Prisemi二极管_厂家_价格_品牌_库存

预售商品

型号：P1N4007 编号：C6807713

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

1+
￥0.1286
200+
￥0.0513
500+
￥0.0496
1000+
￥0.0488

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预售商品

型号：PES1DW 编号：C6807711

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

1+
￥0.1898
200+
￥0.0757
500+
￥0.0732
1000+
￥0.072

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预售商品

型号：PBAT54C 编号：C6807704

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

1+
￥0.2693
200+
￥0.1075
500+
￥0.1039
1000+
￥0.1021

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预售商品

型号：PSBDAF40V5 编号：C6807712

封装：SMAF

品牌：Prisemi(芯导)

1+
￥0.612
200+
￥0.2442
500+
￥0.2361
1000+
￥0.232

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型号：PESDNC2FD5VB 编号：C110694

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

100+
￥0.0476
1000+
￥0.0365
3000+
￥0.0302
10000+
￥0.0267
50000+
￥0.0235
100000+
￥0.0217

有货

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型号：PESDNC2FD5VBS 编号：C110695

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

100+
￥0.0465
1000+
￥0.0369
3000+
￥0.0316
10000+
￥0.0284
40000+
￥0.0256
80000+
￥0.0241

有货

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型号：PESDUC2FD5VB 编号：C110704

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

12KV接触, 15KV空隙放电

数据手册

50+
￥0.0971
500+
￥0.0771
1500+
￥0.0659
10000+
￥0.0592
20000+
￥0.0534
50000+
￥0.0503

有货

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型号：PTVSHC3D4V5B 编号：C110752

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

10+
￥0.2548
100+
￥0.206
300+
￥0.1816
3000+
￥0.1592
6000+
￥0.1446
9000+
￥0.1373

有货

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型号：PTVSHC1TF24VBH 编号：C312240

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC1TF24VBH瞬态电压抑制器旨在替代手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中的多层压敏电阻（MLV）。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC1TF24VBH可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压瞬态事件导致的损坏或故障。PTVSHC1TF24VBH采用SOD - 123FL封装，工作电压为24伏。

数据手册

10+
￥0.261
100+
￥0.2092
300+
￥0.1832
3000+
￥0.1638
6000+
￥0.1483
9000+
￥0.1405

有货

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型号：PTVSHC3D4V5BH 编号：C312229

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3D4V5BH静电放电（ESD）保护器专为替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中的多层压敏电阻 (MLV) 而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与MLV相比，不会出现器件性能下降的情况。PTVSHC3D4V5BH可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障

数据手册

20+
￥0.2892
200+
￥0.2227
600+
￥0.1857
3000+
￥0.1635
9000+
￥0.1443
21000+
￥0.1339

有货

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型号：PESDNC2FD12VB 编号：C110692

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

50+
￥0.0793
500+
￥0.0629
1500+
￥0.0538
10000+
￥0.0484
20000+
￥0.0436

有货

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型号：PESDNC3D5VB 编号：C226257

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC3D5VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大横截面积结，可传导高瞬态电流，具备适合电路板级保护的电气特性，如响应时间快、工作电压低。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活保护一条双向线路。

数据手册

20+
￥0.1982
200+
￥0.1561
600+
￥0.1327
3000+
￥0.1186
9000+
￥0.1064
21000+
￥0.0999

有货

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型号：P14C5N 编号：C2880327

封装：DFN2x2-8L

品牌：Prisemi(芯导)

P14C5N是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压可调。当任何输入电压超过阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。当OVLO输入设置为低于外部OVLO选择电压时，P14C5N会自动选择内部固定的OVLO阈值电压

数据手册

5+
￥0.746
50+
￥0.5876
150+
￥0.5084
500+
￥0.449
3000+
￥0.3883
6000+
￥0.3645

有货

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型号：PESDMC2FD5VB 编号：C312241

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDMC2FD5VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

数据手册

20+
￥0.1553
200+
￥0.1224
600+
￥0.1041
2000+
￥0.0931
10000+
￥0.0836
20000+
￥0.0785

有货

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型号：PTVSHC3N7VU 编号：C110756

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N7VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，且与MLV相比，不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC3N7VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N7VU采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为7V。它可满足IEC 61000 - 4 - 2标准的ESD抗扰度要求（±30KV空气放电、±30KV接触放电）。

数据手册

10+
￥0.452
100+
￥0.364
300+
￥0.32
3000+
￥0.2779
6000+
￥0.2515
9000+
￥0.2383

有货

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型号：PESDNC2FD4V5B 编号：C496539

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2FD4V5B可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低等。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

