Prisemi二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-323

PTVSLC3D3V3B是一款用于高速数据接口的低电容瞬态电压抑制器，旨在保护敏感电子设备免受因静电放电（ESD）、雷击及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或闩锁效应。所有引脚采用IEC61000 - 4 - 2空气放电法可承受15kV的ESD脉冲，能满足4级要求。

数据手册

10+
￥0.3374
100+
￥0.2709
300+
￥0.2377
3000+
￥0.2076

有货

立即购买

型号：PTVSHC3N7VU 编号：C110756

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N7VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，且与MLV相比，不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC3N7VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N7VU采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为7V。它可满足IEC 61000 - 4 - 2标准的ESD抗扰度要求（±30KV空气放电、±30KV接触放电）。

数据手册

10+
￥0.4439
100+
￥0.3575
300+
￥0.3143
3000+
￥0.2729

有货

立即购买

型号：PESDNC2FD5VBN 编号：C42377817

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2FD5VBN可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低等。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性

100+
￥0.0379
1000+
￥0.0295
3000+
￥0.0249

有货

立即购买

型号：PESDNC2FD7VB 编号：C1021684

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2FD7VB可保护敏感的半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件导致的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。这让设计人员在不适合使用阵列的应用中，能够灵活地保护一条双向线路

数据手册

50+
￥0.0813
500+
￥0.0624
1500+
￥0.0519

有货

立即购买

型号：PESDHC2FD5VBHL 编号：C42377813

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDHC2FD5VBHL可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。这使设计人员在不适合使用阵列的应用中能够灵活地保护一条双向线路

20+
￥0.1281
200+
￥0.1001
600+
￥0.0845
2000+
￥0.0751

有货

立即购买

型号：PESDNC5D5VB 编号：C110698

封装：SOD-523

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC5D5VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低。这使设计人员在不适合使用阵列的应用中，能灵活地保护一条双向线路

数据手册

20+
￥0.13
200+
￥0.0997
600+
￥0.0829
3000+
￥0.0729

有货

立即购买

型号：PESDNC2FD12VBH 编号：C169332

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2FD12VBH可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件而损坏或出现故障。它们具有大横截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。

数据手册

20+
￥0.132
200+
￥0.1028
600+
￥0.0866
2000+
￥0.0769

有货

立即购买

型号：PDTC143ZM 编号：C110684

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计。应用：反相器接口驱动器

数据手册

20+
￥0.1347
200+
￥0.1067
600+
￥0.0911
2000+
￥0.0817

有货

立即购买

型号：PESDUC2FD3V3B 编号：C5457215

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDUC2FD3V3B静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，与MLV相比，在电路板级保护方面具有理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低且无器件性能退化问题。PESDUC2FD3V3B可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件的损坏或干扰。PESDUC2FD3V3B采用DFN1006 - 2L封装，工作电压为3.3伏。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以分散布置在电路板上。

20+
￥0.154
200+
￥0.1199
600+
￥0.101
2000+
￥0.0897

有货

立即购买

型号：P14C13 编号：C5274035

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

P14C13是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压固定为6.0V。当任何输入电压超过阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。过温保护（OTP）功能可监测芯片温度，保护器件

10+
￥0.2434
100+
￥0.192
300+
￥0.1664
3000+
￥0.1471

有货

立即购买

型号：PTVSHC3D4V5B 编号：C110752

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

10+
￥0.2876
100+
￥0.2269
300+
￥0.1965

有货

立即购买

型号：PT23T3904 编号：C110744

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

特性：该器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。

数据手册

50+
￥0.0755
500+
￥0.0583
3000+
￥0.0487

有货

立即购买

型号：PESDNC9D5VB 编号：C110702

封装：SOD-923

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

50+
￥0.1102
500+
￥0.0854
1500+
￥0.0716

有货

立即购买

型号：PESDHC2FD5V5BH 编号：C33548762

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。它们具有大横截面积结，用于传导高瞬态电流，为板级保护提供理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。它使设计人员能够在阵列不实用的应用中灵活保护一条双向线路。

50+
￥0.1114
500+
￥0.0874
1500+
￥0.0741

有货

立即购买

型号：PESDNC2FD30VB 编号：C42377816

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2FD30VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。这使设计人员在不适合使用阵列的应用中能够灵活地保护一条双向线路

20+
￥0.1452
200+
￥0.1139
600+
￥0.0965
2000+
￥0.0861

有货

立即购买

型号：PTVSHC1DF12VBH 编号：C110748

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

10+
￥0.2436
100+
￥0.1932
300+
￥0.168
3000+
￥0.1438

有货

立即购买

型号：PESDNC2XD5VBL 编号：C496541

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2XD5VBL可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条单向线路的灵活性。

数据手册

50+
￥0.05852 ￥0.0665
500+
￥0.040716 ￥0.0522
1500+
￥0.030056 ￥0.0442
10000+
￥0.026792 ￥0.0394
20000+
￥0.024004 ￥0.0353

有货

立即购买

型号：PESDHC2FD4V8UF 编号：C918814

封装：DFN1006-2

品牌：Prisemi(芯导)

