DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

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型号：LT3470IDDB#PBF 编号：C7452885

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3470是一款低功耗降压DC/DC转换器,集成300mA功率开关、捕获二极管和升压二极管。具有4V至40V的宽输入电压范围,输出电压范围为1.25V至16V,最大输出电流为200mA。静态电流仅为26μA,适用于电池供电系统。

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型号：ML4865CS2 编号：C3192697

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

ML4865是一款高电压、连续导通模式的升压调节器,设计用于多节电池供电系统的DC到DC转换。连续导通模式允许调节器在给定电感下最大化输出电流。最大开关频率超过200kHz,允许使用小型低成本电感。ML4865能够在低至1.8V的输入电压下启动,并生成12V输出,输出电压精度为±4%。内置同步整流器消除了对外部肖特基二极管的需求,降低了前向电压降,提高了转换效率。此外,低静态电池电流和可变频率操作即使在轻负载下也能实现高效率。ML4865只需要一个电感和两个电容器即可构建非常小的调节电路,能够实现接近90%的转换效率。

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型号：MAX1678ESA 编号：C3187078

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX1678是一款高效率、低电压、同步整流的升压DC-DC转换器,适用于1到3节碱性、NiMH或NiCd电池或1节锂电池供电的设备。它保证0.87V启动电压,具有37uA的静态电流,内置同步整流器,无需外部二极管。该器件包括N通道MOSFET功率开关、同步整流器、参考电压、脉冲频率调制控制电路和抑制电感器振铃的电路,所有这些都集成在一个超小型1.1mm高的μMAX封装中。输出电压预设为3.3V或可通过两个电阻调整为2V到5.5V。该器件还具有独立的欠压比较器（PFI/PFO）和逻辑控制的2uA关断模式。

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型号：NRVB120ESFT3G 编号：C896818

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线 34 封装样式易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸至关重要的其他应用。

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型号：MAX17291BANT+ 编号：C3189993

封装：WLP-6(1.27x0.87)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX17291B是一款低静态电流升压（升压）DC-DC转换器,具有100mA峰值电感电流限制。它提供低静态电流、小巧的解决方案尺寸和在整个负载范围内高效的性能。MAX17291B适用于需要高电压和小型解决方案的应用,如传感器模块。它集成了功率开关、功率二极管和输出负载开关。

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型号：MAX1742EEE-T 编号：C3167504

封装：SSOP-16-150mil

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX1742/MAX1842 是常关时间脉宽调制 (PWM) 降压 DC-DC 转换器,适用于笔记本电脑和子笔记本电脑。这些设备具有内部同步整流,可实现高达 95% 的效率,无需外部肖特基二极管。内部 90mΩ PMOS 功率开关和 70mΩ NMOS 同步整流开关可轻松提供高达 1A 的连续负载电流。MAX1742/MAX1842 可产生预设的 2.5V、1.8V 或 1.5V 输出电压,或从 1.1V 至 VIN 可调的输出电压。

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型号：IR3447AMTRPBFAUMA2 编号：C3191836

封装：PQFN-29(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3447A是一款易于使用的完全集成的DC-DC降压调节器。其板载PWM控制器和MOSFET以及集成的bootstrap二极管使其成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它采用快速恒定导通时间（CoT）控制方案,简化设计并提供快速的控制响应。

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型号：FOD3180TSV 编号：C899261

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥4.584633
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型号：FOD3182TV 编号：C899268

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：FOD3184SV 编号：C899273

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥5.10933
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型号：FOD3184TSV 编号：C899274

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：FOD3182TSR2V 编号：C898472

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：FOD3184SD 编号：C899271

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥5.154408

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型号：FOD3184TSR2V 编号：C898473

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：ZSPM9000AI1R 编号：C1848729

封装：PQFN-40(6x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ZSPM9000 DrMOS 是一种完全优化的、超紧凑的集成 MOSFET 加驱动器的电源管理解决方案,适用于高电流、高频同步降压 DC-DC 应用。该设备集成了一个驱动器 IC、两个功率 MOSFET 和一个自举肖特基二极管,采用热增强的 6mm x 6mm PQFN40 封装。

