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首页 > 热门关键词 > TOSHIBA二极管
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特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.32Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 8.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 100μA(最大值)(VDS = 650V)。 增强模式:Vth = 5.0 至 5.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
  • 1+

    ¥6.28
  • 10+

    ¥5.64
  • 50+

    ¥5.03
  • 100+

    ¥4.63
  • 有货
    • 1+

      ¥7.09
    • 10+

      ¥5.83
    • 50+

      ¥5.14
    • 100+

      ¥4.36
    • 500+

      ¥4.01
    • 1000+

      ¥3.85
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:使用超级结结构DTMOS,RDS(ON) = 0.43Ω(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:VtA = 3至4V,VDS = 10V,ID = 0.24mA。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥7.97
    • 10+

      ¥6.6
    • 30+

      ¥5.85
    • 100+

      ¥5
    • 500+

      ¥4.62
    • 1000+

      ¥4.45
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.265Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:VDA = 2.7至3.7V,VDS = 10V,ID = 0.6mA。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.35
    • 10+

      ¥6.8
    • 50+

      ¥5.69
    • 100+

      ¥4.73
    • 500+

      ¥4.31
    • 1000+

      ¥4.11
  • 有货
  • 是一款20Mbps的低功耗光耦合器,采用小型SO6L封装。封装厚度最大为2.3mm,保证隔离电压为5kVrms,符合加强绝缘的国际安全标准。在-40℃至125℃的整个工作温度范围内,最大电源电流仅为0.4mA,可在低至2.7V的电源电压下工作,有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA,允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和电流吸收能力。内部有法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.69
    • 10+

      ¥8.89
    • 30+

      ¥7.9
    • 100+

      ¥6.56
    • 500+

      ¥6.06
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.16 Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.7 至 3.7 V(VDS = 10 V,ID = 0.79 mA)。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥12.77
    • 10+

      ¥10.73
    • 30+

      ¥9.44
    • 100+

      ¥8.13
  • 有货
    • 1+

      ¥18.86
    • 10+

      ¥16.05
    • 30+

      ¥14.38
    • 100+

      ¥12.69
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:IC = 150mA(最大)。 高hFE,hFE = 70至700。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大)。应用:低频放大器。 音频通用放大器应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1888
    • 200+

      ¥0.1483
    • 600+

      ¥0.1258
    • 3000+

      ¥0.1013
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2301至RN2306互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 10+

      ¥0.3295
    • 100+

      ¥0.2575
    • 300+

      ¥0.2215
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN1401至RN1406互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 10+

      ¥0.3397
    • 100+

      ¥0.2647
    • 300+

      ¥0.2273
  • 有货
  • 特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。RDS(ON) = 300 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。RDS(ON) = 480 mΩ (最大值) (@VGS = 1.8 V)。RDS(ON) = 840 mΩ (最大值) (@VGS = 1.5 V)。应用:高速开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4013
    • 50+

      ¥0.3533
    • 150+

      ¥0.3293
    • 500+

      ¥0.3113
    • 2500+

      ¥0.2969
    • 5000+

      ¥0.2897
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2401至RN2406互补。应用:开关。 逆变器电路
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4324
    • 100+

      ¥0.346
    • 300+

      ¥0.3028
  • 有货
  • 2-输入与门
    • 10+

      ¥0.4648
    • 100+

      ¥0.3736
    • 300+

      ¥0.328
  • 有货
  • 特性:高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻:Rₒₙ = 1.52Ω (最大值) (VGS = 1.5V)。Rₒₙ = 1.14Ω (最大值) (VGS = 1.8V)。Rₒₙ = 0.85Ω (最大值) (VGS = 2.5V)。Rₒₙ = 0.66Ω (最大值) (VGS = 4.5V)。Rₒₙ = 0.63Ω (最大值) (VGS = 5.0V)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4799
    • 100+

      ¥0.3839
    • 300+

      ¥0.3359
    • 1000+

      ¥0.2999
  • 有货
  • 总线缓冲器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.539
    • 50+

      ¥0.469
    • 150+

      ¥0.434
    • 500+

      ¥0.4078
  • 有货
  • TC7S14是一款采用硅栅C²MOS技术制造的高速C²MOS施密特反相器。它在保持C²MOS低功耗的同时,实现了与等效LSTTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC7SU04F相同,但输入具有25% Vcc的滞后特性
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5482
    • 50+

      ¥0.4273
    • 150+

      ¥0.3668
    • 500+

      ¥0.3215
  • 有货
  • 双反相器(开漏)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5744
    • 50+

      ¥0.4994
    • 150+

      ¥0.4619
    • 500+

      ¥0.4338
  • 有货
  • 用于音频频率通用放大器应用。小封装(双类型),高电压和高电流:VCEO = -50V,IC = -150mA(最大值),高hFE,出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95(典型值),与2SC4944互补。
    • 5+

