GD二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：GD32F303ZKT6 编号：C962268

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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￥22.66
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型号：GD5F2GM7UEYIGR 编号：C22412867

封装：WSON-8(8x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

SPI（串行外设接口）NAND 闪存基于行业标准的 NAND 闪存存储内核，为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具备先进特性，是 SPI-NOR 闪存和标准并行 NAND 闪存的理想替代方案。 - 引脚总数为 8 个，包括 VCC 和 GND

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型号：GD32F207VCT6 编号：C94553

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

是新的32位通用微控制器，基于ARM® Cortex®-M3 RISC内核，在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®-M3是下一代处理器内核，与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。该设备集成了以120 MHz频率运行的ARM® Cortex®-M3 32位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达3072 KB的片上闪存和256 KB SRAM内存。广泛的增强型I/O和外设连接到两条APB总线。该设备提供多达三个12位2M SPS ADC、两个12位DAC、多达十个通用16位定时器、两个16位基本定时器以及两个16位PWM高级控制定时器，以及标准和高级通信接口：多达三个SPI、三个I2C、四个USART和四个UART、两个I2S、两个CAN、一个SDIO、一个USB设备/主机/OTG FS和一个以太网MAC

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￥38.27
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型号：GD32E508RET6 编号：C5178412

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：GD30DR3000WGTR-K 编号：C19626176

封装：SOP-8-EP

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD30DR3000x 是一款 H 桥驱动器，旨在驱动一台直流有刷电机或其他感性负载。该驱动器可支持高达 3.2A 的源电流和灌电流。GD30DR3000x 可在 6.5V 至 40V 的单电源以及 0.3V 至 5V 的 VREF 电压下工作

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型号：GD25LQ40CTIGR 编号：C2904422

封装：SOP-8-150mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ40C/20C/10C/05C（4M/2M/1M/512K位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为208Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。

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型号：GD25LQ16ESIGR 编号：C5718251

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：GD32F130K6U6 编号：C81552

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

该产品属于GD32 MCU系列的超值系列，是一款基于高性能ARM Cortex-M3 RISC内核的32位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳比率。Cortex-M3是下一代处理器内核，与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。集成了以72 MHz频率运行的ARM Cortex-M3 32位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达64 KB的片上闪存和高达8 KB的SRAM

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型号：GD32F303VBT6 编号：C3015609

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：GD32F303VCT6A 编号：C5119566

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：GD32F303ZGT6 编号：C2928649

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

它是一款基于 ARM Cortex- M4 RISC 内核的新型 32 位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex- M4 内核实现了一套完整的 DSP 指令，以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。它还提供了内存保护单元 (MPU) 和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持。该设备集成了运行频率为 120 MHz 的 ARM Cortex- M4 32 位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达 3072 KB 的片上闪存和 96 KB 的 SRAM 内存。大量增强的 I/O 和外设连接到两条 APB 总线

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型号：GD32F207ZGT6 编号：C2938693

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

属于GD32 MCU系列的高性能产品线，是基于ARM® Cortex®-M3 RISC内核的新型32位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®-M3是下一代处理器内核，与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。该设备集成了以120 MHz频率运行的ARM® Cortex®-M3 32位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达3072 KB的片上闪存和256 KB的SRAM

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型号：GD32F405VKT6 编号：C2975253

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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￥62.03
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型号：GD25LQ16C8IGR 编号：C395532

封装：LGA-8(3x2)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ16C（16M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和 I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 208Mbit/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 416Mbit/s。

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型号：GD32F105RCT6 编号：C80491

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

它是一款基于 ARM Cortex™-M3 RISC 内核的 32 位通用微控制器，具有增强的连接性能，在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有出色的性价比。Cortex™-M3 是下一代处理器内核，与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick 定时器和高级调试支持紧密耦合。该设备集成了运行频率为 108 MHz 的 ARM® Cortex™-M3 32 位处理器内核，闪存访问零等待状态，以实现最高效率。它提供高达 1 MB 的片上闪存和高达 96 KB 的 SRAM 内存

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型号：GD32E103VBT6 编号：C350809

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：GD25Q16CSIGR 编号：C395505

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

16Mbit

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型号：GD32F350G6U6TR 编号：C2874938

封装：QFN-28-EP(4x4)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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￥8.84
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型号：GD32F130C6T6 编号：C81295

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

该产品属于GD32 MCU系列的超值系列，是一款基于高性能ARM Cortex-M3 RISC内核的32位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳比率。Cortex-M3是下一代处理器内核，与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。集成了以72 MHz频率运行的ARM Cortex-M3 32位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达64 KB的片上闪存和高达8 KB的SRAM

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￥11.04
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型号：GD5F1GQ5REWIGR 编号：C26248805

封装：WSON8(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash provides an ultra-cost effective while high density non-volatile memory storage solution for embedded systems, based on an industry-standard NAND Flash memory core. It is an attractive alternative to SPI-NOR and standard parallel NAND Flash, with advanced features. Total pin count is 8, including VCC and GND. Density is 1Gb. Superior write performance and cost per bit over SPI-NOR. Significant low cost than parallel NAND. This low-pin-count NAND Flash memory follows the industry-standard serial peripheral interface, and always remains the same pin out from one density to another. The command sets resemble common SPI-NOR command sets, modified to handle NAND specific functions and added new features. It is an easy-to-integrate NAND Flash memory, with specified designed features to ease host management:。User-selectable internal ECC. ECC parity is generated internally during a page program operation. When a page is read to the cache register, the ECC parity is detected and corrects the errors when necessary. The 64-bytes spare area is available even when internal ECC enabled. The device outputs corrected data and returns an ECC error status.。Internal data move or copy back with internal ECC. The device can be easily refreshed and manage garbage collection task, without need of shift in and out of data.。Power on Read with internal ECC. The device will automatically read first page of first block to cache after power on, then host can directly read data from cache for easy boot. Also the data is promised correct by internal ECC when ECC enabled. It is programmed and read in page-based operations, and erased in block-based operations. Data is transferred to or from the NAND Flash memory array, page by page, to a data register and a cache register. The cache register is closest to I/O control circuits and acts as a data buffer for the I/O data; the data register is closest to the memory array and acts as a data buffer for the NAND Flash memory array operation. The cache register functions as the buffer memory to enable page and random data READ/WRITE and copy back operations. These devices also use a SPI status register that reports the status of device operation.