DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23-6

FP6359是一款高效率、1MHz开关频率的同步降压DC-DC转换器,提供2.7V至6V的宽输入电压范围和3A的连续负载电流能力。内部同步开关提高了效率并消除了对外部肖特基二极管的需求。100%占空比功能提供低dropout操作,延长便携系统的电池寿命。内部补偿功能和软启动限制了浪涌电流。内置过流保护和过温保护功能确保了设备的安全运行。

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5+
￥0.8108
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￥0.7935
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型号：MD7736 编号：C2978580

封装：SOT-89-3L

品牌：明达微

MD77XX 系列产品是一种高效率、低纹波的PFM 控制型DC-DC 升压稳压芯片。该系列产品具有极低的启动电压和高输出电压精度。应用时仅需电感、电容、肖特基二极管三个外部元器件，就可完成将低输入的电池电压升压至所需的工作电压。

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￥0.8351
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型号：SDT20100CTB-13 编号：C6473188

封装：TO-263

品牌：DIODES(美台)

沟槽肖特基在高温下提供非常低的正向电压和极其优异的反向泄漏稳定性。它非常适合用作以下设备中的整流二极管、续流二极管或阻塞二极管：DC-DC 转换器、AC-DC 适配器。

1+
￥3.63
10+
￥3.56
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￥3.51

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型号：MAX1724EZK27+T 编号：C2682667

封装：TSOT-23-5

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX1724是一款紧凑、高效的升压型DC-DC转换器,采用5引脚TSOT封装。它具有极低的1.5μA静态电流,确保轻载时的最高效率。适用于单节碱性或镍氢电池、单节锂离子电池供电的应用,特别适合需要极低静态电流和超小型尺寸的应用。内置同步整流显著提高了效率,减少了外部肖特基二极管的需求。MAX1724还具有专有的噪声抑制电路,减少了许多升压应用中的电磁干扰（EMI）。

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单价：
￥3.67 / 个

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型号：PN8306MSEC-R1 编号：C361075

封装：SOP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

PN8306M包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306M集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。

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￥4.26
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￥3.47
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￥3.08

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型号：NRVBA210LNT3G 编号：C893764

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

该器件在金属-硅功率整流器中采用肖特基势垒原理。具有氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。非常适合用于低电压、高频开关电源；续流二极管和极性保护二极管。典型应用包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器、反接电池保护以及多个电源电压的“Oring”应用，以及任何对性能和尺寸要求苛刻的其他应用。

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￥5.29
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￥5.18
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型号：SBR20100CTFP 编号：C507839

封装：ITO-220AB-3

品牌：DIODES(美台)

提供极低的正向电压（VF），并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性。它们非常适合用作以下设备中的整流器、续流二极管或阻塞二极管：DC-DC 转换器、AC-DC 适配器。

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￥5.71
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￥4.65
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￥4.12

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型号：SDT20100CTFP 编号：C3758980

封装：ITO-220AB

品牌：DIODES(美台)

沟槽肖特基整流器提供极低的正向电压降和极优异的高温反向漏电流稳定性。它非常适合用作以下设备中的整流器、续流二极管或阻塞二极管：DC-DC转换器、AC-DC适配器。

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￥5.78
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￥5.66
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型号：IDV20E65D1 编号：C535935

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：650 V 发射极控制技术。关键参数的温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快速恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。低反向恢复电流 (Irm)。应用：AC/DC 转换器。PFC 级中的升压二极管

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￥7.64
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￥6.32
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￥5.6

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型号：SDT5H100LP5-13 编号：C6802585

封装：PowerDI5

品牌：DIODES(美台)

SDT5H100LP5采用紧凑且散热高效的PowerDI5封装，具备极低的正向压降（VF），并在高温环境下拥有出色的反向漏电流稳定性。它非常适合用作直流 - 直流（DC - DC）转换器、交流 - 直流（AC - DC）适配器中的整流二极管、续流二极管或阻塞二极管。

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￥8.25
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￥8.07
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型号：iW610-05 编号：C22443549

