Prisemi二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PPM8PN30V25 编号：C6807698

封装：PDFN-8L

品牌：Prisemi(芯导)

使用先进的沟槽技术，提供出色的低导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

5+
￥0.988
50+
￥0.7738
150+
￥0.682
500+
￥0.5674
2500+
￥0.5164

有货

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型号：PESDHC2FD4V5BH 编号：C168625

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDHC2FD4V5BH 可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。它们具有大横截面积的结点，可传导高瞬态电流，并提供理想的板级保护电气特性，例如快速响应时间和低工作电压。

数据手册

50+
￥0.0846
500+
￥0.0667
1500+
￥0.0567

有货

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型号：PNT723T503E0-2 编号：C110720

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

特性：该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。集电极：3个。封装：SOT-723。发射极-基极击穿电压：11V。高直流电流增益，典型值380。低饱和电压：80mV。连续集电极电流：0.15A。 NPN开关晶体管

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20+
￥0.1537
200+
￥0.1213
600+
￥0.1033
2000+
￥0.0925

有货

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型号：PNM723T703E0-2 编号：C110713

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

N沟,40V,180mA,7.5Ω@10V

数据手册

20+
￥0.1674
200+
￥0.1349
600+
￥0.1168
2000+
￥0.1059

有货

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型号：PESDREC2XD5VBF 编号：C42377818

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDREC2XD5VBF是一款超低电容的静电放电（ESD）保护器件，专为保护高速线路而设计。它可保护敏感的半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件所造成的损坏或故障。该器件的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适合板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低等

20+
￥0.1702
200+
￥0.134
600+
￥0.1139
2000+
￥0.1019

有货

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型号：PPMT12V4 编号：C110724

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

P沟,-12V,-4.3A,45mΩ@-4.5V

数据手册

10+
￥0.2466
100+
￥0.1976
300+
￥0.1731
3000+
￥0.1547
6000+
￥0.1401

有货

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型号：PESDMC2FD18VB 编号：C110703

封装：DFN1006-2

品牌：Prisemi(芯导)

8KV接触, 15KV空隙放电

数据手册

20+
￥0.2939
200+
￥0.2286
600+
￥0.1923
2000+
￥0.1705

有货

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型号：PESDNC2XD5VB 编号：C110696

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

50+
￥0.0669
500+
￥0.0513
1500+
￥0.0427

有货

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型号：PNM3FD20V1E 编号：C2875806

封装：DFN1006-3L

品牌：Prisemi(芯导)

MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。

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50+
￥0.0979
500+
￥0.0774
1500+
￥0.0659

有货

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型号：PESDNC2FD5VBH 编号：C168626

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2FD5VBH可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

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50+
￥0.0983
500+
￥0.0767
1500+
￥0.0647

有货

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型号：PESDNC2XD3V3B 编号：C495448

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2XD3V3B可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护单条单向线路的灵活性。

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50+
￥0.0987
500+
￥0.0809
1500+
￥0.071

有货

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型号：PDTC143ZE 编号：C110683

封装：SOT-523

品牌：Prisemi(芯导)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作，便于设备设计。应用：反相器接口驱动器

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20+
￥0.1401
200+
￥0.1099
600+
￥0.0931
3000+
￥0.0796

有货

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型号：PDTC114YE 编号：C918812

封装：SOT-523

品牌：Prisemi(芯导)

特性：内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。几乎完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件，便于设备设计。应用：反相器接口驱动器

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20+
￥0.1506
200+
￥0.1177
600+
￥0.0994
3000+
￥0.0884

有货

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型号：PESDUC3FD3V3U 编号：C2875801

封装：DFN1006-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDUC3FD3V3U静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流；与MLV相比，在板级保护方面具有出色的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低且无器件性能退化问题。PESDUC3FD3V3U可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件而损坏或出现故障。PESDUC3FD3V3U采用DFN1006 - 3L封装，工作电压为3.3V。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以灵活地分布在电路板各处。

