DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：XC9110C501MR-G 编号：C19223345

封装：SOT-25

XC9110/9111系列是一组采用PFM控制的升压型DC/DC转换器/控制器IC，通过PFM控制与CMOS结构相结合来产生低电源电压。该系列非常适合需要延长电池续航时间的应用，如便携式通信设备。XC9110A/C/E和XC9111A/C/E型号内置2.5Ω N沟道驱动晶体管，仅需外接一个线圈、一个电容和一个二极管即可实现升压操作

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型号：FOD3182-C5L0 编号：C19185370

封装：SMD-8P

品牌：KTP(科泰普)

FOD3182是具有3A输出电流，高速MOSFET栅极驱动光耦合器。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，该二极管与具有PMOS和NMOS输出功率晶体管集成电路功率级的CMOS感测器进行光耦合。非常适用于等离子显示屏(PDPs)，电动机用逆变器控制，以及高性能DC/DC转换器中采用的高频功率驱动MOSFETS。

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型号：XC9119D10AER-G 编号：C6616212

封装：USPC-6(1.8x2)

品牌：TOREX(特瑞仕)

XC9119系列是1MHz PWM控制的升压DC/DC转换器,设计用于使用陶瓷电容器。内置2.0Ω开关晶体管,通过外部连接的电感、二极管、电容器和电阻器,可以轻松实现升压操作。输出电压最高可达19.5V,适用于各种通用电源、LCD面板和有机EL显示设备。

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型号：HCPL-3180-300E 编号：C6795935

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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型号：ACPL-P346-000E 编号：C3036217

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - P346/W346包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC - DC/DC - DC转换器应用中的功率MOSFET和碳化硅（SiC）MOSFET。输出级较宽的工作电压范围可为栅极控制设备提供所需的驱动电压

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型号：ACPL-K34T-000E 编号：C7466718

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

2.5安培汽车级R2Coupler栅极驱动光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），它与一个带有功率输出级的集成电路进行光耦合。ACPL - K34T具有快速传播延迟和严格的时序偏差，专为驱动AC - DC和DC - DC转换器中使用的功率MOSFET而设计。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压

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型号：RT8016GQW 编号：C425766

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8016是一款高效PWM降压DC-DC转换器,能够提供1A的输出电流,输入电压范围为2.5V至5.5V。它具有95%的效率,固定1.5MHz的开关频率,无需外部肖特基二极管。该器件采用6引脚WDFN封装,适用于便携式电子设备。

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型号：PN8306MSEC-R1 编号：C361075

封装：SOP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

PN8306M包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306M集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。

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型号：QX2303L40E 编号：C219026

封装：SOT-89-3

品牌：泉芯

QX2303是一款BOOST结构、升压型PFM控制模式的DC-DC变换器。芯片内部包括输出电压反馈和修正网络、启动电路、震荡电路、参考电压电路、PFM控制电路、过流保护电路以及功率管等。QX2303所需的外部元件非常少，只需要一个电感、一个肖特基二极管和输入输出电容就可以提供2.5V~5.0V的稳定的低噪声输出电压。

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型号：C4D05120E-TR 编号：C5713497

封装：TO-252

品牌：WOLFSPEED

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。与温度无关的开关特性。极快的开关速度。正向电压（VF）具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

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￥26.27
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型号：C3D20065D 编号：C7455321

封装：TO-247-3

品牌：WOLFSPEED

特性：650伏肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复电压。高频操作。与温度无关的开关特性。极快的开关速度。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

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￥35.83
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型号：LT3473EDD#TRPBF 编号：C670630

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3473 / LT3473A 是微功耗升压型 DC/DC 转换器，内置肖特基二极管和输出断开电路，采用薄型 DFN 封装。小尺寸封装、高度集成以及使用微型 SMT 元件，使解决方案尺寸小于 50mm²。内部 1A 开关允许该器件从单节锂离子电池输出 25V 电压、提供高达 80mA 电流，同时自动突发模式操作可在轻载时保持高效率

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￥48.03
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型号：LT3463EDD#PBF 编号：C580060

