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首页 > 热门关键词 > Prisemi二极管
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单向 12V截止
型号：PESDNC2FD12VU 编号：C918803
封装：DFN1006-2L
品牌：Prisemi(芯导)
PESDNC2FD12VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与多层压敏电阻相比，不会出现器件性能衰退的问题。PESDNC2FD12VU可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障
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    ￥0.2253

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：PNMT20V3 编号：C110715
    封装：SOT-23
    品牌：Prisemi(芯导)
    N沟,20V,3A,43mΩ@4.5V
    数据手册

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      ￥0.1547
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    PTVSHC2EN4V8UF
    型号：PTVSHC2EN4V8UF 编号：C496532
    封装：DFN1610-2
    品牌：Prisemi(芯导)
    数据手册

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      ￥0.2544

    • 100+

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      ￥0.176
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    双向TVS 15V截止 峰值脉冲电流：16.4A
    型号：SMAJ15CA 编号：C2875822
    封装：SMA
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMAJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。单向：SMAJxxA；双向：SMAJxxCA。
    数据手册

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      ￥0.2669

    • 100+

      ￥0.2069

    • 300+

      ￥0.1769
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：PPMT20V3 编号：C168635
    封装：SOT-23
    品牌：Prisemi(芯导)
    P沟道 -20V -2.8A
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2744

    • 200+

      ￥0.2268

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      ￥0.2003
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
    型号：PNMT6N1B 编号：C110717
    封装：DFN-6L(2.1x2.1)
    品牌：Prisemi(芯导)
    N沟,40V,180mA,4.5Ω@10V 另含一个三极管
    数据手册

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      ￥0.6019

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      ￥0.4795

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    • 500+

      ￥0.3723
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    P沟道MOSFET
    型号：PPM6N20V10 编号：C918800
    封装：DFN2x2-6L
    品牌：Prisemi(芯导)
    增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。
    数据手册

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      ￥1.2572

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      ￥0.8828
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    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：5A
    型号：PESDWC2XD5VB 编号：C312246
    封装：DFN0603-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    PESDWC2XD5VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件所造成的损坏或故障。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1001

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    单向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：5A
    型号：PESDHC9D5VU 编号：C110690
    封装：SOD-923
    品牌：Prisemi(芯导)
    30KV接触, 30KV空隙放电
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1295

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  • 订货
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    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：5.5A
    型号：PESDUC3FD5VU 编号：C110705
    封装：X1-DFN1006-3
    品牌：Prisemi(芯导)
    8KV接触, 15KV空隙放电
    数据手册

    • 40+

      ￥0.219434

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      ￥0.1352
    我要订货
    单向ESD 3.3V截止 峰值脉冲电流：5A
    型号：PESDNC5D3V3U 编号：C168636
    封装：SOD-523
    品牌：Prisemi(芯导)
    PESDNC5D3V3U可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大横截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护单条单向线路的灵活性。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1955

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      ￥0.1523

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    单向TVS 28V截止 峰值脉冲电流：8.8A
    型号：SMAJ28A 编号：C2875824
    封装：SMA
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMAJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2566

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    • 300+

      ￥0.176
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：PNMT30V6 编号：C110716
    封装：SOT-23
    品牌：Prisemi(芯导)
    N沟,30V,5.8A,30mΩ@10V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2635

    • 100+

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    • 300+

      ￥0.1807
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    TVS 26V截止 峰值脉冲电流：9.5A
    型号：SMAJ26CA 编号：C2912076
    封装：SMA
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMAJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。单向：SMAJxxA；双向：SMAJxxCA。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2776

    • 100+

      ￥0.2152

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      ￥0.184

    • 2000+

      ￥0.1528
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:300mA
    型号：PNMT8N1 编号：C110718
    封装：DFN-10-EP(2x3)
    品牌：Prisemi(芯导)
    N沟,20V,300mA,0.3Ω@4V 另含一个三极管
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3135 ￥0.5225

    • 50+

      ￥0.2081 ￥0.4162

    • 150+

      ￥0.1452 ￥0.363

    • 500+

      ￥0.12928 ￥0.3232

    • 3000+

      ￥0.11652 ￥0.2913
  • 有货
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    双向TVS 30V截止 峰值脉冲电流：8.3A@10/1000us
    型号：SMAJ30CA 编号：C2875825
    封装：SMA
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMAJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。单向：SMAJxxA；双向：SMAJxxCA。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3138

    • 100+

      ￥0.25

    • 300+

      ￥0.218
  • 有货
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    耐压:30V 电流:23A
    型号：PNM8P30V20 编号：C2875808
    封装：SOP-8
    品牌：Prisemi(芯导)
    MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
    数据手册

