Prisemi二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PNM3FD201E0 编号：C918819

封装：DFN1006-3L

品牌：Prisemi(芯导)

MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。

数据手册

10+
￥0.3067
100+
￥0.2443
300+
￥0.2131
1000+
￥0.1897
5000+
￥0.171
10000+
￥0.1616

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型号：PESDHC3D12VU 编号：C496535

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PESDHC3D12VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与MLV相比，不会出现器件性能下降的问题。PESDHC3D12VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PESDHC3D12VU采用SOD - 323封装，工作电压为12伏。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以分散布置在电路板周围。该器件可用于满足IEC 61000 - 4 - 2（±30kV空气放电、±30kV接触放电）的ESD抗扰度要求。

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10+
￥0.3128
100+
￥0.2546
300+
￥0.2256
3000+
￥0.2037

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型号：SMAJ5.0CA 编号：C492729

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：Prisemi(芯导)

SMAJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

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10+
￥0.3195
100+
￥0.2545
300+
￥0.222

有货

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型号：SMBJ15CA 编号：C111057

封装：DO-214AA

品牌：Prisemi(芯导)

SMBJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

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10+
￥0.3512
100+
￥0.2776
500+
￥0.2408
1000+
￥0.2133
5000+
￥0.1912
10000+
￥0.1801

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型号：SMAJ12A 编号：C2856235

封装：SMA

品牌：Prisemi(芯导)

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10+
￥0.3548
100+
￥0.2727
300+
￥0.2317

有货

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型号：PTVSHC1DF24VBH 编号：C718487

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC1DF24VBH瞬态电压抑制器专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积的结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与MLV相比不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC1DF24VBH可保护敏感的半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压瞬态事件引起的损坏或故障

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30+
￥0.296997
100+
￥0.277835
500+
￥0.238775

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型号：PESDAWC236T5VU 编号：C492731

封装：SOT-23-6L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDAWC236T5VU是一款用于高速数据接口的低电容瞬态电压抑制器阵列，旨在保护敏感电子设备免受静电放电、雷击和其他电压瞬态事件造成的损坏或闩锁效应。使用IEC 61000 - 4 - 2空气放电法，所有引脚可承受15 kV静电放电脉冲，满足4级要求。

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10+
￥0.3882
100+
￥0.3092
300+
￥0.2697

有货

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型号：SMBJ30CA 编号：C918851

封装：SMB

品牌：Prisemi(芯导)

SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

数据手册

10+
￥0.3991
100+
￥0.3179
500+
￥0.2773
1000+
￥0.2469
5000+
￥0.2225

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型号：SMAJ24A 编号：C718477

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：Prisemi(芯导)

SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

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10+
￥0.4011
100+
￥0.3195
300+
￥0.2787

有货

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型号：PESDNC3D12VB 编号：C2875796

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC3D12VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大横截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

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10+
￥0.4247
100+
￥0.3383
300+
￥0.2951

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型号：SMBJ6.0A 编号：C718479

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：Prisemi(芯导)

SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

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10+
￥0.4483
100+
￥0.3571
500+
￥0.2831
1000+
￥0.2489

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型号：PPMT30V3 编号：C918824

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。

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10+
￥0.4555
100+
￥0.3628
300+
￥0.3165
3000+
￥0.2817
6000+
￥0.2539
9000+
￥0.24

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型号：SMBJ7.0CA 编号：C718481

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：Prisemi(芯导)

SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

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10+
￥0.4556
100+
￥0.3631
500+
￥0.2882

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型号：SMBJ58CA 编号：C246777

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：Prisemi(芯导)

SMBJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响而设计。

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5+
￥0.4768
50+
￥0.3798
150+
￥0.3313
500+
￥0.2647

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型号：SMBJ54CA 编号：C492730

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：Prisemi(芯导)

SMBJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

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5+
￥0.4876
50+
￥0.382
150+
￥0.3292

有货

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型号：SMBJ24A 编号：C718478

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：Prisemi(芯导)

SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

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5+
￥0.4969
50+
￥0.3961
150+
￥0.3457

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型号：SMBJ24CA 编号：C111056

封装：DO-214AA

品牌：Prisemi(芯导)

SMBJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

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5+
￥0.5134
50+
￥0.4092
150+
￥0.3571

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型号：SMAJ40A 编号：C2875827

封装：SMA

品牌：Prisemi(芯导)

SMAJ系列专为保护敏感电子设备免受雷电及其他瞬态电压事件引发的电压瞬变影响而设计。

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5+
￥0.5426
50+
￥0.4322
150+
￥0.377

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型号：SMBJ26A 编号：C2875831

封装：SMB

品牌：Prisemi(芯导)

SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

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5+
￥0.6087
50+
￥0.4848
150+
￥0.4229
500+
￥0.361

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型号：SMCJ60CA 编号：C110763

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：Prisemi(芯导)

VBR=60V，Vc=96.8V，Ipp=6.2A 单向

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5+
￥0.887
50+
￥0.6795
150+
￥0.5906

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型号：SMAJ36CA 编号：C2875826

封装：SMA

品牌：Prisemi(芯导)

SMAJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。单向：SMAJxxA；双向：SMAJxxCA。

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5+
￥0.5426
50+
￥0.4322
150+
￥0.377
500+
￥0.3356
2000+
￥0.3218

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型号：PELB5VB1 编号：C111058

封装：SMB

品牌：Prisemi(芯导)

PELB5VB1接入设备和用户端设备，使其免受电信线路及其他线路上的静电放电（ESD）和雷击影响。DO - 214AA固态保护器件可保护调制解调器、线卡、传真机等电信设备及其他用户端设备（CPE）。该器件可使设备满足各种法规要求，包括IEC61000 - 4 - 2、IEC62000 - 4 - 5、GR 1089、ITU K.20、K.21和K.45、IEC 60950、UL 60950以及TIA - 968（原FCC Part 68）。

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5+
￥0.6639
50+
￥0.5354
150+
￥0.4711
500+
￥0.4229

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型号：PTVSHC3N4V8U 编号：C918809

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N4V8U瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3N4V8U可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N4V8U采用DFN2x2 - 3L封装，工作电压为4.8伏。

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5+
￥0.747
50+
￥0.5742
150+
￥0.4878
500+
￥0.423

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型号：PSC5415E 编号：C918837

封装：WLCSP-20

品牌：Prisemi(芯导)

PSC5415E是一款开关模式充电IC，可为锂电池和锂聚合物电池提供最大1.75A的充电电流。PSC5415E具备5V、700mA的OTG功能和I2C功能。通过I2C功能可精确配置充电参数，如充电电流、满充电压和输入电流

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1+
￥1.4
10+
￥1.37
30+
￥1.34

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型号：PESDHC2FD5VBH 编号：C110687

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

20+
￥0.1542
200+
￥0.121
600+
￥0.1025
2000+
￥0.0914
10000+
￥0.0818

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型号：PTVSHC3N12VU 编号：C110755

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

12V,单向,IR=1uA,(30KV接触, 30KV空隙放电）

数据手册

25+
￥0.319396
50+
￥0.308924
100+
￥0.303688
200+
￥0.28798

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型号：PESDZC2FD5VB 编号：C6807705

封装：DFN1006-2

品牌：Prisemi(芯导)

保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。它为设计人员提供了在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路的灵活性。

5+
￥0.0319
50+
￥0.0312
150+
￥0.0307
500+
￥0.0302

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型号：PESDNC2FD7VBL 编号：C1021685

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2FD7VBL可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

数据手册

50+
￥0.0897
500+
￥0.0692
1500+
￥0.0578
10000+
￥0.051
20000+
￥0.045

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型号：PESDHC2FD4V5B 编号：C110686

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

20+
￥0.1474
200+
￥0.1137
600+
￥0.0949
2000+
￥0.0837
10000+
￥0.074

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型号：PESDXC2FD5VU 编号：C168627

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDXC2FD5VU静电放电（ESD）保护器专为替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA））中的多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是采用大截面积结来传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与MLV相比不会出现器件性能退化的问题。PESDXC2FD5VU可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件而损坏或故障。PESDXC2FD5VU采用DFN1006 - 2L封装，工作电压为5伏。它为设计人员提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以“分散”布置在电路板周围。

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7000+
￥0.08004
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