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是双微功率 DC/DC 转换器，内置肖特基二极管，采用 10 引脚 3mm x 3mm DFN 封装。负向和正向转换器有 250mA 电流限制。正向转换器也有 250mA 限制，而负向转换器有 400mA 限制。两个器件的输入电压范围为 2.4V 至 15V，适用于各种应用。每个转换器的静态电流仅为 20μA，关断时降至 1μA 以下。限流、固定关断时间控制方案可节省工作电流，在宽负载电流范围内实现高效率。42V 开关可轻松产生高达 ±40V 的高压输出，无需使用昂贵的变压器。300ns 的低关断时间允许使用小型、薄型电感和电容，以在对空间敏感的便携式应用中最小化占用空间和成本。

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型号：STPS6M100DEE-TR 编号：C3002936

封装：PowerFLAT(3.3x3.3)

品牌：ST(意法半导体)

此肖特基整流器专为开关模式电源和高频 DC 到 DC 转换器而设计。采用 PowerFLAT 封装，该器件适用于低电压、高频、逆变器、续流、旁路二极管和极性保护应用。其低矮外形专为节省空间的应用而设计。

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￥3.497535 / 个

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型号：IR3883MTRPBF 编号：C537723

封装：VQFN-16-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3883是一款高效、完全集成的单片DC/DC同步降压调节器,具有宽输入电压范围（2.5V-14V）,连续3A负载能力,800kHz开关频率,内置PWM控制器和MOSFET,支持强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）。

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￥7.7857
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型号：L6598D013TR 编号：C411395

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

L6598器件采用BCD Tm离线技术制造，能够确保高达600 V的额定电压，使其非常适合用于AC/DC适配器以及任何采用谐振拓扑结构有益的场合。该器件旨在以经典半桥拓扑结构驱动两个功率MOSFET。一个专用定时部分允许设计人员设置软启动时间、软启动和最小频率。还提供了一个误差放大器以及两个使能输入。此外，集成的自举二极管和低压电源上的齐纳钳位功能，将应用所需的外部元件数量降至最低。

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2500+
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型号：LT3470HTS8#TRPBF 编号：C670621

封装：TSOT-23-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT3470是一款微功耗降压型DC/DC转换器，它将一个300mA的功率开关、续流二极管和升压二极管集成到了3mm×2mm的DD和ThinSOT超薄封装中。LT3470结合了突发模式和连续工作模式，允许使用小型电感和电容，同时为高达200mA的负载提供低纹波输出。凭借4V至40V的宽输入范围，LT3470可以对多种电源进行稳压，包括两节锂离子电池、非稳压墙式变压器和铅酸电池

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型号：V30KM100-M3/H 编号：C7377309

封装：FlatPAK5x6-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。可提供AEC-Q101认证。汽车订购代码：基础P/N HM3。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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￥5.01
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型号：V40PWM10C-M3/I 编号：C3759231

封装：TO-252

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形-典型高度为1.3 mm。沟槽MOS肖特基技术。适合自动贴片。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，无铅，最高峰值温度260℃。应用：用于低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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￥6.16
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￥6.01
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型号：FOD3180 编号：C899257

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥5.03916 / 个

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型号：LT3470ETS8#PBF 编号：C107838

封装：TSOT-23-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT3470是一款微功耗降压型DC/DC转换器，它将一个300mA的功率开关、续流二极管和升压二极管集成到3mmx2mm的DD和ThinSOT超薄封装中。LT3470结合了突发模式和连续工作模式，允许使用小型电感和电容，同时为高达200mA的负载提供低纹波输出。凭借4V至40V的宽输入范围，LT3470可以调节各种电源，从两串锂离子电池到非稳压墙式变压器和铅酸电池。在典型应用中，调节时的静态电流仅为26µA，而零电流关断模式可将负载与输入电源断开，简化了电池供电系统的电源管理。快速限流和滞回控制可保护LT3470和外部元件免受输出短路的影响，即使在40V输入时也能如此。

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￥27.51
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￥26.94
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型号：LT1932ES6#TRPBF 编号：C579933

