货
    • 立即购买
    ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：BNAZ1045-04SU 编号：C20416624
    封装：SOT-23-6
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    低电容

    • 10+

      ￥0.2296

    • 100+

      ￥0.2016

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      ￥0.1876

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  • 有货
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    SMD1206-012/60
    型号：SMD1206-012/60N 编号：C6165184
    封装：1206
    品牌：BORN(伯恩半导体)

    • 10+

      ￥0.2347

    • 100+

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      ￥0.118
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    24V 100mA
    型号：SMD0603-010/24N 编号：C49073052
    封装：0603
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    0603 100MA 24V可恢复保险丝

    • 10+

      ￥0.2453

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      ￥0.1508

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      ￥0.1281
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    30V 100mA
    型号：SMD0805-010/30N 编号：C49073061
    封装：0805
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    0805 100MA 30V可恢复保险丝

    • 10+

      ￥0.2482

    • 100+

      ￥0.1954

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      ￥0.169

    • 1000+

      ￥0.1492
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：3.5A
    型号：BDFN2C051U 编号：C406194
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：60 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型 DFN1006 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册

    • 20+

      ￥0.258

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      ￥0.2067

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      ￥0.1782

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      ￥0.1611

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    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：4A@8/20us
    型号：BDFN1C051R 编号：C152032
    封装：DFN0603-D
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    静电TVS 高速信号
    数据手册

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      ￥0.2603

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      ￥0.2075

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    6V 500mA
    型号：SMD1206-050/6N 编号：C22366105
    封装：1206
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    可恢复保险丝

    • 10+

      ￥0.263

    • 100+

      ￥0.2054

    • 300+

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    • 1000+

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    33V 750mA
    型号：SMD1812-075/33N 编号：C49073029
    封装：1812
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    1812 750MA 33V可恢复保险丝

    • 10+

      ￥0.2664

    • 100+

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    • 300+

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    ESD 3V截止 峰值浪涌电流：24A
    型号：ESDA5V3L 编号：C343994
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOT-23 3.3V Cj=30pF 单向 静电TVS PCAN/串口
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    • 10+

      ￥0.2743

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      ￥0.1798
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    85V 50mA
    型号：SMD1206-005/85N 编号：C49073013
    封装：1206
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    1206 50MA 85V可恢复保险丝

    • 10+

      ￥0.2888

    • 100+

      ￥0.2274

    • 300+

      ￥0.1967

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