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描述

价格(含税)

库存

操作

双向 24V截止

型号：PESDNC3D24VB 编号：C718488

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC3D24VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

数据手册

20+
￥0.2233
200+
￥0.1753
600+
￥0.1513
3000+
￥0.1333
9000+
￥0.1189
21000+
￥0.1117

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N沟道MOSFET

型号：PNM523T30V01 编号：C918801

封装：SOT-523

品牌：Prisemi(芯导)

PNM523T30V01专为高速开关应用而设计。该增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。

数据手册

20+
￥0.236
200+
￥0.1842
600+
￥0.1555
3000+
￥0.1383

有货

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TVS 4.5V截止

型号：PTVSHC3D4V5U 编号：C319211

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3D4V5U瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3D4V5U可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3D4V5U采用SOD - 323封装，工作电压为4.5伏。

数据手册

10+
￥0.2385
100+
￥0.1885
300+
￥0.1635

有货

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PTVSHC2EN4V8UF

型号：PTVSHC2EN4V8UF 编号：C496532

封装：DFN1610-2

品牌：Prisemi(芯导)

数据手册

10+
￥0.2495
100+
￥0.1973
300+
￥0.1711

有货

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双向TVS 15V截止峰值脉冲电流：16.4A

型号：SMAJ15CA 编号：C2875822

封装：SMA

品牌：Prisemi(芯导)

SMAJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。单向：SMAJxxA；双向：SMAJxxCA。

数据手册

10+
￥0.2669
100+
￥0.2069
300+
￥0.1769

有货

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TVS 26V截止峰值脉冲电流：9.5A

型号：SMAJ26CA 编号：C2912076

封装：SMA

品牌：Prisemi(芯导)

SMAJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。单向：SMAJxxA；双向：SMAJxxCA。

数据手册

10+
￥0.2776
100+
￥0.2152
300+
￥0.184

有货

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TVS 7V截止峰值浪涌电流：145A@8/20us

型号：PTVSHC1DF7VB-HF 编号：C496531

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC1DF7VB ESD 保护器旨在取代手机、笔记本电脑和 PDA 等便携式应用中的多层压敏电阻（MLV）。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与 MLV 相比无器件性能退化问题。PTVSHC1DF7VB 可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC1DF7VB 采用 SOD - 123FL 封装，工作电压为 7V。

数据手册

10+
￥0.3066
100+
￥0.2544
300+
￥0.2282

有货

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(ESD)静电放电保护器件

型号：PESDNC3D18VB 编号：C6807697

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具有快速响应时间、低工作电压等良好的电气特性。使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。

10+
￥0.401
100+
￥0.317
300+
￥0.275
3000+
￥0.2435

有货

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P沟道MOSFET

型号：PPM6N30V9 编号：C918805

封装：UDFN-6(2x2)

品牌：Prisemi(芯导)

增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。

数据手册

5+
￥0.8317
50+
￥0.6685
150+
￥0.5869
500+
￥0.5257

有货

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USB兼容单节锂离子开关充电器，带USB-OTG升压调节器

型号：PSC5425E 编号：C496547

封装：WLCSP-20

品牌：Prisemi(芯导)

数据手册

5+
￥1.9521
50+
￥1.5373
150+
￥1.3595
500+
￥1.1376
3000+
￥1.0389

有货

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双向ESD 5V截止峰值脉冲电流：5.5A

型号：PESDUC3FD5VU 编号：C110705

封装：X1-DFN1006-3

品牌：Prisemi(芯导)

8KV接触, 15KV空隙放电

数据手册

20+
￥0.1251
200+
￥0.0975
600+
￥0.0821

有货

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单向ESD 3.3V截止峰值脉冲电流：5A

型号：PESDNC5D3V3U 编号：C168636

封装：SOD-523

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC5D3V3U可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大横截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护单条单向线路的灵活性。

数据手册

20+
￥0.192
200+
￥0.1488
600+
￥0.1248
3000+
￥0.1104
9000+
￥0.0979

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双向ESD 5V截止峰值脉冲电流：5A

型号：PESDWC2XD5VB 编号：C312246

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDWC2XD5VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件所造成的损坏或故障。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

数据手册

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:3A

型号：PNMT20V3 编号：C110715

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

N沟,20V,3A,43mΩ@4.5V

数据手册

20+
￥0.2378
200+
￥0.1865
600+
￥0.158

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：PNMT30V6 编号：C110716

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

N沟,30V,5.8A,30mΩ@10V

数据手册

10+
￥0.2635
100+
￥0.2083
300+
￥0.1807

有货

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双向TVS 30V截止峰值浪涌电流：12.4A

型号：SMBJ30CA 编号：C918851

封装：SMB

品牌：Prisemi(芯导)

SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

数据手册

10+
￥0.3098
100+
￥0.2449
500+
￥0.2125

有货

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TVS 12V截止峰值浪涌电流：80A@8/20us

型号：PTVSHC3D12VUH 编号：C312232

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3D12VUH TVS 保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与 MLV 相比，器件不会出现性能下降的情况。PTVSHC3D12VUH 可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障

数据手册

10+
￥0.3185
100+
￥0.2537
300+
￥0.2213
3000+
￥0.197
6000+
￥0.1776

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耐压:30V 电流:23A

型号：PNM8P30V20 编号：C2875808

封装：SOP-8

品牌：Prisemi(芯导)

MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。

数据手册

1+
￥0.66189 ￥2.2063
10+
￥0.34954 ￥1.7477
30+
￥0.15511 ￥1.5511
100+
￥0.13059 ￥1.3059
500+
￥0.11967 ￥1.1967
1000+
￥0.10766 ￥1.0766

有货

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单节锂离子开关充电器，带USB-OTG升压调节器

型号：PSC2945 编号：C5162519

封装：QFN-24L(4x4)

品牌：Prisemi(芯导)

PSC2945集成了高度集成的开关模式充电器和升压稳压器，前者可最大程度缩短单节锂离子（Li-ion）电池通过USB电源的充电时间，后者可利用电池为USB外设供电。其低阻抗功率路径优化了开关模式的运行效率，减少了电池充电时间，并在放电阶段延长了电池使用寿命。具备充电和系统设置功能的I2C串行接口，使该器件成为真正灵活的解决方案

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.5
30+
￥2.36
100+
￥2.21
500+
￥1.94
1000+
￥1.9

有货

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双向ESD 5V截止峰值脉冲电流：4.2A

型号：PESDMC2XD5VB 编号：C312244

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDMC2XD5VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件所造成的损坏或故障影响。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性

数据手册

500+
￥0.112
2000+
￥0.104
5000+
￥0.096
10000+
￥0.092
50000+
￥0.088

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单向ESD 12V截止峰值脉冲电流：1A

型号：PESDNC9D12VU 编号：C110700

封装：SOD-923

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

20+
￥0.1765
200+
￥0.1384
600+
￥0.1173
2000+
￥0.1046
8000+
￥0.0936

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单向 5V截止

型号：PESDUC2FD5VU 编号：C496534

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDUC2FD5VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与MLV相比，不会出现器件性能退化的问题。PESDUC2FD5VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PESDUC2FD5VU采用DFN1006 - 2L封装，工作电压为5伏。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以“分散”布置在电路板周围。

数据手册

20+
￥0.1827
200+
￥0.1433
600+
￥0.1214
2000+
￥0.1083
10000+
￥0.0969

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双向ESD 4.5V截止峰值脉冲电流：28A@8/20us

型号：PESDNC2FD4V2B 编号：C110693

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

20+
￥0.2037
200+
￥0.1551
600+
￥0.1281
2000+
￥0.1119

订货

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SMBJ26CA

型号：SMBJ26CA 编号：C2875832

封装：SMB

品牌：Prisemi(芯导)

数据手册

10+
￥0.2562
100+
￥0.1986
500+
￥0.1626

有货

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单向TVS 28V截止峰值脉冲电流：8.8A

型号：SMAJ28A 编号：C2875824

封装：SMA

品牌：Prisemi(芯导)

SMAJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

数据手册

10+
￥0.2566
100+
￥0.2029
300+
￥0.176

有货

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双向TVS 24V截止峰值脉冲电流：10.3A

型号：SMAJ24CA 编号：C2875823

封装：SMA

品牌：Prisemi(芯导)

SMAJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

数据手册

10+
￥0.275
100+
￥0.2174
300+
￥0.1886

有货

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单向TVS 26V截止峰值浪涌电流：14.3A

型号：SMBJ26A 编号：C2875831

封装：SMB

品牌：Prisemi(芯导)

SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

数据手册

10+
￥0.2898
100+
￥0.2247
500+
￥0.184

有货

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TVS 18V截止

型号：PTVSHC3D18VU 编号：C312235

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3D18VU瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC3D18VU可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障

数据手册

10+
￥0.2993
100+
￥0.2393
300+
￥0.2093

有货

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TVS 15V截止

型号：PTVSHC3N15VU 编号：C312226

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N15VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，且与MLV相比，不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC3N15VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N15VU采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为15伏。它可满足IEC 61000 - 4 - 2标准的ESD抗扰度要求（空气放电±30kV，接触放电±30kV）。

数据手册

5+
￥0.3014
50+
￥0.2948
150+
￥0.2904

有货

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双向TVS 33V截止峰值浪涌电流：11.3A

型号：SMBJ33CA 编号：C110761

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：Prisemi(芯导)

VBR=33V，Vc=19V，Ipp=11.3A 单向

数据手册

10+
￥0.3488
100+
￥0.2695
500+
￥0.2299
1000+
￥0.2001

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