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封装：SOT-23-3L

MEXX1C 系列 DC/DC 芯片是采用 CMOS 工艺制造的静态电流极低的 VFM 开关型 DC/DC 升压转换器。该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺，极大地改善了开关电路固有的噪声问题，减小对周围电路的干扰。输出电压为 2.0V~7.0V （按 0.1V 的级差）。对内置开关晶体管的 MEXX1C，组成 DC/DC 升压电路只需接三个外围元件，一只肖特基二极管、一只电感和一只电容。CE 使能端，可关断芯片，使功耗达到最小。该系列芯片适用于低噪声、小电流的电池供电设备。

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型号：SBR3U40S1F-7 编号：C5245131

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

是一款采用SOD123F封装的单整流器，具有极低的正向压降 (VF) 和高温下较低的反向泄漏稳定性。适用于DC-DC转换器、AC-DC整流器、极性反接保护、开关电源、隔离二极管。

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型号：MD88R53 编号：C2978418

封装：SOT-23-5L

品牌：明达微

MD88XX 系列产品是一种高效率、低纹波的PFM 控制型DC-DC 升压稳压芯片。该系列产品具有极低的启动电压和高输出电压精度。应用时仅需电感、电容、肖特基二极管三个外部元器件，就可完成将低输入的电池电压升压至所需的工作电压。

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型号：MD8850 编号：C920541

封装：SOT-89-3

品牌：明达微

MD88XX 系列产品是一种高效率、低纹波的PFM 控制型DC-DC 升压稳压芯片。该系列产品具有极低的启动电压和高输出电压精度。应用时仅需电感、电容、肖特基二极管三个外部元器件，就可完成将低输入的电池电压升压至所需的工作电压。

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型号：NSR0530P2T5G 编号：C145515

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管经过优化，可实现极低的正向压降和低漏电流，并广泛用于便携式设备中的 DC-DC 转换器、箝位和保护应用。NSR0530P2 采用 SOD-923 微型封装，使设计人员能够完成提高效率并满足缩小空间要求的具有挑战性任务。

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型号：RT5710AHGQW 编号：C3189973

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT5710A是一款高效率的同步降压DC-DC转换器,输入电压范围为2.5V至6V,输出电压可调范围为0.6V至3.4V,最大输出电流为1A。采用CMCOT控制架构,具有快速瞬态响应和稳定的环路特性。内部集成低导通电阻的开关管,提高效率并消除对外部肖特基二极管的需求。提供多种保护功能,包括过流保护、欠压锁定、输出欠压保护和热关断保护。

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型号：NRVB2H100SFT3G 编号：C604267

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

该产品采用大面积金属硅功率二极管的肖特基势垒原理，非常适合用于低压、高频整流，或在对尺寸和重量要求严格的表面贴装应用中作为续流和极性保护二极管。由于其尺寸小，非常适合用于便携式和电池供电的产品，如手机、无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、个人数字助理和PCMCIA卡等。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电池反接保护以及多个电源电压的“Oring”等对性能和尺寸要求严格的应用。

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型号：RT8074GSP 编号：C493311

封装：SOP-8-EP

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8074是一款高效率的同步降压DC/DC转换器,输入电压范围为2.7V至5.5V,输出电压可调范围为0.8V至5V,最大输出电流为4A。内部同步低阻抗功率开关提高效率并消除外部肖特基二极管的需求。默认开关频率为2MHz,可通过外部电阻调节。适用于LCD电视、笔记本电脑、分布式电源系统等。

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型号：V3PAN50-M3/I 编号：C7140908

封装：DO-221BC(SMPA)

品牌：VISHAY(威世)

特性：SMPA (DO-221BC) 封装，高度低，典型值为 0.95 mm。电流额定值从 3 A 到 8 A。 3 A 时正向电压降最低至 0.37 V。功率损耗低，效率高。最高工作结温可达 175°C。采用 Trench MOS Schottky 技术。应用：用于商业、工业和汽车应用中的高频 DC/DC 转换器、开关电源、续流二极管、或二极管和反接电池保护

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型号：VS-5EWH06FNTR-M3 编号：C5440140

封装：TO-252

品牌：VISHAY(威世)

采用先进技术的超快速恢复整流器，在正向压降、超快速恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制确保了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压阶段，或作为续流二极管。其极优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并降低开关元件和缓冲器的过耗散。

