DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：QFN-16-EP(4x4)

LTC3412A 是一款高效率的单片同步降压DC/DC转换器,采用恒定频率电流模式架构。它的工作输入电压范围为2.25V至5.5V,提供0.8V至5V的调节输出电压,最大输出电流为3A。内部同步功率开关具有77mΩ的导通电阻,提高了效率并消除了对外部肖特基二极管的需求。开关频率可通过外部电阻设置,范围为300kHz至4MHz。

10+
￥44.687888
100+
￥38.554258
1000+
￥35.487441

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型号：NRVB140ESFT3G 编号：C896820

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用大面积金属-硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低电压、高频整流，或在尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和极性保护二极管。这种封装还为无引脚34封装样式提供了一种易于使用的替代方案。由于其尺寸小，非常适合用于便携式和电池供电产品，如手机、无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、个人数字助理（PDA）和PCMCIA卡。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电池反接保护以及多个电源电压的“Oring”，以及任何对性能和尺寸要求严格的其他应用。

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20000+
￥0.859748
40000+
￥0.83789
60000+
￥0.808746
120000+
￥0.786888

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型号：SBR3U20SA-13 编号：C3001722

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：超低正向压降。专利超级势垒整流器技术。软、快速开关能力。 150°C工作结温。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：SMPS DC-DC转换器。续流二极管

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15000+
￥0.61478
30000+
￥0.59915
45000+
￥0.57831
90000+
￥0.56268

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型号：FOD2742BR2 编号：C463019

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2742 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个等级的参考耐压 = 2％、1％和 0.5％。电流传输率 (CTR) 范围介于 100％到 200％之间。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2742 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚小外形封装。

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5000+
￥3.321564
10000+
￥3.29164
15000+
￥3.231792

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型号：FOD3182 编号：C899263

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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3000+
￥4.865241
6000+
￥4.82141
9000+
￥4.733748

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型号：LTC3603EUF#PBF 编号：C685167

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC3603 是一款高效的单片同步降压型 DC/DC 转换器，采用恒定频率、电流模式架构。它的输入电压范围为 4.5V 至 15V，可提供 0.6V 至 14.5V 的可调稳压输出电压，同时可提供高达 2.5A 的输出电流。内部同步功率开关的导通电阻为 45mΩ，可提高效率，且无需外部肖特基二极管

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单价：
￥46.8936 / 个

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型号：LTC3412AEFE#PBF 编号：C82186

封装：TSSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC3412A 是一款高效率单片同步降压DC/DC转换器,采用恒定频率电流模式架构。它从2.25V到5.5V的输入电压范围内工作,提供0.8V到5V的调节输出电压,最大输出电流为3A。内部同步功率开关的导通电阻为77mΩ,提高了效率并消除了对外部肖特基二极管的需求。

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单价：
￥49.7772 / 个

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型号：HMC799LP3ETR 编号：C662189

封装：QFN-16(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC799LP3ETR 是一款从 DC 到 700 MHz 的转阻放大器，设计用于光电激光传感器应用、FDDI 接收器和采用光学到电信号转换的接收系统。该放大器提供单端输出电压，与输入端的电流成正比。输入电流通常由光电二极管提供。

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1+
￥274.95
30+
￥260.85

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型号：LT3483ES6#PBF 编号：C117396

封装：TSOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

内置肖特基二极管的负输出微功率 DC/DC 转换器

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1+
￥753.22
10+
￥731.74

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型号：FODM217AR2V 编号：C891181

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM217 系列单通道、DC 检测输入、光耦合器（包含一个砷化镓 (GaAs) 红外线发光二极管，与一个光电晶体管进行光耦合），采用紧凑型、半间距、4 针封装输入-输出隔离电压、VISO、额定电压为 3750 VACRMS。

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15000+
￥1.094332
30000+
￥1.06651
45000+
￥1.029414
90000+
￥1.001592

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型号：FODM217DR2V 编号：C891192

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM217 系列单通道、DC 检测输入、光耦合器（包含一个砷化镓 (GaAs) 红外线发光二极管，与一个光电晶体管进行光耦合），采用紧凑型、半间距、4 针封装输入-输出隔离电压、VISO、额定电压为 3750 VACRMS。

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15000+
￥1.094332
30000+
￥1.06651
45000+
￥1.029414
90000+
￥1.001592

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型号：MST2218KC 编号：C22395113

封装：SOP-8

品牌：MST(迈尔斯通)

MST2218 是一款升压变压器控制器,专为构建电容器放电点火器设计。该器件集成了100V MOSFET,可以控制升压变压器对电容器充电至可调高压（DC）。MST2218 还集成了电流限制电路、电压反馈和零交叉比较器等功能,确保在准共振模式下快速充电,同时减少升压变压器的空间占用。所有输入端口都具有箝位二极管和ESD保护,确保现场使用的鲁棒性和可靠性。

5+
￥2.35
50+
￥1.85
150+
￥1.63
500+
￥1.36
2500+
￥1.24
5000+
￥1.17

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型号：FOD2742B 编号：C891161

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2742 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个等级的参考耐压 = 2％、1％和 0.5％。电流传输率 (CTR) 范围介于 100％到 200％之间。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2742 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚小外形封装。

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3000+
￥3.320676
6000+
￥3.29076
9000+
￥3.230928