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￥28.15
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型号：RT8057GQW(2) 编号：C6669343

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8057是一款高效脉冲宽度调制（PWM）降压DC-DC转换器,能够在宽输入电压范围内提供1A的输出电流。它具有2.25MHz的固定频率PWM操作,适用于便携式电子设备,如手机、PDA、手持设备、游戏机及其配件。内部同步整流器显著降低了PWM模式下的传导损耗,无需外部肖特基二极管。

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￥22.208948
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￥17.636518

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型号：RT8099GQU 编号：C7353914

封装：UDFN-6(1.6x1.6)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8099是一款高效率的PWM DC/DC降压转换器,支持2.7V到5.5V的输入电压范围,最大输出电流为600mA,输出电压可调范围为0.7V到5V。内部同步整流器显著降低了导通损耗,无需外部肖特基二极管。适用于便携式电子设备,如手机、PDA等。

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￥2.9689
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型号：RT8035GQW 编号：C5879837

封装：WDFN-10(3x3)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8035是一款高效率脉冲宽度调制（PWM）双路降压DC/DC转换器,支持2.5V至5.5V的输入电压范围,最大输出电流为800mA,固定1.25MHz PWM操作,具有95%的效率,无需外部肖特基二极管,支持低输出电压,采用小型10引脚WDFN封装。

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￥14.81967
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￥11.768561

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型号：RT5712AHGQW 编号：C20503547

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT5712A是一款高效率的同步降压DC-DC转换器,输入电压范围为2.7V到6V,可提供0.6V到3.4V的可调输出电压,最大输出电流为2A。其内部同步低导通电阻开关提高了效率,消除了对外部肖特基二极管的需求。采用CMCOT控制架构,优化了瞬态响应和环路稳定性。

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￥3.85
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型号：RT8020CGQW 编号：C7065286

封装：WDFN-12(3x3)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8020是一款双通道高效脉冲宽度调制（PWM）降压DC/DC转换器,能够在2.5V至5.5V的输入电压范围内提供1A的输出电流。它支持固定和可调输出电压,并具有内部同步整流器,无需外部肖特基二极管。适用于便携式电子设备,如手机、PDA等。

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型号：SC120SKTRT 编号：C2070798

封装：SOT-23-6

品牌：SEMTECH

SC120是一款高效率、低噪声的同步升压DC-DC转换器,适用于低电压手持设备。其输入电压范围宽,支持单节镍氢或碱性电池以及更高电压的电池供电。内部集成1.2A开关和同步整流器,最高效率可达94%,并消除了对外部肖特基二极管的需求。输出电压可设置为3.3V或在1.8V至5.0V范围内调节。工作模式包括PWM和自动节能模式,具备防振铃电路,减少EMI。

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￥4.06
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型号：SC121ULTRT 编号：C2072253

封装：MLPD-6-UT(1.5x2)

品牌：SEMTECH

SC121 是一款高效率、低噪声的同步升压 DC-DC 转换器,适用于低电压手持设备。其宽输入电压范围允许在单节 NiMH 或碱性电池以及更高电压电池系统中使用。该芯片具有内部 1.2A 开关和同步整流器,可实现高达 94% 的效率,并消除了对外部肖特基二极管的需求。输出电压可设置为 3.3V 或者通过外部电阻分压器在 1.8V 至 5.0V 之间调整。

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￥4.6
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型号：AS1320-T 编号：C19518677

封装：SOT-23-6

品牌：ams(艾迈斯半导体)

AS1320是一款高效率的升压型DC-DC转换器,设计用于生成固定的3.3V输出电压。最大输出电流为200mA,输入电压范围为1.5V至3.5V。内置同步整流器,无需外部肖特基二极管或FET。关断模式下电流小于1μA。

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￥2.88
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型号：RT8015GSP 编号：C6208481

封装：SOP-8-EP

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8015是一款高效同步降压DC/DC转换器,输入电压范围为2.6V至5.5V,可提供0.8V至5V的可调输出电压,最大输出电流为2A。内部低阻抗开关提高了效率,无需外部肖特基二极管。开关频率可通过外部电阻设置或与外部时钟同步。