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型号：V10K100C-M3/H 编号：C7375071

封装：FlatPAK5x6-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。可提供AEC-Q101认证。汽车订购代码：基础型号HM3。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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型号：VS-6EWH06FN-M3 编号：C17446348

封装：D-PAK(TO-252AA)

品牌：VISHAY(威世)

先进的超快恢复整流器，在正向压降、超快恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压级或作为续流二极管。其极优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器中的过耗散。

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型号：VS-5EWH06FN-M3 编号：C17634043

封装：D-PAK(TO-252AA)

品牌：VISHAY(威世)

超快速恢复整流器，在正向压降、超快速恢复时间和软恢复方面具有优化性能。这些器件适用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压阶段，或用作续流二极管。其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器的过耗。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。

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型号：V6KL45DU-M3/I 编号：C6737559

封装：FlatPAK5x6-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。可提供AEC-Q101认证。汽车订购代码：基础P/N HM3。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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型号：VS-8EWH06FNTR-M3 编号：C241859

封装：TO-252AA

品牌：VISHAY(威世)

具有先进的超快恢复整流器，在正向压降、超快恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制确保了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件用于开关电源逆变器的AC/DC部分的PFC升压级或作为续流二极管。其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器的过耗。

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型号：V30DM100C-M3/I 编号：C3757150

封装：TO-263AC

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。非常低的外形，典型高度为1.7mm。适合自动贴装。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：用于商用、工业和汽车应用中的高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、或二极管和反接电池保护。

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型号：BYV32-200-E3/45 编号：C3007568

封装：TO-220-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：功率封装。玻璃钝化芯片结。超快恢复时间。低开关损耗，高效率。低正向压降。高正向浪涌能力。应用：用于开关模式电源、逆变器、续流二极管、DC/DC转换器和其他功率开关应用的高频整流器

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型号：V20PWM15C-M3/I 编号：C6582819

封装：TO-252-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常薄的外形。典型高度为1.3mm。沟槽MOS肖特基技术。适合自动贴装。正向压降低，功率损耗低。高效运行。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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型号：V20PWM63-M3/I 编号：C7139548

封装：TO-252-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形。典型高度为1.3mm。沟槽MOS肖特基技术。适合自动贴装。低正向压降，低功率损耗。高效运行。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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型号：V20PWM10HM3/I 编号：C7139542

封装：TO-252-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形。典型高度为1.3mm。沟槽MOS肖特基技术。适合自动贴装。正向压降小，功率损耗低。高效运行。应用：用于低压高频DC/DC转换器、续流二极管和极性保护应用

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型号：V30K45-M3/H 编号：C6590244

封装：FlatPAK5x6-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。可提供AEC-Q101认证。汽车订购代码：基础型号为HM3。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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型号：MAX15059AETE+T 编号：C49166601

封装：TQFN-16-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX15059 恒定频率脉冲宽度调制 (PWM) 升压型 DC-DC 转换器内置开关和高端电流监测器，具备高速可调电流限制功能。该器件能够产生高达 76V 的输出电压（MAX15059A 为 300mW，MAX15059B 为 200mW），并可提供高达 4mA 的电流监测。MAX15059 的工作电压范围为 2.8V 至 5.5V。恒定频率（400kHz）电流模式 PWM 架构可提供易于滤波的低噪声输出电压。高压内部功率 MOSFET 使该器件能够将输出电压提升至 76V。内部软启动电路可在升压转换器启动时限制输入电流。MAX15059 具备关断模式以节省功耗。MAX15059 包含一个动态范围超过三个数量级的电流监测器，可高精度监测 500nA 至 4mA 的电流。电阻可调电流限制功能可保护雪崩光电二极管 (APD) 免受光功率瞬变影响。钳位二极管可保护监测器输出免受过压情况影响。其他保护功能包括升压转换器开关的逐周期电流限制、欠压锁定 (UVLO) 以及当管芯温度达到 +125℃ 时的热关断功能。MAX15059 采用热增强型、无铅 16 引脚 TQFN-EP 封装，工作温度范围为 -40℃ 至 +125℃。

