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  • SPI(串行外设接口)NAND闪存基于行业标准的NAND闪存存储内核,为嵌入式系统提供了一种极具成本效益且高密度的非易失性存储解决方案。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的理想替代方案,具备以下先进特性:引脚总数为8个,包括VCC和GND。
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  • GigaDevice GD5F1GQ5UEYIGY 是一款1Gb SLC NAND Flash,支持标准、双线、四线SPI和双传输率模式。具备高级安全特性,如8K字节OTP区域、内部ECC校验等。适用于嵌入式系统,提供低功耗和高可靠性。
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  • GD25LE128E(128M 位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四通道 SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#/RESET#)。双 I/O 数据传输速率为 266Mbit/s,四 I/O 数据传输速率为 532Mbit/s。
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  • SPI(串行外设接口)NAND闪存基于行业标准的NAND闪存存储核心,为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具备先进特性,是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的理想替代方案。引脚总数为8个,包括VCC和GND
    • 1+

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  • 属于GD32 MCU系列的高性能产品线,是基于ARM® Cortex®-M3 RISC内核的新型32位通用微控制器,在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®-M3是下一代处理器内核,与嵌套向量中断控制器(NVIC)、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。该设备集成了以120 MHz频率运行的ARM® Cortex®-M3 32位处理器内核,闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达3072 KB的片上闪存和256 KB的SRAM
    数据手册
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      ¥3.53
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      ¥3.36
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  • GD25LQ128E(128M 位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四路 SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 240Mbit/s,四路 I/O 数据传输速度为 480Mbit/s。
    数据手册
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  • 它是一款基于 ARM® Cortex®- M4 RISC 内核的新型 32 位通用微控制器,在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®- M4 内核实现了全套 DSP 指令,以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。其单精度 FPU(浮点单元)加速软件开发。它还提供内存保护单元(MPU)和强大的跟踪技术,以增强应用安全性和高级调试支持。该设备集成了工作频率为 168 MHz 的 ARM® Cortex®- M4 32 位处理器内核,闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达 1024 KB 的片上闪存和 128 KB 的 SRAM
    数据手册
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  • GD25LQ128D(128M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四SPI和QPI模式:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为240Mbit/s,四I/O和四输出数据传输速度为480Mbit/s。
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  • MD25Q64C(64M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四路SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速率为240Mbit/s,四路I/O和四路输出数据传输速率为480Mbit/s。
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  • GD25Q16C(16M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速率为240Mbit/s,四I/O和四输出数据传输速率为480Mbit/s。
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  • GD25Q40C(4M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为240Mbit/s,四I/O和四输出数据传输速度为480Mbit/s。
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