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型号：H11F3SM 编号：C899461

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

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3000+
￥3.358305
6000+
￥3.32805
9000+
￥3.26754

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型号：H11F3M 编号：C899460

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

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3000+
￥3.358305
6000+
￥3.32805
9000+
￥3.26754

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型号：H11F3SR2VM 编号：C899463

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

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3000+
￥3.617379
6000+
￥3.58479
9000+
￥3.519612

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型号：FODM217A 编号：C190617

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM217 系列单通道、DC 检测输入、光耦合器（包含一个砷化镓 (GaAs) 红外线发光二极管，与一个光电晶体管进行光耦合），采用紧凑型、半间距、4 针封装输入-输出隔离电压、VISO、额定电压为 3750 VACRMS。

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15000+
￥0.984828
30000+
￥0.95979
45000+
￥0.926406
90000+
￥0.901368

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型号：FOD2743BTV 编号：C899238

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2743 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个参考电压容限等级：2%，1% 和 0.5%。电流传输比 (CTR) 范围为 50% 至 100%。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2743 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

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2000+
￥5.134083
4000+
￥5.08783
6000+
￥4.995324

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型号：FOD2743BSD 编号：C899235

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2743 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个参考电压容限等级：2%，1% 和 0.5%。电流传输比 (CTR) 范围为 50% 至 100%。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2743 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

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2000+
￥5.233872
4000+
￥5.18672
6000+
￥5.092416

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型号：FOD3182SDV 编号：C899265

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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3000+
￥5.176596
6000+
￥5.12996
9000+
￥5.036688

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型号：MBRS410LT3G 编号：C223553

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该器件运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。适用于低电压、高频率整流，或者适合作为紧凑尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中的续流和极性保护二极管。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 、逆向电池保护和多个电源电压的“OR”操作，以及性能和尺寸至关重要的其他应用。

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10+
￥5.535
100+
￥5.33
200+
￥4.92
1000+
￥4.715
2000+
￥4.51

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型号：ME501CTG 编号：C236828

封装：TO-92-3

品牌：MICRONE(南京微盟)

MEXX1C系列DC/DC芯片是采用CMOS工艺制造的极低纹波和噪声的VFM开关型DC/DC升压转换器。该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺,极大地改善了开关电路固有的噪声问题,减小对周围电路的干扰。输出电压为2.0V~7.0V（按0.1V的级差）。对内置开关晶体管的MEXX1C,组成DC/DC升压电路只需接三个外围元件,一只肖特基二极管、一只电感和一只电容。CE使能端,可关断芯片,使功耗达到最小。该系列芯片适用于低噪声、小电流的电池供电设备。

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5+
￥0.4076
50+
￥0.3995
150+
￥0.3941
500+
￥0.3887

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型号：RT8096BHGJ6 编号：C5739352

封装：TSOT-23-6

品牌：RICHTEK(立锜)

是一种高效同步降压DC-DC转换器。其输入电压范围为2.5V至6V，可提供0.6V至3.4V的可调稳压输出电压，同时输出电流可达1A。内部同步低导通电阻功率开关提高了效率，无需外部肖特基二极管。采用具有内部补偿的电流模式恒定导通时间（CMCOT）操作，可在宽范围的负载和输出电容上优化瞬态响应。有T/SOT-23-5和T/SOT-23-6封装。

1+
￥0.8785
200+
￥0.3506
500+
￥0.3388
1000+
￥0.3331

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型号：RT8025GJ5 编号：C147987

封装：TSOT-23-5

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8025是一款高效脉冲宽度调制(PWM)降压DC/DC转换器,能够提供400mA的输出电流,输入电压范围为2.5V到5.5V。它支持固定和可调输出电压,具有1.25MHz的固定频率PWM操作,内部同步整流器显著减少了导通损耗,无需外部肖特基二极管。适用于便携式电子设备,如手机、PDA和手持终端。

数据手册

1+
￥2.1207
10+
￥1.6787
30+
￥1.4892
100+
￥1.2529
500+
￥1.1476
1000+
￥0.9384

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型号：FOD3180TV 编号：C899262

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

数据手册

4000+
￥4.745472
8000+
￥4.70272
12000+
￥4.617216

我要订货

型号：FOD3180SV 编号：C899260

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

数据手册

4000+
￥4.745472
8000+
￥4.70272
12000+
￥4.617216

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型号：FOD3182TSV 编号：C899267

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

数据手册

3000+
￥4.959924
6000+
￥4.91524
9000+
￥4.825872

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型号：RT5797BHGQW 编号：C3190142

封装：WDFN-8(2x2)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT5797B 是一款高效率同步降压DC-DC转换器,输入电压范围为2.7V至6V,提供可调输出电压0.6V至3.4V,最大输出电流为3A。内部同步低导通电阻功率开关提高了效率并消除了对外部肖特基二极管的需求。CMCOT控制环路设计确保了最佳的瞬态响应和稳定的环路性能。

1+
￥8.15
10+
￥6.75
30+
￥5.97
100+
￥5.1
500+
￥4.71
1000+
￥4.54

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型号：FOD3182S 编号：C899264

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

数据手册

3000+
￥4.890327
6000+
￥4.84627
9000+
￥4.758156

我要订货

型号：FOD3184 编号：C899270

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

数据手册

3000+
￥5.036292
6000+
￥4.99092
9000+
￥4.900176

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