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GD25LQ128E(128M 位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四路 SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 240Mbit/s,四路 I/O 数据传输速度为 480Mbit/s。
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  • GigaDevice SPI-NAND GD5F1GQ5REYIGR 是一款1Gb SLC NAND Flash,支持标准、双、四线SPI及DTR模式。具有低功耗、高可靠性、内部ECC等功能,适用于嵌入式系统。
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  • GD25LQ16C(16M 位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四 SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和 I/O3(HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 208Mbit/s,四 I/O 和四输出数据传输速度为 416Mbit/s。
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  • SPI(串行外设接口)NAND 闪存基于行业标准的 NAND 闪存存储内核,为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具备先进特性,是 SPI-NOR 闪存和标准并行 NAND 闪存的理想替代方案。 - 引脚总数为 8 个,包括 VCC 和 GND
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  • 是新的32位通用微控制器,基于ARM® Cortex®-M3 RISC内核,在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®-M3是下一代处理器内核,与嵌套向量中断控制器(NVIC)、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。该设备集成了以120 MHz频率运行的ARM® Cortex®-M3 32位处理器内核,闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达3072 KB的片上闪存和256 KB SRAM内存。广泛的增强型I/O和外设连接到两条APB总线。该设备提供多达三个12位2M SPS ADC、两个12位DAC、多达十个通用16位定时器、两个16位基本定时器以及两个16位PWM高级控制定时器,以及标准和高级通信接口:多达三个SPI、三个I2C、四个USART和四个UART、两个I2S、两个CAN、一个SDIO、一个USB设备/主机/OTG FS和一个以太网MAC
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