Prisemi二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DFN1006-2L

PESDKC2FD5VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低等。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性

100+
￥0.0457
1000+
￥0.0354
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￥0.0297

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型号：PESDHC2FD4V5BHN 编号：C42377822

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDHC2FD4V5BHN可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低。在不适合使用阵列的应用中，它让设计人员能够灵活地保护一条双向线路

50+
￥0.0857
500+
￥0.0662
1500+
￥0.0554

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型号：PESDUC2XD3V3BF 编号：C718489

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDUC2XD3V3BF可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护单条单向线路的灵活性。

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20+
￥0.1317
200+
￥0.1004
600+
￥0.083

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型号：PPM523T201E0 编号：C6807695

封装：SOT-523

品牌：Prisemi(芯导)

MOSFET 提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。

20+
￥0.1735
200+
￥0.1352
600+
￥0.1139

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型号：PESDNC3D5VB 编号：C226257

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC3D5VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大横截面积结，可传导高瞬态电流，具备适合电路板级保护的电气特性，如响应时间快、工作电压低。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活保护一条双向线路。

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20+
￥0.2021
200+
￥0.16
600+
￥0.1366

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型号：PNMT30V6A 编号：C6807710

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。沟槽功率低压MOSFET技术，电压控制小信号开关，低输入电容，快速开关速度，低输入/输出泄漏。

20+
￥0.2077
200+
￥0.1618
600+
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型号：PPMT12V4 编号：C110724

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

P沟,-12V,-4.3A,45mΩ@-4.5V

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10+
￥0.2259
100+
￥0.1769
300+
￥0.1525

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型号：PTVSHC2EN5VB 编号：C312236

封装：DFN1610-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC2EN5VB ESD保护器旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中的多层压敏电阻 (MLV)。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与 MLV 相比，器件不会出现性能退化。PTVSHC2EN5VB 可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC2EN5VB 采用 DFN1610 - 2L 封装，工作电压为 4.5 伏。它用于满足 IEC 61000 - 4 - 2 的 ESD 抗扰度要求（±30kV 空气放电、±30kV 接触放电）。

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20+
￥0.2292
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￥0.1812
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￥0.1572

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型号：PTVSHC3D7VUH 编号：C110754

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

7V,单向,IR=1uA,(30KV接触, 30KV空隙放电）

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10+
￥0.2691
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￥0.2114
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￥0.1826
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型号：PTVSHC3D15VUH 编号：C312234

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3D15VUH瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3D15VUH可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障

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10+
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型号：PTVSHC3N24VUP 编号：C5162513

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N24VUP瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3N24VUP可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N24VUP采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为24伏。它用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求。

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5+
￥0.4699
50+
￥0.369
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￥0.3186
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￥0.2808

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型号：PTVSHC3N24VUH 编号：C1021680

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N24VUH瞬态电压抑制器旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中的多层压敏电阻 (MLV)。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与 MLV 相比无器件性能退化问题。PTVSHC3N24VUH可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N24VUH采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为24V。它用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求。

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10+
￥0.4833
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￥0.3873
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型号：PTVSHC3N24VU 编号：C312228

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N24VU静电放电（ESD）保护器专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA））中的多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、较低的工作电压、较低的钳位电压，并且与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3N24VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N24VU采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为24伏。它用于满足IEC 61000 - 4 - 2（±30kV空气放电、±30KV接触放电）的ESD抗扰度要求。

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5+
￥0.5041
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￥0.3985
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￥0.3457
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型号：PNM3FD20V1E 编号：C2875806

封装：DFN1006-3L

品牌：Prisemi(芯导)

MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。

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100+
￥0.162
1000+
￥0.156
3000+
￥0.15
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￥0.138
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￥0.1344

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型号：PESDNC2XD12VB 编号：C496540

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2XD12VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护单条单向线路的灵活性。

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50+
￥0.0891
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型号：PESDNC2XD3V3B 编号：C495448

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2XD3V3B可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护单条单向线路的灵活性。

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50+
￥0.0897
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￥0.0708
1500+
￥0.0603

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型号：PESDNC3D5VBL 编号：C42377819