数据手册

50+
￥0.0617
500+
￥0.0529
1500+
￥0.0481
5000+
￥0.0452
25000+
￥0.0426

有货

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型号：PTVSHC3D7VU 编号：C110753

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

20+
￥0.2226
200+
￥0.1746
600+
￥0.1506
3000+
￥0.1287
9000+
￥0.1143

有货

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型号：PTVSHC1SF28VBH 编号：C918842

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC1SF28VBH TVS 保护器旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中的多层压敏电阻 (MLV)。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与 MLV 相比无器件性能退化问题。PTVSHC1SF28VBH 可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC1SF28VBH 采用 SOD - 123FL 封装，工作电压为 28 伏。

数据手册

10+
￥0.2979
100+
￥0.2355
300+
￥0.2043
3000+
￥0.1809
6000+
￥0.1622

有货

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型号：PESDNC2FD5VBN 编号：C42377817

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2FD5VBN可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低等。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性

100+
￥0.0379
1000+
￥0.0295
3000+
￥0.0249
10000+
￥0.0221

有货

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型号：PESDNC2FD3V3BS 编号：C496536

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2FD3V3BS可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。

数据手册

50+
￥0.0613
500+
￥0.0489
1500+
￥0.042
5000+
￥0.0378

有货

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型号：PTVSHC1DF12VBH 编号：C110748

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

10+
￥0.2436
100+
￥0.1932
300+
￥0.168
3000+
￥0.1438
6000+
￥0.1287

有货

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型号：PESDNC2FD3V3B 编号：C492728

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2FD3V3B可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压瞬态事件造成的损坏或故障。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

数据手册

50+
￥0.068
500+
￥0.0554
1500+
￥0.0485
10000+
￥0.0443

有货

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型号：PESDNC2FD7VB 编号：C1021684

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDNC2FD7VB可保护敏感的半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件导致的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如快速响应时间、低工作电压。这让设计人员在不适合使用阵列的应用中，能够灵活地保护一条双向线路

数据手册

50+
￥0.0813
500+
￥0.0624
1500+
￥0.0519
10000+
￥0.0456

有货

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型号：P14C13 编号：C5274035

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

P14C13是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压固定为6.0V。当任何输入电压超过阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。过温保护（OTP）功能可监测芯片温度，保护器件

10+
￥0.2564
100+
￥0.205
300+
￥0.1793
3000+
￥0.1601
6000+
￥0.1447
9000+
￥0.1369

有货

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型号：PESDWC2XD5VB 编号：C718482

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDWC2XD5VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压感应瞬态事件导致的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。这使设计人员在不适合使用阵列的应用中，能够灵活地保护一条双向线路

数据手册

50+
￥0.088176 ￥0.1002
500+
￥0.061308 ￥0.0786
1500+
￥0.045288 ￥0.0666
10000+
￥0.040392 ￥0.0594

有货

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型号：PESDUC2XD3V3BF 编号：C718489

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDUC2XD3V3BF可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护单条单向线路的灵活性。

数据手册

20+
￥0.1505
200+
￥0.1192
600+
￥0.1018
2000+
￥0.0914

有货

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型号：PESDUC2FD3V3B 编号：C5457215

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

PESDUC2FD3V3B静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，与MLV相比，在电路板级保护方面具有理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低且无器件性能退化问题。PESDUC2FD3V3B可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件的损坏或干扰。PESDUC2FD3V3B采用DFN1006 - 2L封装，工作电压为3.3伏。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以分散布置在电路板上。

20+
￥0.1559
200+
￥0.1219
600+
￥0.103
2000+
￥0.0917

有货

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型号：PTVSHC1DF12VB 编号：C110747

封装：SOD-123FL

品牌：Prisemi(芯导)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

10+
￥0.2301
100+
￥0.1797
300+
￥0.1545
3000+
￥0.1356
6000+
￥0.1205

有货

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型号：PTVSLC3D3V3B 编号：C246774

封装：SOD-323

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSLC3D3V3B是一款用于高速数据接口的低电容瞬态电压抑制器，旨在保护敏感电子设备免受因静电放电（ESD）、雷击及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或闩锁效应。所有引脚采用IEC61000 - 4 - 2空气放电法可承受15kV的ESD脉冲，能满足4级要求。

数据手册

10+
￥0.3347
100+
￥0.2687
300+
￥0.2358
3000+
￥0.2059

有货

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型号：PTVSHC3N4V5B 编号：C312224

封装：DFN2x2-3L

品牌：Prisemi(芯导)

PTVSHC3N4V5B瞬态电压抑制器专为在便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中替代多层压敏电阻 (MLV) 而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与 MLV 相比无器件性能退化问题。PTVSHC3N4V5B可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N4V5B采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为4.5伏。它用于满足IEC 61000 - 4 - 2（±30KV空气放电、±30kV接触放电）的ESD抗扰度要求。

数据手册

10+
￥0.4754
100+
￥0.3724
300+
￥0.3209
3000+
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