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首页 > 热门关键词 > Prisemi二极管
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12V
型号：PTVSHC2EN12VUT 编号：C19190699
封装：DFN1006-2L
品牌：Prisemi(芯导)
ESD保护器旨在取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻 (MLV)。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供理想的电气特性，如快速响应时间、较低的工作电压、较低的钳位电压，并且与MLV相比无器件老化问题。该保护器可保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或故障。该产品采用DFN1610-2L封装，工作电压为12V，用于满足IEC 61000-4-2（±30kV空气放电，±30kV接触放电）的ESD抗扰度要求。

  • 10+

    ￥0.3775

  • 100+

    ￥0.3007

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    ￥0.2623
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    双向TVS 10V截止 峰值脉冲电流：23.5A
    型号：SMAJ10CA 编号：C110759
    封装：SMA
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3778

    • 100+

      ￥0.2978

    • 300+

      ￥0.2578
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    双向TVS 40V截止 峰值浪涌电流：9.3A
    型号：SMBJ40CA 编号：C246776
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMBJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5188

    • 50+

      ￥0.4086

    • 150+

      ￥0.3535
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    过压和过流保护器
    型号：P14C3ND 编号：C7465129
    封装：DFN-8L-EP(2x2)
    品牌：Prisemi(芯导)
    是一种过压保护（OVP）负载开关，具有可调的过压锁定（OVLO）阈值电压。当任何输入电压超过阈值时，设备将关闭内部MOSFET，以断开输入与输出的连接，从而保护负载。当OVLO输入设置低于外部OVLO选择电压时，自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调节，OVLO阈值电压范围为4.0V-9V。具有过温保护（OTP）功能，可监控芯片温度以保护设备。有DFN2x2-8L和SOT23-6L两种封装形式。

    • 5+

      ￥0.7313

    • 50+

      ￥0.5825

    • 150+

      ￥0.5081

    • 500+

      ￥0.4523
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    PSMTL10R1
    型号：PSMTL10R1 编号：C52976668
    封装：TOLL-8L
    品牌：Prisemi(芯导)
    NCEP023N10LL

    • 1+

      ￥7.73

    • 10+

      ￥6.36

    • 30+

      ￥5.61

    • 100+

      ￥4.76
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    PNP 电压:40V
    型号：PT23T3906 编号：C110745
    封装：SOT-23
    品牌：Prisemi(芯导)
    PNP
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0953

    • 500+

      ￥0.0743

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      ￥0.0626
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:300mA
    型号：PNMT8N1 编号：C110718
    封装：DFN-10-EP(2x3)
    品牌：Prisemi(芯导)
    N沟,20V,300mA,0.3Ω@4V 另含一个三极管
    数据手册

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      ￥0.2717 ￥0.5225

    • 50+

      ￥0.174804 ￥0.4162

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      ￥0.11616 ￥0.363

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      ￥0.103424 ￥0.3232

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      ￥0.093216 ￥0.2913
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    N沟道MOSFET晶体管
    型号：PNMT6N2 编号：C918797
    封装：DFN-6L(2x2)
    品牌：Prisemi(芯导)
    特性：该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。 极低的集电极-发射极饱和电压。 直流电流增益 > 100。 3A连续集电极电流。 PNP外延平面硅晶体管
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2788

    • 100+

      ￥0.221

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    • 3000+

      ￥0.1705
  • 有货
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    双向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：30.2A@10/1000us
    型号：SMBJ12CA 编号：C2875829
    封装：SMB
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.301

    • 100+

      ￥0.2334

    • 500+

      ￥0.1911
  • 有货
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    双向TVS 30V截止 峰值脉冲电流：8.3A@10/1000us
    型号：SMAJ30CA 编号：C2875825
    封装：SMA
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMAJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。单向：SMAJxxA；双向：SMAJxxCA。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3138

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    单向TVS 58V截止 峰值脉冲电流：4.3A
    型号：SMAJ58A 编号：C400184
    封装：SMA
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3303

    • 100+

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      ￥0.1826
  • 订货
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    单向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：10.1A@8/20us
    型号：PTVSHC1DF12VU 编号：C312238
    封装：SOD-123FL
    品牌：Prisemi(芯导)
    SOD-123FL系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3347

    • 100+

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    双向TVS 15V截止 峰值脉冲电流：24.6A
    型号：SMBJ15CA 编号：C111057
    封装：DO-214AA
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMBJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3512

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    ESD 24V截止 峰值浪涌电流：90A@8/20us 165A@8/20us
    型号：PTVSHC1DF24VBH 编号：C718487
    封装：SOD-123FL
    品牌：Prisemi(芯导)
    PTVSHC1DF24VBH瞬态电压抑制器专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积的结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与MLV相比不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC1DF24VBH可保护敏感的半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压瞬态事件引起的损坏或故障
    数据手册

    • 30+

      ￥0.310497

    • 100+

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    • 500+

      ￥0.249629
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    双向TVS 16V截止 峰值浪涌电流：23.1A
    型号：SMBJ16CA 编号：C2875830
    封装：SMB
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4124

    • 100+

      ￥0.326

    • 500+

      ￥0.2828
  • 有货
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    双向TVS 75V截止 峰值浪涌电流：5A
    型号：SMBJ75CA 编号：C5162505
    封装：SMB
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4287

