Prisemi二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PSMTL10R1 编号：C52976668

封装：TOLL-8L

品牌：Prisemi(芯导)

NCEP023N10LL

1+
￥7.8
10+
￥6.43
30+
￥5.68
100+
￥4.83

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型号：PT23T3906 编号：C110745

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

PNP

数据手册

50+
￥0.0953
500+
￥0.0743
3000+
￥0.0626

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型号：PTVSHC1DF12VU 编号：C312238

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

SOD-123FL系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

数据手册

10+
￥0.1931
100+
￥0.1892
300+
￥0.1866
1000+
￥0.184

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型号：PT236T30E2 编号：C110742

封装：SOT-23-6L

品牌：Prisemi(芯导)

特性：该器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。集电极到发射极的饱和电压非常低。直流电流增益 > 100。 3A连续集电极电流。 PNP外延平面硅晶体管

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600+
￥0.411161
1000+
￥0.352423

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型号：SMAJ18CA 编号：C226256

封装：SMA

品牌：Prisemi(芯导)

SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

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5+
￥0.278
50+
￥0.2719
150+
￥0.2678
500+
￥0.2637

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型号：PTVSHC2EN4V5B 编号：C226255

封装：DFN1610-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC2EN4V5B静电放电（ESD）保护器专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA））中的多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，与MLV相比，具有快速响应时间、更低的工作电压、更低的钳位电压且无器件性能退化等理想的板级保护电气特性。PTVSHC2EN4V5B可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件的损坏或干扰。PTVSHC2EN4V5B采用DFN1610 - 2L封装，工作电压为4.5伏，用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求（±30kV空气放电、±30kV接触放电）。

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600+
￥0.411482
1000+
￥0.3527

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型号：PTVSHC3D18VU 编号：C312235

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3D18VU瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC3D18VU可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障

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10+
￥0.2834
100+
￥0.2234
300+
￥0.1934

有货

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型号：SMBJ12CA 编号：C2875829

封装：SMB

品牌：Prisemi(芯导)

SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

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10+
￥0.301
100+
￥0.2334
500+
￥0.1911

有货

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型号：SMAJ58A 编号：C400184

封装：SMA

品牌：Prisemi(芯导)

SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

数据手册

10+
￥0.3303
100+
￥0.2631
300+
￥0.2295
2000+
￥0.1826

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型号：PPMUT20V3 编号：C496543

封装：SOT-323

品牌：Prisemi(芯导)

增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。

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10+
￥0.3437
100+
￥0.2717
300+
￥0.2357

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型号：SMBJ16CA 编号：C2875830

封装：SMB

品牌：Prisemi(芯导)

SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

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10+
￥0.4124
100+
￥0.326
500+
￥0.2828

有货

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型号：PPMT20V4E 编号：C918823

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。

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5+
￥0.4843
50+
￥0.3828
150+
￥0.3321
500+
￥0.2941
3000+
￥0.2636

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型号：SMCJ36A 编号：C2875833

封装：SMC

品牌：Prisemi(芯导)

SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

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5+
￥0.4845
50+
￥0.4733
150+
￥0.4658

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型号：1.0SMBJ15CA 编号：C42377812

封装：SMB

品牌：Prisemi(芯导)

SMBJ 专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引发的电压瞬变影响而设计。

5+
￥0.5155
50+
￥0.4075
150+
￥0.3535
500+
￥0.313

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型号：SMBJ40CA 编号：C246776

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：Prisemi(芯导)

SMBJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响而设计。

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5+
￥0.5188
50+
￥0.4086
150+
￥0.3535

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型号：PSM8N10R4L 编号：C52976669

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：Prisemi(芯导)

BSC030N08NS5

1+
￥4.58
10+
￥3.72
30+
￥3.29
100+
￥2.86

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型号：PESDNC9D3V3U 编号：C110701

封装：SOD-923

品牌：Prisemi(芯导)

8KV接触, 15KV空隙放电

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20+
￥0.164
200+
￥0.1286
600+
￥0.109
2000+
￥0.0972

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型号：PESDNC5D12VU 编号：C168631

封装：SOD-523

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC5D12VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PESDNC5D12VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护单条单向线路的灵活性。

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