Prisemi二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PPNM010 编号：C246781

封装：1206

品牌：Prisemi(芯导)

专为敏感电子设备提供过流保护，过流事件通常由雷电和其他瞬态过电压引起的电压瞬变导致。

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10+
￥0.4106
100+
￥0.329
300+
￥0.2882
1000+
￥0.2576

有货

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型号：PTVSLC3D24VB 编号：C918846

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSLC3D24VB是一款用于高速数据接口的低电容瞬态电压抑制器，旨在保护敏感电子设备免受因静电放电（ESD）、雷击和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或闩锁效应。所有引脚采用IEC61000 - 4 - 2空气放电法，可承受20 kV的ESD脉冲，能满足4级要求。

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10+
￥0.4127
100+
￥0.3359
300+
￥0.2975

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型号：PTVSHC3N15VUH 编号：C918798

封装：DFN-3L(2x2)

品牌：Prisemi(芯导)

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5+
￥0.462
50+
￥0.3612
150+
￥0.3108
500+
￥0.273

有货

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型号：PTVSHC3N24VUH 编号：C1021680

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N24VUH瞬态电压抑制器旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中的多层压敏电阻 (MLV)。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与 MLV 相比无器件性能退化问题。PTVSHC3N24VUH可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N24VUH采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为24V。它用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求。

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10+
￥0.4833
100+
￥0.3873
300+
￥0.3393

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型号：PTVSHC3N24VU 编号：C312228

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N24VU静电放电（ESD）保护器专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA））中的多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、较低的工作电压、较低的钳位电压，并且与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3N24VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N24VU采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为24伏。它用于满足IEC 61000 - 4 - 2（±30kV空气放电、±30KV接触放电）的ESD抗扰度要求。

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5+
￥0.5041
50+
￥0.3985
150+
￥0.3457
500+
￥0.3061

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型号：PTVSHC3N18VU 编号：C312227

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N18VU瞬态电压抑制器旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3N18VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N18VU采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为18伏。

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5+
￥0.5251
50+
￥0.4208
150+
￥0.3686
500+
￥0.3295

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型号：PTVSHC3N24VUP 编号：C5162513

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N24VUP瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3N24VUP可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N24VUP采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为24伏。它用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求。

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5+
￥0.5266
50+
￥0.4258
150+
￥0.3753
500+
￥0.3375

有货

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型号：PDTC114TM 编号：C110682

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计。应用：反相器接口驱动器

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20+
￥0.06609 ￥0.2203
200+
￥0.03456 ￥0.1728
600+
￥0.01464 ￥0.1464
2000+
￥0.01306 ￥0.1306
8000+
￥0.01168 ￥0.1168

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型号：PESDHC2FD4V5BHN 编号：C42377822

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDHC2FD4V5BHN可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低。在不适合使用阵列的应用中，它让设计人员能够灵活地保护一条双向线路

50+
￥0.0857
500+
￥0.0662
1500+
￥0.0554

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型号：PESDNC2XD12VB 编号：C496540

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2XD12VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护单条单向线路的灵活性。

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50+
￥0.0891
500+
￥0.0694
1500+
￥0.0585

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型号：PESDNC3FD5VB 编号：C110697

封装：DFN1006-3L

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

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50+
￥0.0994
500+
￥0.0745
1500+
￥0.0607

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型号：PESDUC2XD5VBF 编号：C2875800

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDUC2XD5VBF可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条单向线路的灵活性。

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20+
￥0.1224
200+
￥0.0954
600+
￥0.0803
2000+
￥0.0713

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型号：PESDNC2XD5V5BHF 编号：C7502971

封装：-

品牌：Prisemi(芯导)

20+
￥0.1369
200+
￥0.1066
600+
￥0.0898
2000+
￥0.0797

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型号：PNT523T503E0-2 编号：C110719

封装：SOT-523

品牌：Prisemi(芯导)

特性：无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。封装：SOT-523。发射极-基极击穿电压11V。高直流电流增益，典型值380。低饱和电压80mV。连续集电极电流0.15A。 NPN开关晶体管

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20+
￥0.1477
200+
￥0.115
600+
￥0.0969

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型号：PESDNC3D3V3U 编号：C2875797

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC3D3V3U可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护单条单向线路的灵活性。

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20+
￥0.1652
200+
￥0.1296
600+
￥0.1098