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。具有大横截面积结，可传导高瞬态电流，具有快速响应时间、低工作电压等良好的电气特性，使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。

20+
￥0.0898
200+
￥0.0879
600+
￥0.0866

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型号：PESDUC3FD3V3U 编号：C2875801

封装：DFN1006-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDUC3FD3V3U静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流；与MLV相比，在板级保护方面具有出色的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低且无器件性能退化问题。PESDUC3FD3V3U可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件而损坏或出现故障。PESDUC3FD3V3U采用DFN1006 - 3L封装，工作电压为3.3V。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以灵活地分布在电路板各处。

20+
￥0.0918
200+
￥0.0895
600+
￥0.088
2000+
￥0.0864

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型号：PESDUC2FD5VBA 编号：C2875799

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDUC2FD5VBA可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大横截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。

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50+
￥0.1182
500+
￥0.0918
1500+
￥0.0772

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型号：PESDNC5D7VU 编号：C110699

封装：SOD-523

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

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20+
￥0.1466
200+
￥0.1142
600+
￥0.0962

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型号：PNT523T503E0-2 编号：C110719

封装：SOT-523

品牌：Prisemi(芯导)

特性：无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。封装：SOT-523。发射极-基极击穿电压11V。高直流电流增益，典型值380。低饱和电压80mV。连续集电极电流0.15A。 NPN开关晶体管

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20+
￥0.1477
200+
￥0.115
600+
￥0.0969

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型号：PPM723T201E0 编号：C918822

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

MOSFET在快速开关、低导通电阻和成本效益方面实现了最佳组合。

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20+
￥0.1532
200+
￥0.1175
600+
￥0.0977
2000+
￥0.0859

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型号：PNM523T201E0 编号：C110710

封装：SOT-523

品牌：Prisemi(芯导)

N沟,20V,1A,0.2Ω@4.5V

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20+
￥0.1646
200+
￥0.1289
600+
￥0.1091

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型号：PNMT60V02E 编号：C2875809

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

PNMT60V02E专为高速开关应用而设计。该增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。

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20+
￥0.1833
200+
￥0.1428
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￥0.1203

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型号：PTVSHC3D12VU 编号：C169336

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3D12VU瞬态电压抑制器旨在取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3D12VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3D12VU采用SOD - 323封装，工作电压为12伏。

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10+
￥0.2537
100+
￥0.2033
300+
￥0.1781

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型号：PTVSHC1DF15VU 编号：C110749

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

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10+
￥0.2548
100+
￥0.202
300+
￥0.1756

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型号：PTVSHC1DF7VB-HF 编号：C496531

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC1DF7VB ESD 保护器旨在取代手机、笔记本电脑和 PDA 等便携式应用中的多层压敏电阻（MLV）。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与 MLV 相比无器件性能退化问题。PTVSHC1DF7VB 可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC1DF7VB 采用 SOD - 123FL 封装，工作电压为 7V。

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10+
￥0.2609
100+
￥0.2087
300+
￥0.1825

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型号：PTVSHC2EN7VU 编号：C168629

封装：DFN1610-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC2EN7VU静电放电（ESD）保护器专为在便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA））中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比，无器件性能退化问题。PTVSHC2EN7VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。PTVSHC2EN7VU采用DFN1610 - 2L封装，工作电压为7伏。它用于满足IEC 61000 - 4 - 2（±30kV空气放电、±30kV接触放电）的ESD抗扰度要求。

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10+
￥0.2612
100+
￥0.2036
300+
￥0.1748

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型号：PTVSHC1TF12VU 编号：C169335

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC1TF12VU瞬态电压抑制器旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与MLV相比，不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC1TF12VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC1TF12VU采用SOD - 123FL封装，工作电压为12伏。

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10+
￥0.2638
100+
￥0.2085
300+
￥0.1809

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型号：PTVSHC2EN5VU 编号：C246779

封装：DFN1610-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC2EN5VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，且与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC2EN5VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC2EN5VU采用DFN1610 - 2L封装，工作电压为7伏。它用于满足IEC 61000 - 4 - 2标准的ESD抗扰度要求，空气放电±30kV，接触放电±30kV。

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￥0.2658
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