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型号：RT8015BGQW 编号：C3034229

封装：TDFN-10-EP(3x3)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8015B是一款高效率的同步降压DC/DC转换器。其输入电压范围为2.6V至5.5V,可提供0.8V至5V的可调输出电压,最大输出电流为3A。内部同步低导通电阻功率开关提高了效率,无需外部肖特基二极管。开关频率可通过外部电阻设置,范围为300kHz至2MHz。

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型号：C4D02120E-TR 编号：C7459213

封装：TO-252-2

品牌：WOLFSPEED

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。温度无关的开关特性。极快的开关速度。正向电压VF具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

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型号：HCPL-3180-000E 编号：C692040

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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型号：ACPL-M61L-000E 编号：C6114664

封装：SOIC-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器将AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道IDD电流最大为1.3 mA。LED正向电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽可保证共模瞬态抗扰度规格最高为20 kV/μs，在保持TTL/CMOS兼容性的同时实现最大AC和DC电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的温度范围内保证AC和DC性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：NCV4390DR2G 编号：C2902023

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCV4390是一款先进的脉冲频率调制（PFM）控制器，适用于带有同步整流（SR）的LLC谐振转换器，可为隔离式DC/DC转换器提供一流的效率。它采用基于电荷控制的电流模式控制技术，将振荡器的三角波与集成开关电流信息相结合，以确定开关频率。这为功率级提供了更好的控制到输出传递函数，简化了反馈回路设计，同时具备真正的输入功率限制能力。闭环软启动可防止误差放大器饱和，并允许输出电压在任何负载条件下单调上升。双沿跟踪自适应死区时间控制可最大限度地减少体二极管导通时间，从而提高效率。

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￥24.5
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￥21.09
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型号：TDA21520AUMA1 编号：C3655488

封装：IQFN-25

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型DC - DC转换器；用于DDR内存阵列和低电流电压轨的电压调节器；TDA21520集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，它与控制和同步MOSFET共同封装，还有一个有源二极管结构，该结构能实现类似于肖特基二极管的低Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序和最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低输出电压下实现更高效率。内部MOSFET感测与同类最佳的基于控制器的电感DCR感测方法相比，实现了卓越的电流感测精度。保护功能包括IC温度报告和过温保护功能（带热关断的OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制MOSFET短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV和自举欠压保护。TDA21520还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。高达1.5 MHz的开关频率运行可实现高性能瞬态响应，允许输出电感器以及输入和输出电容器小型化，同时保持行业领先的效率。TDA21520包含一个改进的高速MOSFET驱动器，该驱动器经过优化，可驱动一对共同封装的高端和低端OptiMOS MOSFET，频率高达1.5 MHz。使用传统电流感测方法（如DCR感测和Rdson感测）的DC - DC控制器通常存在局限性。DCR电流感测对电感器的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson电流感测不依赖于电感器，但MOSFET的rdson存在温度系数。此外，很难对高端MOSFET实现rdson电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过MOSFET进行感测。通过TDA21520中先进的电流镜感测，消除了所有这些局限性，同时实现了卓越的精度。高端和低端MOSFET上的电流都在一个感测MOSFET上镜像，该感测MOSFET是主MOSFET器件的一部分，因此具有固有的温度补偿，无需额外的电路。对两个MOSFET进行实际电流感测可确保系统始终处于监控状态。

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￥19.33
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型号：L6920DCTR 编号：C2070664

封装：MSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

L6920DC是一款高效率、低电压升压DC/DC转换器,特别适用于1到3个电池单元（锂离子/聚合物、镍氢）的电池升压转换。采用同步整流技术,无需外部二极管,降低了成本。工作在最大导通时间-最小关断时间控制模式下,具有低电池检测、反向电池保护和关断功能。

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￥38.82
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￥30.43

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型号：LT3483ES6#TRMPBF 编号：C670698

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

LT3483/LT3483A 是微功率反相 DC/DC 转换器，集成肖特基二极管和单电阻反馈。小巧的封装尺寸、高集成度以及纤巧的表面贴装元件的使用，使解决方案尺寸小至 40mm²。这些器件的静态电流在空载时仅为 40µA，关断时则进一步降至 0.1µA。电流限制、固定关断时间控制方案可节省工作电流，从而在宽负载电流范围内实现高效率。精确调整的 10µA 反馈电流可实现单电阻反馈，几乎消除了输出的反馈负载。40V 开关无需使用昂贵的变压器即可产生高达 -38V 的电压输出。

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