Prisemi二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PDTC123JE 编号：C5162511

封装：SOT-523

品牌：Prisemi(芯导)

特性：内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。几乎完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件，便于设备设计。应用：逆变器接口驱动器

数据手册

20+
￥0.1416
200+
￥0.1114
600+
￥0.0946

有货

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型号：PESDNC2FD30VB 编号：C42377816

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2FD30VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。这使设计人员在不适合使用阵列的应用中能够灵活地保护一条双向线路

20+
￥0.1452
200+
￥0.1139
600+
￥0.0965
2000+
￥0.0861

有货

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型号：PNM523T201E0 编号：C110710

封装：SOT-523

品牌：Prisemi(芯导)

N沟,20V,1A,0.2Ω@4.5V

数据手册

20+
￥0.1646
200+
￥0.1289
600+
￥0.1091
3000+
￥0.094

有货

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型号：PESDHC9D5VU 编号：C110690

封装：SOD-923

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

20+
￥0.1661
200+
￥0.1294
600+
￥0.109
2000+
￥0.0968

有货

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型号：PNM723T30V01 编号：C169330

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

PNM723T30V01专为高速开关应用而设计。该增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。

数据手册

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283
2000+
￥0.1139

有货

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型号：PNMT30V6A 编号：C6807710

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。沟槽功率低压MOSFET技术，电压控制小信号开关，低输入电容，快速开关速度，低输入/输出泄漏。

20+
￥0.2077
200+
￥0.1618
600+
￥0.1363

有货

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型号：PTVSUC3D3V3B 编号：C2856234

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

是超低电容瞬态电压抑制器，适用于高速数据接口，旨在保护敏感电子设备免受因静电放电、雷击和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或锁存。所有引脚使用IEC61000-4-2空气放电方法，可承受15kV静电放电脉冲，能满足4级要求。

10+
￥0.314
100+
￥0.2516
300+
￥0.2204
3000+
￥0.197

有货

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型号：PPM6N20V10 编号：C918800

封装：DFN2x2-6L

品牌：Prisemi(芯导)

增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。

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5+
￥0.6351
50+
￥0.5055
150+
￥0.4407
500+
￥0.3921

有货

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型号：PESDKC2FD5VB 编号：C42377815

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDKC2FD5VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低等。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性

100+
￥0.0457
1000+
￥0.0354
3000+
￥0.0297

有货

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型号：PESDNC5D5VB 编号：C110698

封装：SOD-523

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC5D5VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低。这使设计人员在不适合使用阵列的应用中，能灵活地保护一条双向线路

数据手册

20+
￥0.1293
200+
￥0.0996
600+
￥0.0831

有货

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型号：PPM723T201E0 编号：C918822

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

MOSFET在快速开关、低导通电阻和成本效益方面实现了最佳组合。

数据手册

20+
￥0.1613
200+
￥0.1256
600+
￥0.1058
2000+
￥0.094

有货

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型号：PPMUT20V3 编号：C496543

封装：SOT-323

品牌：Prisemi(芯导)

增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。

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20+
￥0.1827
200+
￥0.1422
600+
￥0.1197
3000+
￥0.1062

有货

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型号：PTVSHC3D5VB 编号：C718484

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3D5VB静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3D5VB可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3D5VB采用SOD - 323封装，工作电压为5V。它用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求（±30kV空气放电、±30kV接触放电）。

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10+
￥0.2423
100+
￥0.1925
300+
￥0.1675

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型号：PESDHC3D3V3U 编号：C496538

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PESDHC3D3V3U可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条单向线路的灵活性。

数据手册

10+
￥0.2434
100+
￥0.1925
300+
￥0.1671
3000+
￥0.148

有货

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型号：PNMT6N1B 编号：C110717

封装：DFN-6L(2.1x2.1)

品牌：Prisemi(芯导)

N沟,40V,180mA,4.5Ω@10V 另含一个三极管

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5+
￥0.258817 ￥0.6019
50+
￥0.158235 ￥0.4795
150+
￥0.096186 ￥0.4182
500+
￥0.085629 ￥0.3723
3000+
￥0.077188 ￥0.3356