      ¥0.7023
    • 50+

      ¥0.5502
    • 150+

      ¥0.4741
    • 500+

      ¥0.4171
  • 有货
  • 特性:高速:在VCC = 5V时,tpHL = 7ns(典型值)。 低功耗:在Ta = 25°C时,ICC = 1μA(最大值)。 高抗噪性:VNH = VNL = 28%VCC(最小值)。 输出驱动能力:5个LSTTL负载。 对称输出阻抗:|IOH| = |IOL| = 2mA(最小值)。 平衡传播延迟:tpLH ÷ tpHL。 宽工作电压范围:VCC = 2至6V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7339
    • 50+

      ¥0.5899
    • 150+

      ¥0.5179
    • 500+

      ¥0.4639
  • 有货
  • TC4S66F/FU 包含一个双向开关电路。当控制输入 CONT 为高电平时,开关的输入和输出之间的阻抗变低;当控制输入为低电平时,开关的阻抗变高。适用于模拟信号和数字信号的切换。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7511
    • 50+

      ¥0.5927
    • 150+

      ¥0.5135
    • 500+

      ¥0.4541
  • 有货
  • 特性:AEC-Q100 (Rev. H)。 宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高输出电流:±24mA (min),VCC = 3.0V。 超高速运行:tPZL = 2.3ns (typ.),VCC = 5.0V,CL = 50pF。 工作电压范围:VCC = 1.65 至 5.5V。 5.5V 容限输入。 5.5V 掉电保护输出。 当在 3.3VVCC 下运行时,性能与 TC74LCX 系列匹配
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7647
    • 50+

      ¥0.6177
    • 150+

      ¥0.5547
    • 500+

      ¥0.476
    • 2500+

      ¥0.441
  • 有货
  • 双输入或门
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8007
    • 50+

      ¥0.6241
    • 150+

      ¥0.5358
    • 500+

      ¥0.4696
  • 有货
  • 反相器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.818292 ¥0.8436
    • 50+

      ¥0.586467 ¥0.6741
    • 150+

      ¥0.453838 ¥0.5894
    • 500+

      ¥0.404943 ¥0.5259
    • 3000+

      ¥0.365827 ¥0.4751
    • 6000+

      ¥0.346192 ¥0.4496
  • 有货
  • 特性:低饱和电压:VCE(sat)最大0.5V(IC = 1A)。 高速开关时间:tSTG典型值为1.0μs。 小型扁平封装,PC = 1.0至2.0W(安装在陶瓷基板上)。 与2SA1213互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8967
    • 50+

      ¥0.6951
    • 150+

      ¥0.6087
  • 有货
  • 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 C²MOS 施密特触发器。它在保持 C²MOS 低功耗的同时,实现了与等效 LSTTL 相似的高速运行。引脚配置和功能与 TC7SU04F 相同,但输入具有 25% VCC 的滞后特性,凭借其施密特触发功能,可作为接收缓慢输入信号的线路接收器。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路,输出电流是 TC74HC 系列型号的 1/2。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9554
    • 50+

      ¥0.8294
    • 150+

      ¥0.7754
    • 500+

      ¥0.708
  • 有货
  • 特性:1.5V 驱动。 低导通电阻: -Q1 Nch: -Rₒₙ = 1.52Ω(最大值)(V_GS = 1.5V)。 -Rₒₙ = 1.14Ω(最大值)(V_GS = 1.8V)。应用:高速开关应用
    • 5+

      ¥0.9797
    • 50+

      ¥0.7682
    • 150+

      ¥0.6775
    • 500+

      ¥0.5644
    • 2500+

      ¥0.5141
    • 4000+

      ¥0.4839
  • 有货
  • 高速CMOS四总线缓冲器,采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速操作,同时保持了CMOS的低功耗。74VHC125FT需要将三态控制输入G(overline)设置为高电平,以使输出进入高阻抗状态,而74VHC126FT需要将控制输入G设置为低电平,以使输出进入高阻抗状态。输入保护电路确保可以在不考虑电源电压的情况下向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统和双电源系统(如备用电池)的接口。该电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0177
    • 50+

      ¥0.7909
    • 150+

      ¥0.6937
    • 500+

      ¥0.5725
  • 有货
  • 是一种低输入、高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)和宽工作温度(-55 至 125℃)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0223
    • 50+

      ¥0.8858
    • 150+

      ¥0.8272
    • 500+

      ¥0.7542
    • 3000+

      ¥0.7217
    • 6000+

      ¥0.7022
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格(请参阅可订购的零件编号列表)。 4.0V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 71mΩ(最大值)(@VGS =-10V);RDS(ON) = 105mΩ(最大值)(@VGS =-4.5V);RDS(ON) = 136mΩ(最大值)(@VGS =-4.0V)。应用:电源管理开关
    • 5+

      ¥1.0255
    • 50+

      ¥0.799
    • 150+

      ¥0.7019
    • 500+

      ¥0.5808
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0285
    • 50+

      ¥0.892
    • 150+

      ¥0.8335
    • 500+

      ¥0.7605
    • 3000+

      ¥0.728
    • 6000+

      ¥0.7085
  • 有货
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