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首页 > 热门关键词 > GD二极管
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是新的32位通用微控制器,基于ARM® Cortex®-M4 RISC内核,在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有出色的性价比。Cortex®-M4内核具有浮点单元(FPU),可加速单精度浮点数学运算,支持所有ARM®单精度指令和数据类型。实现了一套完整的DSP指令,以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。还提供了内存保护单元(MPU)和强大的跟踪技术,以增强应用程序安全性和高级调试支持。
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  • SPI(串行外设接口)NAND闪存基于行业标准的NAND闪存存储核心,为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具备先进特性,是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的理想替代方案。引脚总数为8个,包括VCC和GND
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  • 它是一款基于 ARM® Cortex®- M4 RISC 内核的新型 32 位通用微控制器,在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®- M4 内核实现了全套 DSP 指令,以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。其单精度 FPU(浮点单元)加速软件开发。它还提供内存保护单元(MPU)和强大的跟踪技术,以增强应用安全性和高级调试支持。该设备集成了工作频率为 168 MHz 的 ARM® Cortex®- M4 32 位处理器内核,闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达 1024 KB 的片上闪存和 128 KB 的 SRAM
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  • GD25LQ16C(16M 位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四 SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和 I/O3(HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 208Mbit/s,四 I/O 和四输出数据传输速度为 416Mbit/s。
    数据手册
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  • GD25LQ128E(128M 位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四路 SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 240Mbit/s,四路 I/O 数据传输速度为 480Mbit/s。
    数据手册
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  • 该产品属于GD32 MCU系列的超值系列,是一款基于高性能ARM Cortex-M3 RISC内核的32位通用微控制器,在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳比率。Cortex-M3是下一代处理器内核,与嵌套向量中断控制器(NVIC)、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。集成了以72 MHz频率运行的ARM Cortex-M3 32位处理器内核,闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达64 KB的片上闪存和高达8 KB的SRAM
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    • 1+

      ¥12.69
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  • GD25B256D(256M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2和I/O3。双I/O数据传输速度为208Mbit/s,四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。
    数据手册
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      ¥11.66
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  • 是32位通用微控制器,基于ARM® Cortex™-M3 RISC内核,具有增强的连接性能,在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳比率。Cortex™-M3是下一代处理器内核,与嵌套向量中断控制器(NVIC)、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。该设备集成了以108 MHz频率运行的ARM® Cortex™-M3 32位处理器内核,闪存访问零等待状态以获得最高效率。它提供高达1 MB的片上闪存和高达96 KB的SRAM
    数据手册
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  • MD25Q64C(64M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四路SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速率为240Mbit/s,四路I/O和四路输出数据传输速率为480Mbit/s。
    • 1+

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