DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

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型号：NSVR0520V2T5G 编号：C896481

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管经过优化，可实现极低的正向压降和低漏电流，并广泛用于便携式设备中的 DC-DC 转换器、箝位和保护应用。NSR0520V2 采用 SOD-523 微型封装，有助于设计人员完成具有挑战性的任务：提高能效并满足缩小空间的要求。

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￥0.49956 / 个

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型号：NSVR0170P2T5G 编号：C896476

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管经过优化，可实现极低的正向压降和低漏电流，并广泛用于便携式设备中的 DC-DC 转换器、箝位和保护应用。NSR0170P2 采用 SOD-923 微型封装，有助于设计人员完成具有挑战性的任务：提高能效并满足缩小空间的要求。

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￥0.35004 / 个

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型号：FOD2711AV 编号：C899224

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A 光隔离放大器由受欢迎的 AZ431L 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。参考电压容限为 1%。电流传输比 (CTR) 范围为 100% 至 200%。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2711A 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

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￥3.15552 / 个

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型号：FOD2711ATV 编号：C899223

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A 光隔离放大器由受欢迎的 AZ431L 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。参考电压容限为 1%。电流传输比 (CTR) 范围为 100% 至 200%。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2711A 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

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￥3.15552 / 个

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型号：FOD2742BV 编号：C891162

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2742 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个等级的参考耐压 = 2％、1％和 0.5％。电流传输率 (CTR) 范围介于 100％到 200％之间。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2742 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚小外形封装。

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￥3.58992 / 个

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型号：H11F3SVM 编号：C899464

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

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￥3.6306 / 个

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型号：H11F3VM 编号：C899465

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

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￥3.6306 / 个

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型号：H11F3SR2M 编号：C899462

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

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￥3.91068 / 个

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型号：FOD2711A 编号：C899218

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A 光隔离放大器由受欢迎的 AZ431L 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。参考电压容限为 1%。电流传输比 (CTR) 范围为 100% 至 200%。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2711A 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

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单价：
￥3.97404 / 个

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型号：FOD2711ASD 编号：C899220

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A 光隔离放大器由受欢迎的 AZ431L 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。参考电压容限为 1%。电流传输比 (CTR) 范围为 100% 至 200%。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2711A 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

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￥3.97404 / 个

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型号：FOD2711AS 编号：C899219

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A 光隔离放大器由受欢迎的 AZ431L 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。参考电压容限为 1%。电流传输比 (CTR) 范围为 100% 至 200%。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2711A 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

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￥3.97404 / 个

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型号：FOD2711ASDV 编号：C899221

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A 光隔离放大器由受欢迎的 AZ431L 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。参考电压容限为 1%。电流传输比 (CTR) 范围为 100% 至 200%。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2711A 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

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￥3.97404 / 个

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型号：FOD2711ASV 编号：C899222

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A 光隔离放大器由受欢迎的 AZ431L 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。参考电压容限为 1%。电流传输比 (CTR) 范围为 100% 至 200%。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2711A 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

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￥3.97404 / 个

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型号：FOD2742BR2V 编号：C903692

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2742 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个等级的参考耐压 = 2％、1％和 0.5％。电流传输率 (CTR) 范围介于 100％到 200％之间。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2742 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚小外形封装。

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单价：
￥4.43388 / 个

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型号：FOD2743BV 编号：C899239

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2743 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个参考电压容限等级：2%，1% 和 0.5%。电流传输比 (CTR) 范围为 50% 至 100%。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2743 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

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￥5.48412 / 个

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型号：NRVBS410LT3G 编号：C905003

封装：SMC

品牌：onsemi(安森美)

该器件运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。适用于低电压、高频率整流，或者适合作为紧凑尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中的续流和极性保护二极管。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 、逆向电池保护和多个电源电压的“OR”操作，以及性能和尺寸至关重要的其他应用。

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1+
￥13.26
200+
￥5.13
500+
￥4.95
1000+
￥4.86

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型号：FOD2743BSDV 编号：C899236

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2743 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个参考电压容限等级：2%，1% 和 0.5%。电流传输比 (CTR) 范围为 50% 至 100%。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2743 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

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单价：
￥5.7018 / 个

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型号：FOD2743BSV 编号：C899237

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2743 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个参考电压容限等级：2%，1% 和 0.5%。电流传输比 (CTR) 范围为 50% 至 100%。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2743 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

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￥5.76048 / 个

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型号：ML4870CS3 编号：C3192698

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

ML4870是一款连续导通模式的升压调节器,设计用于多电池系统中的DC到DC转换。它支持1.8V输入启动和运行,具有内部同步整流功能,可提高效率。提供5V和3.3V输出版本,输出电压精度为±3%。集成的同步整流器消除了外部肖特基二极管的需求,减少了外部组件数量。轻载时的低静态电流和可变频率操作使其在轻负载下仍能保持高效率。