ESD保护器旨在取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和PDA）中的多层压敏电阻（MLV）。它们具有大横截面积结，用于传导高瞬态电流，为电路板级保护提供理想的电气特性，如快速响应时间、较低的工作电压、较低的钳位电压，并且与MLV相比，无器件性能下降问题。该保护器可保护敏感半导体组件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件的损坏或故障。该产品采用DFN1006-2L封装，工作电压为4.8V，使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护单向线路。此外，它还可在电路板空间有限的应用中灵活布置。

50+
￥0.1035
500+
￥0.0774
1500+
￥0.063

有货

立即购买

型号：PESDSC2FD5VU 编号：C312242

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDSC2FD5VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，且与MLV相比无器件性能退化问题。PESDSC2FD5VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。PESDSC2FD5VU采用DFN1006 - 2L封装，工作电压为5伏。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以“分散”布置在电路板周围。该器件可用于满足IEC 61000 - 4 - 2标准4级（±15 KV空气放电、±8 KV接触放电）的ESD抗扰度要求。

数据手册

50+
￥0.1101
500+
￥0.0858
1500+
￥0.0723

有货

立即购买

型号：PESDNC9D7VU 编号：C168634

封装：SOD-923

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC9D7VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，与MLV相比，在电路板级保护方面具有理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低且无器件性能退化。PESDNC9D7VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PESDNC9D7VU采用SOD - 923封装，工作电压为5伏。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以分散布置在电路板周围。该器件可用于满足IEC 61000 - 4 - 2（±30KV空气放电、±30KV接触放电）的ESD抗扰度要求。

数据手册

20+
￥0.1344
200+
￥0.1047
600+
￥0.0882
2000+
￥0.0783

有货

立即购买

型号：PDTC123JE 编号：C5162511

封装：SOT-523

品牌：Prisemi(芯导)

特性：内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。几乎完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件，便于设备设计。应用：逆变器接口驱动器

数据手册

20+
￥0.1482
200+
￥0.1179
600+
￥0.1011

有货

立即购买

型号：PDTC114YE 编号：C918812

封装：SOT-523

品牌：Prisemi(芯导)

特性：内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。几乎完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件，便于设备设计。应用：反相器接口驱动器

数据手册

20+
￥0.149
200+
￥0.116
600+
￥0.0977

有货

立即购买

型号：PNM723T30V01 编号：C169330

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

PNM723T30V01专为高速开关应用而设计。该增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。

数据手册

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283
2000+
￥0.1139

有货

立即购买

型号：PTVSHC1DF7VBH 编号：C110751

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

10+
￥0.2521
100+
￥0.1993
300+
￥0.1729

有货

立即购买

型号：PTVSHC1SF28VBH 编号：C918842

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC1SF28VBH TVS 保护器旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中的多层压敏电阻 (MLV)。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与 MLV 相比无器件性能退化问题。PTVSHC1SF28VBH 可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC1SF28VBH 采用 SOD - 123FL 封装，工作电压为 28 伏。

数据手册

10+
￥0.2979
100+
￥0.2355
300+
￥0.2043
3000+
￥0.1809

有货

立即购买

型号：PTVSHC3D9VU 编号：C312230

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3D9VU瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与MLV相比，不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC3D9VU可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障

数据手册

10+
￥0.3088
100+
￥0.244
300+
￥0.2116
3000+
￥0.182

有货

立即购买

型号：PTVSUC3D5VB 编号：C918847

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSUC3D5VB是一款用于高速数据接口的超低电容瞬态电压抑制器，旨在保护敏感电子设备免受因静电放电、雷击和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闩锁。所有引脚采用IEC61000 - 4 - 2空气放电法，可承受15kV静电放电脉冲，能满足4级要求。

数据手册

10+
￥0.3093
100+
￥0.2445
300+
￥0.2121

有货

立即购买

型号：PTVSLC3D24VB 编号：C918846

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSLC3D24VB是一款用于高速数据接口的低电容瞬态电压抑制器，旨在保护敏感电子设备免受因静电放电（ESD）、雷击和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或闩锁效应。所有引脚采用IEC61000 - 4 - 2空气放电法，可承受20 kV的ESD脉冲，能满足4级要求。

数据手册

10+
￥0.3866
100+
￥0.3098
300+
￥0.2714

有货

立即购买

型号：PTVSHC3N4V5B 编号：C312224

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N4V5B瞬态电压抑制器专为在便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中替代多层压敏电阻 (MLV) 而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与 MLV 相比无器件性能退化问题。PTVSHC3N4V5B可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N4V5B采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为4.5伏。它用于满足IEC 61000 - 4 - 2（±30KV空气放电、±30kV接触放电）的ESD抗扰度要求。

数据手册

10+
￥0.5022
100+
￥0.3934
300+
￥0.339

有货

立即购买

型号：PSM712 编号：C2875817

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

PSM712可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。

数据手册

5+
￥0.5412
50+
￥0.426
150+
￥0.3684
500+
￥0.3252

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示