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首页 > 热门关键词 > Prisemi二极管
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P1N4007
型号：P1N4007 编号：C6807713
封装：SOD-123FL
品牌：Prisemi(芯导)

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    ￥0.0513

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    ￥0.0488
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    预售商品
    PES1DW
    型号：PES1DW 编号：C6807711
    封装：SOD-123FL
    品牌：Prisemi(芯导)

    • 1+

      ￥0.1898

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    PBAT54C
    型号：PBAT54C 编号：C6807704
    封装：SOT-23
    品牌：Prisemi(芯导)

    • 1+

      ￥0.2693

    • 200+

      ￥0.1075

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      ￥0.1039

    • 1000+

      ￥0.1021
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    PSBDAF40V5
    型号：PSBDAF40V5 编号：C6807712
    封装：SMAF
    品牌：Prisemi(芯导)

    • 1+

      ￥0.612

    • 200+

      ￥0.2442

    • 500+

      ￥0.2361

    • 1000+

      ￥0.232
  • 订货
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    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：5.5A@8/20us
    型号：PESDNC2FD5VB 编号：C110694
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    30KV接触, 30KV空隙放电
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0418

    • 1000+

      ￥0.0316

    • 3000+

      ￥0.0271

    • 10000+

      ￥0.0239

    • 50000+

      ￥0.0226

    • 100000+

      ￥0.0217
  • 有货
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    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：5A
    型号：PESDNC2FD5VBS 编号：C110695
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    30KV接触, 30KV空隙放电
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0465

    • 1000+

      ￥0.0369

    • 3000+

      ￥0.0316

    • 10000+

      ￥0.0284

    • 40000+

      ￥0.0256

    • 80000+

      ￥0.0241
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：5.5A@8/20us
    型号：PESDUC2FD5VB 编号：C110704
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    12KV接触, 15KV空隙放电
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0965

    • 500+

      ￥0.0765

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      ￥0.0654

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      ￥0.0588

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      ￥0.053

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      ￥0.0499
  • 有货
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    双向TVS 3.3V截止 峰值脉冲电流：5A@8/20us
    型号：PESDNC2FD3V3BS 编号：C496536
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    PESDNC2FD3V3BS可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0613

    • 500+

      ￥0.0489

    • 1500+

      ￥0.042

    • 5000+

      ￥0.0378

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      ￥0.033

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      ￥0.0311
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    双向ESD 12V截止 峰值脉冲电流：4A
    型号：PESDNC2FD12VB 编号：C110692
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    30KV接触, 30KV空隙放电
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0862

    • 500+

      ￥0.0684

    • 1500+

      ￥0.0585

    • 10000+

      ￥0.0525

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      ￥0.0474
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    TVS 5.1V截止 峰值浪涌电流：160A@8/20us
    型号：PTVSHC3D4V5BH 编号：C312229
    封装：SOD-323
    品牌：Prisemi(芯导)
    PTVSHC3D4V5BH静电放电（ESD）保护器专为替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中的多层压敏电阻 (MLV) 而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与MLV相比，不会出现器件性能下降的情况。PTVSHC3D4V5BH可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3303

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      ￥0.2575

    • 300+

      ￥0.2211

    • 3000+

      ￥0.1937

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      ￥0.1719

    • 9000+

      ￥0.1609
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    过压保护开关 耐压:30V 电流:3A
    型号：P14C5N 编号：C2880327
    封装：DFN2x2-8L
    品牌：Prisemi(芯导)
    P14C5N是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压可调。当任何输入电压超过阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。当OVLO输入设置为低于外部OVLO选择电压时，P14C5N会自动选择内部固定的OVLO阈值电压
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7461

    • 50+

      ￥0.5877

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      ￥0.5085

    • 500+

      ￥0.4491

    • 3000+

      ￥0.3883

    • 6000+

      ￥0.3645
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    双向3.3V普通电容ESD保护器
    型号：PESDNC2FD3V3B 编号：C492728
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    PESDNC2FD3V3B可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压瞬态事件造成的损坏或故障。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0671

    • 500+

      ￥0.0547

    • 1500+

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    • 20000+

      ￥0.0401
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    TVS 24V截止 峰值浪涌电流：185A@8/20us
    型号：PTVSHC1TF24VBH 编号：C312240
    封装：SOD-123FL
    品牌：Prisemi(芯导)
    PTVSHC1TF24VBH瞬态电压抑制器旨在替代手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中的多层压敏电阻（MLV）。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC1TF24VBH可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压瞬态事件导致的损坏或故障。PTVSHC1TF24VBH采用SOD - 123FL封装，工作电压为24伏。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2465

    • 100+

      ￥0.1947

    • 300+

      ￥0.1687

    • 3000+

      ￥0.1493

    • 6000+

      ￥0.1337

    • 9000+

      ￥0.126
  • 有货
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    双向 4.5V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：PESDNC2FD4V5B 编号：C496539
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    PESDNC2FD4V5B可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低等。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0617

    • 500+

      ￥0.0529

    • 1500+

      ￥0.0481

    • 5000+

      ￥0.0452

    • 25000+

      ￥0.0426
  • 有货
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    双向ESD 18V截止 峰值脉冲电流：2.5A@8/20us
    型号：PESDMC2FD18VB 编号：C110703
    封装：DFN1006-2
    品牌：Prisemi(芯导)
    8KV接触, 15KV空隙放电
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2835