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型号：P14C1S 编号：C2880326

封装：SOT-23-6L

品牌：Prisemi(芯导)

P14C1S是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压固定为6.0V。当任何输入电压超过该阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。

10+
￥0.309
100+
￥0.2409
300+
￥0.2068

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型号：PESDNC2FD12VU 编号：C918803

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2FD12VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与多层压敏电阻相比，不会出现器件性能衰退的问题。PESDNC2FD12VU可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障

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20+
￥0.06759 ￥0.2253
200+
￥0.03534 ￥0.1767
600+
￥0.01497 ￥0.1497
2000+
￥0.01335 ￥0.1335

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型号：PESDUC2FD5VBA 编号：C2875799

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDUC2FD5VBA可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大横截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。

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50+
￥0.116
500+
￥0.0896
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￥0.0749
10000+
￥0.0636
20000+
￥0.056

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型号：PDTC143ZM 编号：C110684

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计。应用：反相器接口驱动器

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20+
￥0.1332
200+
￥0.1051
600+
￥0.0895

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型号：PESDNC9D7VU 编号：C168634

封装：SOD-923

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC9D7VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，与MLV相比，在电路板级保护方面具有理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低且无器件性能退化。PESDNC9D7VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PESDNC9D7VU采用SOD - 923封装，工作电压为5伏。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以分散布置在电路板周围。该器件可用于满足IEC 61000 - 4 - 2（±30KV空气放电、±30KV接触放电）的ESD抗扰度要求。

数据手册

20+
￥0.1344
200+
￥0.1047
600+
￥0.0882
2000+
￥0.0783

有货

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型号：PESDNC2XD7VBF 编号：C2875795

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2XD7VB可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活地保护一条单向线路。

20+
￥0.1415
200+
￥0.1113
600+
￥0.0945
2000+
￥0.0844

有货

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型号：PPMT20V3 编号：C168635

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

P沟道 -20V -2.8A

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20+
￥0.1453
200+
￥0.1156
600+
￥0.0991

有货

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型号：PESDNC5D7VU 编号：C110699

封装：SOD-523

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

20+
￥0.1466
200+
￥0.1142
600+
￥0.0962

有货

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型号：PESDNC5D12VU 编号：C168631

封装：SOD-523

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC5D12VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PESDNC5D12VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护单条单向线路的灵活性。

数据手册

20+
￥0.1519
200+
￥0.1168
600+
￥0.0973
3000+
￥0.0856

有货

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型号：PPM523T201E0 编号：C6807695

封装：SOT-523

品牌：Prisemi(芯导)

MOSFET 提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。

20+
￥0.1704
200+
￥0.1321
600+
￥0.1108

有货

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型号：PNMT60V02E 编号：C2875809

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

PNMT60V02E专为高速开关应用而设计。该增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。

数据手册

20+
￥0.1833
200+
￥0.1428
600+
￥0.1203

有货

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型号：PTVSHC1DF15VU 编号：C110749

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

10+
￥0.2548
100+
￥0.202
300+
￥0.1756

有货

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型号：PTVSHC3D7VUH 编号：C110754

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

7V,单向,IR=1uA,(30KV接触, 30KV空隙放电）

数据手册

10+
￥0.2986
100+
￥0.241
300+
￥0.2122

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型号：PTVSHC3D9VU 编号：C312230

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3D9VU瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与MLV相比，不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC3D9VU可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障

数据手册

10+
￥0.3088
100+
￥0.244
300+
￥0.2116

有货

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型号：PTVSUC3D5VB 编号：C918847

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSUC3D5VB是一款用于高速数据接口的超低电容瞬态电压抑制器，旨在保护敏感电子设备免受因静电放电、雷击和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闩锁。所有引脚采用IEC61000 - 4 - 2空气放电法，可承受15kV静电放电脉冲，能满足4级要求。

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10+
￥0.3093
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￥0.2445
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