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￥9.07
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￥3.5
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型号：RT5796BHGE 编号：C19593206

封装：SOT-23-6

品牌：RICHTEK(立锜)

RT5796B 是一款高效率的同步降压DC/DC转换器,输入电压范围为2.5V至6V,可提供0.6V至3.4V的可调输出电压,最大输出电流为1.5A。该器件采用CMCOT控制环路设计,具有快速瞬态响应和稳定的环路特性。内部同步低导通电阻开关提高了效率并消除了对外部肖特基二极管的需求。该器件还具有多种保护功能,包括逐周期过流保护、输入欠压锁定保护和输出欠压保护。

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￥27.91
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型号：R1218N041A-TR-FE 编号：C6749144

封装：SOT-23-6

品牌：Nisshinbo

R1218x系列是用于驱动白光LED的PWM控制型升压DC/DC转换器IC,具有低供电电流。每个IC包括N沟道MOSFET、振荡器、PWM比较器、电压参考单元、误差放大器和限流电路。R1218xxx1A内置400mA、1.5Q、20V N沟道MOSFET和二极管,R1218xxx2A内置400mA、1.5Q、33V N沟道MOSFET。振荡器频率为1.2MHz,最大占空比为91%至92%。反馈电压为0.2V,UVLO阈值电压为1.6V。Lx引脚限流保护为700mA。过压保护（OVP）阈值因型号不同而异,最高可达31.5V。LED调光控制可通过外部PWM信号（200Hz至5kHz）到CE引脚实现。

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￥1.2
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型号：R1213K001B-TR 编号：C2468810

封装：DFN(PLP)2730-12

品牌：Nisshinbo

R1213K系列是一款2.5A PWM升压DC/DC转换器,具有内部N沟道MOSFET驱动器、振荡器、PWM比较器、电压参考单元、误差放大器、软启动电路、欠压锁定电路（UVLO）、热关断电路和二极管。该器件可通过外部电阻和电容调整输出电压、软启动时间和相位补偿。R1213K提供过流保护电路、锁存型保护电路和热关断电路,可在输出电压下降超过保护延迟时间时停止DC/DC转换器的运行。

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型号：R1283K001A-TR 编号：C2599569

封装：DFN(PLP)2730-12

品牌：Nisshinbo

R1283x系列双通道DC/DC转换器专为CCD和OLED显示电源设计。它包含一个升压负电压转换器和一个反相DC/DC转换器,支持外部电感、二极管、电容和电阻。该芯片具有内部软启动功能、过流保护、短路保护和欠压锁定功能。

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型号：R1283K002C-TR 编号：C2595125

封装：DFN(PLP)2730-12

品牌：Nisshinbo

R1283x系列2通道DC/DC转换器专为CCD和OLED显示器的电源设计。它包含一个升压负电压通道和一个反相通道,每个通道都具有独立的启动序列。内置软启动功能、过流保护、短路保护和欠压锁定电路。支持外部电感、二极管、电容和电阻组成高效升压和反相DC/DC转换器。

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型号：R1213K001A-TR 编号：C5841731

封装：DFN2730-12

品牌：Nisshinbo

R1213K系列是一款2.5A PWM升压DC/DC转换器,内部包括N沟道MOSFET驱动器、振荡器、PWM比较器、电压参考单元、误差放大器、软启动电路、欠压锁定电路、热关断电路和二极管,可轻松配置高效率升压DC/DC转换器。R1213K可以通过外部电阻和电容调整输出电压、软启动时间和相位补偿。R1213K还具有关断控制功能,可以通过保护电路关闭外部P沟道MOSFET以切断输入和输出之间的电流路径。R1213K提供了过流保护电路、闩锁型保护电路、热关断保护电路和欠压锁定电路。过流保护电路限制Lx峰值电流,闩锁型保护电路在输出电压下降持续超过保护延迟时间时将N沟道MOSFET锁定以停止DC/DC转换器的运行。

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