    • 200+

      ￥0.2182

    • 600+

      ￥0.1819

    • 2000+

      ￥0.1601
  • 有货
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    双向ESD 4.5V截止 峰值脉冲电流：36A@8/20us
    型号：PESDHC2FD4V5BH 编号：C168625
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    PESDHC2FD4V5BH 可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。它们具有大横截面积的结点，可传导高瞬态电流，并提供理想的板级保护电气特性，例如快速响应时间和低工作电压。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0868

    • 500+

      ￥0.0684

    • 1500+

      ￥0.0582

    • 10000+

      ￥0.0507

    • 20000+

      ￥0.0454
  • 有货
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    NPN 电流:0.15A 电压:50V
    型号：PNT723T503E0-2 编号：C110720
    封装：SOT-723
    品牌：Prisemi(芯导)
    特性：该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。 集电极：3个。 封装：SOT-723。 发射极-基极击穿电压：11V。 高直流电流增益，典型值380。 低饱和电压：80mV。 连续集电极电流：0.15A。 NPN开关晶体管
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1483

    • 200+

      ￥0.1159

    • 600+

      ￥0.0979

    • 2000+

      ￥0.0871

    • 10000+

      ￥0.0778
  • 有货
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    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：4.2A
    型号：PESDMC2FD5VB 编号：C312241
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    PESDMC2FD5VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1553

    • 200+

      ￥0.1224

    • 600+

      ￥0.1041

    • 2000+

      ￥0.0931

    • 10000+

      ￥0.0836
  • 有货
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    双向TVS 12V截止 峰值脉冲电流：120A@8/20us
    型号：PTVSHC1DF12VB 编号：C110747
    封装：SOD-123FL
    品牌：Prisemi(芯导)
    30KV接触, 30KV空隙放电
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2434

    • 100+

      ￥0.193

    • 300+

      ￥0.1678

    • 3000+

      ￥0.1489

    • 6000+

      ￥0.1338
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：PESDWC2XD5VB 编号：C718482
    封装：DFN0603-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    PESDWC2XD5VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压感应瞬态事件导致的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。这使设计人员在不适合使用阵列的应用中，能够灵活地保护一条双向线路
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0882

    • 500+

      ￥0.061272 ￥0.0666

    • 1500+

      ￥0.044772 ￥0.0546

    • 10000+

      ￥0.038868 ￥0.0474
  • 有货
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    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：10A
    型号：PESDNC2FD5VBH 编号：C168626
    封装：DFN1006-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    PESDNC2FD5VBH可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0983

    • 500+

      ￥0.0767

    • 1500+

      ￥0.0647
  • 有货
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    5V
    型号：PTVSHC3D5VB 编号：C718484
    封装：SOD-323
    品牌：Prisemi(芯导)
    PTVSHC3D5VB静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3D5VB可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3D5VB采用SOD - 323封装，工作电压为5V。它用于满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求（±30kV空气放电、±30kV接触放电）。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2423

    • 100+

      ￥0.1925

    • 300+

      ￥0.1675

    • 3000+

      ￥0.1488

    • 6000+

      ￥0.1339
  • 有货
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    Over voltage protector OVP SOT23-6L
    型号：P14C1S 编号：C2880326
    封装：SOT-23-6L
    品牌：Prisemi(芯导)
    P14C1S是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压固定为6.0V。当任何输入电压超过该阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。

    • 10+

      ￥0.309

    • 100+

      ￥0.2409

    • 300+

      ￥0.2068

    • 3000+

      ￥0.1812

    • 6000+

      ￥0.1608

    • 9000+

      ￥0.1506
  • 有货
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    1个P沟道
    型号：PPM8PN30V25 编号：C6807698
    封装：PDFN-8L
    品牌：Prisemi(芯导)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的低导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

    • 5+

      ￥0.9973

    • 50+

      ￥0.7831

    • 150+

      ￥0.6913

    • 500+

      ￥0.5768

    • 2500+

      ￥0.5258
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：5A
    型号：PESDNC2XD5VB 编号：C110696
    封装：DFN0603-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    30KV接触, 30KV空隙放电
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    • 50+

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    数字晶体管（内置电阻）
    型号：PDTC143ZE 编号：C110683
    封装：SOT-523
    品牌：Prisemi(芯导)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。 几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作，便于设备设计。应用：反相器接口驱动器
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:1A
    型号：PNM723T201E0 编号：C110712
    封装：SOT-723
    品牌：Prisemi(芯导)
    N沟,20V,1A,0.2Ω@4.5V
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    双向 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：PESDREC2XD5VBF 编号：C42377818
    封装：DFN0603-2L
    品牌：Prisemi(芯导)
    PESDREC2XD5VBF是一款超低电容的静电放电（ESD）保护器件，专为保护高速线路而设计。它可保护敏感的半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件所造成的损坏或故障。该器件的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适合板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低等

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    P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：PPMT30V4 编号：C110725
    封装：SOT-23
    品牌：Prisemi(芯导)
    P沟,-30V,-4.2A,53mΩ@-10V
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    单向TVS 3.3V截止 峰值浪涌电流：15A@8/20us
    型号：PESDHC3D3V3U 编号：C496538
    封装：SOD-323
    品牌：Prisemi(芯导)
    PESDHC3D3V3U可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条单向线路的灵活性。
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