封装：SOT-23-6

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款先进的同步整流 (SR) 控制器，集成了MOSFET驱动器。专有的无损VDS感应和控制技术，使其能与多种AC/DC拓扑配合工作，如准谐振反激 (QR)、不连续模式 (DCM)、连续模式 (CCM) 反激、零电压开关 (ZVS) 和有源钳位反激 (ACF)。该器件与外部功率MOSFET配合使用，取代反激转换器次级侧的主整流二极管，以在次级侧实现高效率。这种多功能性使其非常适合最新的高功率密度AC/DC适配器/充电器应用

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￥11.11
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￥9.5
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型号：TDA21535AUMA1 编号：C7360784

封装：IQFN-25

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型DC - DC转换器；用于DDR内存阵列和低电流电压轨的电压调节器；TDA21535集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，它与控制和同步MOSFET以及一个有源二极管结构共同封装，该有源二极管结构可实现类似于肖特基二极管的低Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序和最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低输出电压下实现更高效率。内部MOSFET感测与同类最佳的基于控制器的电感DCR感测方法相比，可实现卓越的电流感测精度。保护功能包括IC温度报告和过温保护功能（带热关断的OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制MOSFET短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV和自举欠压保护。TDA21535还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。高达1.5 MHz的开关频率运行可实现高性能瞬态响应，允许输出电感器以及输入和输出电容器小型化，同时保持行业领先的效率。TDA21535包含一个改进的高速MOSFET驱动器，该驱动器经过优化，可在高达1.5 MHz的频率下驱动一对共同封装的高端和低端OptiMOS MOSFET。使用传统电流感测方法（如DCR感测和Rdson感测）的DC - DC控制器通常存在局限性。DCR电流感测对电感器的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson电流感测不依赖于电感器，但MOSFET的rdson存在温度系数。此外，很难对高端MOSFET实施rdson电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过MOSFET进行感测。通过TDA21535中的先进电流镜感测，消除了所有这些局限性，同时实现了卓越的精度。高端和低端MOSFET上的电流都在一个感测MOSFET上镜像，该感测MOSFET是主MOSFET器件的一部分，因此具有固有的温度补偿，无需额外的电路。两个MOSFET上的真实电流感测确保了系统。

1+
￥14.95
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￥14.57
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型号：FOD3182V 编号：C899269

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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1+
￥17.12
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￥16.73
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型号：FOD3180SDV 编号：C899259

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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1+
￥20.18
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￥19.72
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￥19.4

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型号：FOD3182SV 编号：C899266

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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1+
￥22.72
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￥22.19
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￥21.84

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型号：C3D20060D 编号：C18164545

封装：TO-247-3

品牌：CREE LED

特性：600-伏肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复电压。高频操作。与温度无关的开关特性。极快的开关速度。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

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￥23.99
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￥23.43
45+
￥23.05

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型号：LT3571EUD#PBF 编号：C459891

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3571是一款电流模式升压型DC/DC转换器，旨在为光接收器中的雪崩光电二极管（APD）提供偏置，输出电压高达75V。LT3571具备高端固定压降APD电流监测器，在整个温度范围内相对精度优于10%。集成的功率开关、肖特基二极管和APD电流监测器使得解决方案占板面积小且成本低

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￥23.75
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￥22.8
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￥21.85
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￥21.28
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￥20.9

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型号：TDA21520AUMA1 编号：C3655488

封装：IQFN-25

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型DC - DC转换器；用于DDR内存阵列和低电流电压轨的电压调节器；TDA21520集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，它与控制和同步MOSFET共同封装，还有一个有源二极管结构，该结构能实现类似于肖特基二极管的低Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序和最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低输出电压下实现更高效率。内部MOSFET感测与同类最佳的基于控制器的电感DCR感测方法相比，实现了卓越的电流感测精度。保护功能包括IC温度报告和过温保护功能（带热关断的OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制MOSFET短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV和自举欠压保护。TDA21520还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。高达1.5 MHz的开关频率运行可实现高性能瞬态响应，允许输出电感器以及输入和输出电容器小型化，同时保持行业领先的效率。TDA21520包含一个改进的高速MOSFET驱动器，该驱动器经过优化，可驱动一对共同封装的高端和低端OptiMOS MOSFET，频率高达1.5 MHz。使用传统电流感测方法（如DCR感测和Rdson感测）的DC - DC控制器通常存在局限性。DCR电流感测对电感器的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson电流感测不依赖于电感器，但MOSFET的rdson存在温度系数。此外，很难对高端MOSFET实现rdson电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过MOSFET进行感测。通过TDA21520中先进的电流镜感测，消除了所有这些局限性，同时实现了卓越的精度。高端和低端MOSFET上的电流都在一个感测MOSFET上镜像，该感测MOSFET是主MOSFET器件的一部分，因此具有固有的温度补偿，无需额外的电路。对两个MOSFET进行实际电流感测可确保系统始终处于监控状态。

