DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：PowerDI5

这款超级势垒整流器（SBR）二极管旨在满足汽车应用的严格要求，将低正向压降与无与伦比的超低泄漏电流和雪崩能力相结合。它非常适合用作极性保护二极管、再循环二极管、开关二极管、阻塞二极管、DC-DC 转换器、AC-DC 转换器。该器件适用于保护敏感的汽车电路免受 ISO7637-2 中定义的浪涌影响。

单价：
￥2.604054 / 个

我要订货

型号：SBR20100CTFP 编号：C507839

封装：ITO-220AB-3

品牌：DIODES(美台)

提供极低的正向电压（VF），并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性。它们非常适合用作以下设备中的整流器、续流二极管或阻塞二极管：DC-DC 转换器、AC-DC 适配器。

数据手册

1000+
￥2.2568
2000+
￥2.15605

我要订货

型号：SGM6010YTD10G/TR 编号：C510953

封装：TDFN-10L(3x3)

品牌：SGMICRO(圣邦微)

SGM6010是一款3A连续输出电流的同步降压DC/DC转换器,输入电压范围为3V至5.5V,可编程频率范围为300kHz至2MHz,最高效率可达95%,内置低导通电阻的开关,无需外部功率MOSFET和肖特基二极管,工作温度范围为-40°C至+85°C。

数据手册

1+
￥6.18
10+
￥4.93
30+
￥4.24
100+
￥3.47

订货

我要订货

型号：SBR3U20SA-13 编号：C3001722

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：超低正向压降。专利超级势垒整流器技术。软、快速开关能力。 150°C工作结温。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：SMPS DC-DC转换器。续流二极管

数据手册

单价：
￥0.750298 / 个

我要订货

型号：MBRB20100CT-E3/4W 编号：C3009882

封装：TO-263AB(D2PAK)

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。更低的功率损耗，高效率。低正向压降。高正向浪涌能力。高频操作。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值245℃（适用于TO-263AB封装）。应用：用于开关电源的高频整流器、续流二极管、DC/DC转换器或极性保护应用

数据手册

1000+
￥5.13
2000+
￥5.04
3000+
￥4.95

我要订货

型号：IDV20E65D1 编号：C535935

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：650 V 发射极控制技术。关键参数的温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快速恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。低反向恢复电流 (Irm)。应用：AC/DC 转换器。PFC 级中的升压二极管

数据手册

1+
￥7.64
10+
￥6.32
50+
￥5.6
100+
￥4.77
500+
￥4.41
1000+
￥4.24

订货

我要订货

型号：FOD3182 编号：C899263

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

数据手册

单价：
￥5.25972 / 个

我要订货

型号：LT3988HMSE#PBF 编号：C671856

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LT3988 是一款双路、电流模式降压型 DC/DC 转换器，可接受两路高达 60V（80V 瞬态）的输入电压，这两路输入电压可由独立电源供电，也可采用级联方式供电。芯片内部集成了高效开关、内部升压二极管和环路补偿电路。两个转换器均能提供 1A 的输出电流，可同步至一个频率最高可编程至 2.5MHz 的单振荡器，并且以反相方式工作，从而降低输入纹波电流

数据手册

1+
￥77.84
10+
￥75.3

订货

我要订货

型号：HMC799LP3ETR 编号：C662189

封装：QFN-16(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC799LP3ETR 是一款从 DC 到 700 MHz 的转阻放大器，设计用于光电激光传感器应用、FDDI 接收器和采用光学到电信号转换的接收系统。该放大器提供单端输出电压，与输入端的电流成正比。输入电流通常由光电二极管提供。

数据手册

1+
￥274.95
30+
￥260.85

订货

我要订货

型号：RT8096BHGJ6 编号：C5739352

封装：TSOT-23-6

品牌：RICHTEK(立锜)

是一种高效同步降压DC-DC转换器。其输入电压范围为2.5V至6V，可提供0.6V至3.4V的可调稳压输出电压，同时输出电流可达1A。内部同步低导通电阻功率开关提高了效率，无需外部肖特基二极管。采用具有内部补偿的电流模式恒定导通时间（CMCOT）操作，可在宽范围的负载和输出电容上优化瞬态响应。有T/SOT-23-5和T/SOT-23-6封装。