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型号：PTVSHC2EN5VB 编号：C312236

封装：DFN1610-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC2EN5VB ESD保护器旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中的多层压敏电阻 (MLV)。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与 MLV 相比，器件不会出现性能退化。PTVSHC2EN5VB 可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC2EN5VB 采用 DFN1610 - 2L 封装，工作电压为 4.5 伏。它用于满足 IEC 61000 - 4 - 2 的 ESD 抗扰度要求（±30kV 空气放电、±30kV 接触放电）。

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20+
￥0.2447
200+
￥0.1967
600+
￥0.1727

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型号：PTVSHC1DF7VBH 编号：C110751

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

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10+
￥0.2521
100+
￥0.1993
300+
￥0.1729

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型号：PTVSHC3D12VU 编号：C169336

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3D12VU瞬态电压抑制器旨在取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3D12VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3D12VU采用SOD - 323封装，工作电压为12伏。

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10+
￥0.2537
100+
￥0.2033
300+
￥0.1781

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型号：PTVSHC1TF24VU 编号：C918843

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC1TF24VU瞬态电压抑制器旨在取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC1TF24VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC1TF24VU采用SOD - 123FL封装，工作电压为24伏。

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10+
￥0.2551
100+
￥0.1999
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￥0.1723
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￥0.1516
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型号：PTVSHC1SF24VBH 编号：C918841

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC1SF24VBH 保护器旨在替代手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中的多层压敏电阻（MLV）。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与 MLV 相比，器件无性能退化。PTVSHC1SF24VBH 可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC1SF24VBH 采用 SOD - 123FL 封装，工作电压为 24 伏。它用于满足 IEC 61000 - 4 - 2 标准 4 级（±15KV 空气放电、±8KV 接触放电）的 ESD 抗扰度要求。

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10+
￥0.2584
100+
￥0.2032
300+
￥0.1756

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型号：PTVSHC1TF12VU 编号：C169335

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC1TF12VU瞬态电压抑制器旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与MLV相比，不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC1TF12VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC1TF12VU采用SOD - 123FL封装，工作电压为12伏。

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10+
￥0.2638
100+
￥0.2085
300+
￥0.1809

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型号：PTVSHC2EN5VU 编号：C246779

封装：DFN1610-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC2EN5VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，且与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC2EN5VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC2EN5VU采用DFN1610 - 2L封装，工作电压为7伏。它用于满足IEC 61000 - 4 - 2标准的ESD抗扰度要求，空气放电±30kV，接触放电±30kV。

数据手册

10+
￥0.2658
100+
￥0.213
300+
￥0.1866

有货

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型号：PTVSHC3N12VU 编号：C110755

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

12V,单向,IR=1uA,(30KV接触, 30KV空隙放电）

数据手册

10+
￥0.2673
100+
￥0.2619
300+
￥0.2583

有货

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型号：PTVSHC1DF30VU 编号：C42377821

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

SOD - 123FL 系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

10+
￥0.2887
100+
￥0.2282
300+
￥0.198

有货

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型号：PESDLC23T5VU 编号：C110691

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

8KV接触, 15KV空隙放电

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10+
￥0.3446
100+
￥0.2724
300+
￥0.2363

有货

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型号：PTVSHC3N18VUH 编号：C496533

封装：DFN-3L(2x2)

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N18VU瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与MLV相比，不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC3N18VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N18VU采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为18伏。

数据手册

5+
￥0.5041
50+
￥0.3985
150+
￥0.3457
500+
￥0.3061

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型号：PESDLC9D5VB 编号：C2875794

封装：SOD-923

品牌：Prisemi(芯导)

PESDLC9D5VB可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。

数据手册

10+
￥0.07785 ￥0.2595
100+
￥0.04134 ￥0.2067
300+
￥0.01803 ￥0.1803
1000+
￥0.01605 ￥0.1605
5000+
￥0.01539 ￥0.1539

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型号：PESDHC2FD4V8UF 编号：C918814

封装：DFN1006-2

品牌：Prisemi(芯导)

ESD保护器旨在取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和PDA）中的多层压敏电阻（MLV）。它们具有大横截面积结，用于传导高瞬态电流，为电路板级保护提供理想的电气特性，如快速响应时间、较低的工作电压、较低的钳位电压，并且与MLV相比，无器件性能下降问题。该保护器可保护敏感半导体组件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件的损坏或故障。该产品采用DFN1006-2L封装，工作电压为4.8V，使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护单向线路。此外，它还可在电路板空间有限的应用中灵活布置。