1+
￥42.04
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￥36.4
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￥32.96

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型号：ME2100C33M5G 编号：C236814

封装：SOT-23-5

品牌：MICRONE(南京微盟)

ME2100 系列 DC/DC 芯片是采用CMOS 工艺制造的低静态电流的PFM 开关型DC/DC 升压转换器。该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺，极大地改善了开关电路固有的噪声问题，减小对周围电路的干扰。输出电压为 2.0V~7.0V （按0.1V 的级差），振荡频率为 100KHz (典型值)。对内置开关晶体管的 ME2100Xxx，组成DC/DC 升压电路只需接三个外围元件，一只肖特基二极管、一只电感和一只电容。带CE 端的ME2100Cxx，具有关断功能，可使芯片功耗达到最小。该系列芯片适用于低噪声、较大电流的电池供电设备。

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5+
￥0.7202
50+
￥0.5709
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￥0.4963
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￥0.4403
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￥0.3838
6000+
￥0.3614

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型号：RT8064ZQW 编号：C130806

封装：WDFN-8-EP(3x3)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8064是一款高效同步降压DC/DC转换器,输入电压范围为2.7V至5.5V,提供可调输出电压0.8V至5V,最大输出电流为2A。内部同步低阻抗功率开关提高效率并消除外部肖特基二极管的需求。默认开关频率为2MHz,可通过外部电阻调节至200kHz至2MHz。

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￥1.2551
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￥1.2271
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型号：RT8016GQW 编号：C425766

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8016是一款高效PWM降压DC-DC转换器,能够提供1A的输出电流,输入电压范围为2.5V至5.5V。它具有95%的效率,固定1.5MHz的开关频率,无需外部肖特基二极管。该器件采用6引脚WDFN封装,适用于便携式电子设备。

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￥2.32
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￥2.27
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￥2.24

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型号：RT8097CHGE 编号：C3031673

封装：SOT-23-6

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8097C是一款高效率同步降压DC-DC转换器,输入电压范围为2.7V至6V,可提供0.6V至3.4V的可调输出电压,最大输出电流为2A。内部同步低导通电阻功率开关提高了效率,消除了对外部肖特基二极管的需求。采用恒定导通时间控制环路设计,具有快速瞬态响应和稳定的环路特性。

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1+
￥3.62
10+
￥2.94
30+
￥2.6

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型号：XC9110C501MR-G 编号：C19223345

封装：SOT-25

品牌：TOREX(特瑞仕)

XC9110/9111系列是一组采用PFM控制的升压型DC/DC转换器/控制器IC，通过PFM控制与CMOS结构相结合来产生低电源电压。该系列非常适合需要延长电池续航时间的应用，如便携式通信设备。XC9110A/C/E和XC9111A/C/E型号内置2.5Ω N沟道驱动晶体管，仅需外接一个线圈、一个电容和一个二极管即可实现升压操作

1+
￥3.83
10+
￥3.74
30+
￥3.67

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型号：C4D02120E 编号：C7457230

封装：TO-252-2

品牌：WOLFSPEED

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。温度无关的开关特性。极快的开关速度。正向电压VF具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

1+
￥14
10+
￥11.94
30+
￥10.65

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型号：C4D05120E-TR 编号：C5713497

封装：TO-252

品牌：WOLFSPEED

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。与温度无关的开关特性。极快的开关速度。正向电压（VF）具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

1+
￥17.38
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￥16.98
30+
￥16.71

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型号：FM01BTS 编号：C87400

封装：SOP-8

品牌：FM(富满)