    • 100+

      ￥0.3375

    • 500+

      ￥0.2805
  • 有货
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    双向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：41A@10/1000us
    型号：1.0SMBJ15CA 编号：C42377812
    封装：SMB
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMBJ 专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引发的电压瞬变影响而设计。

    • 5+

      ￥0.5155

    • 50+

      ￥0.4075

    • 150+

      ￥0.3535

    • 500+

      ￥0.313
  • 有货
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    P14C1N
    型号：P14C1N 编号：C1021678
    封装：DFN-8-EP(2x2)
    品牌：Prisemi(芯导)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5603

    • 50+

      ￥0.4451

    • 150+

      ￥0.3875

    • 500+

      ￥0.3443
  • 有货
    • 立即购买
    单向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：25.9A@10/1000us
    型号：SMCJ36A 编号：C2875833
    封装：SMC
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8935

    • 50+

      ￥0.7063

    • 150+

      ￥0.6127
  • 有货
    • 立即购买
    PSM8N10R4L
    型号：PSM8N10R4L 编号：C52976669
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：Prisemi(芯导)
    BSC030N08NS5

    • 1+

      ￥4.58

    • 10+

      ￥3.72

    • 30+

      ￥3.29

    • 100+

      ￥2.86
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 3.3V截止 峰值脉冲电流：7A
    型号：PESDNC9D3V3U 编号：C110701
    封装：SOD-923
    品牌：Prisemi(芯导)
    8KV接触, 15KV空隙放电
    数据手册

    • 20+

      ￥0.164

    • 200+

      ￥0.1286

    • 600+

      ￥0.109

    • 2000+

      ￥0.0972
  • 订货
    • 我要订货
    单向ESD 5V截止
    型号：PESDNC5D5VU 编号：C1021677
    封装：SOD-523
    品牌：Prisemi(芯导)
    PESDNC5D5VU可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低等。这使设计人员在不适合使用阵列的应用中，能够灵活地保护一条单向线路
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1735

    • 200+

      ￥0.132

    • 600+

      ￥0.1089

    • 3000+

      ￥0.095
  • 订货
    • 我要订货
    双向ESD 24V截止 峰值脉冲电流：6.5A
    型号：PESDNC2FD24VB 编号：C169331
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    PESDNC2FD24VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1828

    • 200+

      ￥0.1433

    • 600+

      ￥0.1214

    • 2000+

      ￥0.1083

    • 10000+

      ￥0.0969
  • 订货
    • 我要订货
    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：5A
    型号：PESDWC2FD5VB 编号：C110707
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    8KV接触, 15KV空隙放电
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2083

    • 200+

      ￥0.1607

    • 600+

      ￥0.1342

    • 2000+

      ￥0.1183

    • 10000+

      ￥0.1045
  • 订货
    • 我要订货
    双向 8V截止
    型号：PESDNC2FD8VB 编号：C918817
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    PESDNC2FD8VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。
    数据手册

    • 6000+

      ￥0.101545

    • 14000+

      ￥0.095312
    我要订货
    PNP 电流:3A 电压:30V
    型号：PT236T30E2 编号：C110742
    封装：SOT-23-6L
    品牌：Prisemi(芯导)
    特性：该器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。 集电极到发射极的饱和电压非常低。 直流电流增益 > 100。 3A连续集电极电流。 PNP外延平面硅晶体管
    数据手册

    • 580+

      ￥0.455326

    • 1000+

      ￥0.39028
    我要订货
    双向TVS 18V截止 峰值脉冲电流：13.7A
    型号：SMAJ18CA 编号：C226256
    封装：SMA
    品牌：Prisemi(芯导)
    SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5005

    • 50+

      ￥0.3987

    • 150+

      ￥0.3477

    • 500+

      ￥0.3096
  • 订货
    • 我要订货
    ESD 4.5V截止 峰值脉冲电流：130A@8/20us
    型号：PTVSHC2EN4V5B 编号：C226255
    封装：DFN1610-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    PTVSHC2EN4V5B静电放电（ESD）保护器专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA））中的多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，与MLV相比，具有快速响应时间、更低的工作电压、更低的钳位电压且无器件性能退化等理想的板级保护电气特性。PTVSHC2EN4V5B可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件的损坏或干扰。PTVSHC2EN4V5B采用DFN1610 - 2L封装，工作电压为4.5伏，用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求（±30kV空气放电、±30kV接触放电）。
    数据手册

    • 385+

      ￥0.688104

    • 500+

      ￥0.60209

    • 1000+

      ￥0.516078
    我要订货
    PNP 电流:5A 电压:20V
    型号：PPT89T30V5AE2M 编号：C110727
    封装：SOT-89-3L
    品牌：Prisemi(芯导)
    特性：该器件为无铅且符合RoHS标准。 PNP外延平面硅晶体管。 3发射极
    数据手册

    • 430+

      ￥0.61896

    • 500+

      ￥0.541591

    • 1000+

      ￥0.46422
    我要订货
    P沟道MOSFET
    型号：PDPM6N20V3 编号：C5162520
    封装：DFN-6L(2x2)
    品牌：Prisemi(芯导)
    增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。
    数据手册

    • 1+

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