    • 1+

      ￥0.66189 ￥2.2063

    • 10+

      ￥0.34954 ￥1.7477

    • 30+

      ￥0.15511 ￥1.5511

    • 100+

      ￥0.13059 ￥1.3059

    • 500+

      ￥0.11967 ￥1.1967

    • 1000+

      ￥0.10766 ￥1.0766
  • 有货
    • 立即购买
    P14C3ND
    型号：P14C3ND 编号：C7465129
    封装：DFN-8L-EP(2x2)
    品牌：Prisemi(芯导)
    是一种过压保护（OVP）负载开关，具有可调的过压锁定（OVLO）阈值电压。当任何输入电压超过阈值时，设备将关闭内部MOSFET，以断开输入与输出的连接，从而保护负载。当OVLO输入设置低于外部OVLO选择电压时，自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调节，OVLO阈值电压范围为4.0V-9V。具有过温保护（OTP）功能，可监控芯片温度以保护设备。有DFN2x2-8L和SOT23-6L两种封装形式。

    • 5+

      ￥0.7313

    • 50+

      ￥0.5825

    • 150+

      ￥0.5081

    • 500+

      ￥0.4523
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 4.5V截止 峰值脉冲电流：28A@8/20us
    型号：PESDNC2FD4V2B 编号：C110693
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    30KV接触, 30KV空隙放电
    数据手册

    • 20+

      ￥0.0964

    • 200+

      ￥0.0938

    • 600+

      ￥0.092

    • 2000+

      ￥0.0903
  • 订货
    • 我要订货
    单向ESD 12V截止 峰值脉冲电流：1A
    型号：PESDNC9D12VU 编号：C110700
    封装：SOD-923
    品牌：Prisemi(芯导)
    30KV接触, 30KV空隙放电
    数据手册

    • 1770+

      ￥0.158539

    • 3540+

      ￥0.153341

    • 7080+

      ￥0.150742

    • 14160+

      ￥0.142945
    我要订货
    单向 5V截止
    型号：PESDUC2FD5VU 编号：C496534
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    PESDUC2FD5VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与MLV相比，不会出现器件性能退化的问题。PESDUC2FD5VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PESDUC2FD5VU采用DFN1006 - 2L封装，工作电压为5伏。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以“分散”布置在电路板周围。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1827

    • 200+

      ￥0.1433

    • 600+

      ￥0.1214

    • 2000+

      ￥0.1083

    • 10000+

      ￥0.0969
  • 订货
    • 我要订货
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：PDTC114TM 编号：C110682
    封装：SOT-723
    品牌：Prisemi(芯导)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。 几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计。应用：反相器接口驱动器
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2203

    • 200+

      ￥0.1728

    • 600+

      ￥0.1464
  • 有货
    • 立即购买
    SMBJ26CA
    型号：SMBJ26CA 编号：C2875832
    封装：SMB
    品牌：Prisemi(芯导)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2562

    • 100+

      ￥0.1986

    • 500+

      ￥0.1626
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道MOSFET晶体管
    型号：PNMT6N2 编号：C918797
    封装：DFN-6L(2x2)
    品牌：Prisemi(芯导)
    特性：该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。 极低的集电极-发射极饱和电压。 直流电流增益 > 100。 3A连续集电极电流。 PNP外延平面硅晶体管
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2788

    • 100+

      ￥0.221

    • 300+

      ￥0.1921

    • 3000+

      ￥0.1705
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 33V截止 峰值浪涌电流：11.3A
    型号：SMBJ33CA 编号：C110761
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：Prisemi(芯导)
    VBR=33V，Vc=19V，Ipp=11.3A 单向
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3488

    • 100+

      ￥0.2695

    • 500+

      ￥0.2299

    • 1000+

      ￥0.2001
  • 订货
    • 我要订货
    双向TVS 10V截止 峰值脉冲电流：23.5A
    型号：SMAJ10CA 编号：C110759
    封装：SMA
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3778

    • 100+

      ￥0.2978

    • 300+

      ￥0.2578
  • 有货
    • 立即购买
    (ESD)静电放电保护器件
    型号：PESDNC3D18VB 编号：C6807697
    封装：SOD-323
    品牌：Prisemi(芯导)
    保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具有快速响应时间、低工作电压等良好的电气特性。使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。

    • 10+

      ￥0.401

    • 100+

      ￥0.317

    • 300+

      ￥0.275
  • 有货
    • 立即购买
    TVS 15V截止
    型号：PTVSHC3N15VU 编号：C312226
    封装：DFN2x2-3L
    品牌：Prisemi(芯导)
    PTVSHC3N15VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，且与MLV相比，不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC3N15VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N15VU采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为15伏。它可满足IEC 61000 - 4 - 2标准的ESD抗扰度要求（空气放电±30kV，接触放电±30kV）。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5426

    • 50+

      ￥0.4322

    • 150+

      ￥0.377
  • 有货
    • 立即购买
    P14C1N
    型号：P14C1N 编号：C1021678
    封装：DFN-8-EP(2x2)
    品牌：Prisemi(芯导)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5603

    • 50+

      ￥0.4451

    • 150+

      ￥0.3875

    • 500+

      ￥0.3443
  • 有货
    • 立即购买
    PSMTL10R1
    型号：PSMTL10R1 编号：C52976668
    封装：TOLL-8L
    品牌：Prisemi(芯导)
    NCEP023N10LL

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