开关电源芯片 FM01BTS、FM01BTD 是一款低功耗并具有高性能的电源管理 IC，主要针对锂电池充电器而设计，与简单低成本的 RCC 电路相比省去碳膜电阻一个、绦纶电容一个、IN4148 二极管一个、SS8050 三极管一个、稳压管一个，最大程度的节约了系统成本。除了为用户提供高性价比的 AC/DC 电源系统应用以外，而且 IC 内部高度集成了欠压锁定，过压保护，过温保护，限流保护，开短路保护等功能，使得 IC 的工作寿命大大延长。

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1+
￥0.5171
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￥0.4108
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￥0.3576

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型号：IW662-02-SO8 编号：C425075

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

iW662是一款用于高通快速充电3.0（QC3.0）的AC/DC次级侧组合控制器，它将USB接口、次级到初级通信和同步整流功能集成在单个IC中。 iW662位于AC/DC电源的次级侧，可使适配器根据移动设备（MD）请求的电压，以200mV的增量配置3.6V至12V的多级输出电压。它可用于Dialog的初级侧控制AC/DC系统，以实现快速电压转换、低空载功耗和快速动态负载响应。 iW662采用Dialog专有的XM-Comm次级到初级数字通信技术。当与Dialog的初级侧控制器iW1790配合使用时，系统中可完全省去光耦合器。iW662通过电源变压器传输快速充电所需的所有信息，包括输出电压请求、输出电流限制、输出电压下冲、输出过压以及故障和复位信号。 iW662也是一款先进的同步整流（SR）控制器，集成了MOSFET驱动器，可使不连续模式反激式转换器高效运行。该器件与外部功率MOSFET配合使用，取代反激式转换器次级侧的主整流二极管，通过降低次级侧传导损耗来提高效率。Dialog的数字自适应关断控制技术可将关断死区时间降至最低，无需在传统同步整流器中通常与同步MOSFET并联使用的额外肖特基二极管。 iW662和iW1790提供双层电缆保护。在次级侧，iW662采用Dialog专有的D+/D-过压保护功能，以解决VBUS D+/D-软短路问题。在初级侧，iW1790采用Dialog的SmartDefender+TM先进打嗝技术，在软短路时降低平均输出功率，且不会锁存。

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￥1.35
10+
￥1.32
30+
￥1.3

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型号：S4D02120A-HXY 编号：C51896243

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备2A的正向电流（IF）和1200V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。其高耐压特性与低导通损耗相结合，有助于提升电路转换效率。器件利用碳化硅材料的优异性能，支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少开关过程中的能量损耗与发热。适用于高效率电源转换拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、DC-DC变换器及高压整流应用，适合对能效和功率密度有较高要求的电力电子系统。

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￥2.44
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￥2.38
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￥2.35
100+
￥2.31

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型号：XC9111C331MR 编号：C216669

封装：SOT-25

品牌：TOREX(特瑞仕)

XC9110/9111系列是一组采用PFM控制的升压型DC/DC转换器/控制器IC，通过PFM控制与CMOS结构相结合来产生低电源电压。该系列非常适合需要延长电池续航时间的应用，如便携式通信设备。XC9110A/C/E和XC9111A/C/E型号内置2.5Ω N沟道驱动晶体管，只需外接一个线圈、一个电容和一个二极管即可实现升压操作。XC9110/9111 B、D和F版本可与外部晶体管配合使用，适用于需要更大电流的应用。输出电压可在内部进行编程设置，范围为1.5V至7.0V，以0.1V为增量（精度：±2.5%）。XC9110/9111系列的最大振荡频率设定为100kHz（轻载时，XC9111系列设定为180kHz）。可选产品包括配备CE引脚（C和D版本）的型号，该引脚可使IC进入关断状态，从而降低电源电流；还有VDD/VOUT引脚分离（E和F版本）的型号，可将电源模块和输出电压检测模块分开。XC9110系列的最大占空比设定为75%（VDD = 3.3V），适合大电流操作。XC9111系列在检测到负载变化时，会自动在56%和75%（VDD = 3.3V）之间切换占空比，以降低输出纹波电压，可同时支持大电流和小电流。外部晶体管类型（B/D/F类型）可用于需要更大电流的应用。

1+
￥2.76
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￥2.7
30+
￥2.67

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型号：V35PW10-M3/I 编号：C7408876

封装：TO-252-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形。典型高度为1.3mm。沟槽MOS肖特基技术。适合自动贴装。低正向压降，低功耗。高效运行。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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