1+
￥0.8785
200+
￥0.3506
500+
￥0.3388
1000+
￥0.3331

订货

我要订货

型号：FODM217AR2V 编号：C891181

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM217 系列单通道、DC 检测输入、光耦合器（包含一个砷化镓 (GaAs) 红外线发光二极管，与一个光电晶体管进行光耦合），采用紧凑型、半间距、4 针封装输入-输出隔离电压、VISO、额定电压为 3750 VACRMS。

数据手册

单价：
￥1.11288 / 个

我要订货

型号：FODM217DR2V 编号：C891192

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM217 系列单通道、DC 检测输入、光耦合器（包含一个砷化镓 (GaAs) 红外线发光二极管，与一个光电晶体管进行光耦合），采用紧凑型、半间距、4 针封装输入-输出隔离电压、VISO、额定电压为 3750 VACRMS。

数据手册

单价：
￥1.11288 / 个

我要订货

型号：MST2218KC 编号：C22395113

封装：SOP-8

品牌：MST(迈尔斯通)

MST2218 是一款升压变压器控制器,专为构建电容器放电点火器设计。该器件集成了100V MOSFET,可以控制升压变压器对电容器充电至可调高压（DC）。MST2218 还集成了电流限制电路、电压反馈和零交叉比较器等功能,确保在准共振模式下快速充电,同时减少升压变压器的空间占用。所有输入端口都具有箝位二极管和ESD保护,确保现场使用的鲁棒性和可靠性。

5+
￥2.35
50+
￥1.85
150+
￥1.63
500+
￥1.36
2500+
￥1.24
5000+
￥1.17

订货

我要订货

型号：VS-4EGU06-M3/5BT 编号：C143717

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：VISHAY(威世)

具有超快恢复时间、超低正向压降和快速恢复特性的超快恢复整流器。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、坚固性和可靠性。适用于开关电源的AC/DC部分、逆变器的PFC升压阶段或作为续流二极管。优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并降低开关元件和缓冲器的功耗。

数据手册

1+
￥5.43
10+
￥5.32
30+
￥5.25
100+
￥5.18

订货

我要订货

型号：FOD2742B 编号：C891161

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2742 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个等级的参考耐压 = 2％、1％和 0.5％。电流传输率 (CTR) 范围介于 100％到 200％之间。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2742 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚小外形封装。

数据手册

单价：
￥3.58992 / 个

我要订货

型号：VS-8EWL06FN-M3 编号：C413478

封装：TO-252AA(DPAK)

品牌：VISHAY(威世)

最先进的超快恢复整流器，在正向压降、超快恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压级或作为续流二极管。其极其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器中的过耗散。

数据手册

3000+
￥2.2458
6000+
￥2.2064
9000+
￥2.167

我要订货

型号：V30K150-M3/H 编号：C7408864

封装：FlatPAK5x6-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。可提供AEC-Q101认证。汽车订购代码：基础产品编号HM3。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

1+
￥6.23
10+
￥6.1
30+
￥6.02
100+
￥5.93

订货

我要订货

型号：H11F3SM 编号：C899461

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

数据手册

单价：
￥3.6306 / 个

我要订货

型号：H11F3M 编号：C899460

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

数据手册

单价：
￥3.6306 / 个

我要订货

型号：H11F3SR2VM 编号：C899463

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

数据手册

单价：
￥3.91068 / 个

我要订货

型号：FODM217A 编号：C190617

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM217 系列单通道、DC 检测输入、光耦合器（包含一个砷化镓 (GaAs) 红外线发光二极管，与一个光电晶体管进行光耦合），采用紧凑型、半间距、4 针封装输入-输出隔离电压、VISO、额定电压为 3750 VACRMS。

数据手册

单价：
￥1.00152 / 个

我要订货

型号：VS-4ECU06-M3/9AT 编号：C499563

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：VISHAY(威世)

具备超快恢复时间、低正向压降和软恢复等优化性能的超快恢复整流器。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源AC/DC部分的PFC升压级、逆变器或用作续流二极管。其极优化的存储电荷和低恢复电流可最大程度减少开关损耗，并降低开关元件和缓冲器的功耗。

数据手册

1+
￥9.88
10+
￥9.68
30+
￥9.55
100+
￥9.41

订货

我要订货

型号：FOD2743BTV 编号：C899238

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2743 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个参考电压容限等级：2%，1% 和 0.5%。电流传输比 (CTR) 范围为 50% 至 100%。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2743 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

数据手册

单价：
￥5.55036 / 个

我要订货

型号：FOD2743BSD 编号：C899235

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2743 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个参考电压容限等级：2%，1% 和 0.5%。电流传输比 (CTR) 范围为 50% 至 100%。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2743 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

