Prisemi二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PESDLC23T5VU 编号：C110691

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

8KV接触, 15KV空隙放电

数据手册

10+
￥0.3446
100+
￥0.2724
300+
￥0.2363

有货

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型号：PPNM010 编号：C246781

封装：1206

品牌：Prisemi(芯导)

专为敏感电子设备提供过流保护，过流事件通常由雷电和其他瞬态过电压引起的电压瞬变导致。

数据手册

10+
￥0.4106
100+
￥0.329
300+
￥0.2882
1000+
￥0.2576

有货

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型号：PTVSHC3N18VU 编号：C312227

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N18VU瞬态电压抑制器旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3N18VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N18VU采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为18伏。

数据手册

5+
￥0.4729
50+
￥0.3686
150+
￥0.3165
500+
￥0.2773

有货

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型号：PESDNC2XD7VBF 编号：C2875795

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2XD7VB可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活地保护一条单向线路。

20+
￥0.0747
200+
￥0.0731
600+
￥0.072
2000+
￥0.0709

有货

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型号：PESDUC2XD5VBF 编号：C2875800

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDUC2XD5VBF可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条单向线路的灵活性。

数据手册

20+
￥0.1224
200+
￥0.0954
600+
￥0.0803
2000+
￥0.0713

有货

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型号：PESDNC3D3V3U 编号：C2875797

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC3D3V3U可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护单条单向线路的灵活性。

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20+
￥0.1652
200+
￥0.1296
600+
￥0.1098

有货

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型号：PNM723T703E0-2 编号：C110713

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

N沟,40V,180mA,7.5Ω@10V

数据手册

20+
￥0.2216
200+
￥0.1763
600+
￥0.1511

有货

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型号：PTVSHC3D7VU 编号：C110753

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

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10+
￥0.2227
100+
￥0.1747
300+
￥0.1507

有货

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型号：SMAJ24CA 编号：C2875823

封装：SMA

品牌：Prisemi(芯导)

SMAJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

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10+
￥0.275
100+
￥0.2174
300+
￥0.1886

有货

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型号：PTVSHC2EN12VUT 编号：C19190699

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

ESD保护器旨在取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻 (MLV)。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供理想的电气特性，如快速响应时间、较低的工作电压、较低的钳位电压，并且与MLV相比无器件老化问题。该保护器可保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或故障。该产品采用DFN1610-2L封装，工作电压为12V，用于满足IEC 61000-4-2（±30kV空气放电，±30kV接触放电）的ESD抗扰度要求。

10+
￥0.3775
100+
￥0.3007
300+
￥0.2623

有货

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型号：PTVSHC3N15VUH 编号：C918798

封装：DFN-3L(2x2)

品牌：Prisemi(芯导)

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5+
￥0.4358
50+
￥0.335
150+
￥0.2846
500+
￥0.2468

有货

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型号：PPM6N12V10 编号：C1021687

封装：DFN2x2-6L

品牌：Prisemi(芯导)

增强型MOS管具备极高的单元密度和较低的导通电阻。

数据手册

5+
￥0.8698
50+
￥0.697
150+
￥0.6106
500+
￥0.5458

有货

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型号：PESDLC9D5VB 编号：C2875794

封装：SOD-923

品牌：Prisemi(芯导)

PESDLC9D5VB可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。

数据手册

10+
￥0.07785 ￥0.2595
100+
￥0.04134 ￥0.2067
300+
￥0.01803 ￥0.1803
1000+
￥0.01605 ￥0.1605
5000+
￥0.01539 ￥0.1539

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型号：PESDNC3FD5VB 编号：C110697

封装：DFN1006-3L

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

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50+
￥0.1014
500+
￥0.0765
1500+
￥0.0627

有货

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型号：PESDNC3D24VB 编号：C718488

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC3D24VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

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20+
￥0.2265
200+
￥0.1785
600+
￥0.1545

有货

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型号：PNM523T30V01 编号：C918801

封装：SOT-523

品牌：Prisemi(芯导)

PNM523T30V01专为高速开关应用而设计。该增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。

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20+
￥0.236
200+
￥0.1842
600+
￥0.1555
3000+
￥0.1383

有货

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型号：PTVSHC3D4V5U 编号：C319211

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3D4V5U瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3D4V5U可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3D4V5U采用SOD - 323封装，工作电压为4.5伏。