1+
￥15.76
200+
￥6.1
500+
￥5.89
1000+
￥5.78

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型号：LT3470IDDB#PBF 编号：C7452885

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3470是一款低功耗降压DC/DC转换器,集成300mA功率开关、捕获二极管和升压二极管。具有4V至40V的宽输入电压范围,输出电压范围为1.25V至16V,最大输出电流为200mA。静态电流仅为26μA,适用于电池供电系统。

1+
￥17.47
200+
￥6.97
500+
￥6.74
1000+
￥6.63

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型号：ML4865CS2 编号：C3192697

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

ML4865是一款高电压、连续导通模式的升压调节器,设计用于多节电池供电系统的DC到DC转换。连续导通模式允许调节器在给定电感下最大化输出电流。最大开关频率超过200kHz,允许使用小型低成本电感。ML4865能够在低至1.8V的输入电压下启动,并生成12V输出,输出电压精度为±4%。内置同步整流器消除了对外部肖特基二极管的需求,降低了前向电压降,提高了转换效率。此外,低静态电池电流和可变频率操作即使在轻负载下也能实现高效率。ML4865只需要一个电感和两个电容器即可构建非常小的调节电路,能够实现接近90%的转换效率。

1+
￥18.33
200+
￥7.1
500+
￥6.85
1000+
￥6.72

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型号：MAX1678ESA 编号：C3187078

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX1678是一款高效率、低电压、同步整流的升压DC-DC转换器,适用于1到3节碱性、NiMH或NiCd电池或1节锂电池供电的设备。它保证0.87V启动电压,具有37uA的静态电流,内置同步整流器,无需外部二极管。该器件包括N通道MOSFET功率开关、同步整流器、参考电压、脉冲频率调制控制电路和抑制电感器振铃的电路,所有这些都集成在一个超小型1.1mm高的μMAX封装中。输出电压预设为3.3V或可通过两个电阻调整为2V到5.5V。该器件还具有独立的欠压比较器（PFI/PFO）和逻辑控制的2uA关断模式。

1+
￥19.87
200+
￥7.69
500+
￥7.42
1000+
￥7.29

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型号：NRVB120ESFT3G 编号：C896818

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线 34 封装样式易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸至关重要的其他应用。

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1+
￥22.37
200+
￥8.66
500+
￥8.36
1000+
￥8.21

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型号：MAX17291BANT+ 编号：C3189993

封装：WLP-6(1.27x0.87)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX17291B是一款低静态电流升压（升压）DC-DC转换器,具有100mA峰值电感电流限制。它提供低静态电流、小巧的解决方案尺寸和在整个负载范围内高效的性能。MAX17291B适用于需要高电压和小型解决方案的应用,如传感器模块。它集成了功率开关、功率二极管和输出负载开关。

1+
￥23.07
200+
￥8.93
500+
￥8.62
1000+
￥8.46

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型号：MAX1742EEE-T 编号：C3167504

封装：SSOP-16-150mil

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX1742/MAX1842 是常关时间脉宽调制 (PWM) 降压 DC-DC 转换器,适用于笔记本电脑和子笔记本电脑。这些设备具有内部同步整流,可实现高达 95% 的效率,无需外部肖特基二极管。内部 90mΩ PMOS 功率开关和 70mΩ NMOS 同步整流开关可轻松提供高达 1A 的连续负载电流。MAX1742/MAX1842 可产生预设的 2.5V、1.8V 或 1.5V 输出电压,或从 1.1V 至 VIN 可调的输出电压。

1+
￥35.96
200+
￥13.92
500+
￥13.43
1000+
￥13.19

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型号：IR3447AMTRPBFAUMA2 编号：C3191836

封装：PQFN-29(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3447A是一款易于使用的完全集成的DC-DC降压调节器。其板载PWM控制器和MOSFET以及集成的bootstrap二极管使其成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它采用快速恒定导通时间（CoT）控制方案,简化设计并提供快速的控制响应。

1+
￥41.69
200+
￥16.14
500+
￥15.57
1000+
￥15.29

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型号：AOZ2250BQI-22 编号：C3188723

封装：QFN-22(4x4)

品牌：AOS

AOZ2250BQI-22 是一款高效、易于使用的 DC/DC 同步降压调节器,最高工作电压可达 28V。该设备能够提供 3A 的连续输出电流,输出电压可调至 3V ±1%。其特性包括宽输入电压范围（6.5V 至 28V）、3A 连续输出电流、低导通电阻内部 NFET、陶瓷电容器稳定性、可调软启动、集成自举二极管、逐周期限流、短路保护、输出过欠压保护和热关断。该器件采用 4mm x 4mm QFN-22L 封装,工作温度范围为 -40°C 至 +85°C。

1+
￥5.09
200+
￥1.97
500+
￥1.9
1000+
￥1.87

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型号：FOD3180TSV 编号：C899261

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥4.95636 / 个

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型号：FOD3182TV 编号：C899268

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥5.33868 / 个

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型号：FOD3184SV 编号：C899273

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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