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

是固定频率的升压 DC/DC 转换器，用作恒流源。因为它直接调节输出电流，所以非常适合驱动发光二极管（LED），其发光强度与通过它们的电流成正比，而不是与它们两端的电压成正比。输入电压范围为 1V 至 10V，可在各种输入源下工作。即使输入电压高于 LED 电压，也能精确调节 LED 电流，大大简化了电池供电设计

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￥32.06
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￥31.28
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￥30.76

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型号：LTC3414EFE#PBF 编号：C684711

封装：TSSOP-20-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC 3414是一款高效的单片同步降压型DC/DC转换器，采用恒定频率、电流模式架构。其输入电压范围为2.25V至5.5V，可提供0.8V至5V的稳压输出，最大输出电流可达4A。内部同步功率开关的导通电阻为67mΩ，可提高效率，且无需外部肖特基二极管

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￥83.45
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￥79.61
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型号：SD6303E33A 编号：C521384

封装：SOT-23

品牌：SHOUDING(首鼎半导体)

SD6303是一款BOOST结构、升压型PFM控制模式的DC-DC变换器。芯片内部包括输出电压反馈和修正网络、启动电路、震荡电路、参考电压电路、PFM控制电路、过流保护电路以及功率管等。SD6303所需的外部元件非常少，只需要一个电感、一个肖特基二极管和输入输出电容就可以提供2.5V~5.0V的稳定的低噪声输出电压。

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￥0.7332
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￥0.5796
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￥0.5028

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型号：SD6303E30C 编号：C521383

封装：SOT-89-3

品牌：SHOUDING(首鼎半导体)

SD6303是一款BOOST结构、升压型PFM控制模式的DC-DC变换器。芯片内部包括输出电压反馈和修正网络、启动电路、震荡电路、参考电压电路、PFM控制电路、过流保护电路以及功率管等。SD6303所需的外部元件非常少，只需要一个电感、一个肖特基二极管和输入输出电容就可以提供2.5V~5.0V的稳定的低噪声输出电压。

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￥0.747
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￥0.5934
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￥0.5166

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型号：SD6303E30A 编号：C521381

封装：SOT-23

品牌：SHOUDING(首鼎半导体)

SD6303是一款BOOST结构、升压型PFM控制模式的DC-DC变换器。芯片内部包括输出电压反馈和修正网络、启动电路、震荡电路、参考电压电路、PFM控制电路、过流保护电路以及功率管等。SD6303所需的外部元件非常少，只需要一个电感、一个肖特基二极管和输入输出电容就可以提供2.5V~5.0V的稳定的低噪声输出电压。

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￥0.747
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￥0.5934
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型号：MBR10100CT 编号：C138882

封装：TO-220

品牌：MOSPEC(统懋)

使用具有耐高温金属的肖特基势垒原理。专有的势垒技术允许在高达175℃的结温下可靠运行。典型应用于开关模式电源，如适配器、DC/DC转换器、续流和极性保护二极管。

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￥0.9327
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￥0.9108
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￥0.8202
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型号：SD2350D50B 编号：C521336

封装：SOT-89-3

品牌：SHOUDING(首鼎半导体)

SD2350D系列芯片是采用CMOS工艺制造的静态电流极低的VFM开关型DC/DC升压转换器。该芯片由振荡器、VFM模式控制电路、Lx开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较放大器、电压采样电阻及VLX眼触电路等组成。SD2350D系列升压转换器采用变频的方式，因此较同类产品具有更低的纹波、更强的驱动能力、效率高等特点，应用时外围只需接三个元件(电感、电容及二极管各一个)。SD2350D输入电压最低0.8V，并且可以根据要求调整输出电压3V-6V可选。

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￥1.056
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￥0.8292
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型号：NRVB140ESFT3G 编号：C896820

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用大面积金属-硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低电压、高频整流，或在尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和极性保护二极管。这种封装还为无引脚34封装样式提供了一种易于使用的替代方案。由于其尺寸小，非常适合用于便携式和电池供电产品，如手机、无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、个人数字助理（PDA）和PCMCIA卡。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电池反接保护以及多个电源电压的“Oring”，以及任何对性能和尺寸要求严格的其他应用。

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型号：V20KM100-M3/H 编号：C6582811

封装：FlatPAK5x6-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。可提供AEC-Q101认证。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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