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10+
￥0.2385
100+
￥0.1885
300+
￥0.1635

有货

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型号：PTVSHC1TF24VU 编号：C918843

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC1TF24VU瞬态电压抑制器旨在取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC1TF24VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC1TF24VU采用SOD - 123FL封装，工作电压为24伏。

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10+
￥0.2623
100+
￥0.2071
300+
￥0.1795

有货

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型号：PTVSHC1DF30VU 编号：C42377821

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

SOD - 123FL 系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

10+
￥0.2887
100+
￥0.2282
300+
￥0.198

有货

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型号：PTVSHC3D12VUH 编号：C312232

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3D12VUH TVS 保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与 MLV 相比，器件不会出现性能下降的情况。PTVSHC3D12VUH 可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障

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10+
￥0.3185
100+
￥0.2537
300+
￥0.2213

有货

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型号：PTVSUC3D3V3B 编号：C2856234

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

是超低电容瞬态电压抑制器，适用于高速数据接口，旨在保护敏感电子设备免受因静电放电、雷击和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或锁存。所有引脚使用IEC61000-4-2空气放电方法，可承受15kV静电放电脉冲，能满足4级要求。

10+
￥0.3455
100+
￥0.2716
300+
￥0.2346

有货

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型号：PTVSHC3N18VUH 编号：C496533

封装：DFN-3L(2x2)

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N18VU瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与MLV相比，不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC3N18VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N18VU采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为18伏。

数据手册

5+
￥0.498
50+
￥0.3924
150+
￥0.3396
500+
￥0.3

有货

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型号：PPM6N30V9 编号：C918805

封装：UDFN-6(2x2)

品牌：Prisemi(芯导)

增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。

数据手册

5+
￥0.8215
50+
￥0.6583
150+
￥0.5767
500+
￥0.5155

有货

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型号：PSC2945 编号：C5162519

封装：QFN-24L(4x4)

品牌：Prisemi(芯导)

PSC2945集成了高度集成的开关模式充电器和升压稳压器，前者可最大程度缩短单节锂离子（Li-ion）电池通过USB电源的充电时间，后者可利用电池为USB外设供电。其低阻抗功率路径优化了开关模式的运行效率，减少了电池充电时间，并在放电阶段延长了电池使用寿命。具备充电和系统设置功能的I2C串行接口，使该器件成为真正灵活的解决方案

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.5
30+
￥2.36
100+
￥2.21
500+
￥1.94
1000+
￥1.9

有货

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型号：PESDNC2XD5V5BHF 编号：C7502971

封装：-

品牌：Prisemi(芯导)

20+
￥0.0701
200+
￥0.0684
600+
￥0.0674
2000+
￥0.0663

有货

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型号：PESDHC5D7VU 编号：C110689

封装：SOD-523

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

500+
￥0.126
2000+
￥0.117
5000+
￥0.108
10000+
￥0.1035
50000+
￥0.099

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型号：P6SMBFJ15A 编号：C918810

封装：SMBF

品牌：Prisemi(芯导)

SMBF 系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

数据手册

10+
￥0.13449 ￥0.4483
100+
￥0.07142 ￥0.3571
300+
￥0.03115 ￥0.3115
1000+
￥0.02773 ￥0.2773

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型号：PESDMC2XD5VB 编号：C312244

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDMC2XD5VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件所造成的损坏或故障影响。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性

数据手册

500+
￥0.112
2000+
￥0.104
5000+
￥0.096
10000+
￥0.092
50000+
￥0.088

我要订货

型号：PESDHC2FD7VU 编号：C169333

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDHC2FD7VU静电放电（ESD）保护器专为替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中的多层压敏电阻 (MLV) 而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，与MLV相比，具有快速响应时间、较低工作电压、较低钳位电压且无器件性能退化等理想的板级保护电气特性。PESDHC2FD7VU可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PESDHC2FD7VU采用DFN1006-2L封装，工作电压为7V。它为设计人员提供了在不适合使用阵列的应用中保护单条单向线路的灵活性。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以“分散”布置在电路板周围。

数据手册

20+
￥0.1753
200+
￥0.1375
600+
￥0.1165

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型号：PESDSC2FD5VB 编号：C2875798

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDSC2FD5VB可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或出现故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

数据手册

20+
￥0.1983
200+
￥0.1625
600+
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