20+
￥0.1873
200+
￥0.1441
600+
￥0.1201
2000+
￥0.1057

有货

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型号：PTVSHC2EN7VU 编号：C168629

封装：DFN1610-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC2EN7VU静电放电（ESD）保护器专为在便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA））中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比，无器件性能退化问题。PTVSHC2EN7VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。PTVSHC2EN7VU采用DFN1610 - 2L封装，工作电压为7伏。它用于满足IEC 61000 - 4 - 2（±30kV空气放电、±30kV接触放电）的ESD抗扰度要求。

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10+
￥0.2763
100+
￥0.2187
300+
￥0.1899
3000+
￥0.1683

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型号：PESDHC2FD5V5BH 编号：C33548762

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。它们具有大横截面积结，用于传导高瞬态电流，为板级保护提供理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。它使设计人员能够在阵列不实用的应用中灵活保护一条双向线路。

50+
￥0.1114
500+
￥0.0874
1500+
￥0.0741

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型号：PESDUC2XD5VB 编号：C312245

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDUC2XD5VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压感应瞬态事件导致的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条单向线路的灵活性。

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50+
￥0.1174
500+
￥0.0914
1500+
￥0.077

有货

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型号：PESDHC2FD5VBH 编号：C110687

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

20+
￥0.1582
200+
￥0.1258
600+
￥0.1078
2000+
￥0.097

有货

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型号：PNM723T201E0 编号：C110712

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

N沟,20V,1A,0.2Ω@4.5V

数据手册

20+
￥0.1588
200+
￥0.1253
600+
￥0.1067
2000+
￥0.0955

有货

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型号：PESDSC2FD5VB 编号：C2875798

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDSC2FD5VB可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或出现故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

数据手册

20+
￥0.1855
200+
￥0.152
600+
￥0.1334
2000+
￥0.1222

有货

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型号：PPMT30V4 编号：C110725

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

P沟,-30V,-4.2A,53mΩ@-10V

数据手册

20+
￥0.2284
200+
￥0.1755
600+
￥0.1461
3000+
￥0.1284

有货

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型号：PSM712 编号：C2875817

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

PSM712可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。

数据手册

5+
￥0.5412
50+
￥0.426
150+
￥0.3684
500+
￥0.3252

有货

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型号：PPM6N12V10 编号：C1021687

封装：DFN2x2-6L

品牌：Prisemi(芯导)

增强型MOS管具备极高的单元密度和较低的导通电阻。

数据手册

5+
￥0.8698
50+
￥0.697
150+
￥0.6106
500+
￥0.5458

有货

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型号：PESDNC2XD5VBL 编号：C496541

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2XD5VBL可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条单向线路的灵活性。

数据手册

50+
￥0.04921 ￥0.0665
500+
￥0.033408 ￥0.0522
1500+
￥0.023868 ￥0.0442
10000+
￥0.021276 ￥0.0394
20000+
￥0.019062 ￥0.0353

有货

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型号：PESDHC2FD7VU 编号：C169333

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDHC2FD7VU静电放电（ESD）保护器专为替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中的多层压敏电阻 (MLV) 而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，与MLV相比，具有快速响应时间、较低工作电压、较低钳位电压且无器件性能退化等理想的板级保护电气特性。PESDHC2FD7VU可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PESDHC2FD7VU采用DFN1006-2L封装，工作电压为7V。它为设计人员提供了在不适合使用阵列的应用中保护单条单向线路的灵活性。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以“分散”布置在电路板周围。

数据手册

20+
￥0.05259 ￥0.1753
200+
￥0.0275 ￥0.1375
600+
￥0.01165 ￥0.1165
2000+
￥0.01039 ￥0.1039
10000+
￥0.0093 ￥0.093

有货

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型号：PT23T3904 编号：C110744

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

特性：该器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。

数据手册

50+
￥0.0755
500+
￥0.0583
3000+
￥0.0487

有货

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型号：PESDSC2FD5VU 编号：C312242

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDSC2FD5VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，且与MLV相比无器件性能退化问题。PESDSC2FD5VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。PESDSC2FD5VU采用DFN1006 - 2L封装，工作电压为5伏。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以“分散”布置在电路板周围。该器件可用于满足IEC 61000 - 4 - 2标准4级（±15 KV空气放电、±8 KV接触放电）的ESD抗扰度要求。

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