数据手册

单价：
￥5.65824 / 个

我要订货

型号：V6K100DUHM3/H 编号：C5985855

封装：FlatPAK5x6-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。可提供AEC-Q101认证。汽车订购代码：基础P/N HM3。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

1+
￥10.23
10+
￥8.55
30+
￥7.63
100+
￥6.59
500+
￥6.13
1500+
￥5.92

订货

我要订货

型号：FOD3182SDV 编号：C899265

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

数据手册

单价：
￥5.59632 / 个

我要订货

型号：TDA21535AUMA1 编号：C7360784

封装：IQFN-25

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型DC - DC转换器；用于DDR内存阵列和低电流电压轨的电压调节器；TDA21535集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，它与控制和同步MOSFET以及一个有源二极管结构共同封装，该有源二极管结构可实现类似于肖特基二极管的低Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序和最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低输出电压下实现更高效率。内部MOSFET感测与同类最佳的基于控制器的电感DCR感测方法相比，可实现卓越的电流感测精度。保护功能包括IC温度报告和过温保护功能（带热关断的OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制MOSFET短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV和自举欠压保护。TDA21535还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。高达1.5 MHz的开关频率运行可实现高性能瞬态响应，允许输出电感器以及输入和输出电容器小型化，同时保持行业领先的效率。TDA21535包含一个改进的高速MOSFET驱动器，该驱动器经过优化，可在高达1.5 MHz的频率下驱动一对共同封装的高端和低端OptiMOS MOSFET。使用传统电流感测方法（如DCR感测和Rdson感测）的DC - DC控制器通常存在局限性。DCR电流感测对电感器的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson电流感测不依赖于电感器，但MOSFET的rdson存在温度系数。此外，很难对高端MOSFET实施rdson电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过MOSFET进行感测。通过TDA21535中的先进电流镜感测，消除了所有这些局限性，同时实现了卓越的精度。高端和低端MOSFET上的电流都在一个感测MOSFET上镜像，该感测MOSFET是主MOSFET器件的一部分，因此具有固有的温度补偿，无需额外的电路。两个MOSFET上的真实电流感测确保了系统。

1+
￥14.95
10+
￥14.57
30+
￥14.32
100+
￥14.06

订货

我要订货

型号：L6598D 编号：C2965304

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

L6598器件采用BCD Tm离线技术制造，能够确保高达600 V的额定电压，使其非常适合用于AC/DC适配器以及任何采用谐振拓扑结构有益的场合。该器件旨在以经典半桥拓扑结构驱动两个功率MOSFET。一个专用定时部分允许设计人员设置软启动时间、软启动和最小频率。还提供了一个误差放大器以及两个使能输入。此外，集成的自举二极管和低压电源上的齐纳钳位功能，将应用所需的外部元件数量降至最低。

数据手册

1+
￥19.57
10+
￥19.12
30+
￥18.81
100+
￥18.51

订货

我要订货

型号：MIC2289-34YML-TR 编号：C147904

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC2289是一款针对恒流白光LED驱动应用优化的PWM（脉宽调制）升压开关调节器。它内置肖特基二极管和三级输出过电压保护，提供了一种尺寸小且高效的DC/DC解决方案，仅需四个外部元件。为了优化效率，反馈电压被设置为95mV，减少了电流设定电阻中的功率损耗，并允许最低的总输出电压，从而从电池中抽取最小的电流。MIC2289采用1.2MHz恒定频率PWM控制方案，通过减小外部元件尺寸来节省板空间，并与变频方案相比提供了更低的噪声和输入纹波。在LED开路的情况下，MIC2289会限制输出电压，以保护自身及输出电容。该器件提供了三种输出OVP选项：15V、24V和34V，允许根据具体应用选择具有适当电压等级的最小输出电容。MIC2289有低剖面6引脚SOT-23薄型封装和8引脚2mm x 2mm MLF封装两种选择，其结温范围为-40°C至+125°C。

数据手册

1+
￥11.7
50+
￥10.8
100+
￥10.62
500+
￥10.26
1000+
￥10.08

我要订货

型号：MBRS410LT3G 编号：C223553

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该器件运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。适用于低电压、高频率整流，或者适合作为紧凑尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中的续流和极性保护二极管。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 、逆向电池保护和多个电源电压的“OR”操作，以及性能和尺寸至关重要的其他应用。

数据手册

单价：
￥5.69988 / 个

我要订货

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示